JPH0467658A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0467658A JPH0467658A JP2179624A JP17962490A JPH0467658A JP H0467658 A JPH0467658 A JP H0467658A JP 2179624 A JP2179624 A JP 2179624A JP 17962490 A JP17962490 A JP 17962490A JP H0467658 A JPH0467658 A JP H0467658A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- chip
- insulating film
- metal
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置に係わり、特に半導体素子の放熱
特性とＩＣチップの実装方法を改善した半導体装置に関
する。
特性とＩＣチップの実装方法を改善した半導体装置に関
する。
（従来の技術）
近年、半導体集積回路の集積化が進み、非常に多数のデ
バイスがＩＣチップに形成されるようになってきた。
バイスがＩＣチップに形成されるようになってきた。
このうちの一つの実装方法として、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術による方法
が提唱され、この技術に対する開発が盛んに行われてい
る。 このＴＡＢ技術とは次のような方法を用いる技術
である。すなわち、まずフレキシブルな樹脂フィルムの
上に多数の金属配線層を形成するとともに、ＩＣチップ
の入出力部に突起電極（バンプ）を形成する。次に、こ
の突起電極を前記金属配線層と接続せしめ、ＩＣチップ
の実装を行う。
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術による方法
が提唱され、この技術に対する開発が盛んに行われてい
る。 このＴＡＢ技術とは次のような方法を用いる技術
である。すなわち、まずフレキシブルな樹脂フィルムの
上に多数の金属配線層を形成するとともに、ＩＣチップ
の入出力部に突起電極（バンプ）を形成する。次に、こ
の突起電極を前記金属配線層と接続せしめ、ＩＣチップ
の実装を行う。
しかしながら、ＴＡＢ技術を用いた装置には次のような
問題があった。すなわち、一般にフィル熱を放散させる
ことができない。このため、半導体素子の温度が上昇し
、半導体素子の高動作速度を得る上で問題が生じていた
。
問題があった。すなわち、一般にフィル熱を放散させる
ことができない。このため、半導体素子の温度が上昇し
、半導体素子の高動作速度を得る上で問題が生じていた
。
（発明が解決しようとする課題）
このように従来の半導体装置は、熱の放散を十分に行う
ことができず、このため半導体素子の高動作速度を得る
上で問題が生じていた。
ことができず、このため半導体素子の高動作速度を得る
上で問題が生じていた。
即ち本発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、熱
の放散を十分に行える半導体装置を提供することを目的
とする。
の放散を十分に行える半導体装置を提供することを目的
とする。
（課題を解決するための手段）
即ち本発明は熱伝導性部材と、この熱伝導性部材上に設
けられた半導体素子と、絶縁フィルム上に一端部が前記
半導体素子と接続して設けられた配線と、前記絶縁フィ
ルムに設けられた穴を通して前記絶縁フィルムを前記熱
伝導性部材に取付ける取付部材とを備えたことを特徴と
する半導体装置を提供するものである。
けられた半導体素子と、絶縁フィルム上に一端部が前記
半導体素子と接続して設けられた配線と、前記絶縁フィ
ルムに設けられた穴を通して前記絶縁フィルムを前記熱
伝導性部材に取付ける取付部材とを備えたことを特徴と
する半導体装置を提供するものである。
（作 用）
本発明によれば、ＴＡＢ実装基板に熱伝導性部材を結合
させるため、機械的強度の点で信頼性が優れ、前記半導
体素子で発生する熱を前記熱伝導性部材を通じて放散し
、前記半導体素子の温度上昇を抑制することができる。
させるため、機械的強度の点で信頼性が優れ、前記半導
体素子で発生する熱を前記熱伝導性部材を通じて放散し
、前記半導体素子の温度上昇を抑制することができる。
従って、前記半導体素子の動作速度を高く保持し高動作
速度を得ることができる。
速度を得ることができる。
（実施例）
以下本発明による半導体装置の詳細を実施例により説明
する。
する。
第１図は本発明による半導体装置の一実施例の構成を示
す斜視図、第２図は第１図の線分ＡＡで切った断面を側
面から見た断面図である。
す斜視図、第２図は第１図の線分ＡＡで切った断面を側
面から見た断面図である。
これらの図に示すように、ポリイミド等の可撓性樹脂フ
ィルム１には穴１ａが４つ対称に開口されており、樹脂
フィルム１上面に導電層として金属箔配線（リード配線
）２が形成される。ここで、樹脂フィルム１はこの導体
層の支持体として作用する。また、樹脂フィルム１と金
属箔配線２はフィルムキャリア３を構成する。この樹脂
フィルムｌの材料には、後に行われる曲げ工程に支障が
ないように、フレキシブルな性質を有する材料が用いら
れる。
ィルム１には穴１ａが４つ対称に開口されており、樹脂
フィルム１上面に導電層として金属箔配線（リード配線
）２が形成される。ここで、樹脂フィルム１はこの導体
層の支持体として作用する。また、樹脂フィルム１と金
属箔配線２はフィルムキャリア３を構成する。この樹脂
フィルムｌの材料には、後に行われる曲げ工程に支障が
ないように、フレキシブルな性質を有する材料が用いら
れる。
樹脂フィルムｌの中央部には正方形の開口部４が形成さ
れ、金属箔配線２の一部は開口部４内に突出し、突出部
として舌片形電極（インナーリード） ２ａを構成する
。
れ、金属箔配線２の一部は開口部４内に突出し、突出部
として舌片形電極（インナーリード） ２ａを構成する
。
また、樹脂フィルムｌの裏面には開口部４を囲むように
表面側の金属箔配＃Ｉ２とコプレナ構造を構成する接地
された金属層５が形成される。
表面側の金属箔配＃Ｉ２とコプレナ構造を構成する接地
された金属層５が形成される。
開口部４の内部には集積回路が形成されるＩＣチップ６
が設置される。また、ＩＣチップ６の上面外周部には前
記半導体素子への入出力のための電極パッドが形成され
、この電極パッドはインナーリード２ａに接合金属バン
プ７を介して接続される。
が設置される。また、ＩＣチップ６の上面外周部には前
記半導体素子への入出力のための電極パッドが形成され
、この電極パッドはインナーリード２ａに接合金属バン
プ７を介して接続される。
一方、ＩＣチップ６の裏面には接着剤８を介して熱伝導
体例えばＣｕを主成分とする金属片９が取り付けられる
。この金属片９の上面には突起部９ａが前述した樹脂フ
ィルム１の穴１ａの位置に対応して設けられており、こ
の突起部９ａが１８に挿入された後、押しつぶされるこ
とにより、金属片９が強固にＩＣフィルムキャリア３に
結合される。接着剤８は金属層５の裏面にも設けてよい
。
体例えばＣｕを主成分とする金属片９が取り付けられる
。この金属片９の上面には突起部９ａが前述した樹脂フ
ィルム１の穴１ａの位置に対応して設けられており、こ
の突起部９ａが１８に挿入された後、押しつぶされるこ
とにより、金属片９が強固にＩＣフィルムキャリア３に
結合される。接着剤８は金属層５の裏面にも設けてよい
。
また一方、金属片９の裏面にも突起部９ｂが形成されて
いる。この金属片９の下部には円板を重ねた形状のＡｌ
ｉ！よりなる放熱フィン１０が設置され、この放熱フィ
ン１０に設けられる凹部１０ａに前記突起部９ｂを嵌合
することにより、放熱フィン１０の金属片９の裏面への
固定が可能となる。
いる。この金属片９の下部には円板を重ねた形状のＡｌ
ｉ！よりなる放熱フィン１０が設置され、この放熱フィ
ン１０に設けられる凹部１０ａに前記突起部９ｂを嵌合
することにより、放熱フィン１０の金属片９の裏面への
固定が可能となる。
この構造を有する半導体装置であれば、熱伝導体９とフ
ィルムキャリア３との結合を容易ならしめるとともに、
半導体素子で発生する熱を熱伝導体９を通じて効果的に
放散させることができ、半導体素子の高動作速度を保つ
ことができる。
ィルムキャリア３との結合を容易ならしめるとともに、
半導体素子で発生する熱を熱伝導体９を通じて効果的に
放散させることができ、半導体素子の高動作速度を保つ
ことができる。
第３図は本発明による半導体装置の他の実施例の構成を
示す断面図である。この図において第１図及び第２図と
同一の部分には同一の符号を符して示し詳細な説明を省
略する。
示す断面図である。この図において第１図及び第２図と
同一の部分には同一の符号を符して示し詳細な説明を省
略する。
この図に示すように、熱伝導体としての金属片３１には
、これを貫通する穴３２が設けられる。この穴３２内に
全長が金属片３１の厚みより長い接続用金属棒３３を通
すことにより突起部３３ａ、 ３３ｂが形成され、この
突起部３３ａ、 ３３ｂはそれぞれ先の実施例と同様に
フィルムキャリア３及び放熱フィンエ０への取り付けに
用いられる。
、これを貫通する穴３２が設けられる。この穴３２内に
全長が金属片３１の厚みより長い接続用金属棒３３を通
すことにより突起部３３ａ、 ３３ｂが形成され、この
突起部３３ａ、 ３３ｂはそれぞれ先の実施例と同様に
フィルムキャリア３及び放熱フィンエ０への取り付けに
用いられる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではない６
例えば放熱フィンの形状は放熱を促進するものであれば
何でもよく、例えば櫛形のものや多数の突起を有するも
のでもよい。
例えば放熱フィンの形状は放熱を促進するものであれば
何でもよく、例えば櫛形のものや多数の突起を有するも
のでもよい。
また、樹脂フィルム１の金属片９への取付方法は前記突
起部を圧延する方法の他、穴１ａを介して両者をねじ止
めする方法であってもよい。
起部を圧延する方法の他、穴１ａを介して両者をねじ止
めする方法であってもよい。
また、金属箔２を樹脂フィルム１上の信号が乗らない部
位に残しておき、樹脂フィルム１と共に加工して穴１ａ
を形成する事も可能である。
位に残しておき、樹脂フィルム１と共に加工して穴１ａ
を形成する事も可能である。
その化１本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々変形して
実施することができる。
実施することができる。
以上述べたように本発明によれば、熱の放散に用いるた
めの熱伝導体を半導体素子に負担をかけずに取り付ける
ことができ、この熱伝導体を通じて熱を放散させること
により、半導体素子の動作速度を高く保つことができる
。
めの熱伝導体を半導体素子に負担をかけずに取り付ける
ことができ、この熱伝導体を通じて熱を放散させること
により、半導体素子の動作速度を高く保つことができる
。
第１図は本発明による半導体装置の一実施例の構成を示
す斜視図、第２図は第１図の線分ＡＡの断面図、第３図
は本発明による半導体装置の他の実施例の構成を示す断
面図である。 図において、 １・・・樹脂フィルム １ａ・・・穴、２・・・金属箔
配線。 ２ａ・・・舌片形電極（インナーリード）、３・・・フ
ィルムキャリア、 ４・・・開口部、 ５・・・金属層、６・・・ＩＣ
チップ、 ７・・・接合金属バンプ、８・・・接着剤
、 ９，３１・・・金属片（熱伝導体）、９ａ、
９ｂ・・・突起部、 １０・・・放熱フィン、１０ａ
・・・凹部、 ３２・・・穴、３３・・・接続用
金属棒、３３ａ、 ３３ｂ・・・突起部。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 ａ 第 ２ 図 第 １ 図
す斜視図、第２図は第１図の線分ＡＡの断面図、第３図
は本発明による半導体装置の他の実施例の構成を示す断
面図である。 図において、 １・・・樹脂フィルム １ａ・・・穴、２・・・金属箔
配線。 ２ａ・・・舌片形電極（インナーリード）、３・・・フ
ィルムキャリア、 ４・・・開口部、 ５・・・金属層、６・・・ＩＣ
チップ、 ７・・・接合金属バンプ、８・・・接着剤
、 ９，３１・・・金属片（熱伝導体）、９ａ、
９ｂ・・・突起部、 １０・・・放熱フィン、１０ａ
・・・凹部、 ３２・・・穴、３３・・・接続用
金属棒、３３ａ、 ３３ｂ・・・突起部。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 ａ 第 ２ 図 第 １ 図
Claims (2)
- （１）熱伝導性部材と、この熱伝導性部材上に設けられ
た半導体素子と、絶縁フィルム上に一端部が前記半導体
素子と接続して設けられた配線と、前記絶縁フィルムに
設けられた穴を通して前記絶縁フィルムを前記熱伝導性
部材に取付ける取付部材とを備えたことを特徴とする半
導体装置。 - （２）前記取付部材は前記伝導性部材に設けられた突出
部の頭部を圧延したもの或いは取付ねじよりなることを
特徴とする請求項（１）記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2179624A JPH0467658A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2179624A JPH0467658A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0467658A true JPH0467658A (ja) | 1992-03-03 |
Family
ID=16069023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2179624A Pending JPH0467658A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0467658A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0678917A1 (en) * | 1994-04-22 | 1995-10-25 | Nec Corporation | Supporting member for cooling means and electronic package using the same |
| EP0683517A3 (en) * | 1994-05-09 | 1997-04-02 | Nec Corp | Semiconductor arrangement consisting of a semiconductor chip, which is connected by means of contact bumps on the printed circuit board, and assembly method. |
-
1990
- 1990-07-09 JP JP2179624A patent/JPH0467658A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0678917A1 (en) * | 1994-04-22 | 1995-10-25 | Nec Corporation | Supporting member for cooling means and electronic package using the same |
| EP0683517A3 (en) * | 1994-05-09 | 1997-04-02 | Nec Corp | Semiconductor arrangement consisting of a semiconductor chip, which is connected by means of contact bumps on the printed circuit board, and assembly method. |
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