JPH046797A - Stroboscope - Google Patents

Stroboscope

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JPH046797A
JPH046797A JP10908890A JP10908890A JPH046797A JP H046797 A JPH046797 A JP H046797A JP 10908890 A JP10908890 A JP 10908890A JP 10908890 A JP10908890 A JP 10908890A JP H046797 A JPH046797 A JP H046797A
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voltage
power supply
light emission
discharge tube
power mosfet
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Kazuo Tanaka
和雄 田中
Shinji Hirata
伸二 平田
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West Electric Co Ltd
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  • Discharge-Lamp Control Circuits And Pulse- Feed Circuits (AREA)
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Abstract

PURPOSE:To make operation of a power MOSFET to be in its stable state independently of the operation timing of a trigger circuit by applying a set voltage to the gate of the power MOSFET by a voltage supply means in response to respond the operation start of a DC high voltage power supply. CONSTITUTION:When the operation of a DC high voltage power supply 1 is started by making a power supply switch, a DC high voltage outputted between its output terminals 1a and 1b begins to charge a main condenser 6 and so on. It also supplies simultaneously the DC high voltage to a voltage supplying means 12, a preset voltage is generated from both ends of a Zener diode 14 and this preset voltage is applied between the gate and the source of the power MOSFET through a resistance R In the state where the main condenser 6 and so on are charged, a high level pulse signal serving as a light emission starting signal is applied to the gate 15a of a SCR 15, the SCR 5 is switched on because of the power MOSFET in its electrification preparatory state. Then a trigger circuit 3 works and stimulates an Xe flash discharge tube.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は閃光放電管と直列にこの閃光放電管の発光動作
を制御するパワーMOSFETを接続したストロボ装置
に関し、特に、上述のパワーMOSFETの駆動制御系
を簡素化したことを特徴とするストロボ装置に関するも
のである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a flash device in which a power MOSFET is connected in series with a flash discharge tube to control the light emission operation of the flash discharge tube. The present invention relates to a strobe device characterized by a simplified structure.

従来の技術 従来よりFETを使用したストロボ装置としては、特開
昭61−50125号公報、同61−50126号公報
に示された装置が周知である。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a strobe device using an FET, devices disclosed in Japanese Patent Application Laid-open Nos. 61-50125 and 61-50126 are well known.

第5図は、上記両提案に示されている装置の基本構成を
示した電気回路図であり、上記提案装置ハ、周知のDC
−DCコンバータ回路である直流高圧電源1、この電源
1に併設され後述する発光制御回路5に定電圧を供給す
る定電圧回路2、閃光放電管Xeをトリガーする公知の
トリガー回路3、トリガー回路3を動作させるためのト
リガー信号等、種々の出力信号を発生する制御回路4、
閃光放電管Xeと直列接続されたFETのオン、オフを
制御し上記閃光放電管Xeの発光を制御する発光制御回
路5および閃光放電管Xeで消費されるエネルギーを蓄
積する主コンデンサ6とを備えて構成されている。
FIG. 5 is an electric circuit diagram showing the basic configuration of the devices shown in both of the above proposals.
- A DC high-voltage power supply 1 that is a DC converter circuit, a constant voltage circuit 2 that is attached to the power supply 1 and supplies a constant voltage to a light emission control circuit 5 to be described later, a known trigger circuit 3 that triggers a flash discharge tube Xe, a trigger circuit 3 a control circuit 4 that generates various output signals such as trigger signals for operating the
It includes a light emission control circuit 5 that controls on/off of an FET connected in series with the flash discharge tube Xe to control the light emission of the flash discharge tube Xe, and a main capacitor 6 that stores energy consumed by the flash discharge tube Xe. It is composed of

上記装置においてスイッチSwをオンすると、直流高圧
電源1が動作し、発振トランスTの二次巻線Saに発生
している高電圧によって主コンデンサ6の充電が、また
低圧電源Eにて制御回路4の電源用コンデンサCeの充
電が行われる。
When the switch Sw is turned on in the above device, the DC high-voltage power supply 1 is activated, the main capacitor 6 is charged by the high voltage generated in the secondary winding Sa of the oscillation transformer T, and the control circuit 4 is charged by the low-voltage power supply E. The power supply capacitor Ce is charged.

同時に、発振トランスTの二次巻線Sb1ダイオード7
、ツェナーダイオード8等からなる定電圧回路2が動作
を開始し、図中のA点に所定の定電圧が出力されること
になる。
At the same time, the secondary winding Sb1 diode 7 of the oscillation transformer T
, a Zener diode 8, etc., starts operating, and a predetermined constant voltage is output to point A in the figure.

よって、制御回路4および発光制御回路5は夫々動作準
備状態となる。
Therefore, the control circuit 4 and the light emission control circuit 5 are each in a ready state for operation.

各コンデンサの充電がなされた状態で制御回路4の出力
端子4aより高レベル信号である発光開始信号が出力さ
れ、発光制御回路5のトランジスタ9のベースに入力さ
れると、このトランジスタ9はオンし、よってトランジ
スタ10もオンすることになる。
When each capacitor is charged, a light emission start signal, which is a high level signal, is output from the output terminal 4a of the control circuit 4 and input to the base of the transistor 9 of the light emission control circuit 5, which turns on the transistor 9. Therefore, the transistor 10 is also turned on.

よって、定電圧回路2がA点に出力している定電圧が上
記トランジスタ10、図番を付していない抵抗を介して
FETのゲートに印加される。
Therefore, the constant voltage that the constant voltage circuit 2 outputs to point A is applied to the gate of the FET via the transistor 10 and a resistor (not numbered).

これによりFETはオンし、トリガー回路3のトリガー
コンデンサCt、トリガートランスTtの一次巻線を介
してコンデンサCtの充電電流かながれ、上記トランス
Ttの二次巻線にトリガパルスが発生、閃光放電管Xe
に印加される。
This turns on the FET, and the charging current of the capacitor Ct flows through the trigger capacitor Ct of the trigger circuit 3 and the primary winding of the trigger transformer Tt, a trigger pulse is generated in the secondary winding of the transformer Tt, and the flash discharge tube Xe
is applied to

この結果、上記閃光放電管Xeは主コンデンサ6の充電
電荷を消費して発光する。
As a result, the flash discharge tube Xe consumes the charge in the main capacitor 6 and emits light.

上記発光途上において、たとえば制御回路4内に含まれ
る測光回路によって発光停止パルスが発生せしめられ出
力端子4aから低レベルの発光停止信号が出力されると
、トランジスタ9.10がオフする。
During the above-mentioned light emission, when a light emission stop pulse is generated by the photometry circuit included in the control circuit 4 and a low level light emission stop signal is output from the output terminal 4a, the transistors 9 and 10 are turned off.

よって、それまで定電圧回路2よりFETのゲートに供
給されていた所定電圧の供給が停止することになり、上
記FETがオフし、この結果閃光放電管Xeの発光が停
止する。
Therefore, the supply of the predetermined voltage that had been supplied to the gate of the FET from the constant voltage circuit 2 is stopped, the FET is turned off, and as a result, the flash discharge tube Xe stops emitting light.

以上のような動作が第5図に示した装置の基本動作であ
る。
The above operation is the basic operation of the apparatus shown in FIG.

発明が解決しようとする課題 第5図に図示した装置は、閃光放電管Xeを励起するト
リガー回路を動作させるトリが一信号である発光開始信
号に応答してFETのゲートに電圧を印加し、発光停止
信号に応答して上記電圧印加を停止する制御構成を備え
ており、転流コンデンサを用いて発光停止を行うものに
比して発光オーバーがなくなり、また高速の繰返し発光
を実現できることになる。
Problems to be Solved by the Invention The device shown in FIG. 5 applies a voltage to the gate of the FET in response to a light emission start signal, which is a single signal that operates the trigger circuit that excites the flash discharge tube Xe. Equipped with a control configuration that stops the voltage application in response to a light emission stop signal, this eliminates over-light emission compared to a system that uses a commutating capacitor to stop light emission, and also enables high-speed repeated light emission. .

しかしながら、上記した装置のFETの駆動系について
みてみると、発光開始信号に応答して動作するとともに
、発光停止信号にも応答して動作することにより上記F
ETのゲートへの電圧印加を制御する発光制御回路5を
必要とし、回路構成が複雑化し、コストアップを生じる
問題点を有している。
However, if we look at the drive system of the FET in the above-mentioned device, it will operate in response to the light emission start signal as well as in response to the light emission stop signal.
This requires a light emission control circuit 5 that controls the voltage application to the gate of the ET, resulting in a complicated circuit configuration and an increase in cost.

また、発光開始信号に応答してFETのゲートへの電圧
印加とトリガー回路の起動動作が同時になされるため、
ともすればFETが十分にオンしていないときにトリガ
ー回路が動作してしまう恐れがある。一方、この場合、
FETは高インピーダンス状態であり、よって、トリガ
ー回路の動作効率が悪くなり、閃光放電管Xeを発光さ
せることができない場合が生じる恐れがあり、さらに、
閃光放電管Xeを発光させることができた場合であって
も、主コンデンサ6からのエネルギー供給によりFET
が破壊されてしまう場合が生じる恐れも有している。
In addition, since voltage application to the gate of the FET and activation of the trigger circuit are performed simultaneously in response to the light emission start signal,
Otherwise, the trigger circuit may operate when the FET is not turned on sufficiently. On the other hand, in this case,
Since the FET is in a high impedance state, the operating efficiency of the trigger circuit may deteriorate, and the flash discharge tube Xe may not be able to emit light.
Even if the flash discharge tube Xe can be made to emit light, the FET
There is also a risk that the equipment may be destroyed.

すなわち、トリガー回路の動作タイミングに基づき、ト
リガー回路の動作効率の悪化、あるいはFETの破壊と
いう不都合を生じる恐れを有している。
That is, based on the operation timing of the trigger circuit, there is a risk that the operation efficiency of the trigger circuit may deteriorate or the FET may be destroyed.

本発明は上述したような不都合点を考慮してなしたもの
で、簡単な構成を有し、かつトリガー回路の動作タイミ
ングに関係のない安定した動作を実現できるストロボ装
置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in consideration of the above-mentioned disadvantages, and an object of the present invention is to provide a strobe device that has a simple configuration and can realize stable operation regardless of the operation timing of the trigger circuit. do.

課題を解決するための手段 本発明によるストロボ装置は直流高圧電源と、該直流高
圧電源の両端に接続され、上記直流高圧電源が供給され
ることにより充電される主コンデンサと、閃光放電管と
パワーMOSFETとを直列接続してなり、上記主コン
デンサの両端に接続される直列接続体と、上記直流高圧
電源の上記主コンデンサへの供給に同期して動作し、上
記パワーMOSFETのゲートに駆動電圧を供給する電
圧供給手段と、発光命令信号が供給される制御極を有す
るとともにその低電位側端子が上記閃光放電管とパワー
MOSFETとの接続点に接続されたトリガースイッチ
素子と、該トリガースイッチ素子の動作に応答して上記
閃光放電管を励起するトリガー回路と、発光停止命令信
号が供給される制御極を有するとともにその主極間が上
記パワーMO8FETのゲートルソース間に接続される
制御スイッチ素子とを備えて構成される。
Means for Solving the Problems A strobe device according to the present invention includes a DC high-voltage power supply, a main capacitor connected to both ends of the DC high-voltage power supply and charged by the supply of the DC high-voltage power supply, a flash discharge tube, and a power supply. The series connection body is connected to both ends of the main capacitor, and operates in synchronization with the supply of the DC high voltage power supply to the main capacitor, and applies a driving voltage to the gate of the power MOSFET. a trigger switch element having a control pole to which a light emission command signal is supplied and whose low potential side terminal is connected to a connection point between the flash discharge tube and the power MOSFET; A trigger circuit that excites the flash discharge tube in response to an operation, and a control switch element having a control pole to which a light emission stop command signal is supplied and whose main pole is connected between the gaiter source of the power MO8FET. Prepared and configured.

作  用 本発明によるストロボ装置は上記のような構成を有する
ことから、パワーMOSFETのゲートには、トリガー
回路を動作させる発光開始信号に応答することなく、直
流高圧電源の動作開始に応答して主コンデンサの充電が
開始されると電圧供給手段より駆動電圧が印加されるこ
とになる。
Function: Since the strobe device according to the present invention has the above-described configuration, the gate of the power MOSFET is connected to the gate of the power MOSFET in response to the start of operation of the DC high voltage power supply, without responding to the light emission start signal that operates the trigger circuit. When charging of the capacitor starts, a driving voltage is applied from the voltage supply means.

この駆動電圧の印加により、パワーMOSFETは導通
準備状態になされることになる。
By applying this drive voltage, the power MOSFET is brought into a conduction ready state.

従って、上記駆動電圧の印加構成、すなわち、パワーM
OSFETの駆動系は発光開始信号に応答するための構
成か必要なくなり簡素化され、また、上記パワーMOS
FETはトリガー回路の動作タイミングに関係のない安
定した動作を行えることになる。
Therefore, the above driving voltage application configuration, that is, the power M
The drive system of the OSFET is simplified as there is no need for a configuration to respond to the light emission start signal, and the power MOS
The FET can perform stable operation regardless of the operation timing of the trigger circuit.

実施例 以下、本発明のストロボ装置の実施例について説明する
Embodiments Hereinafter, embodiments of the strobe device of the present invention will be described.

[実施例 1] 第1図は、本発明によるストロボ装置の第1実施例を示
す電気回路図であり、図中、第5図と同符号の構成要素
は同じ機能の要素である。
[Embodiment 1] FIG. 1 is an electric circuit diagram showing a first embodiment of a strobe device according to the present invention. In the figure, components having the same symbols as those in FIG. 5 have the same functions.

周知のDC−DCコンバータ回路や積層電源等からなる
直流高圧電源1の両端には、主コンデンサ6接続されて
いる。
A main capacitor 6 is connected to both ends of a DC high-voltage power supply 1 made of a well-known DC-DC converter circuit, a laminated power supply, or the like.

主コンデンサ6の両端には、閃光放電管XeとパワーM
OSFETとを直列接続した直列接続体11および抵抗
13とツェナーダイオード14とを直列接続してなる電
圧供給手段12が接続されている。
A flash discharge tube Xe and a power M are connected to both ends of the main capacitor 6.
A series connection body 11 in which an OSFET is connected in series, and a voltage supply means 12 in which a resistor 13 and a Zener diode 14 are connected in series are connected.

閃光放電管Xeの両端には、トリガー回路3のトリガー
コンデンサCtの充電用抵抗Rtと、オン動作すること
により上記トリガー回路3を動作させるトリガースイッ
チ素子である5CR15とを直列接続した直列体が接続
されている。すなわち、5CR15の低電位側端子であ
るカソードは閃光放電管XeとパワーMOSFETとの
接続点であるB点に接続されている。
A series body is connected to both ends of the flash discharge tube Xe, in which a charging resistor Rt of the trigger capacitor Ct of the trigger circuit 3 is connected in series with a trigger switch element 5CR15 that operates the trigger circuit 3 when turned on. has been done. That is, the cathode, which is the low potential side terminal of 5CR15, is connected to point B, which is the connection point between the flash discharge tube Xe and the power MOSFET.

抵抗13とツェナーダイオード14との接続点であるC
点は、パワーMOSFETのゲートと抵抗Rを介して接
続されている。
C, which is the connection point between the resistor 13 and the Zener diode 14
The point is connected to the gate of the power MOSFET via a resistor R.

また、上記C点とアース間、すなわちパワーMOSFE
Tのソース間には、オンすることによりパワーMOSF
ETのゲートルソース間を抵抗Rを介して短絡し、この
パワーMOSFETをオフさせるトランジスタ16が、
制御スイッチ素子として接続されている。
Also, between the above point C and the ground, that is, the power MOSFE
A power MOSF is connected between the sources of T by turning it on.
A transistor 16 short-circuits the gate and source of the ET via a resistor R to turn off this power MOSFET.
Connected as a control switch element.

5CR15、)ランジスタ16の制御極であるゲート1
5a、ベース16aには、それぞれ発光を開始させる発
光開始信号および発光を停止させる発光停止信号が供給
される。
5CR15,) Gate 1 which is the control pole of transistor 16
5a and the base 16a are supplied with a light emission start signal to start light emission and a light emission stop signal to stop light emission, respectively.

なお、第1図中に破線で示したコンデンサ、抵抗、ダイ
オードから形成される回路は1.<ワーMOSFETの
オン時に閃光放電管Xeの両端電位を高電位になす倍圧
回路17を示し、図示のように併設できることは詳述す
るまでもない。
Note that the circuit formed from capacitors, resistors, and diodes indicated by broken lines in FIG. 1 is 1. <A voltage doubler circuit 17 is shown which makes the potential across the flash discharge tube Xe a high potential when the power MOSFET is turned on, and it is needless to explain in detail that it can be installed in parallel as shown in the figure.

以下、上記のような構成からなる本発明によるストロボ
装置の第1実施例の動作について、第2図に示した第1
図中の所定地点の信号波形図を参照して説明する。
The operation of the first embodiment of the strobe device according to the present invention having the above-mentioned configuration will be explained below using the first embodiment shown in FIG.
This will be explained with reference to a signal waveform diagram at a predetermined point in the figure.

今、時点t1において、図示していない適宜の電源スィ
ッチの投入等により直流高圧電源1が動作を開始すると
、その出力端子1a、lb間に出力される直流高電圧に
て主コンデンサ6等の充電が開始され、例えば主コンデ
ンサ6の端子電圧は第2図(a)に示したように上昇し
て行く。
Now, at time t1, when the DC high voltage power supply 1 starts operating by turning on an appropriate power switch (not shown), the main capacitor 6, etc. is charged with the DC high voltage output between its output terminals 1a and lb. starts, and the terminal voltage of the main capacitor 6, for example, increases as shown in FIG. 2(a).

同時に、上記出力端子1 a % 1 b間に出力され
る直流高電圧は電圧供給手段12にも供給されることか
ら、ツェナーダイオード14の両端に第2図(b)に示
したような所定電圧が発生し、この所定電圧が抵抗Rを
介してパワーMOSFETのゲート〜ソース間に印加さ
れることになる。
At the same time, since the DC high voltage output between the output terminals 1a and 1b is also supplied to the voltage supply means 12, a predetermined voltage as shown in FIG. 2(b) is applied across the Zener diode 14. is generated, and this predetermined voltage is applied via the resistor R between the gate and source of the power MOSFET.

すなわち、本発明の第1実施例においては上記時点1.
にてパワーMO8FETのゲートに所定電圧を印加して
おり、もちろんパワーMO8FETは上記所定電圧の印
加により導通準備状態になされる。
That is, in the first embodiment of the present invention, the above time point 1.
A predetermined voltage is applied to the gate of the power MO8FET, and of course the power MO8FET is brought into a conduction preparation state by applying the predetermined voltage.

主コンデンサ6等の充電がなされた状態における時点t
2にて、5CR15のゲート15aに第2図(C)に示
したような発光開始信号である高レベルパルス信号が印
加されると、5CR15はパワーMOSFETが導通準
備状態であることからオンする。
Time t when the main capacitor 6 etc. is charged
At step 2, when a high level pulse signal, which is a light emission start signal as shown in FIG. 2(C), is applied to the gate 15a of the 5CR15, the 5CR15 is turned on because the power MOSFET is in the conduction preparation state.

よって、トリガーコンデンサCtの充電電荷か5CR1
5、トリガートランスTtを介して放電され、すなわち
トリガー回路3が動作し、閃光放電管Xeが励起される
Therefore, the charging charge of the trigger capacitor Ct is 5CR1
5. The light is discharged through the trigger transformer Tt, that is, the trigger circuit 3 is operated, and the flash discharge tube Xe is excited.

このときパワーMOSFETは導通準備状態であり、従
ってパワーMOSFETはオンし、閃光放電管Xeは第
2図(e)に示したように上記時点t2より主コンデン
サ6の充電電荷を消費して発光する。
At this time, the power MOSFET is in the conduction preparation state, so the power MOSFET is turned on, and the flash discharge tube Xe starts emitting light by consuming the charge in the main capacitor 6 from the above-mentioned time t2, as shown in FIG. 2(e). .

閃光放電管Xeが発光している適宜時点、たとえばその
発光量が適正光量となった時点t3において、トランジ
スタ16のベース16aに、例えば測光回路(図示せず
)より発光停止信号である第2図(d)に示したような
所定のパルス幅Tsを有する高レベルパルス信号が印加
されると、その期間Ts中トランジスタ16がオンする
ことになる。
At an appropriate point in time when the flash discharge tube Xe is emitting light, for example at time t3 when the amount of light emitted by the flash discharge tube Xe reaches an appropriate amount of light, a light emission stop signal as shown in FIG. When a high level pulse signal having a predetermined pulse width Ts as shown in (d) is applied, the transistor 16 is turned on during the period Ts.

トランジスタ16がオンすると、パワーMO8FETの
ゲート〜ソース間が抵抗Rを介して短絡され、そのゲー
ト電位が第2図(b)に示したように上記時点t3にて
導通を維持できないレベルに制御されることになり、こ
の結果、パワーMO8FETは上記時点t3にてオフす
る。
When the transistor 16 is turned on, the gate and source of the power MO8FET are short-circuited via the resistor R, and the gate potential is controlled to a level at which conduction cannot be maintained at the above-mentioned time point t3, as shown in FIG. 2(b). As a result, the power MO8FET is turned off at the above-mentioned time point t3.

従って、閃光放電管Xeを流れていた放電電流が遮断さ
れることになり、閃光放電管Xeの発光は第2図(e)
に示したように時点t3において停止する。
Therefore, the discharge current flowing through the flash discharge tube Xe is cut off, and the light emission from the flash discharge tube Xe continues as shown in Figure 2(e).
It stops at time t3 as shown in FIG.

また、5CR15の低電位側端子であるカソードがパワ
ーMOSFETのドレインと接続されており、従って、
パワーMO8FETのオフにより5CR15を介して流
れる電流ループも同時に遮断され、この5CR15も確
実にオフする。
In addition, the cathode, which is the low potential side terminal of 5CR15, is connected to the drain of the power MOSFET, and therefore,
When the power MO8FET is turned off, the current loop flowing through the 5CR15 is also cut off at the same time, and this 5CR15 is also turned off reliably.

このことは、5CR15をその保持電流を考慮すること
なくオフできることを意味しており、閃光放電管Xeを
高速発光させる機能を実現するために極めて重要な要件
となる。
This means that the 5CR15 can be turned off without considering its holding current, which is an extremely important requirement for realizing the function of causing the flash discharge tube Xe to emit light at high speed.

すなわち、本発明においては、上述したように5CR1
5であるトリガースイッチ素子の低電位側端子を閃光放
電管XeとパワーMOSFETと′の接続点に接続して
おり、パワーMOSFETのオフ時必ずトリガースイッ
チ素子をオフでき、次回の発光動作のためのトリガー回
路3の動作準備を行えることになり、この結果、閃光放
電管Xeの高速発光機能を実現できることになるわけで
ある。
That is, in the present invention, as described above, 5CR1
The low potential side terminal of the trigger switch element (5) is connected to the connection point between the flash discharge tube Xe and the power MOSFET. The trigger circuit 3 can be prepared for operation, and as a result, the high-speed light emission function of the flash discharge tube Xe can be realized.

以後、第2図(d)に示したように、上記期間Tsを経
過した時点t4にて発光停止信号がなくなると、トラン
ジスタ16がオンからオフに復帰し、パワーMOSFE
Tのゲートルソース間の短絡が解除され、かつ電圧供給
手段12の動作により再びパワーMO8FETのゲート
に駆動電圧が印加されることになる。すなわち、装置は
発光前の初期状態に復帰することになり、かかる時点で
一回の発光動作が終了する。
Thereafter, as shown in FIG. 2(d), when the light emission stop signal disappears at time t4 after the above period Ts, the transistor 16 returns from on to off, and the power MOSFE
The short circuit between the gate and source of T is released, and the drive voltage is again applied to the gate of the power MO8FET by the operation of the voltage supply means 12. That is, the device returns to the initial state before emitting light, and one light emitting operation ends at this point.

なお、先に述べた発光停止信号の出力期間Tsについて
さらに詳しく述べると、希望する発光動作が単発の発光
である場合には、グロー放電を防止する意味から1回づ
つの発光動作において閃光放電管Xeの消弧時間の配慮
が必要となることは詳述するまでもない。すなわち、単
発発光の場合、上記期間Tsは閃光放電管Xeの消弧時
間より長くする必要がある。
In addition, to explain in more detail about the output period Ts of the light emission stop signal mentioned above, if the desired light emission operation is single light emission, the flash discharge tube is used for each light emission operation in order to prevent glow discharge. It goes without saying that consideration must be given to the arc extinction time of Xe. That is, in the case of single light emission, the period Ts needs to be longer than the extinction time of the flash discharge tube Xe.

また、希望する発光動作が高速発光動作である場合には
、上記配慮を行うと逆に不都合となり、すなわち、高速
発光動作中の個々の発光に対し上記Tsを設定すると所
望発光回数を実現できず、従って、かかる場合にはその
最終発光動作の終了時に対してのみ上記Tsで述べた閃
光放電管Xeの消弧時間をグロー放電を防止する意味で
考慮すれば良いことになる。
In addition, if the desired light emission operation is a high-speed light emission operation, taking the above consideration may be disadvantageous. In other words, if the above Ts is set for each light emission during the high-speed light emission operation, the desired number of light emission cannot be achieved. Therefore, in such a case, it is only necessary to consider the extinguishing time of the flash discharge tube Xe described in the above Ts only at the end of the final light emission operation in order to prevent glow discharge.

[実施例 2] 第3図は、本発明によるストロボ装置の第2実施例を示
す電気回路図であり、図中、第1図と同符号の構成要素
は同じ機能の要素である。
[Embodiment 2] FIG. 3 is an electric circuit diagram showing a second embodiment of a strobe device according to the present invention, and in the figure, components having the same symbols as those in FIG. 1 have the same functions.

第3図からも明らかなように、この第2実施例は第1実
施例において主コンデンサ6であった電圧供給手段12
の電源を先に述べた従来例における定電圧回路2等の低
圧電源とした例である。
As is clear from FIG. 3, in this second embodiment, the voltage supply means 12, which was the main capacitor 6 in the first embodiment,
This is an example in which the power source is a low voltage power source such as the constant voltage circuit 2 in the conventional example described above.

このため、パワーMOSFETの駆動電圧の供給源が異
なるだけでストロボ装置としての動作は第1実施例と同
一となる。
Therefore, the operation of the strobe device is the same as that of the first embodiment, except that the supply source of the drive voltage for the power MOSFET is different.

すなわち、直流高圧電源が動作して主コンデンサ6等の
充電が開始されると同時に定電圧回路2も動作し、これ
によりパワーMOSFETのゲートに所定電圧が印加さ
れ、パワーMOSFETは導通準備状態になされる。
That is, at the same time as the DC high-voltage power supply operates and starts charging the main capacitor 6, etc., the constant voltage circuit 2 also operates, thereby applying a predetermined voltage to the gate of the power MOSFET, and making the power MOSFET ready for conduction. Ru.

5CR15のゲート15aに発光開始信号が供給されト
リガー回路3が動作すると、閃光放電管Xeは主コンデ
ンサ6の充電電荷を消費して発光する。その発光途上に
おいてトランジスタ16のベース16aに発光停止信号
か供給されると、トランジスタ16はオンしてパワーM
OSFETのゲートルソース間を短絡し、閃光放電管X
eはその発光が停止する。上記発光停止信号がなくなっ
た時点でストロボ装置は発光前の初期状態に復帰し、か
かる時点で一回の発光動作が終了することになり、以上
の動作は先の第1実施例とまったく同一となる。
When a light emission start signal is supplied to the gate 15a of the 5CR15 and the trigger circuit 3 is activated, the flash discharge tube Xe consumes the charge in the main capacitor 6 and emits light. During the light emission, when a light emission stop signal is supplied to the base 16a of the transistor 16, the transistor 16 turns on and the power M
Short-circuit the gaiter source of the OSFET and connect the flash discharge tube
e stops emitting light. When the light emission stop signal disappears, the strobe device returns to the initial state before light emission, and at this point one light emission operation is completed, and the above operation is exactly the same as in the first embodiment. Become.

[実施例 3] 第4図は、本発明によるストロボ装置の第3実施例を示
す電気回路図であり、図中、第1図と同符号の構成要素
は同じ機能の要素である。
[Embodiment 3] FIG. 4 is an electric circuit diagram showing a third embodiment of a strobe device according to the present invention, and in the figure, components having the same symbols as those in FIG. 1 have the same functions.

第4図からも明らかなように、この第3実施例は電圧供
給手段12内にスイッチ素子としてのトランジスタ18
、このトランジスタ18の動作を制御するためのトラン
ジスタ19及びこのトランジスタ19の動作を制御する
制御手段20を設けた例である。
As is clear from FIG. 4, this third embodiment has a transistor 18 as a switching element in the voltage supply means 12.
This is an example in which a transistor 19 for controlling the operation of this transistor 18 and a control means 20 for controlling the operation of this transistor 19 are provided.

トランジスタ18はトランジスタ19かオンすることに
よりオンし、パワーMO8FETのゲートへの電圧印加
を行える状態を形成する。また、トランジスタ19は制
御手段20の動作状態にてそのオン、オフが制御される
Transistor 18 is turned on when transistor 19 is turned on, creating a state in which voltage can be applied to the gate of the power MO8FET. Further, the transistor 19 is turned on or off depending on the operating state of the control means 20.

すなわち、第3実施例においてはパワーMO8FETの
ゲートへの電圧印加タイミングを制御手段20の動作に
基づくトランジスタ18.19の動作にて制御できるこ
とになる。
That is, in the third embodiment, the timing of voltage application to the gate of the power MO8FET can be controlled by the operation of the transistors 18 and 19 based on the operation of the control means 20.

例えば、直流高圧電源1の動作開始に応答して制御手段
20からトランジスタ19のベースに高レベル信号を供
給すると、トランジスタ19がオンし、よってトランジ
スタ18もオンし、装置は先の第1実施例と同様の回路
状態となる。すなわち、電圧供給手段12が動作してパ
ワーMOSFETのゲートに所定電圧が印加され、パワ
ーMOSFETは導通準備状態になされることになる。
For example, when a high level signal is supplied from the control means 20 to the base of the transistor 19 in response to the start of operation of the DC high voltage power supply 1, the transistor 19 is turned on, and therefore the transistor 18 is also turned on, and the device is similar to the first embodiment. The circuit will be in the same state as . That is, the voltage supply means 12 operates to apply a predetermined voltage to the gate of the power MOSFET, and the power MOSFET is brought into a conduction preparation state.

逆に、上記のような電圧供給状態においてトランジスタ
19のベースに制御手段20から低レベル信号を供給す
ると、上記トランジスタ19はオフし、よってトランジ
スタ18もオフし、この結果電圧供給手段12の動作は
停止し、パワーMOSFETのゲートへの所定電圧の印
加が停止せしめられることになる。
Conversely, when a low level signal is supplied from the control means 20 to the base of the transistor 19 in the voltage supply state as described above, the transistor 19 is turned off, and therefore the transistor 18 is also turned off, and as a result, the operation of the voltage supply means 12 is The application of the predetermined voltage to the gate of the power MOSFET is stopped.

従って、例えば上記制御手段20を、電源の浪費を防止
するために装置の動作開始から所定時間経過した後に直
流高圧電源1の動作を停止させるいわゆるオートオフ動
作に応答して上記低レベル信号の供給を行うようになし
ておけば、上記オートオフ動作時、電源供給手段12に
よる主コンデンサ6の放電ループが形成されることはな
く、主コンデンサ6の充電電圧を、上記オートオフ動作
後の所定期間高レベル状態に維持できることになる。従
って、エネルギーの有効利用を実現でき、すなわち、次
回の発光動作を行おうとする場合、主コンデンサ6の充
電動作を極短時間で行うことができることになる。
Therefore, for example, the control means 20 is supplied with the low level signal in response to a so-called auto-off operation in which the operation of the DC high voltage power supply 1 is stopped after a predetermined period of time has elapsed from the start of operation of the device in order to prevent waste of power. If this is done, a discharge loop of the main capacitor 6 by the power supply means 12 will not be formed during the auto-off operation, and the charging voltage of the main capacitor 6 will be maintained for a predetermined period after the auto-off operation. This will allow you to maintain a high level. Therefore, effective use of energy can be realized, that is, when the next light emitting operation is to be performed, the charging operation of the main capacitor 6 can be performed in a very short time.

なお、トランジスタ18がオンし電圧供給手段12が動
作している状態において、発光開始信号が供給されると
閃光放電管Xeが発光し、また発光停止信号か供給され
ると閃光放電管Xeの発光が停止する等の動作は、先の
第1あるいは第2実施例と同一の動作となることは詳述
するまでもない。
When the transistor 18 is on and the voltage supply means 12 is operating, the flash discharge tube Xe emits light when the light emission start signal is supplied, and the flash discharge tube Xe emits light when the light emission stop signal is supplied. It goes without saying that the operations such as stopping are the same as those in the first or second embodiment.

発明の効果 本発明によるストロボ装置は、上述したようにパワーM
OSFETのゲートへの所定電圧の印加を電圧供給手段
により直流高圧電源の動作開始に応答して行うことから
、発光開始信号に応答する構成が必要なくその印加構成
を極めて簡素化できる効果を有している。
Effects of the Invention The strobe device according to the present invention has a power M as described above.
Since the predetermined voltage is applied to the gate of the OSFET by the voltage supply means in response to the start of operation of the DC high voltage power supply, there is no need for a configuration that responds to the light emission start signal, and the application configuration can be extremely simplified. ing.

また、発光開始信号が供給される前にパワーMOSFE
Tのゲートへの電圧印加がなされこのパワーMO8FE
Tが導通準備状態になされていることから、パワーMO
SFETはトリガー回路の動作時には必ず十分なオン状
態になされており、この結果トリガー回路の動作効率が
悪化することはなく、またパワーMOSFETが破壊さ
れる恐れもなくなる効果を育している。
Also, before the light emission start signal is supplied, the power MOSFE
A voltage is applied to the gate of T, and this power MO8FE
Since T is in the conduction ready state, the power MO
The SFET is always in a sufficiently turned on state when the trigger circuit is operating, and as a result, the operating efficiency of the trigger circuit does not deteriorate, and the power MOSFET has the effect of eliminating the risk of being destroyed.

換言すれば、パワーMOSFETの動作をトリガー回路
の動作タイミングに関係なく、安定して行える効果を有
しているわけである。
In other words, it has the effect of stably operating the power MOSFET regardless of the operation timing of the trigger circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明によるストロボ装置の第1実施例を示す
電気回路図、 第2図は第1図中の所定地点の信号波形
図、 第3図は本発明によるストロボ装置の第2実施例
を示す電気回路図、 第4図は本発明によるストロボ装
置の第3実施例を示す電気回路図、 第5図は特開昭6
1−50125号公報等に示された装置の一例を示す電
気回路図である。 1・・・直流高圧電源、2・・・定電圧回路、3・・・
トリガー回路、6・・・主コンデンサ、11・・・直列
接続体、12・・・電圧供給手段、13・・・抵抗、1
4・・・ツェナーダイオード、15・・・SCR,17
・・・倍圧手段、16.18.19・・・トランジスタ
、20・・・制御手段 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか18第 図 1睡9すr1訃茫セ卜 t E 併絽 す 痩 Fe5    抗 一ンエナータイ雀−ト SCR ト  ラ  ン  シ  ス  タ 慴圧回路 第 図 第 り 第 図 1B、19      ト  ラ  ン  シ  ス 
 タ21)−−隼り璽pyPj
FIG. 1 is an electric circuit diagram showing a first embodiment of a strobe device according to the present invention, FIG. 2 is a signal waveform diagram at a predetermined point in FIG. 1, and FIG. 3 is a second embodiment of a strobe device according to the present invention. 4 is an electric circuit diagram showing a third embodiment of the strobe device according to the present invention, and FIG. 5 is an electric circuit diagram showing the third embodiment of the strobe device according to the present invention.
1-50125, etc.; FIG. 1... DC high voltage power supply, 2... Constant voltage circuit, 3...
Trigger circuit, 6... Main capacitor, 11... Series connection body, 12... Voltage supply means, 13... Resistor, 1
4... Zener diode, 15... SCR, 17
...Double pressure means, 16.18.19...Transistor, 20...Name of agent for control means Patent attorney Shigetaka Awano Slim Fe5 anti-one energy tie sparrow SCR transistor pressure circuit diagram 1B, 19
ta21)--Hayuri Seal pyPj

Claims (1)

【特許請求の範囲】 (1)直流高圧電源と、該直流高圧電源の両端に接続さ
れ、前記直流高圧電源が供給されることにより充電され
る主コンデンサと、閃光放電管とパワーMOSFETと
を直列接続してなり、前記主コンデンサの両端に接続さ
れる直列接続体と、前記直流高圧電源の前記主コンデン
サへの供給に同期して動作し、前記パワーMOSFET
のゲートに駆動電圧を供給する電圧供給手段と、発光命
令信号が供給される制御極を有するとともにその低電位
側端子が前記閃光放電管とパワーMOSFETとの接続
点に接続されたトリガースイッチ素子と、該トリガース
イッチ素子の動作に応答して前記閃光放電管を励起する
トリガー回路と、発光停止命令信号が供給される制御極
を有するとともにその主極間が前記パワーMOSFET
のゲート〜ソース間に接続される制御スイッチ素子とを
備えたストロボ装置。(2)電圧供給手段は、主コンデ
ンサの両端に接続される抵抗と定電圧素子とを直列接続
してなる直列体から形成される請求項(1)に記載のス
トロボ装置。 (3)電圧供給手段は、直流高圧電源の動作に応答して
所定の定電圧を発生する定電圧電源からなる請求項(1
)に記載のストロボ装置。 (4)電圧供給手段は、直流高圧電源の動作開始時点及
び動作開始から所定時間の経過時点に応答して動作する
スイッチ構成を含んで形成される請求項(1)ないし(
4)のいずれかに記載のストロボ装置。
[Scope of Claims] (1) A DC high-voltage power supply, a main capacitor connected to both ends of the DC high-voltage power supply and charged by the supply of the DC high-voltage power supply, a flash discharge tube, and a power MOSFET connected in series. a series connection body connected to both ends of the main capacitor; and a power MOSFET that operates in synchronization with the supply of the DC high voltage power supply to the main capacitor.
and a trigger switch element having a control pole to which a light emission command signal is supplied and whose low potential side terminal is connected to a connection point between the flash discharge tube and the power MOSFET. , a trigger circuit that excites the flash discharge tube in response to the operation of the trigger switch element, and a control pole to which a light emission stop command signal is supplied, and the power MOSFET is connected between the main poles thereof.
A strobe device comprising a control switch element connected between a gate and a source. (2) The strobe device according to claim 1, wherein the voltage supply means is formed from a series body formed by connecting in series a resistor connected to both ends of the main capacitor and a constant voltage element. (3) Claim (1) wherein the voltage supply means comprises a constant voltage power supply that generates a predetermined constant voltage in response to the operation of the DC high voltage power supply.
) The strobe device described in ). (4) The voltage supply means is formed to include a switch configuration that operates in response to the start of operation of the DC high voltage power supply and the elapse of a predetermined time from the start of operation.
The strobe device according to any one of 4).
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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