JPH0469081B2

JPH0469081B2 -

Info

Publication number: JPH0469081B2
Application number: JP60136671A
Authority: JP
Inventors: Jotaro Ito; Hideki Ootake; Nobuo Takagi; Kazuhito Anai
Original assignee: Chiyoda Chemical Engineering and Construction Co Ltd
Current assignee: Chiyoda Corp
Priority date: 1985-06-22
Filing date: 1985-06-22
Publication date: 1992-11-05
Also published as: JPS61295203A

Description

【発明の詳細な説明】〔技術分野〕本発明は水素貯蔵金属を用いる低圧水素を高圧
水素に変換する方法に関するものである。

〔従来技術〕

従来、種々の水素貯蔵金属が開発されている。
この水素貯蔵金属は、水素と可逆的に反応し、水
素吸蔵反応（水素化反応）と水素放出反応（脱水
素反応）を交互に生起させることができる。一般
に、水素吸蔵反応は発熱反応で、水素放出反応が
吸熱反応であり、反応平衡時の水素圧力は、反応
温度が高い程高圧である。この平衡時における圧
力、温度及び金属の水素吸蔵量の間には、PTC
線図として知られている第１図のような関係があ
る。従来、このような関係を利用して、低圧水素
を高圧水素に変換する方法が知られている。即
ち、低温を維持しながら金属に低圧水素を吸蔵さ
せた後、その水素吸蔵金属を加熱し、高温に維持
することにより、高圧の水素を生成させることが
できる。

しかしながら、このような方法により高圧水素
を得ようとすると、実用上大きな難点がある。即
ち、第１図に示したような等温線が水平なプラト
ー域を持つPTC線図はあくまでも理想的な金属
についてのもので、実際の金属については、第２
図に示したように、そのPTC線図の等温線は、
プラトー域においても傾斜し、その結果、水素吸
蔵工程における最大水素吸蔵量は、同一温度、圧
力条件下では、第１図に示したPTC線図の場合
に比較して、低く抑えられ、水素放出工程におけ
る残存水素量が多くなる。従つて、このことか
ら、低圧水素を高圧水素へ変換する単位金属量当
りの割合が小さくなる。また、所定の高温を維持
しても水素の放出が進むにつれて水素平衡圧力が
低下するため、単位金属量当りの圧力変換水素量
を増加すると高圧水素圧を高くすることができな
い。これらのことを、第３図によりさらに詳細に
説明すると、第３図においては、線１は温度T₁
におけるPTC線図であり、線２は温度T₂におけ
るPTC線図である。T₁の温度が所定の冷却温度
であり、T₂の温度が所定の加熱温度である。線
３は低圧水素源の水素圧力P₃を示し、線４は目
的とする高圧水素の圧力P₄を示す。金属の水素
吸蔵量ＹはPTC線図上には温度Ｔと圧力Ｐの関
係で表示される。

第３図において、今、低圧水素源からの圧力
P₃の低圧水素を、Ａ点の状態にある金属（圧力
Pa、温度T₁、水素吸蔵量Ya、Pa＜P₃）と接触
させ、金属を冷却し、その温度をT₁に保持する
と、金属は、水素を吸蔵し、その水素平衡圧が低
圧水素源の水素圧と等しくなるまで、即ち、Ｂ点
の状態（圧力Pb、温度T₁、水素吸蔵量Yb、Pb
＝P₃）になるまで水素を吸蔵する。この場合の
水素吸蔵量Ybが低圧水素源の水素圧及び冷却温
度T₁との関係で定まる最大水素吸蔵量である。
次に、金属と低圧水素源との連絡を断ち、金属を
加熱すると、金属は吸蔵水素を一部放出して系は
高圧となり、Ｃ点の状態（圧力Pc、温度T₂、水
素吸蔵量Yc、Pc＞P₄）になる。その後、金属と
高圧水素源とを連絡し、金属の加熱を続けると、
金属は吸蔵水素を放出して高圧水素源に送り、そ
れに応じて金属の水素平衡圧は低下する。この水
素の放出は、金属の水素平衡圧が所望の高圧水素
圧P₄と等しくなるまで、即ちＤ点の状態（圧力
Pd、温度T₂、水素吸蔵量Yd、Pd＝P₄）になる
まで続く。次に、金属と高圧水素源との連絡を断
ち、金属をT₁になるまで冷却すると、金属は残
存水素の一部を吸蔵し、金属の水素平衡圧は下
り、最初のＡ点の状態（圧力Pa、温度T₁、水素
吸蔵量Ya、Pa＜P₃）に戻る。

このようにして、水素吸蔵工程及び水素放出工
程を含む１サイクルの反応工程が終了する。

以上の説明から明らかなように、１サイクル当
りの高圧水素発生量（水素変換量）は、加熱温度
T₂、冷却温度T₁、低圧水素源圧P₃及び高圧水素
源圧P₄によつて決定される他、水素貯蔵金属の
PTC線図におけるプラトーの傾きによつて決ま
り、プラトーの傾きが大きい程、１サイクル当り
の高圧水素発生量が小さい、換言すれば、単位金
属当りの水素発生量△Ｙ（△Ｙ＝Yc−Yd）が小
さくなる。

また、所与のT₁、T₂、△Ｙに対しては、プラ
トーの傾きが大きい程、水素圧縮比（P₄／P₃）
は低く抑えられる。

従来の方法の他の難点は、水素放出工程終了時
に残存水素が持つている圧力エネルギーあるいは
残存水素、水素貯蔵金属、容器等が持つている熱
エネルギーが回収されないまま水素吸蔵工程に移
るため駆動用の熱の利用効率が悪いことである。

〔目的〕

本発明は、PTC線図において、傾斜したプラ
トーを有する水素貯蔵金属に見られる前記問題を
克服し、単位金属量当りの高圧水素発生量を高
め、より大きな水素圧縮比を得るとともに、熱利
用効率の高い水素圧の変換方法を提供することを
目的とする。

〔構成〕

本発明によれば、水素貯蔵金属に低圧水素を吸
蔵させる水素吸蔵工程と、該水素貯蔵金属から高
圧水素を放出させる水素放出工程を繰返し行う方
法において、該水素放出工程と該水素吸蔵工程と
の間に高圧水素圧を中圧化する工程及び該水素吸
蔵工程と水素放出工程との間に、低圧水素圧を中
圧化する工程をそれぞれ設けることを特徴とする
低圧水素を高圧水素に変換する方法が提供され
る。

本発明の水素圧変換原理を第４図を用いて説明
する。第４図において、Ａ→Ｂ、Ｂ→Ｃ、Ｃ→Ｄ
及びＤ→Ａからなる熱サイクルは第３図に示した
従来法の熱サイクルを示す。本発明の場合、水素
放出工程後のＤ点の状態において、中圧水素と連
絡することにより残存高圧水素を中圧化して、そ
の水素圧力をＱ点の状態（圧力Pq、P₃＜Pq＜P₄
＝Pd）になるまで降下させる。この状態で温度
T₂の加熱を続けると、金属は中圧の吸蔵水素を
放出して、Ｒ点の状態になる（圧力Pr、温度T₂、
水素吸蔵量Yr、Pr＝Pq）。次に、このＲ点の状
態の金属を、中圧水素との連絡を断ち、温度T₁
になるまで冷却し、Ｋ点の状態（圧力Pk、温度
T₁、水素吸蔵量Yk、Pk＜P₃）にする。ここで、
低圧水素源と連絡し、この状態で温度T₁の冷却
を続けると、金属は低圧水素源から送られる水素
を吸蔵してＢ点の状態（圧力Pb、温度T₁、水素
吸蔵量Yb、Pb＝P₃）になる。本発明では、この
Ｂ点の状態において、低圧水素源との連絡を断
ち、中圧水素と連絡してその水素圧力を中圧化
し、Ｍ点の状態（圧力Pm、P₃＜Pm＜P₄）に高
める。この状態で冷却を続けて温度をT₁に維持
すると、金属は中圧水素を吸蔵し、Ｎ点の状態
（圧力Pn、温度T₁、水素吸蔵量Yn、Pn＞P₃、Yn
＞Yb）になる。次に、このＮ点の状態の金属を、
中圧水素との連絡を断ち、温度T₂になるまで加
熱し、Ｓ点の状態（圧力Ps、温度T₂、水素吸蔵
量Ys、Ps＞P₄）にする。ここで高圧水素源と連
絡し、この状態で温度T₂の加熱を続けると、金
属は高圧水素を放出して水素を高圧水素源に送り
出し、Ｄ点の状態になる。このＤ点の状態になつ
た金属は、前記と同様の操作を行うことにより、
再びＫ点の状態に復元させることができる。

Ｄ点からＲ点に至る間に放出される中圧水素は
外部に供給しても、系内に貯蔵しても良く、また
Ｂ点からＮ点に至る間に吸蔵される中圧水素は外
部より供給しても、系内に貯蔵されたものを利用
しても良いが、望ましくは本方法による装置を複
数、並列に設置し、一つの装置のＤ→Ｑ→Ｒにお
ける放出中圧水素を他の装置のＢ→Ｍ→Ｎにおけ
る水素吸蔵に直接利用するのが良い。

前記の説明から明らかなように、本発明では、
１サイクル当りの低圧水素の吸蔵量及び高圧水素
の放出量はいずれも高められたものであり、結
局、単位金属量当りの水素圧変換率は向上する。
また、従来の方法に比し、より低圧の水素をより
高圧に昇圧できる。

第５図に本発明の他の実施例の熱サイクルの説
明図を示す。この熱サイクルにおいては、水素圧
の中圧化に際し、加熱及び冷却を併用しない。即
ち、Ｄ点の状態において、加熱を停止し、高圧水
素源との連絡を断ち、中圧水素と連絡し、Ｉ点の
状態（圧力Pi、温度Ti、水素吸蔵量Yi、Pi＜Pd
＝P₄、Ti＜T₂）にした後、中圧水素との連絡を
断ち、冷却してＪ点の状態（圧力Pj、温度T₁、
水素吸蔵量Yj、Pj＜P₃、Yj＜Ya）にする。ここ
で低圧水素源と連絡し、この状態で冷却し、Ｂ点
の状態にした後、冷却を停止し、低圧水素源との
連絡を断ち、中圧水素と連絡して、Ｇ点の状態
（圧力Pg、温度Tg、水素吸蔵量Yg、Pg＞P₃、
Tg＞T₁）にする。次に中圧水素との連絡を断
ち、この状態でT₂に加熱してＨ点の状態（圧力
Ph、温度T₂、水素吸蔵量Yh、Ph＞P₄、Yh＞
Yc）にした後、高圧水素源と連絡して加熱を続
けると、高圧水素を放出して再びＤ点の状態にす
ることができる。このような熱サイクルによつて
も、単位金属量当りの水素圧変換率を高めること
ができる。しかも、この場合、水素吸蔵工程後、
水素放出工程開始前に設けた中圧化工程では発熱
が得られるので、温度T₁から温度T₂への加熱負
担がその分軽減され、一方、水素放出工程後、水
素吸蔵工程開始前に設けた中圧化工程では吸熱が
得られるので、温度T₂から温度T₁への冷却負担
はその分軽減される。

第６図は本発明のさらに他の実施例の熱サイク
ルの説明図を示す。この熱サイクルにおいては、
水素圧の中圧化に際し、３段階の圧力レベルで順
次昇圧または降圧する方法を採用したものであ
る。即ち、Ｂ点の状態において、第１の中圧水素
源（低中圧水素源）と連絡し、点10の状態にした
後、温度T₁付近になるまで冷却し、低中圧水素
を吸蔵させて点11の状態にする。次いで低中圧水
素源との連絡を断ち、第２の中圧水素源（中中圧
水素源）と連絡して、点12の状態にし、この状態
でさらに冷却を続けて点13の状態にし、中中圧水
素源との連絡を断ち第３の中圧水素源（高中圧水
素源）と連絡して点14の状態にした後冷却を続け
て高中圧水素を吸蔵させて点15の状態にする。次
に、高中圧水素源との連絡を断ち、温度T₂にな
るまで加熱して点16の状態を得る。

この点16の状態で温度T₂の加熱を続けると高
圧水素を放出し、Ｄ点の状態となる。Ｄ点の状態
から高圧水素源との連絡を断ち、残存高圧水素を
高中圧水素源に放出して、いつたん点17の状態に
した後、加熱を続け、高中圧水素を放出させて点
18の状態にする。次に高中圧水素源との連絡を断
ち、中中圧水素源と連絡して点19の状態にし、こ
の状態でさらに加熱を続け、点20の状態とする。
次に、中中圧水素源との連略を断ち、低中圧水素
源と連絡して点21の状態にし、この状態で加熱を
続け低中圧水素を放出させて、点22の状態を得
る。次に低中圧水素源との連絡を断ち、温度T₁
に冷却し、点23の状態を得る。ここで低圧水素源
と連絡し、冷却を続けて低圧水素を吸蔵させ、点
Ｂの状態を得る。このようにして１サイクルが完
了する。

次に、本発明の第４図に示した熱サイクルによ
る水素圧変換方法を実施する場合の装置系統図の
実施例を第７図に示す。第７図において、３０，
５０は内部に水素貯蔵金属Ｍを収容した容器、３
７，５７は低圧水素源、３６，５９は高圧水素源
をそれぞれ示し、３１，５１は熱交換パイプ、３
２，５２は加熱媒体供給ライン、３３，５３は冷
却媒体供給ラインをそれぞれ示す。

容器３０及び容器５０において、水素吸蔵工程
及び水素放出工程をそれぞれ順次かつ繰返し行う
が、この場合、一方の容器で水素吸蔵工程を行つ
ている時は、他方の容器では水素放出工程を行
う。

今、容器３０において水素吸蔵工程を行い、容
器５０において水素放出工程を行う。即ち、容器
３０と容器５０とを連絡するバルブ７０を閉じ、
容器３０と高圧水素源３９とを連絡するバルブ４
０を閉じ、容器５０と低圧水素源５７とを連絡す
るバルブ５８を閉じ、熱交換パイプ３１に連絡す
る加熱媒体供給ライン３２に付設したバルブ３４
及び熱交換パイプ５１に連絡する冷却媒体供給ラ
イン５３に付設したバルブ５５をそれぞれ閉じる
と共に、低圧水素源３７と容器３０とを連絡する
バルブ３８及び高圧水素源５９と容器５０とを連
絡するバルブ６０をそれぞれ開とし、熱交換パイ
プ３１に連絡する冷却媒体供給ライン３３に付設
したバルブ３５及び熱交換パイプ５１に連絡する
加熱媒体供給ライン５２に付設したバルブ５４を
開とする。

このようなバルブ操作の後、この状態で所定時
間保持することにより容器３０で水素吸蔵工程及
び容器５０で水素放出工程がそれぞれ行われ、低
圧水素源３７の低圧水素は容器３０の金属Ｍに吸
蔵されると共に、容器５０の金属Ｍから高圧水素
が放出され、高圧水素源５９に送られる。

次に、低圧水素バルブ３８を閉、高圧水素バル
ブ６０を閉にし、次いで容器３０と容器５０との
連絡バルブ７０を開にして、容器５０内の残存高
圧水素の一部を容器３０内へ移動することにより
両容器を均圧中圧化する。このような中圧水素圧
条件で所定時間保持することにより容器５０内の
吸蔵水素は容器３０内へ移動し、吸蔵される。

次に連絡バルブ７０を閉じ、さらに容器３０に
対する冷却媒体供給バルブ３５及び容器５０に対
する加熱媒体供給バルブ５４を閉じると共に、容
器３０に対する加熱媒体供給バルブ３４を開及び
容器５０に対する冷却媒体供給バルブ５５を開に
する。このようにして所定時間保持し、容器３０
内の金属Ｍを所定温度に加熱すると共に、容器５
０内の金属Ｍを所定温度に冷却する。

次に、容器３０に連絡する高圧水素バルブ４０
を開及び容器５０に連絡する低圧水素バルブ５８
を開にする。このようにして所定時間保持するこ
とにより、容器３０の金属から高圧水素が放出さ
れ、容器５０の金属に低圧水素が吸蔵される。

その後、容器３０に連絡する高圧水素バルブ４
０及び容器５０に連絡する低圧水素バルブ５８を
閉にすると共に、容器３０と容器５０とを連絡す
るバルブ７０を開にして容器３０内の残存高圧水
素を容器５０に移動することにより、容器３０と
容器５０とを均圧、中圧化する。このような中圧
水素圧条件で所定時間保持し、容器３０内の吸蔵
水素を容器５０内へ移動し、吸蔵させる。

以上の操作により、各容器３０及び５０におけ
る水素吸蔵工程と水素放出工程からなる第１回の
熱サイクルが完了する。以後、前記を同様に操作
することにより、多数回の熱サイクルを行うこと
ができる。

次に、本発明の第６図に示した熱サイクルによ
る水素圧変換方法を実施する場合の装置系統図の
実施例を第８図に示す。第８図において、３０，
５０は内部に水素貯蔵金属Ｍを収容した容器、３
７，５７は低圧水素源、３９，５９は高圧水素
源、４３は低中圧水素源、４４は高中圧水素源を
それぞれ示し、３１，５１は熱交換パイプ、３
２，５２は加熱媒体供給ライン、３３，５３は冷
却媒体供給ラインをそれぞれ示す。

今、容器３０において水素吸蔵工程を行い、容
器５０において水素放出工程を行う。即ち、容器
３０と容器５０とを連絡するバルブ７０を閉じ、
低中圧水素源４３、高中圧水素源４４と容器３
０，５０とをそれぞれ連絡するバルブ４１，６
３，４２，６４を閉じ、容器３０と高圧水素源３
９とを連絡するバルブ４０を閉じ、容器５０と低
圧水素源５７とを連絡するバルブ５８を閉じ、熱
交換パイプ３１に連絡する加熱媒体供給ライン３
２に付設したバルブ３４及び熱交換パイプ５１に
連絡する冷却媒体供給ライン５３に付設したバル
ブ５５をそれぞれ閉じると共に、低圧水素源３７
と容器３０とを連絡するバルブ３８及び高圧水素
源５９と容器５０とを連絡するバルブ６０をそれ
ぞれ開とし、熱交換パイプ３１に連絡する冷却媒
体供給ライン３３に付設したバルブ３５及び熱交
換パイプ５１に連絡する加熱媒体供給ライン５２
に付設したバルブ５４を開とする。

このようなバルブ操作の後、この状態を所定時
間保持することにより、容器３０で水素吸蔵工程
及び容器５０で水素放出工程がそれぞれ行われ、
低圧水素源３７の低圧水素は容器３０の金属Ｍに
吸蔵されると共に、容器５０の金属Ｍから高圧水
素が放出され、高圧水素源５９に送られる。

次に、低圧水素バルブ３８を閉及び低中圧水素
バルブ４１を開にして低中圧水素源４３の低中圧
水素を容器３０に供給し、容器３０内の水素圧を
低中圧化し、一方、高圧水素バルブ６０を開及び
高中圧水素バルブ６４を開にして、容器５０内の
残存高圧水素の一部を高中圧水素源４４に排出
し、容器５０内の水素圧を高中圧化する。このよ
うな状態で所定時間保持する。

次に、低中圧水素バルブ４１、高中圧水素バル
ブ６４をそれぞれ閉じ、次いで容器３０と容器５
０との連絡バルブ７０を開にして、容器５０内の
残存高中圧水素を容器３０内に移動して、両容器
を均圧し、中圧化する。このような中圧条件で、
所定時間保持し、容器５０内の残存水素を容器３
０内に移動した後、連絡バルブ７０を閉じ、次い
で高中圧バルブ４２及び低中圧バルブ６３を開と
して、容器３０内を高中圧化、容器５０内を低中
圧化して所定時間保持する。

次に、高中圧バルブ４２及び低中圧バルブ６３
を閉じ、さらに容器３０に対する冷却媒体供給バ
ルブ３５及び容器５０に対する加熱媒体供給バル
ブ５４を閉じると共に、容器３０に対する加熱媒
体供給バルブ３４を開及び容器５０に対する冷却
媒体供給バルブ５５を開にする。このようにして
所定時間保持し、容器３０内の金属Ｍを所定温度
に加熱すると共に、容器５０内の金属Ｍを所定温
度に冷却する。

その後、容器３０に連絡する高圧水素バルブ４
０及び容器５０に連絡する低圧水素バルブ５８を
閉にすると共に、容器３０に連絡する高中圧水素
バルブ４２を開にして容器３０内の残存高圧水素
を高中圧化し、また容器５０に連絡する低中圧水
素バルブ６３を開にして容器５０内の水素圧を低
中圧化する。次に、この状態で所定時間保持した
後、高中圧水素バルブ４２及び低中圧水素バルブ
６３をそれぞれ閉じ、次いで容器３０と容器５０
との連絡バルブ７０を開にして容器３０内の残存
高中圧水素を容器５０内に移動して、両容器を均
圧し、中圧化する。このような中圧条件で所定時
間保持し、容器３０内の残存水素を容器５０内に
移動した後、連絡バルブ７０を閉じ、次いで、低
中圧水素バルブ４１及び高中圧水素バルブ６４を
開として、容器３０内を低中圧化、容器５０内を
高中圧化して所低時間保持する。

本発明の方法は、前記したように、水素吸蔵工
程及び水素放出工程に対し、それぞれの残存水素
圧を、その低圧と高圧との間の中間の圧力に変換
させる工程（残存水素圧中圧化工程）を付設した
ものであるが、その中圧化工程は、種々の方法で
行うことができる。この中圧化工程は、例えば、
容器に圧入された中圧水素源を用いることにより
実施し得る他、水素吸蔵工程における残存低圧水
素の中圧化は、水素放出工程における高圧水素の
一部を供給することにより実施することができ、
逆に、水素放出工程の残存高圧水素の中圧化に
は、高圧水素の一部を水素吸蔵工程に排出させる
ことにより実施することができる。また、水素貯
蔵金属としては、従来公知の種々のもの、例え
ば、ランタン−ニツケル系合金、鉄−チタン系合
金、カルシウム−ニツケル系合金等が用いられ、
所望する高圧水素の圧力、入手可能な加熱媒体温
度及び冷却媒体温度等との関係で適当なものが選
定される。

〔効果〕

本発明は前記構成であり、水素吸蔵工程及び水
素放出工程のそれぞれに対し、残存水素圧を中圧
化する工程を設けたことにより、単位金属当りの
水素圧変換効率は著しく改善されたものである。
従つて、本発明では、従来の装置に比較して、小
型化された装置で実施することができ、所定の圧
縮容量を得るために要する高価な合金の所要量を
削減することができることから、安価な装置で実
施することができる。

また、本発明では、所与の加熱源及び冷却源温
度においてより大きな水素圧縮比を実現できる。
即ち、より低圧の水素をより高圧のものまで圧縮
できる。さらに、中圧化工程において加熱、冷却
を併用しない方法においては、水素吸蔵後の中圧
化により発熱、温度上昇し、水素放出後の中圧化
により吸熱温度低下するので、吸蔵温度から放出
温度への加熱負担、及び放出温度から吸蔵温度へ
の冷却負担が軽減される。

〔実施例〕

本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。

実施例第７図に示した装置系を用いて低圧水素を高圧
水素に変換した。この場合の水素圧変換条件は次
の通りである。

(1) 水素貯蔵金属：ミツシユメタル−ニツケル−
マンガン (2) 低圧水素源圧力：２気圧 (3) 高圧水素源圧力： 10気圧 (4) 中圧水素源圧力： 3.5気圧 (5) 加熱媒体温度： 50℃ (6) 冷却媒体温度： 10℃ 前記の条件で装置を運転すると、水素貯蔵金属
量１Kg当り、１サイクルで、約55の高圧水素を
発生させることができた。

一方、従来法に従い、水素吸蔵工程及び水素放
出工程における残存水素圧の中圧化工程を採用し
ない時の高圧水素発生量は約30であつた。

また、低圧水素源圧力、高圧水素源圧力をそれ
ぞれ1.5気圧、５気圧としたとき、上記の加熱媒
体、冷却媒体温度では、高圧水素発生量は従来法
ではゼロに近かつたが、本発明法では約２気圧で
の中圧化工程を導入して45の水素圧縮が達成さ
れた。

以上のことから、本発明はすぐれた水素圧変換
法ということができる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は水素貯蔵金属のPTC線図
であり、第１図は理想的な水素貯蔵金属について
のものを示し、第２図は実際の水素貯蔵金属につ
いてのものを示す。第３図は、従来法の熱サイク
ル説明図を示す。第４図〜第６図は本発明法の熱
サイクル説明図を示し、第４図のものは、水素吸
蔵工程における残存水素圧の中圧化工程で冷却を
併用し、水素放出工程における残存水素圧の中圧
化工程で加熱を併用する例を示し、第５図はそれ
らの冷却及び加熱を併用しない例を示す。第６図
は、３段階の中圧化工程と、加熱冷却を併用した
例を示す。第７図は、本発明の第４図の方法を実
施する場合の装置系統図の１例を示し、第８図は
本発明の第６図の方法を実施する場合の装置系統
図の１例を示す。３０，５０……容器、３７，５７……低圧水素
源、３９，５９……高圧水素源、４３，４４……
中圧水素源、３２，５２……加熱媒体供給ライ
ン、３３，５３……冷却媒体供給ライン、３１，
５１……熱交換パイプ。

Claims

【特許請求の範囲】

１水素貯蔵金属に低圧水素を吸蔵させる水素吸
蔵工程と、該水素貯蔵金属から高圧水素を放出さ
せる水素放出工程を繰返し行う方法において、該
水素放出工程と水素吸蔵工程との間に高圧水素圧
を中圧化する工程及び該水素吸蔵工程と水素放出
工程との間に、低圧水素圧を中圧化する工程をそ
れぞれ設けることを特徴とする低圧水素を高圧水
素に変換する方法。