JPH0469920A - 現像装置 - Google Patents
現像装置Info
- Publication number
- JPH0469920A JPH0469920A JP2184938A JP18493890A JPH0469920A JP H0469920 A JPH0469920 A JP H0469920A JP 2184938 A JP2184938 A JP 2184938A JP 18493890 A JP18493890 A JP 18493890A JP H0469920 A JPH0469920 A JP H0469920A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ring
- developer
- semiconductor wafer
- chuck
- developing solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、現像装置に関する。
（従来の技術）
従来から現像装置は、精密写真転写技術を用いたパター
ン転写、例えば半導体デバイス製造における半導体ウェ
ハへの回路パターン転写のための現像工程等に用いられ
ている。
ン転写、例えば半導体デバイス製造における半導体ウェ
ハへの回路パターン転写のための現像工程等に用いられ
ている。
このような半導体ウェハ上に形成されたフォトレジスト
膜の現像を行う現像装置として、いわゆるスピンデベロ
ッパーが知られている。スピンデベロッパーでは、高速
回転可能に構成されたスピンチャック上に半導体ウェハ
を支持する。そして、上方に設けられた現像液ノズルお
よびリンス液ノズルから現像液およびリンス液を供給し
、現像、リンスを行うとともに、半導体ウェハを高速回
転させることにより、半導体ウェハ上に供給した現像液
およびリンス液をを遠心力で飛散させ乾燥を行う。
膜の現像を行う現像装置として、いわゆるスピンデベロ
ッパーが知られている。スピンデベロッパーでは、高速
回転可能に構成されたスピンチャック上に半導体ウェハ
を支持する。そして、上方に設けられた現像液ノズルお
よびリンス液ノズルから現像液およびリンス液を供給し
、現像、リンスを行うとともに、半導体ウェハを高速回
転させることにより、半導体ウェハ上に供給した現像液
およびリンス液をを遠心力で飛散させ乾燥を行う。
また、半導体ウェハの周囲を囲むように液密状態にリン
グ状の部材を設け、このリング状部材の内側面と半導体
ウェハ上面とで、容器状の凹部を形成し、上方に設けら
れた現像液ノズルから現像液を供給し、この凹部内に現
像液を貯留して現像を行うデイツプ式の現像装置が実開
昭６０−５２６２２号公報等に開示されている。
グ状の部材を設け、このリング状部材の内側面と半導体
ウェハ上面とで、容器状の凹部を形成し、上方に設けら
れた現像液ノズルから現像液を供給し、この凹部内に現
像液を貯留して現像を行うデイツプ式の現像装置が実開
昭６０−５２６２２号公報等に開示されている。
（発明が解決しようとする課題）
上述したような現像装置において、スルーブツトを向上
させるためには、短時間で現像を行うことのＣきる現像
液を使用する必要がある。
させるためには、短時間で現像を行うことのＣきる現像
液を使用する必要がある。
ところが、このような現像液を使用すると、短時間で半
導体ウェハ全面に現像液が行き渡るようにし、ないと、
最初に現像液が供給される部位（現像液供給ノズル近傍
）と、比較的最後に現像液が供給される部位（現像液供
給ノズルから離れた部位）で現像時間に違いがノ１：し
るため、現像むらが生Ｌ５こしま・）という問題があっ
た。
導体ウェハ全面に現像液が行き渡るようにし、ないと、
最初に現像液が供給される部位（現像液供給ノズル近傍
）と、比較的最後に現像液が供給される部位（現像液供
給ノズルから離れた部位）で現像時間に違いがノ１：し
るため、現像むらが生Ｌ５こしま・）という問題があっ
た。
また、このよ・）ム問題を避けるために現像液の送出圧
を高くし１、現像液の流ｍ ｆｌ二ばて１′導体ウェハ
仝面に短時間で現像液が讐１き渡るよ・）にすると１．
」−力に設けられた現像液ノズルから高圧の現像液が半
導体つＬハ面に噴出するため、この高圧の現像液が当ン
か部位の現像が速く進行して、甲導体つ、１ハ而にずし
：状の現像むらが牛じ′ｃし２まうという問題があ〕だ
。
を高くし１、現像液の流ｍ ｆｌ二ばて１′導体ウェハ
仝面に短時間で現像液が讐１き渡るよ・）にすると１．
」−力に設けられた現像液ノズルから高圧の現像液が半
導体つＬハ面に噴出するため、この高圧の現像液が当ン
か部位の現像が速く進行して、甲導体つ、１ハ而にずし
：状の現像むらが牛じ′ｃし２まうという問題があ〕だ
。
このような現像むらの問題は、特に甲７導体ウェハの径
が大径となるほど顕署になるため、次第に！１テ導体ウ
ェハが大径化される現状において特に小便な問題となり
つ゛）ある。
が大径となるほど顕署になるため、次第に！１テ導体ウ
ェハが大径化される現状において特に小便な問題となり
つ゛）ある。
本発明は、かかる従来の事情に対処ｌ、でなされたもの
で、従来に較べで、現像均一性の向上Ｊ１スルーブツト
の向」−を図ることのできる現像装置を提供１．よ・）
とするものである。
で、従来に較べで、現像均一性の向上Ｊ１スルーブツト
の向」−を図ることのできる現像装置を提供１．よ・）
とするものである。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
すなわち本発明は、感光膜が形成された基板に現像液を
供給して現像を行う現像装置において、前記現像液が、
前記基板周囲の基板面より低い位置からオーバーフロ
するように該基板１ｈｊに供給さ第１るように構成し、
たことを特徴とする現像装置。
供給して現像を行う現像装置において、前記現像液が、
前記基板周囲の基板面より低い位置からオーバーフロ
するように該基板１ｈｊに供給さ第１るように構成し、
たことを特徴とする現像装置。
（作 用）
本発明の現像装置では、現像液が、基板周囲の基板而よ
り低い位置から、オーバーフロ・−するように該基板而
に供給される。
り低い位置から、オーバーフロ・−するように該基板而
に供給される。
したがっ゛Ｃ５現像液の送出圧を高くし、現像液の流量
を上げても、ノズルから噴出した高圧の現像液が直接Ｔ
導体ウェハ而に当たることがない。
を上げても、ノズルから噴出した高圧の現像液が直接Ｔ
導体ウェハ而に当たることがない。
このため、従来のようなすし状の現像むらを牛じさせる
ことなく、崖導体つ、１−ハ全面に短時間で現像液を供
給することができ、現像均一・性の白土。と、スルーブ
ツトの向上を図ることができる。
ことなく、崖導体つ、１−ハ全面に短時間で現像液を供
給することができ、現像均一・性の白土。と、スルーブ
ツトの向上を図ることができる。
（実施例）
以ト、本発明の・−実施例を図面を参照【、て説明する
。
。
第１図に示４″よ・）に、現像装＠１には、例λば真空
チャック等により゛１′導体ウユハ２の裏面中央部を吸
容保持し、この半導体ウェハ２を高速回転可能に構成さ
れたスピンチャック３が設ｉｊられている。
チャック等により゛１′導体ウユハ２の裏面中央部を吸
容保持し、この半導体ウェハ２を高速回転可能に構成さ
れたスピンチャック３が設ｉｊられている。
また、上記スピンチャック３の周囲には、環状に形成さ
れたチャックリング４が、スピンチャック′３と同心的
に設りられている。このチャックリング４は、例λば真
空チャック等により！↑′導体ウェハ２の裏面外周部を
吸着保持可能に構成され°Ｃいる。
れたチャックリング４が、スピンチャック′３と同心的
に設りられている。このチャックリング４は、例λば真
空チャック等により！↑′導体ウェハ２の裏面外周部を
吸着保持可能に構成され°Ｃいる。
さらに、チャックリング４の外側には、環状に形成され
たノズルリング５が、スピンチャック′３およびチャッ
クリング４と同心的に設けられている。このノズルリン
グ５には、現像液供給配管６が接続されζいる。
たノズルリング５が、スピンチャック′３およびチャッ
クリング４と同心的に設けられている。このノズルリン
グ５には、現像液供給配管６が接続されζいる。
そして、こｔ＋らのスピンチャック３、チャックリング
４、ノズルリング５の周囲を囲む如く、現像液、リンス
液等の飛散を防止するためのカップ７が設けられＣいる
。
４、ノズルリング５の周囲を囲む如く、現像液、リンス
液等の飛散を防止するためのカップ７が設けられＣいる
。
また、上記スピンチャック３、チャックリング４、ノズ
ルリング５は、それぞれＩＩＩ対的に」二下勤可能に構
成されており、後述する如く、半導体ウェハ２のＤ −
ド・アンロード時、現像時、す〉ス時等の上程に応じて
これらのスピンチャック３、チャックリング４、ノズル
リング５を、Ｌ下動させ、これらを所定位置に設定する
。第１図に示す状態は、ヂ〜ヤックリング４とノズルリ
ング５とを当接さぜ、スピンチャック３を相対的に一ト
方に位置させること１．″より、゛１′−導体ウユ、ハ
２．ｈに現像液を貯留可能な状態、すなわち、現像時の
状態を示り、ている。
ルリング５は、それぞれＩＩＩ対的に」二下勤可能に構
成されており、後述する如く、半導体ウェハ２のＤ −
ド・アンロード時、現像時、す〉ス時等の上程に応じて
これらのスピンチャック３、チャックリング４、ノズル
リング５を、Ｌ下動させ、これらを所定位置に設定する
。第１図に示す状態は、ヂ〜ヤックリング４とノズルリ
ング５とを当接さぜ、スピンチャック３を相対的に一ト
方に位置させること１．″より、゛１′−導体ウユ、ハ
２．ｈに現像液を貯留可能な状態、すなわち、現像時の
状態を示り、ている。
上記ノズルリング５には、第２図にも示Ｊように内部を
環状に貫通する如く形成された現像液流路５ａが設けら
れており、この現像液流路５ａから内側（半導体ウェハ
２側）に向けて複数例えば３６個のノズル５ｂが等間隔
で設けられている。
環状に貫通する如く形成された現像液流路５ａが設けら
れており、この現像液流路５ａから内側（半導体ウェハ
２側）に向けて複数例えば３６個のノズル５ｂが等間隔
で設けられている。
また、これらのノズル５ｂの内側には、第１図に矢印で
示すように、ノズル５ｂから内側へ向けて噴出した現像
液を一旦溜めて上部からオーバーフローさせるようにし
て流出させることにより、泡抜きおよび各部からの均一
供給を可能とする液溜め機構５０が設けられている。
示すように、ノズル５ｂから内側へ向けて噴出した現像
液を一旦溜めて上部からオーバーフローさせるようにし
て流出させることにより、泡抜きおよび各部からの均一
供給を可能とする液溜め機構５０が設けられている。
さらに、チャックリング４には、半導体ウェハ２の周縁
部から外側に向けて低くなるように、傾斜面４ａが形成
されている。そして、前述した如くチャックリング４と
ノズルリング５とを当接させた状態とした時に、半導体
ウェハ２の周囲にこの傾斜面４ａとノズルリング５内側
面５ｄとによって、半導体ウェハ２の周囲を囲む如く溝
８が形成されるよう構成されている。
部から外側に向けて低くなるように、傾斜面４ａが形成
されている。そして、前述した如くチャックリング４と
ノズルリング５とを当接させた状態とした時に、半導体
ウェハ２の周囲にこの傾斜面４ａとノズルリング５内側
面５ｄとによって、半導体ウェハ２の周囲を囲む如く溝
８が形成されるよう構成されている。
したがって、上記液溜め機構５０から流出した現像液は
、上記傾斜面４ａに当り、−置溝８内の半導体ウェハ２
表面より低い位置に溜まり、この溝８からオーバーフロ
ーするようにして半導体ウェハ２表面に供給されるよう
構成されている。
、上記傾斜面４ａに当り、−置溝８内の半導体ウェハ２
表面より低い位置に溜まり、この溝８からオーバーフロ
ーするようにして半導体ウェハ２表面に供給されるよう
構成されている。
上記構成のこの実施例の現像装置１では、スピンチャッ
ク３を、チャックリング４およびノズルリング５に対し
て相対的に上昇させチャックリング４およびノズルリン
グ５の上方に突出させた状態で、このスピンチャック３
上に半導体ウェハ２をロードする。
ク３を、チャックリング４およびノズルリング５に対し
て相対的に上昇させチャックリング４およびノズルリン
グ５の上方に突出させた状態で、このスピンチャック３
上に半導体ウェハ２をロードする。
この後、スピンチャック３を下降（あるいはチャックリ
ング４を上昇）させて、半導体ウェハ２をチャックリン
グ４上に受は渡し、第１図に示す状態に設定する。
ング４を上昇）させて、半導体ウェハ２をチャックリン
グ４上に受は渡し、第１図に示す状態に設定する。
しかる後、現像液供給配管６から所定液圧で現像液を供
給する。現像液供給配管６から供給された現像液は、ノ
ズルリング５内の現像液流路５ａを通り、ノズル５ｂか
ら液溜め機構５Ｃ内に流入する。そして、この液溜め機
構５ｃ内からオーバフローするように傾斜面４ａに流れ
落ちて一旦半導体つエバ２表面より低い位置のリング状
溝８内に溜まり、ここからオバーフローするようにして
半導体ウェハ２表面に供給され、ノズルリング５の内側
面５ｄと半導体ウェハ２上面とチャックリング４の傾斜
面４ａとによって形成される容器状の凹部内に貯留され
る。
給する。現像液供給配管６から供給された現像液は、ノ
ズルリング５内の現像液流路５ａを通り、ノズル５ｂか
ら液溜め機構５Ｃ内に流入する。そして、この液溜め機
構５ｃ内からオーバフローするように傾斜面４ａに流れ
落ちて一旦半導体つエバ２表面より低い位置のリング状
溝８内に溜まり、ここからオバーフローするようにして
半導体ウェハ２表面に供給され、ノズルリング５の内側
面５ｄと半導体ウェハ２上面とチャックリング４の傾斜
面４ａとによって形成される容器状の凹部内に貯留され
る。
この状態で所定時間現像が行われ、しかる後、ノズルリ
ング５とチャックリング４とを離間させて、これらの間
に間隔を設け、ここから現像液をカップ７内に落下させ
るとともに、スピンチャック３を上昇（あるいはチャッ
クリング４を下降）させて、半導体ウェハ２をスピンチ
ャック３上に移載する。そして、このスピンチャック３
により半導体ウェハ２を高速回転させて乾燥および図示
しないリンスノズルからリンス液を供給してリンスを行
う。
ング５とチャックリング４とを離間させて、これらの間
に間隔を設け、ここから現像液をカップ７内に落下させ
るとともに、スピンチャック３を上昇（あるいはチャッ
クリング４を下降）させて、半導体ウェハ２をスピンチ
ャック３上に移載する。そして、このスピンチャック３
により半導体ウェハ２を高速回転させて乾燥および図示
しないリンスノズルからリンス液を供給してリンスを行
う。
すなわち、この実施例の現像装置１では、現像液供給配
管６から供給された現像液が、ノズルリング５内の現像
液流路５ａを通り、ノズル５ｂから液溜め機構５ｃ内に
流入し、この戒溜め機構５Ｃ内からオーバフローするよ
うに傾斜面４ａに流れ落ちて一旦半導体つエバ２表面よ
り低い溝８内に溜まり、ここからオバーフローするよう
にして半導体ウェハ２表面上に供給される。したがって
、現像液の供給圧を上げ、現像液の流量を多くしても、
高圧の現像液が直接半導体ウェハ２面に当たることがな
い。このため、従来のようなすし状の現像むらを生しさ
せることなく、半導体ウェハ２全面に短時間で現像液を
供給することができ、現像均一性の向上と、スルーブツ
トの向上を図ることができる。
管６から供給された現像液が、ノズルリング５内の現像
液流路５ａを通り、ノズル５ｂから液溜め機構５ｃ内に
流入し、この戒溜め機構５Ｃ内からオーバフローするよ
うに傾斜面４ａに流れ落ちて一旦半導体つエバ２表面よ
り低い溝８内に溜まり、ここからオバーフローするよう
にして半導体ウェハ２表面上に供給される。したがって
、現像液の供給圧を上げ、現像液の流量を多くしても、
高圧の現像液が直接半導体ウェハ２面に当たることがな
い。このため、従来のようなすし状の現像むらを生しさ
せることなく、半導体ウェハ２全面に短時間で現像液を
供給することができ、現像均一性の向上と、スルーブツ
トの向上を図ることができる。
［発明の効果コ
以上説明したように、本発明の現像装置によれば、従来
に較べて、現像均一性の向上と、スルーブツトの向上を
図ることができる。
に較べて、現像均一性の向上と、スルーブツトの向上を
図ることができる。
第１図は本発明の一実施例の現像装置の要部構成を示す
縦断面図、第２図は第１図の現像装置の上面図である。 １・・・・・・現像装置、２・・・・・・半導体ウェハ
３・・・・・・スピンチャック、４・・・・・・チャ
ックリング、４ａ・・・・・・傾斜面、５・・・・・・
ノズルリング、５ａ・・・・・・現像液流路、５ｂ・・
・・・・ノズル、５ｃ・・・・・・液溜め機構、５ｄ
・・・・・ 内側面、 ・・・・・現像液供給配管、 ７・・・・・・カ ツブ、 ８・・ ・・・溝。
縦断面図、第２図は第１図の現像装置の上面図である。 １・・・・・・現像装置、２・・・・・・半導体ウェハ
３・・・・・・スピンチャック、４・・・・・・チャ
ックリング、４ａ・・・・・・傾斜面、５・・・・・・
ノズルリング、５ａ・・・・・・現像液流路、５ｂ・・
・・・・ノズル、５ｃ・・・・・・液溜め機構、５ｄ
・・・・・ 内側面、 ・・・・・現像液供給配管、 ７・・・・・・カ ツブ、 ８・・ ・・・溝。
Claims (1)
- （１）感光膜が形成された基板に現像液を供給して現像
を行う現像装置において、 前記現像液が、前記基板周囲の基板面より低い位置から
オーバーフローするように該基板面に供給されるように
構成したことを特徴とする現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2184938A JPH0469920A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2184938A JPH0469920A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0469920A true JPH0469920A (ja) | 1992-03-05 |
Family
ID=16161981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2184938A Pending JPH0469920A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0469920A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009231620A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Sokudo Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2010193496A (ja) * | 2010-04-05 | 2010-09-02 | Kyocera Corp | 水晶振動子及び水晶デバイス |
| JP2021057596A (ja) * | 2015-11-30 | 2021-04-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | フォトレジストウエハの露光後プロセスの方法及び装置 |
-
1990
- 1990-07-10 JP JP2184938A patent/JPH0469920A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009231620A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Sokudo Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2010193496A (ja) * | 2010-04-05 | 2010-09-02 | Kyocera Corp | 水晶振動子及び水晶デバイス |
| JP2021057596A (ja) * | 2015-11-30 | 2021-04-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | フォトレジストウエハの露光後プロセスの方法及び装置 |
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