JPH047023B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

技術分野 本発明はＥ−DRAW型光デイスクに関し、特
に希土類金属と遷移金属から構成されるアモルフ
アス合金でかつ膜面に垂直な方向に一軸磁気異方
性を有する記録膜を担持した光磁気記録媒体に関
する。 背景技術 従来から、一定の条件下で例えば高周波スパツ
タリング等の方法で作成される希土類金属と遷移
金属との合金例えばGdTbFe（ガドリニウム−テ
リビウム−鉄）、TbFeCo（テルビウム−鉄−コバ
ルト）等の合金薄膜は、アモルフアス構造をと
り、膜面に垂直な一軸磁気異方性を有することが
知られている。 この性質を光磁気記録媒体の記録膜として利用
することが出来る。すなわち、情報の記録読取り
については次のように行う。先ず、一軸磁気異方
性を有するアモルフアス合金膜上にある波長のレ
ーザ光を対物レンズ等を通して焦光してその焦光
部分を永久磁石又は電磁石を用いて外部磁場を作
用させながらキユーリー温度又は補償温度付近ま
で局部的に加熱せしめる。この時の焦光部分にお
ける熱消磁又は磁化反転の熱磁気的効果によつ
て、一方向に一様に磁化された合金膜面内に反転
磁区を形成して情報を記録することが出来る。次
に、形成された反転磁区に偏光レーザ光を入射
し、その反射光におけるポーラ・カー効果等によ
つて反転磁区の有無を信号として検出できる。こ
のようにして、上記記録媒体において反転磁区の
有無を“１”、“０”に対応させることによつて記
録した情報の読取りが可能となる。 従来からの希土類金属と遷移金属とのアモルフ
アス合金例えばGdTbFe、TbFeCo等は光磁気効
果及び磁気特性、特にキユーリー点、補償温度が
室温から200℃程度の間にありかつ保磁力が数
KOeあり光磁気記録材料として適しているため
光磁気記録媒体の光磁気記録膜材として注目され
実用化が検討されている。かかる光磁気記録媒体
については、第１図の従来の光磁気記録媒体の概
略断面図にて示す如く、アモルフアス合金膜２を
透明基板１と保護膜３との間に積層した光磁気記
録媒体が最も一般的に開発されている。 しかしながら、かかるアモルフアス合金膜は膜
面に垂直な方向に一軸磁気異方性を有する垂直磁
化膜であることが必要であるが、従来のアモルフ
アス合金は、その容易磁化方向が膜面に垂直な方
向から傾いて分布しており、レーザ光で読取るに
充分なカー回転角を有しているとは言えない。そ
こで従来から、より大きなカー回転角が得られる
ように記録膜の容易磁化方向が出来るだけ膜面に
垂直な方向に向いた垂直磁化膜としてのアモルフ
アス合金膜が求められている。しかし、従来の光
磁気記録媒体においても充分大きなカー回転角を
得るには至つていない。 発明の概要 本発明の目的は大きなカー回転角を有した光磁
気記録媒体を提供することを目的としている。 本発明の光磁気記録媒体は、透明基板と該基板
に担持され膜面に垂直な方向に一軸磁気異方性を
有する希土類金属−遷移金属のアモルフアス合金
膜とを有する光磁気記録媒体であつて、該透明基
板とアモルフアス合金膜との間に中間膜が設けら
れており、かつその中間膜は、周期律表における
第ｂ属元素の単体、第ｂ属元素と第ｂ属元
素との化合物、及び第ｂ属元素と第ｂ属元素
との化合物からなる群から選ばれる物質からなる
膜であることを特徴とする。 実施例 以下、本発明の実施例を添附図面に基づいて説
明する。 第２図は本発明の光磁気記録媒体の拡大部分断
面概略図である。案内溝付き円板状PMMA基板
１の片面上に、周期律表における第ｂ属元素で
あるGe（ゲルマニウム）単体からなる中間膜４、
光磁気記録膜である希土類金属−遷移金属のアモ
ルフアス合金膜２、SiO₂からなる保護膜３を真
空蒸着あるいはスパツタリング等の方法により順
に積層し光磁気記録媒体を作成する。尚、アモル
フアス合金膜２を次式の合金組成となるように形
成する。 （R_xT_1-x）_1-yAl_y 上式では、希土類金属Ｒは、Gd（ガドリニウ
ム）、Tb（テルビウム）及びDy（ジスプロシウム）
から選ばれる１種類以上の金属であり、遷移金属
Ｔは、Fe（鉄）及びCo（コバルト）から選ばれる
１種類以上の金属である。この稀土類金属Ｒ及び
遷移金属Ｔの原子組成の比率ｘはR_xT_1-xにおい
て0.1≦ｘ≦0.4の範囲の値となるようにする。こ
の範囲で垂直磁化が真空蒸着あるいはスパツタリ
ング等で得られることが知られている。更に本実
施例では、この希土類金属−遷移金属合金へ添加
元素としてAl（アルミニウム）を添加する。アモ
ルフアス合金における希土類金属−遷移金属合金
にアルミニウムを添加した合金（RT）_1-yAl_yは、
ｙが0.005≦ｙ≦0.4の範囲の値となるようにし
て、光磁気記録媒体のアモルフアス合金膜を形成
する。ｙ＜0.005ではAlを添加したことによる耐
酸化性の向上に効果が見られない。また、ｙ＞
0.4では、磁気特性、光磁気特性が急激に低下し
て光磁気記録媒体として不適当になつてしまう。 第１表において、本実施例の光記録媒体と従来
のものとを45℃90％R.H.（湿度）の状態で波長
830nｍの半導体レーザ光によつて再生する実験
でそれぞれのカー回転角θkについて調べた結果
を示す。ここでは、本実施例の光記録媒体と従来
のものとを同一条件にて製造した各々３個の資料
について調べている。

【表】 第１表から本実施例の光記録媒体のカー回転角
θkは、従来の光記録媒体なカー回転角θkのほぼ
２倍以上なることが分つた。このことは、第２図
に示すごとく第ｂ属元素であるGe単体からな
る中間膜４を基板１とアモルフアス合金膜２との
間に形成させているので、Geによる中間膜によ
つて垂直磁化成分が増大し、カー回転角の増大効
果が付与されることを示している。 また、上記実施例では、第ｂ属元素の単体で
あるGeを中間膜として用いているが、同様に、
第ｂ属元素であるSn（スズ）、Pb（鉛）、Si（珪
素）及びＣ（炭素）の各々の単体で形成した中間
膜を設けた光記録媒体においても、上記同様のカ
ー回転角の増大効果があることが確認できた。 更に、光記録媒体の中間膜として第ｂ属元素
と第ｂ属元素との化合物であるGaAs（ガリウ
ム−ヒ素）、InSb（インジウム−アンチモン）及
びInP（インジウム−リン）の各々を用いた場合、
及び第ｂ属元素と第ｂ属元素との化合物であ
るZnS（硫化亜鉛）、ZnSe（亜鉛−セレン）及び
ZnTe（亜鉛−テルル）の各々を用いた光記録媒体
においても、45℃90％R.H.（湿度）の状態で波長
830nｍの半導体レーザによつて再生した場合に
上記同様のカー回転角の増大効果があることが確
認できた。 さらにまた、上記実施例では中間膜を一層設け
た光記録媒体を製造したが、該中間膜を二層以上
設けた光記録媒体も製造できる。この際、２つ以
上の中間膜の組合わせとして上記したGe、Sn、
Pb、Si、Ｃ、GaAs、InSb、InP、ZnS、ZnSe、
ZnTeから選ばれる物質であつて隣合う二層の中
間膜が互に異なるように光記録媒体を作成する。
このようにすることにより更にカー回転角の増大
効果がある光記録媒体を得ることが出来る。 発明の効果 以上の如く本発明によれば、第ｂ属元素の単
体、第ｂ属元素と第ｂ属元素との化合物、及
び第ｂ属元素と第ｂ属元素との化合物から選
ばれる物質及び／又は組からなる一層以上の中間
膜を記録膜と基板との間に設けることにより、カ
ー回転角の増大した光磁気記録媒体を得ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の光磁気記記録媒体の概略断面図
であり、第２図は本発明による光磁気記録媒体の
概略断面図である。 主要部分の符号の説明、１……PMMA基板、
２……アモルフアス合金膜、３……保護膜、４…
…中間膜。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 透明基板と該基板に担持され膜面に垂直な方
   向に一軸磁気異方性を有する希土類金属−遷移金
   属のアモルフアス合金膜とを有する光磁気記録媒
   体であつて、前記透明基板と前記アモルフアス合
   金膜との間に中間膜が設けられており、かつ該中
   間膜は、周期律表における第ｂ属元素の単体、
   第ｂ属元素と第ｂ属元素との化合物、及び第
   ｂ属元素と第ｂ属元素との化合物からなる群
   から選ばれる物質からなる膜であることを特徴と
   する光磁気記録媒体。 ２ 前記中間膜は二層以上設けられており、かつ
   隣合う二層は異なる種類の物質からなる膜である
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
   磁気記録媒体。 ３ 前記第ｂ属元素の単体はGe、Sn、Pb、Si
   及びＣであり、前記第ｂ属元素と第ｂ属元素
   との化合物はGaAs、InSb及びInPであり、かつ
   前記第ｂ属元素と第ｂ属元素との化合物は
   ZnS、ZnSe及びZnTeであることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項又は第２項記載の光磁気記録
   媒体。