JPH0470760A - ａ―セレン―テルル感光体及び静電情報記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、可視光領域、特に長波長領域の分光感度を有
しかつ暗電位の低いａ−セレン−テルル感光体と、その
感光体を使用した静電情報記録方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、高感度撮影技術として銀塩写真法が知られている
。この写真法においては、撮影像は現像工程を経てフィ
ルム等に記録され、画像を再現する場合には銀塩乳剤（
印画紙等）を用いるか、または現像フィルムを光学走査
して陰極線管（以下ＣＲＴ）に再現させる等により行わ
れている。

また、光導電層に電極を蒸着し、暗所で光導電層上にコ
ロナ帯電により全面帯電させ、次いて強い光で露光して
光の当たった部位の光導電層を導電性にし、その部位の
電荷をリークさせて除去することにより静電荷潜像を光
導電層の面上に光学的に形成させ、その残留静電荷と逆
極坤の電荷（または同極性の電荷）を有するトナーを付
着させて現像する電子写真技術があるが、これは主とし
て複写用に用いられており、一般に低感度のだと撮影用
としては使用できず、静電荷の保持時間が短いたｔに静
電潜像形成後、直ちにトナー現像するのが普通である。

また、ＴＶ撮影技術は撮像管で撮影し、光半導体を利用
して得た画像情報を電気信号として取り■し、そのまま
ＣＲＴに出力させるか、磁気記録等を用いてビデオ記録
し、任意の時にＣＲＴ上に像出力させる等の方法がある
。

〔発明が解決すべき課題〕

銀塩写真法は被写体像を保存する手段として優れている
が、銀塩像を形成させるために現像工程を必要とし、像
再現においてはハードコピー、ソフトコピー（ＣＲＴ出
力）等に至る複雑な光学的、電気的、または化学的処理
が必要である。

電子写真技術は、得られた静電潜像の顕像化は銀塩写真
法よりも簡単、迅速であるが潜像保存は極めて短く、現
像剤の解離性、画質等は銀塩に劣る。

ＴＶ撮影技術は撮像管で得られた電気的像信号を取り出
し、また記録するためには線順次走査が必要となる。線
順次走査は撮像管内では電子ビームで、ビデオ記録では
磁気ヘッドで行うが、解像性は走査線数に依存するため
、銀塩写真のような面状アナログ記録に比して著しく劣
化する。

また、近年発達しつつある固体撮像素子（ＣＣＤ等）を
利用したＴＶ撮像系も解像性に関しては本質的に同様で
ある。

これらの技術の内蔵する問題点は画像記録が高品質、高
解像であれば処理工程が複雑であり、工程が簡便であれ
ば記憶機能の欠如、あるいは画質の基本的劣化等があっ
た。

本発明者は、先に前面に電極が設けられた光導電層から
なる感光体と、該感光体に対向し、後面に電極が設けら
れた電荷保持層からなる電荷保持媒体とを光軸上に配置
し、両電極間に電圧を印加しつつ露光することにより入
射光学像に応じた静電潜像を電荷保持媒体上に形成する
静電情報記録方法を出願（特願昭６３−１２１５９２号
〉したが、感光体における光導電層としてアモルファス
セレン層（ａ−３ｅ層）を使用する場合、赤色感度が弱
いという課題を有している。

ａ−セレンは、一般に光照射下で正電荷発生物質として
、また正電荷（ホール）輸送性を有する物質であること
が知られているが、バンドギャップが約２．Ｏｅｖある
ため、５００ｎｍ以下の波長の光には充分な感度を有す
るものの、６００〜７００ｎｍの波長を有する可視光に
対しては殆ど感度を有しない。そのため、セレンにテル
ルをドーピングすることによりバンドギャップを小さく
し、長波長光に対して感度を持たせることでこの問題の
解決が図られている。

しかしながら、テルル自体は光導電性を有しないため、
テルル添加量を増加させると、熱励起キャリ了が増大し
、暗電流の増大を引き起こす問題がある。即ち、セレン
単体と電極とは所謂ブロッキングコンタクトを形成して
電極からの注入電荷を防止する機能を有するが、テルル
を添加するとブロッキング特性を弱める作用をする。

一方、光の利用率を高めるためには、通常電荷発生層を
０５μｍ〜３μｍの膜厚にする必要があるが、この膜厚
では電極からの注入電荷を防止使用とするとテルル添加
量はせいぜい２０〜２５重量％しか挙げることができず
、その電荷注入を防止するために電荷注入防止層を０．
１μｍ程度の膜厚で設けたとしても、テルル添加量が３
０重量％を越えると注入電荷の増大が生じ、十分な長波
長域での分光感度が得られないという問題がある。

本発明は、上記課題を解決するためのもので、長波長領
域の分光感度をも有し、かつ暗電位の低くいａ−セレン
−テルル感光体の提供、及びこの感光体を使用すること
により、高品質、高解像で、処理工程が簡便で、また長
時間の記録が可能であり、又、記憶した文字、線画、画
像、コード、（１，０）情報を目的に応じた画質で任意
に反復再生することができる静電情報記録方法の提供を
課題とする。

〔課題を解決するたぬの手段〕

本発明のａ−セレン−テルル感光体は、透明電極層上に
電荷注入防止層、電荷発生層、電荷輸送層が順次積層さ
れた感光体であって、該電荷発生層がａ−セレン−テル
ル混合蒸着層（以下、単にａ−セレン−テルル層ともい
う）により形成され、該ａ−セレン−テルルの混合蒸着
層におけるテルル濃度が２０重量％〜６０重量％の範囲
内で、蒸着面において均一濃度で形成され、その膜厚が
０゜０３μｍ〜０．２μｍであり、また電荷輸送層が３
０μｍ以上の膜厚で積層されたことを特徴とする。

更に、本発明の静電情報記録方法は、透明電極層上に電
荷注入防止層、テルル濃度が２０重量％〜６０重量％の
範囲内で、蒸着面において均一濃度で形成され、その膜
厚が０．０１μｍ〜０．２μｍであるａ−セレン−テル
ル層、また３０μｍ以上の膜厚の電荷輸送層を順次積層
して形成された感光体と、電極層と電荷保持層からなる
電荷保持媒体とを対向させて光軸上に配置し、両電極間
に電圧印加しつつ露光するか、或いは露光しつつ電圧印
加することにより、入射光学像に応じた静電潜像を電荷
保持媒体上に形成することを特徴とする。

以下、本発明のａ−セレン−テルル感光体及び静電情報
記録方法について詳細に説明する。

第１図（ａ）（ｂ）は、本発明の感光体の断面図で、図
中１は感光体、５は透明支持体、７は透明電極、８は電
荷注入防止層、９はａ−セレン−テルル層、９′はａ−
セレン層、１０は電荷輸送層である。

まず、第１図（ａ）に示すように、本発明の感光体は、
透明支持体５上の透明電極７上に、電荷注入防止層８を
介して電荷発生層としてａ−セレン−テルル層９が積層
され、次いで、発生した電荷を電界の存在下輸送する機
能を有する電荷輸送層１０が更に積層されたものである
。

また第１図（ｂ）に示すように、本発明の感光体は、透
明支持体５上に透明電極７、電荷注入防止層、実質的に
テルル成分を有しないａ−セレン層９′、ａ−セレン−
テルル層９、更に電荷輸送層１０が順次積層されたもの
であってもよいものである。

ａ−セレン−テルルを混合蒸着して形成される電荷発生
層は、光照射下で光キャリアーとなる電荷を発生するも
のであり、ａ−セレン−テルル層は、可視光領域、特に
長波長領域での光吸収性を有し、それによる光キヤリア
−（ホール）を発生し、電界存在下光キャリアーが層幅
に移動することができるものであり、特に電界が存在す
る場合にその効果が顕著である層である。

ａ−セレン−テルル層は、電荷注入防止層上にａ−セレ
ン層を介するか、又は介しないで形成され、テルル濃度
が２０重量％〜６０重量％の範囲内での均一濃度で、か
つ膜厚が０．０３μｍ〜０゜２μｍで形成されるもので
あり、このようなａセレン−テルル層は、セレンとテル
ル混合蒸着装置中の別々の坩堝に入れ、予めセレン、テ
ルルそれぞれの蒸着速度とａ−セレン−テルル蒸着膜組
成との相関を求めておき、各蒸発源の蒸着速度を水晶発
振子式膜厚計により独立に測定しながら、一定の蒸着速
度比になるように蒸発源電源を帰還制御しつつ蒸着させ
ることにより、蒸！膜におけるテルル濃度を容易にコン
トロールすることができる。

ａ−セレン−テルル層におけるテルル濃度は、蒸着層面
で均一濃度に保持されることが必要であり、面内でテル
ル濃度のばらつきがあると、分光感度のばらつきが生じ
、画像の乱れが生じる。

また、その濃度は２０重量％〜６０重量％の範囲内の濃
度で均一性を有することが必要であり、濃度が２０重量
％未満であると長波長領域での光吸収性がなくなり、ま
た６０重量％を越えると暗電流が増大するので好ましく
ない。

更に、このａ−セレン−テルル層の膜厚は、０゜０３μ
ｍ〜０．２μｍとするとよく、膜厚が０゜０３μｍ未満
であると光吸収性がなくなり、また０、２μｍを越える
と暗電流が増大するので好ましくない。

本発明は、このようにａ−セレン−テルル層を薄膜化し
、テルル濃度を増大させても、予期に反して熱励起キャ
リアや注入キャリアを非常に低いレベルに抑えることが
でき、暗電流の増大があまり認められなく、しかも可視
領域でパンクロマティックな特性を持ち、短波長領域で
も感度が向上することを見出したものである。

又、本発明の感光体の別の実施態様としては、ａ−セレ
ン−テルル層をａ−セレンＮを介して電荷注入防止層上
に積層することにより、暗電流の増大をより防止しつる
感光体とすることができるものである。

このようなａ−セレン層は、セレンのみを５０Å〜１０
００人、好ましくは３００Å〜５００人の膜厚で電荷注
入防止層上にＭＨさせて形成されるが、ａ−セレン層の
膜厚が１０００人を越えると光透過性が小さくなり、電
荷発生層に光吸収させることが困難となるので好ましく
ない。尚、ａ−セレン層においては、テルル成分を１０
重量％以下であれば含有していてもよく、暗電流値との
関係で適宜その含有量は定とられる。

次に、電荷輸送層は電圧印加状態で電荷輸送層を有する
ものであり、本発明においてはホール輸送性材料により
形成される。このような電荷輸送層としては硼素、アル
ミニウム、インジウム等をドーピングしたａ−シリコン
層、またａ−セレン層をグロー放電法、蒸着法、スパッ
リング法、ＣＶＤ法等により積層するか、またオキサジ
アゾール、ピラゾリン、ポリビニルカルバゾール、スチ
ルベン、アントラセン、ナフタレン、トリジフェニルメ
タン、トリフェニルメタン類、アジン類、アミン類、芳
香族アミン類等の有機光導電材料を樹脂中に分散させ、
ブレードコーター等によるコーティング法等により積層
し、膜厚３０μｍ〜１００μｍに形成される。

電荷輸送層の膜厚が３０μｍより薄いと、感光体に必要
な電圧配分がとれず、露光部（明部）と暗部とのコント
ラストがとれず好ましくなく、１士 ００μｍを越えるとキャリア寿命との関係から惰叛 遷したキャリアが電荷輸送層の中で消失してしまうので
好ましくない。

電荷輸送層として、特に好ましくはａ−セレンテルル層
の積層に続いて、ａ−セレンをそのまま蒸着させて形成
することが好ましい。

この場合には、電荷発生層と電荷輸送層との接合をはか
るために、ａ−セレン−テルル層におけるテルル濃度を
減少させて積層していきテルル成分が０重量％となるよ
うに濃度を減少して形成するとよい。但し、電荷発生層
から電荷輸送層への電荷注入が効率よく行われる場合に
は必ずしも上記のように行う必要はない。

次に、透明電極上に設けられる電荷注入防止層８は、電
界の存在下電極から電荷が注入され、露光していないに
もかかわらず恰も露光したような帯電、即ち暗電流の増
大を防止するために設けられるもので、ＳｌＯ□、＾ｊ
！　Ｊ３、ＳｉＣ５ＳｉＮ層を蒸着、スパッター、グロ
ー放電法等により膜厚０゜０１μｍ〜１０μｍに設けら
れる。

また電荷注入防止層を、その電極極性とは逆の電荷輸送
性を有する物質で形成し、整流効果により所望の電荷注
入防止効果を奏するようにしてもよい。本発明の電荷発
生層は主にホール発生性を有するものであるので、電界
の存在下電子輸送性を有する、例えばＰＳＮＳＡｓ、Ｓ
ｂ、Ｂｉ等をドープしたアモルファスシリコン光導電層
をグロー放電、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ法等によ
り形成してもよいし、またＺｎＯ光導電層等をコ−ティ
ング等の方法により形成してもよい。

このような電荷注入防止層は、０．１μｍ〜１０μｍ程
度の膜厚に形成するとよい。

感光体支持体５としては、感光体を支持することができ
るある程度の強度を有していれば、その材質、厚みは特
に制限がなく、また感光体側から光を入射するものであ
るので、厚み１ｍｍ程度の透明なガラス板、或いはプラ
スチックのフィルム、シートが使用される。

透明電極７は、透明支持体５上に形成され、その材質は
比抵抗値が１０６Ω・ｃｍ以下であれば限定されなく、
膜厚１００Å〜３０００人で積層される。情報光が可視
光（４００〜７００　ｎｍ）であれば、Ｉ　Ｔｏ　（ｌ
ｎｚＬ−ＳｎＯｚ）　％　Ｓ　ｎ　Ｏｚ等をスパッタリ
ング、蒸着、またはそれらの微粉末をバインダーと共に
インキ化してコーティングしたような透明電極や、Ａｕ
％ＡＩ、Ａｇ％Ｎｉ、Ｃｒ等を蒸着、またはスパッタリ
ングで作製する半透明電極、テトラシアノキノジメタン
（ＴＣＮＱ）、ポリアセチレン等のコーティングによる
有機透明電極等が使用される。

また情報光が赤外（７００ｎｍ以上）光の場合も上記電
極材料が使用できるが、場合によっては可視光をカット
するために、着色された可視光吸収電極も使用できる。

更に、情報光が紫外（４００Ωｍ以下）光の場合も、上
記電極材料を基本的には使用できるが、支持体材料が紫
外光を吸収するもの（有機高分子材料、ソーダガラス等
）は好ましくなく、石英ガラスのような紫外光を透過す
る材料が好ましい。

このようにして本発明の感光体は形成されるが、電荷輸
送層上に放電強化層を積層することにより、−層その放
電機能を強化することができる。放電強化層材料として
は、電子放出特性の高いＢａｎ、Ｃａｌ］　、ＳｒＯ、
ＭｇＯ、ＣａＢ６．５ｂ−Ｒｈ−Ｃｓ、＾ｇ−０−Ｃｓ
　。

Ｗ−Ｔｈ、　Ｔｉｃ　、　ＴｊＯ、ＹａＬ、Ｌａ２Ｏ５
、Ｄｙ２０ｓ　、Ｔｈａｗ等の金属化合物、もしくは金
属酸化物が使用される。

このような放電強化層は、電荷輸送層上面に蒸着法、ス
パッタ法、プラズマＣＶＤ法、またバインダー中に分散
させコーティングする方法等の通常の薄膜形成手段によ
り形成され、その膜厚は５０Å〜５０００人とするとよ
く、特に１００Å〜１０００人とすることが望ましい。

次ぎに、本発明の静電情報記録方法について、第２図に
より説明する。図中、１は感光体、３は電荷保持媒体、
５は感光体支持体、７は感光体電極、８は電荷注入防止
層、９はａ−セレン−テルル層、１０は電荷輸送層、１
１は電荷保持層、１３は電荷保持媒体電極、１５は電荷
保持層支持体、１７は電源である。

本発明の感光体により静電潜像が形成される電荷保持媒
体３は、電極１３上に電荷保持層１１を積層することに
より形成され、電荷保持層１１は電荷の移動を抑えるた
め高絶縁性の高分子材料からなるものであり、比抵抗で
１０１４０・ｃｍ以上の絶縁性を有することが要求され
る。また、電荷保持層を構成する高分子材料としてはそ
のガラス転移温度が使用環境温度以上であることが必要
である。このような高分子材料は、樹脂としては熱可塑
性樹脂、或いは熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子
線硬化性樹脂等のエネルギー線硬化樹脂、或いはエンジ
ニアリングプラスチック等を使用することができ、熱可
塑性樹脂としては例えば弗素樹脂、例えばポリテトラフ
ルオロエチレン、弗素化エチレンプロピレン、テトラフ
ルオロエチレンパーフルオロアルキルビニルエーテル共
重合体、またそれらのディスバージョンタイプ、または
変性タイプ（コーティングタイプ）、またポリエーテル
エーテルケートン樹脂、ポリバラキシリレン等を使用し
、電荷保持媒体電極上にコーティング、蒸着することに
より層形成されるものである。

次に、第２図により、このような電荷保持媒体３に感光
体ｌ側から露光を行い、電荷保持媒体に静電潜儒を形成
させる静電情報記録方法を説明する。

まず、感光体ｌに対して１０μｍ程度の空隙を介して電
荷保持媒体３が配置される。電荷保持媒体３は１ａｌｌ
厚のガラスからなる電荷保持層支持体１５上に１０００
人厚のＡ１ｌ電極を蒸着し、この電極上に１０μｍ厚の
電荷保持層１１を形成したものである。

まず、同図（ａ）に示すように感光体１に対して、１０
μｍ程度の空隙を介して電荷保持媒体３をセットし、同
図（ｂ）に示すように電源１７により電極７．１３間に
電圧を印加する。暗所であれば感光体における感光層は
高抵抗体であるため、電極間には何の変化も生じない。

感光体１側より光が入射すると、光が入射した部分の感
光層９．１０は導電性を示し、電荷保持層１１との間に
放電が生じ、電荷保持層１１に電荷が蓄積される。

露光が終了したら、同図（ｃ）に示すように電圧をＯＦ
Ｆにし、次いで同図（ｄ）に示すように電荷保持媒体３
を取り出すことにより静電潜像の形成が終了する。

このようにして形成された静電潜像は、空気通境に曝さ
れるが、電荷保持層上に絶縁性保護膜を積層することに
より情報電荷は明所、暗所に関係なく放電せず長期間保
存される。情報電荷は単に表面に蓄積させる場合もあり
、また微視的には絶縁体表面付近内部に侵入し、その物
質の構造内に電子またはホールがトラップされる場合も
あるので長期間の保存が行われる。

本発明の感光体を使用した情報入力方法としては、静電
カメラによる方法、またレーザーによる記録方法がある
。まず静電カメラは、通常のカメラに使用されている写
真フィルムの代わりに、感光体と、電荷保持媒体とによ
り記録部材を構成し、画電極へ電圧を印加し、入射光量
に応じて電荷保持層上に電荷を蓄積させて静電潜像を電
荷蓄積媒体上に形成するもので、機械的なシャッタも使
用しうるし、また電気的なシャッタも使用しうるもので
ある。

また、プリズムとカラーフィルターにより光情報をＲ，
Ｇ、Ｂ光成分に分離し、平行光として取り出し、Ｒ，Ｇ
、Ｂ分解した電荷保持媒体３セツトで１コマを形成する
か、または１平面上にＲｌＧ、Ｂ像を並べて１セツトで
１コマとすることにより、カラー撮影することもできる
。

またレーザーによる記録方法としては、光源としてはア
ルゴンレーザー（５１４，４８８ｎｍ）、ヘリウム−ネ
オンレーザ−（６３３ｎｍ）　、半導体レーザー（７８
０ｎｍ、８１０ｎｍ等）が使用でき、感光体と電荷保持
媒体を対向させ、電圧印加する。この状態で画像信号、
文字信号、コード信号、線画信号に対応したレーザー露
光をスキャニングにより行うものである。画像のような
アナログ的な記録は、レーザーの光強度を変調して行い
、文字、コード、線画のようなデジタル的な記録は、レ
ーザー光の０Ｎ−ＯＦＦ制御により行う。

また画像において網点形成されるものには、レーザー光
にドツトジェネレーター０Ｎ−ＯＦＦ制御をかけて形成
するものである。

次ぎに、記録された静電情報の再生方法について説明す
る。

第３図は電荷保持媒体の静電情報再生方法としての電位
読み取り方法の例を示す図で、第１図と同一番号は同一
内容を示している。なあ、図中、２１は電位読み取り部
、２３は検出電極、２５はガード電極、２７はコンデン
サ、２９は電圧計である。

電位読み取り部２１を電荷保持媒体３の電荷蓄積面にそ
の保護膜上から対向させると、検出電極２３に電荷保持
媒体３の電荷保持層１１上に蓄積された電荷によって生
じる電界が作用し、検出電極面上に電荷保持媒体上の電
荷と等量の誘導電荷が生ずる。この誘導電荷と逆極性の
等量の電荷でコンデンサ２７が充電されるので、コンデ
ンサの電極間に蓄積電荷に応じた電位差が生じ、この値
を電圧計２９で読むことによって電荷保持体の電位を求
めることができる。そして、電位読み取り部２１で電荷
保持媒体面上を走査することにより静電潜像を電気信号
として出力することができる。

なお、検出電極２３だけでは電荷保持媒体の検出電極対
向部位よりも広い範囲の電荷による電界（電気力線）が
作用して分解能が落ちるので、検出電極の周囲に接地し
たガード電極２５を配置するようにしてもよい。これに
よって、電気力線は面に対して垂直方向を向くようにな
るので、検出電極２３に対向した部位のみの電気力線が
作用するようになり、検出電極面積に略等しい部位の電
位を読み取ることができる。電位読み取りの精度、分解
能は検出電極、ガード電極の形状、大きさ、及び電荷保
持媒体との間隔によって大きく変わるため、要求される
性能に合わせて最適条件を求めて設計する必要がある。

また電荷保持媒体における像電荷を、反射防止膜を設け
た電荷保持媒体電極側からレーザー光等を照射し、電気
光学結晶を介して情報として再生してもよい。この場合
電荷保持媒体における構成材料は透明材料で形成する必
要がある。また電気光学結晶はその光路中に配置すると
よく、このような電気光学結晶としてはチタン酸バリウ
ム、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａ０．）等電気光学効
果を有するものを使用するとよい。

第４図は静電情報再生方法の概略構成を示す図で、図中
、３１は電位読み取り装置、３３は増幅器、３５はＣＲ
Ｔ、３７はプリンタである。

図において、電位読み取り装置３１で電荷電位を検出し
、検出出力を増幅器３３で増幅してＣＲＴ３５で表示し
、またプリンタ３７でプリントアウトすることができる
。この場合、任意の時に、読み取りたい部位を任意に選
択して出力させることができ、また反復再生することが
可能である。

また静電潜像が電気信号として得られるので、必要に応
じて他の記録媒体への記録等に利用することも可能であ
る。

〔作用及び発明の効果〕

本発明の感光体は、ａ−セレン−テルル層の膜厚を薄膜
化し、テルル濃度を増大させても、予期に反して熱励起
キャリアや注入キャリアを非常に低いレベルに抑えるこ
とができ、暗電流の増大があまり認とられなく、しかも
可視領域でパンクロマティックな特性を持ち、短波長領
域でも感度が向上しつるものであり、又、ａ−セレン−
テルル層をａ−セレン層を介して電荷注入防止層上に積
層することにより、暗電流の増大をより防止しうるもの
である。

又、本発明の感光体を電荷保持媒体と組み合わせた静電
情報記録方法に使用することにより、電荷保持媒体にお
ける明電位と暗電位とのコントラストを明蹟なものとす
ることができ、しかも電荷保持媒体において可視領域で
パンクロマティックな情報ｇ己緑を行うことができ、ま
た短波長領域でも電荷保持媒体への記録感度を向上しう
る静電情報記録方法とすることができるものである。

〔実施例１〕 ガラス基板（コーニング社製、７０５９ガラス、４５　
Ｘ　５０ａ＋ｍ、　１．　１＋＋ｏｎ厚）の上に、酸化
インジウム−錫透明電極（１００Ω／ｓｑ、）を電子銃
蒸着により成膜し、その電極上に電荷注入防止層として
５１０２膜（０，１μｍ）をスパッタリング法により成
膜したものを感光体基板とした。

この感光体基板における電荷注入防止層上に、ａ−セレ
ン−テルル混合蒸着層（テルル濃度４２重量％）を０．
１μｍの膜厚に成膜した。蒸着条件は次の通りである。

真空蒸着装置（ＪＥＥ−４Ｂ、日本電子■製）を使用し
、到達真空度を２．　　ＯＸ　１０−’ｔｏｒｒとし、
蒸発原料として粒状セレン（純度９９．９９９％、三菱
金属■製）、粒状テルル（９９，９９％、高純度化学■
製）を使用し、粒状セレンはアルミナ製坩堝にラコ■製
）、粒状テルルは昇華金属用ボートにラコ■製）によっ
て蒸発させた。セレンの結晶化及びテルルの拡散を防止
するために基板ホルダーを水冷して基板を室温状態に維
持し、セレン、テルルそれぞれの蒸発源の蒸着速度を水
晶発振子膜厚計（ＣＲＴＭ−７０００、日本真空技術■
製）によって独立に測定しつつ、一定の蒸着速度比にな
るように蒸発源電源を帰還制御しながら蒸着した。蒸着
速度比は、組成に対する検量線を予め作製しておき所望
の組成になるように決定した。テルル濃度が４２重量％
の場合にはセレンとテルルの蒸着速度比は２０：１０と
した。

次に、セレンのみを蒸着（膜厚３０μｍ）させて電荷輸
送層を形成し、本発明の感光体を作製した。

（電荷保持媒体の作製） １ｍｍ厚のガラス基板上に、真空蒸着（１０−’Ｔ。

ｒｒ）法により、へ１電極を１０００人の膜厚で積層す
る。その＾ｌ電極上に含弗素樹脂サイトツブ（商品名、
旭硝子■製、吸水率０．０１％、比抵抗Ｉｘ　ｌ　Ｑ　
Ｉ　ａΩ・ｃｍ、）を、弗素系溶剤に溶解し、その５％
溶液をブレードコーターにより塗布し、乾燥後膜要約３
μｍに積層して電荷保持媒体を作製した。

〔静電情報記録・再生方法） 上記で作製した感光体と電荷保持媒体とを、第２図に示
すように膜厚１２μｍのポリエステルフィルムをスペー
サーとして対向させて配置し、両電極間に、感光体側を
正、電荷保持層側を負にして＋８００ｖの直流電圧を印
加した。

その電圧印加状態で、感光体側より波長６５０ｎｍの赤
色光により露光を１秒間行って、電荷保持層１１に静電
潜像を形成させ、電荷保持媒体３を取り出した。

この電荷保持媒体における表面電位を、第３図に示す表
面電位計で測定したところ、暗電位が１５０Ｖに対して
明電位が３００Ｖの表面電位が測定された。

上記感光体の作製において、ａ−セレン−テルル混合層
におけるテルル濃度を３６重量％、２９重量％に変化さ
せて、上記同様にして感光体を作製し、感光体における
分光感度のテルル濃度依存性について測定した。

測定結果を第５図に示す。

これによると、ａ−セレン−テルル層のテルル濃度が低
くなると長波長領域での吸収特性が悪化することかわか
る。

また、上記感光体の作製において、ａ−セレン−テルル
層におけるテルル濃度を６５重量％として感光体を作製
し、上記実施例同様に電荷保持媒体に静電情報を記録し
たところ、暗電位が２９０Ｖに対して明電位が３００Ｖ
の表面電位が測定され、暗電位が上昇しコントラストが
取れなかった。

〔比較例１〕 上記実施例１における感光体の作製にあたって、実施例
１で使用した感光体基板上にテルル含有量５０重量％の
ａ−セレン−テルル層（膜厚１μｍ）、次いで２０μｍ
の膜厚のａ−セレン層を蒸着させて感光体を作製した。

この感光体を使用して、上記実施例同様に電荷保持媒体
への静電情報記録を行い、その表面電位を実施例同様に
測定したところ、暗電位は明電位同様に３５０Ｖであり
、コントラストが取れなかった。

〔比較例２〕 上記実施例１における感光体の作製にあたって、実施例
１で使用した感光体基板上に３０μｍの膜厚のａ−セレ
ン層を蒸着させて感光体を作製し、吸収波長と分光感度
との関係におけるテルル濃度依存性について測定した。

その結果を第６図に示す。これによるとａ−セレン層の
みの感光体では長波長領域での光吸収がないことかわか
る。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）及び第１図（ｂ）は、本発明の感光体の断
面図、第２図は、本発明の静電情報記録方法を説明する
ための図、第３図は、直流増幅型の電位読み取り方法の
例を示す図、第４図は、静電情報再生の概略構成を示す
図、第５図は、本発明の感光体における分光感度のテル
ル濃度依存性を説明するための図、第６図は、比較感光
体における分光感度のテルル濃度依存性を説明するため
の図である。 図中１は感光体、３は電荷保持媒体、５は感光体支持体
、７は感光体電極、８は電荷注入防止層、９はａ〜セレ
ン−テルル層、１０は電荷輸送層、１１は電荷保持層、
１３は電荷保持媒体電極、１５は電荷保持媒体支持体、
１７・・・電源を示す。 出　　願　　人　　大日本印刷株式会社代理人　弁理士
　　内１）置所（外７名）第 図 第４ 図 第２図 （ｂ） （Ｃ） 第 図 ンＬ長（ｎｍ）

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）透明電極層上に電荷注入防止層、電荷発生層、電
   荷輸送層が順次積層された感光体であって、該電荷発生
   層がａ−セレン−テルル混合蒸着層により形成され、該
   ａ−セレン−テルルの混合蒸着層におけるテルル濃度が
   ２０重量％〜６０重量％の範囲内で、蒸着面において均
   一濃度で形成され、その膜厚が０．０３μｍ〜０．２μ
   ｍであり、また電荷輸送層が３０μｍ以上の膜厚で積層
   されたことを特徴とするａ−セレン−テルル感光体。
2. （２）上記ａ−セレン−テルル混合蒸着層が、電荷注入
   防止層上にテルル成分を実質的に含有しない５０Å〜１
   ０００Åの膜厚のａ−セレン層を介して設けられた請求
   項１記載のａ−セレン−テルル感光体。
3. （３）透明電極層上に電荷注入防止層、テルル濃度が２
   ０重量％〜６０重量％の範囲内で、蒸着面において均一
   濃度で形成され、その膜厚が０．０１μｍ〜０．２μｍ
   であるａ−セレン−テルル混合蒸着層、また３０μｍ以
   上の膜厚の電荷輸送層を順次積層して形成された感光体
   と、電極層と電荷保持層からなる電荷保持媒体とを対向
   させて光軸上に配置し、両電極間に電圧印加しつつ露光
   するか、或いは露光しつつ電圧印加することにより、入
   射光学像に応じた静電潜像を電荷保持媒体上に形成する
   ことを特徴とする静電情報記録方法。
4. （４）上記感光体におけるａ−セレン−テルル混合蒸着
   層が、電荷注入防止層上にテルル成分を実質的に含有し
   ない５０Å〜１０００Åの膜厚のａ−セレン層を介して
   設けられた請求項３記載の静電情報記録方法。