JPH0471167B2 - - Google Patents
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- JPH0471167B2 JPH0471167B2 JP59194157A JP19415784A JPH0471167B2 JP H0471167 B2 JPH0471167 B2 JP H0471167B2 JP 59194157 A JP59194157 A JP 59194157A JP 19415784 A JP19415784 A JP 19415784A JP H0471167 B2 JPH0471167 B2 JP H0471167B2
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
- H10F30/223—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a PIN barrier
- H10F30/2235—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a PIN barrier the devices comprising Group IV amorphous materials
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
「発明の利用分野」
この発明は、ライトペン等を用いて光軌跡入力
せしめ、マトリツクス配列した光検出装置により
手書き文字等を検出せしめたパターン書き込みを
行う固体書き込み装置に関する。
せしめ、マトリツクス配列した光検出装置により
手書き文字等を検出せしめたパターン書き込みを
行う固体書き込み装置に関する。
「従来の技術」
他に、文字等の筆圧による圧力センサを平面に
具備する感圧式手書き装置よりなる固体書き込み
装置がある。
具備する感圧式手書き装置よりなる固体書き込み
装置がある。
「発明が解決しようとする問題点」
本発明はこの半導体装置の作製に必要なフオト
マスク数を６〜８枚より２または３枚（１回の精
密重合わせ）とすることにより、その製造歩留り
の向上を図らんとするものである。このためアク
テイブエレメントとその上側の電極とは概略同一
形状としてマトリツクス構成の一方の電極リード
（以下配線ともいう）とせしめている。
マスク数を６〜８枚より２または３枚（１回の精
密重合わせ）とすることにより、その製造歩留り
の向上を図らんとするものである。このためアク
テイブエレメントとその上側の電極とは概略同一
形状としてマトリツクス構成の一方の電極リード
（以下配線ともいう）とせしめている。
加えて、感圧式の書き込み装置においては、そ
の圧力に対し信号検出が人の書き込み筆圧のバラ
ツキにより微妙である。また応答速度が遅い。加
えて、この基板側に絶えず局部圧力を加えるため
基板側の機械疲労による破損がみられ、高い信頼
性を期待し得ない。
の圧力に対し信号検出が人の書き込み筆圧のバラ
ツキにより微妙である。また応答速度が遅い。加
えて、この基板側に絶えず局部圧力を加えるため
基板側の機械疲労による破損がみられ、高い信頼
性を期待し得ない。
「問題点を解決するための手段」
本発明はかかる問題を解決するため、対称型の
Ｉ−Ｖ特性を有し、しきい値をこえると急激に電
流が増大する複合ダイオード特性を用いている。
本発明はこのしきい値をこえた領域で非単結晶半
導体に固有に見られると推定される低い電界での
電流増殖作用（アバランシエプラズマ効果）を利
用している。このため、アモルフアス半導体等の
水素またはハロゲン元素が添加された非単結晶半
導体よりなる複合ダイオード構造を有する光検出
素子であることを主としている。
Ｉ−Ｖ特性を有し、しきい値をこえると急激に電
流が増大する複合ダイオード特性を用いている。
本発明はこのしきい値をこえた領域で非単結晶半
導体に固有に見られると推定される低い電界での
電流増殖作用（アバランシエプラズマ効果）を利
用している。このため、アモルフアス半導体等の
水素またはハロゲン元素が添加された非単結晶半
導体よりなる複合ダイオード構造を有する光検出
素子であることを主としている。
かかる本発明の光検出素子は一対のそれぞれの
電極とはオーム接触性を有するが、逆向整流特性
を構成する複合ダイオード構成の素子よりなるも
ので、その代表例は、Ｎ型半導体−Ｉ型（以下真
性または実質的に真性という）半導体−Ｎ型半導
体を積層して設けたNIN構造、即ちNI接合とIN
接合とが電気的に逆向きに連結され、かつ半導体
として一体化したNIN接合を有する半導体をは
じめ、それに類似の接合であるNN-N、NP-N、
PIP、PP-P、PN-P、接合構造が好ましい。
電極とはオーム接触性を有するが、逆向整流特性
を構成する複合ダイオード構成の素子よりなるも
ので、その代表例は、Ｎ型半導体−Ｉ型（以下真
性または実質的に真性という）半導体−Ｎ型半導
体を積層して設けたNIN構造、即ちNI接合とIN
接合とが電気的に逆向きに連結され、かつ半導体
として一体化したNIN接合を有する半導体をは
じめ、それに類似の接合であるNN-N、NP-N、
PIP、PP-P、PN-P、接合構造が好ましい。
かかる複合ダイオードは、ダイオード特性を互
いに逆向きに相対せしめ、そのビルドイン（立ち
上がり）電圧（しきい値）はそれぞれのNI接合
のＮ型半導体とＩ型半導体との差（第４図２１，
２２）またはＩ型半導体に添加するＰまたはＮ型
の不純物の濃度で決めることができる。
いに逆向きに相対せしめ、そのビルドイン（立ち
上がり）電圧（しきい値）はそれぞれのNI接合
のＮ型半導体とＩ型半導体との差（第４図２１，
２２）またはＩ型半導体に添加するＰまたはＮ型
の不純物の濃度で決めることができる。
さらにこのNIN接合において、Ｉ型半導体を
Siではなく、水素またはハロゲン元素が添加され
たSixC1-x（０＜Ｘ＜１）とし、Ｎ型半導体を珪素
とするSi(N)−SixC1-x（Ｉ、N-またはP-）−Si(N)と
しても、しきい値を制御し得る。
Siではなく、水素またはハロゲン元素が添加され
たSixC1-x（０＜Ｘ＜１）とし、Ｎ型半導体を珪素
とするSi(N)−SixC1-x（Ｉ、N-またはP-）−Si(N)と
しても、しきい値を制御し得る。
本発明は、１つの大きな基板にマトリツクス構
成せしめて、面としての光軌跡検出を実行させ得
る。その際複合ダイオードの外周辺とマトリツク
スを構成するＸ方向の電極リード（第１図におい
てＸ方向をＹ方向と言い換えてもいいが、ここで
は図面の横軸Ｘ方向と簡単のため記す）とが概略
同一形状を有し、１回のマスク合わせを行うのみ
で完成してしまうため、２枚のみ（１回の精密な
マスク合わせ）でプロセスさせることができる。
この構造の代表例を第２図、第４図に示してあ
る。
成せしめて、面としての光軌跡検出を実行させ得
る。その際複合ダイオードの外周辺とマトリツク
スを構成するＸ方向の電極リード（第１図におい
てＸ方向をＹ方向と言い換えてもいいが、ここで
は図面の横軸Ｘ方向と簡単のため記す）とが概略
同一形状を有し、１回のマスク合わせを行うのみ
で完成してしまうため、２枚のみ（１回の精密な
マスク合わせ）でプロセスさせることができる。
この構造の代表例を第２図、第４図に示してあ
る。
「作用」
光軌跡を基板上を前述した如く時間的に移動さ
せ、光書き込み方式として使用し得るに加えて、
他の方法として、所定の位置に複数の光点または
光軌跡のON、OFFの光信号を与えることによ
り、キーボードを筆圧方式より光タツチ方式のキ
ーボードとすることができる。
せ、光書き込み方式として使用し得るに加えて、
他の方法として、所定の位置に複数の光点または
光軌跡のON、OFFの光信号を与えることによ
り、キーボードを筆圧方式より光タツチ方式のキ
ーボードとすることができる。
以下に実施例に従つて本発明を説明する。
実施例 １
第１図は本発明の固体表示装置および固体書き
込み装置の等価回路（２×２のマトリツクスの場
合）を示す。
込み装置の等価回路（２×２のマトリツクスの場
合）を示す。
図面において、基板上に設けられた光検出素子
（フオトセンサ）１０がマトリツクス構成で配列
されている。アドレス線３に光検出素子の第２の
電極２が連結し、他方、光検出素子１０の他の電
極（第１の電極）１は基板上の透光性導電膜によ
り設けられたＹ配線リード５に連結している。こ
のＸ配線、Ｙ配線は同一絶縁基板代表的にはガラ
ス基板（第４図Ｂ，Ｃにおける２０）上に設けら
れて光検出素子をマトリツクス構成させている。
（フオトセンサ）１０がマトリツクス構成で配列
されている。アドレス線３に光検出素子の第２の
電極２が連結し、他方、光検出素子１０の他の電
極（第１の電極）１は基板上の透光性導電膜によ
り設けられたＹ配線リード５に連結している。こ
のＸ配線、Ｙ配線は同一絶縁基板代表的にはガラ
ス基板（第４図Ｂ，Ｃにおける２０）上に設けら
れて光検出素子をマトリツクス構成させている。
図面では２×２とした。これはスケール・アツ
プした表示装置例えば（アクテイブエレメント数
が640×525）としても同一技術思想である。
プした表示装置例えば（アクテイブエレメント数
が640×525）としても同一技術思想である。
かくの如き１つのNIN接合を有する半導体の
積層体による本発明の光検出素子の構成及び特性
の例を第２図に示している。
積層体による本発明の光検出素子の構成及び特性
の例を第２図に示している。
第２図Ａは実際の光検出素子構造の縦断面図を
示している。
示している。
即ち第２図Ａにおいて、ガラス基板２０上の透
光性導電膜１よりなる第２の電極１、Ｎ１１Ｉ１
２Ｎ１３半導体積層体よりなるNIN接合型複合
ダイオード１０、遮光用クロムマスク１４、アル
ミニユーム導体１５よりなる100μ□ の面積の第
２の電極２よりなつている。
光性導電膜１よりなる第２の電極１、Ｎ１１Ｉ１
２Ｎ１３半導体積層体よりなるNIN接合型複合
ダイオード１０、遮光用クロムマスク１４、アル
ミニユーム導体１５よりなる100μ□ の面積の第
２の電極２よりなつている。
この作製方法を略記する。即ち、絶縁性基板を
有する基板、代表的にはガラス板２０上に500〜
5000Åの厚さの酸化スズ、ITO等の透光性導電膜
（CTFと略す）１を第１のフオトマスクを用い
て形成する。
有する基板、代表的にはガラス板２０上に500〜
5000Åの厚さの酸化スズ、ITO等の透光性導電膜
（CTFと略す）１を第１のフオトマスクを用い
て形成する。
次ぎにこの上面に公知のプラズマCVD法、光
CVD法を用いてシランまたはシランにＮ型不純
物用のフオスヒンを添加して、第１のＮ型半導体
層１０（700Å）、Ｉ型半導体層１２（400Å）、Ｎ
型半導体層１３（700Å）を漸次積層して形成し
た。さらに遮光用及びアルミニユームと半導体と
の反応防止用にクロム１４を500〜3000Åの厚さ
に形成した。アルミニユーム１５を0.5〜1.5μの
厚さに形成した。
CVD法を用いてシランまたはシランにＮ型不純
物用のフオスヒンを添加して、第１のＮ型半導体
層１０（700Å）、Ｉ型半導体層１２（400Å）、Ｎ
型半導体層１３（700Å）を漸次積層して形成し
た。さらに遮光用及びアルミニユームと半導体と
の反応防止用にクロム１４を500〜3000Åの厚さ
に形成した。アルミニユーム１５を0.5〜1.5μの
厚さに形成した。
かくして、NIN構造が設けられ、第２図Ｂに
その等価記号が記されている。即ちフオトトラン
ジスタ構造においても、Ｉ−Ｖ特性としてコレク
タ電圧−コレクタ電流特性に対応するが、コレク
タの電流がトランジスタでは飽和するが、本発明
の光検出素子においては、第２図Ｃに示す如く、
概略対称型の複合ダイオード特性を得る。このた
め、第２図Ｂの如き等価回路として示した。
その等価記号が記されている。即ちフオトトラン
ジスタ構造においても、Ｉ−Ｖ特性としてコレク
タ電圧−コレクタ電流特性に対応するが、コレク
タの電流がトランジスタでは飽和するが、本発明
の光検出素子においては、第２図Ｃに示す如く、
概略対称型の複合ダイオード特性を得る。このた
め、第２図Ｂの如き等価回路として示した。
第２図Ａの構成によつて得られた特性を第２図
Ｃに示す。
Ｃに示す。
この特性は、１６，１７の原点に対し概略対称
型のＩ−Ｖ特性を示していた。
型のＩ−Ｖ特性を示していた。
図面において１６，１７は「暗の時」のＩ−Ｖ
特性である。さらに、ここに450Lx（室内灯）を
照射すると、それでは曲線１６′，１７′に変化す
る。
特性である。さらに、ここに450Lx（室内灯）を
照射すると、それでは曲線１６′，１７′に変化す
る。
さらに5500LX（白熱灯）を加えると１６″，１
７″にそれぞれ変化した。
７″にそれぞれ変化した。
第３図Ａ〜Ｄに本発明の光検出素子の動作原理
の概要を示す。
の概要を示す。
この第３図ＡのNIN半導体１０に＋Ｖまたは
−Ｖの電圧を加え、第３図Ｃ，Ｄのバンド構成に
おいて、光１００の照射によりホール２５，２
５′と電子２４，２４′が生じ、ともにドリフトし
て電流が増巾されるバリア２１，２２がそれぞれ
２１′，２３′と低くなる。そのため電子２３，２
３′がこのバアをこえて流れるため対称性を有す
るダイオード特性が得られる。
−Ｖの電圧を加え、第３図Ｃ，Ｄのバンド構成に
おいて、光１００の照射によりホール２５，２
５′と電子２４，２４′が生じ、ともにドリフトし
て電流が増巾されるバリア２１，２２がそれぞれ
２１′，２３′と低くなる。そのため電子２３，２
３′がこのバアをこえて流れるため対称性を有す
るダイオード特性が得られる。
さらに電界（＋Ｖまたは−Ｖ）によりＩ層中で
一部アバランシエ効果をも誘発し得るため、電流
はフオトトランジスタの如く飽和することなく、
電流はしきい値をこえると急激に増大するため、
第２図Ｃの如き特性が得られるものと推定され
る。
一部アバランシエ効果をも誘発し得るため、電流
はフオトトランジスタの如く飽和することなく、
電流はしきい値をこえると急激に増大するため、
第２図Ｃの如き特性が得られるものと推定され
る。
これらの信号をマトリツクス構成をした第１図
ではデコーダ８のトランジスタ７で受けて出力
５′または６′に取り出せばいい。
ではデコーダ８のトランジスタ７で受けて出力
５′または６′に取り出せばいい。
実施例 ２
この実施例は本発明の半導体装置の作製工程を
のフオトマスクの順序に従つて示す。
のフオトマスクの順序に従つて示す。
第４図にその平面図Ａ及び縦断面図Ｂ，Ｃを示
す。
す。
さらに第４図Ｂ，ＣはＡにおけるそれぞれＡ−
A′，Ｂ−B′での縦断面図を記す。
A′，Ｂ−B′での縦断面図を記す。
図面において、透光性絶縁基板として無アルカ
リガラス２０を用いた。この上面に、スパツタ法
または電子ビーム蒸着法により導電膜であるITO
または酸化スズ膜等のCTFを0.1〜0.5μの厚さに、
積層形成した。この後、この導電膜にパターニン
グをし、電極リードとする。即ち光検出素子１０
用の下側電極（第１の電極）即ち透光性導電膜１
を第１のマスクにより不要部を除去して形成し
た。
リガラス２０を用いた。この上面に、スパツタ法
または電子ビーム蒸着法により導電膜であるITO
または酸化スズ膜等のCTFを0.1〜0.5μの厚さに、
積層形成した。この後、この導電膜にパターニン
グをし、電極リードとする。即ち光検出素子１０
用の下側電極（第１の電極）即ち透光性導電膜１
を第１のマスクにより不要部を除去して形成し
た。
この後、透光性導電膜のみによるリードのシー
ト抵抗を下げるための金属ここではクロムを形成
し、光検出素子となる領域１０の第１の電極１上
のクロムを３２を第２のマスクを用いプラズマ
気相反応により除去した。
ト抵抗を下げるための金属ここではクロムを形成
し、光検出素子となる領域１０の第１の電極１上
のクロムを３２を第２のマスクを用いプラズマ
気相反応により除去した。
以上の結果、光検出素子１０の下側電極１（第
１の電極）はCTFのみとなり、リード配線には
遮光用のクロム３２が設けられ、ライトペンの光
またはその他の光を遮光している。
１の電極）はCTFのみとなり、リード配線には
遮光用のクロム３２が設けられ、ライトペンの光
またはその他の光を遮光している。
この後、これらの全面に公知のプラズマ気相反
応または光気相反応法により光検出素子例えば
NIN構造を有する水素またはハロゲン元素が添
加された非単結晶半導体よりなる複合ダイオード
を形成した。即ちＮ型半導体１１をシランを水素
にて３〜５倍に希釈し、13.56MHzの高周波グロ
ー放電を行うことにより200〜250℃に保持された
基板上の被形成面上に、微結晶構造を有する非単
結晶半導体を作る。その電気伝導度は10-4〜10
（Ωcm）-1を有し300〜1000Åの厚さとした。
応または光気相反応法により光検出素子例えば
NIN構造を有する水素またはハロゲン元素が添
加された非単結晶半導体よりなる複合ダイオード
を形成した。即ちＮ型半導体１１をシランを水素
にて３〜５倍に希釈し、13.56MHzの高周波グロ
ー放電を行うことにより200〜250℃に保持された
基板上の被形成面上に、微結晶構造を有する非単
結晶半導体を作る。その電気伝導度は10-4〜10
（Ωcm）-1を有し300〜1000Åの厚さとした。
さらにシランのみ、または水素と弗化珪素
（SiF4，H3SiF，H2SiF2またはSiF2）をプラズマ
反応炉内に導入し、プラズマ反応をさせ、Ｉ型の
水素またはハロゲン元素が添加された非単結晶半
導体１２を0.2〜1μの厚さにＮ型半導体１１上に
積層して形成した。さらに、再び、同様のＮ型の
半導体１３を微結晶構造として、300〜1000Åの
厚さに積層してNIN接合とした。このＩ型半導
体中に、ホウ素またはリンをB2H6／SiH4、
PH3／SiH4＝10-6〜10-4の割合で混入させ、P-
またはN-の導電型の半導体をその一部または全
部にわたつて形成してもよい。かくすると、
NP-，NN-Nとすることができる。
（SiF4，H3SiF，H2SiF2またはSiF2）をプラズマ
反応炉内に導入し、プラズマ反応をさせ、Ｉ型の
水素またはハロゲン元素が添加された非単結晶半
導体１２を0.2〜1μの厚さにＮ型半導体１１上に
積層して形成した。さらに、再び、同様のＮ型の
半導体１３を微結晶構造として、300〜1000Åの
厚さに積層してNIN接合とした。このＩ型半導
体中に、ホウ素またはリンをB2H6／SiH4、
PH3／SiH4＝10-6〜10-4の割合で混入させ、P-
またはN-の導電型の半導体をその一部または全
部にわたつて形成してもよい。かくすると、
NP-，NN-Nとすることができる。
この後、この上面に遮光用のクロム（500〜
1500Å）１４、さらにリードとして動作させるア
ルミニユーム（厚さ0.1〜2μ）１５を電子ビーム
蒸着法またはスパツタ法により積層した。さらに
この後、Ｘ方向のリード３、光検出素子１０とし
て設ける領域を除き、他部を第３のフトオマスク
を精密マスク合わせをしてフオトエツチング法
により除去した。
1500Å）１４、さらにリードとして動作させるア
ルミニユーム（厚さ0.1〜2μ）１５を電子ビーム
蒸着法またはスパツタ法により積層した。さらに
この後、Ｘ方向のリード３、光検出素子１０とし
て設ける領域を除き、他部を第３のフトオマスク
を精密マスク合わせをしてフオトエツチング法
により除去した。
即ちレジストにより第４図に示す如く、アルミ
ニユーム１５をCCl4を用い、プラズマエツチン
グした。さらにクロム１４をさらに半導体１６を
エツチングして除去し、Ｘ方向のリード３，４、
第２の電極の外側周辺（第４図Ｃ，４０）と、そ
の下の半導体の外周辺（第４図Ｃ４０′）とを概
略同一形状とした。
ニユーム１５をCCl4を用い、プラズマエツチン
グした。さらにクロム１４をさらに半導体１６を
エツチングして除去し、Ｘ方向のリード３，４、
第２の電極の外側周辺（第４図Ｃ，４０）と、そ
の下の半導体の外周辺（第４図Ｃ４０′）とを概
略同一形状とした。
かくして１回の精密な重合わせプロセスを行う
第３のマスクにより、Ｘ方向のリード３、第２
の電極２とその下側に位置する光検出素子の半導
体１０とを概略同一形状にし得た。
第３のマスクにより、Ｘ方向のリード３、第２
の電極２とその下側に位置する光検出素子の半導
体１０とを概略同一形状にし得た。
以上のことより、１つの基板の−主面上にアク
テイブエレメントとしての光検出素子の電極を設
け、かつリードはＸ方向およびＹ方向に配設せし
めている。この工程に必要なマスクはを略する
と２種類のマスクを用いるのみですみ、かつ精密
なマスク合わせは１回の第３のマスクのみでよ
い。
テイブエレメントとしての光検出素子の電極を設
け、かつリードはＸ方向およびＹ方向に配設せし
めている。この工程に必要なマスクはを略する
と２種類のマスクを用いるのみですみ、かつ精密
なマスク合わせは１回の第３のマスクのみでよ
い。
「効果」
本発明は以上に示す如く、同一基板上に非線型
素子である複合ダイオードを用いてAC駆動を行
うことにより、手書き用の書き込み装置をライト
ペン（発光部はペン側）としてマトリツクスを構
成せしめたものである。この半導体装置の製造工
程に余分な半導体を作る工程等を有しない。さら
に半導体とその上の電極リードとが一体化してい
るため、きわめて少ないマスク（２枚）（精密な
重合わせは１回）でパターニングを行うことがで
き、製造歩留りを向上させることができる。
素子である複合ダイオードを用いてAC駆動を行
うことにより、手書き用の書き込み装置をライト
ペン（発光部はペン側）としてマトリツクスを構
成せしめたものである。この半導体装置の製造工
程に余分な半導体を作る工程等を有しない。さら
に半導体とその上の電極リードとが一体化してい
るため、きわめて少ないマスク（２枚）（精密な
重合わせは１回）でパターニングを行うことがで
き、製造歩留りを向上させることができる。
光検出素子に同一半導体材料を用い、かつこの
半導体はNIN接合の順方向電流を用いるため、
Ｉ型半導体表面での寄生チヤネルが形成される等
による特性のバラツキが少ない。
半導体はNIN接合の順方向電流を用いるため、
Ｉ型半導体表面での寄生チヤネルが形成される等
による特性のバラツキが少ない。
本発明の光検出素子は交流駆動方式であり、特
にそのダイオードのしきい値を気相反応法を用い
た半導体層の積層時におけるプロセス条件により
制御し得る。
にそのダイオードのしきい値を気相反応法を用い
た半導体層の積層時におけるプロセス条件により
制御し得る。
本発明における複合ダイオードはその形成後、
そのダイオード部を含んで0.53〜1.06μの波長の
パルス光レーザ等により強光アニールを行い、水
素またはハロゲン元素が添加された多結晶半導体
としてもよい。
そのダイオード部を含んで0.53〜1.06μの波長の
パルス光レーザ等により強光アニールを行い、水
素またはハロゲン元素が添加された多結晶半導体
としてもよい。
本発明方法において、Ｉ，N-またはP-の半導
体を単に水素またはハロゲン元素が添加された珪
素とするのではなく、この中に炭素または窒素を
添加したSixC1-x（０＜Ｘ＜１）、SixN4-x（０＜Ｘ
＜４）として耐圧の向上を図ることおよび印加電
圧を0Vとした時の電流（ゼロ電流）を10-10A／
100μ□ 以下とすることはは有効である。
体を単に水素またはハロゲン元素が添加された珪
素とするのではなく、この中に炭素または窒素を
添加したSixC1-x（０＜Ｘ＜１）、SixN4-x（０＜Ｘ
＜４）として耐圧の向上を図ることおよび印加電
圧を0Vとした時の電流（ゼロ電流）を10-10A／
100μ□ 以下とすることはは有効である。
以上の説明において光は下側の基板側よりの入
射とした。しかし逆に上側電極を透光性とし、上
側からの入射としてもよい。
射とした。しかし逆に上側電極を透光性とし、上
側からの入射としてもよい。
第１図は本発明の光検出素子を用いた２×２マ
トリツクスの回路図を示す。第２図は本発明の光
検出素子の縦断面Ａおよびその等価記号Ｂ、Ｉ−
Ｖ特性Ｃを示す。第３図は本発明の光検出素子の
動作原理を示す。第４図は本発明のアクテイブエ
レメント構造を示す。
トリツクスの回路図を示す。第２図は本発明の光
検出素子の縦断面Ａおよびその等価記号Ｂ、Ｉ−
Ｖ特性Ｃを示す。第３図は本発明の光検出素子の
動作原理を示す。第４図は本発明のアクテイブエ
レメント構造を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一方の透光性導電膜および他方の電極とオー
ム接触性を有する一対の逆向整流特性を有する水
素またはハロゲン元素が添加された光照射に対し
感光性を有する非単結晶半導体はＮまたはＰ型の
半導体、Ｉ、N-またはP-型半導体、ＮまたはＰ
型半導体を積層してNIN、NN-N、NP-N、
PIP、PP-PまたはPN-P接合を有する光検出素
子を設けることを特徴とする半導体装置。 ２ 特許請求の範囲第１項において、第１および
第２の電極の間には上側電極と概略同一形状を有
する非単結晶半導体が設けられたことを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59194157A JPS6171325A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59194157A JPS6171325A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | 半導体装置 |
Related Child Applications (5)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62000296A Division JPS62169381A (ja) | 1987-01-05 | 1987-01-05 | 半導体装置 |
| JP62000297A Division JPS62169382A (ja) | 1987-01-05 | 1987-01-05 | 半導体装置 |
| JP62000295A Division JPS62169380A (ja) | 1987-01-05 | 1987-01-05 | 半導体装置 |
| JP62000294A Division JPS62174979A (ja) | 1987-01-05 | 1987-01-05 | 半導体装置 |
| JP62000293A Division JPS62169379A (ja) | 1987-01-05 | 1987-01-05 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6171325A JPS6171325A (ja) | 1986-04-12 |
| JPH0471167B2 true JPH0471167B2 (ja) | 1992-11-13 |
Family
ID=16319865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59194157A Granted JPS6171325A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6171325A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6382326A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-13 | Kanagawa Pref Gov | 紫外線センサ用素子 |
-
1984
- 1984-09-17 JP JP59194157A patent/JPS6171325A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6171325A (ja) | 1986-04-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |