JPH04719A - 洗浄処理方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、洗浄処理技術に関し、特に、半導体集積回路
装置の製造工程で行われる半導体ウェハ（以下、単にウ
ェハという）の洗浄処理技術に適用してを効な技術に関
するものである。

〔従来の技術〕

ウェハの洗浄処理技術については、例えば株式会社サイ
エンスフォーラム社、１９８４年７月２５日発行、「最
新半導体工場自動化システム・総合技術集成」Ｐ６２〜
Ｐ６５に記載がある。

上記文献に記載されているように、従来の洗浄処理方法
には、例えばバッチ式の洗浄処理方法と、枚葉式の洗浄
処理方法とがある。バッチ式の洗浄処理方法は、例えば
５０枚のウェハを一括して洗浄処理する方法である。バ
ッチ式の洗浄処理方法は、−度に複数枚のウェハを洗浄
処理するので、ウェハの洗浄処理枚数には問題はないが
、ウエノ１が大口径化するにつれて、例えば■持込み異
物が多くなり異物が再付着し易い、■ウエノ＼の主面を
均一に洗浄する確実性が低下する等の問題が生じ易い。

一方、枚葉式の洗浄処理方法は、ウエノ１を一枚毎に洗
浄処理する方法である。したがって、枚葉式の洗浄処理
方法の場合、ウエノ１が大口径化しても上記バッチ式の
洗浄処理方法における問題を回避することができ、清浄
度の高い洗浄処理を行うことができる。しかし、枚葉式
の洗浄処理方法には、ウェハの洗浄処理枚数を如何に増
加させるか、という課題がある。

ところで、洗浄処理の代表例として、熱処理等の前のウ
ェハを過酸化水素（Ｈ２０２）と水酸化アンモニウム（
ＮＨ，ＯＨ）と純水との混合溶液に浸し、ウェハに付着
したレジスト等の有機物を除去する洗浄処理工程がある
。従来、枚葉式の洗浄処理方法によってウェハに付着し
た有機物を除去するには、例えば約８０℃に設定された
Ｈ、　０２　とＮＨ，ＯＨと純水との混合溶液中にウェ
ハを一枚毎に浸し、５分間程度の洗浄処理を施す方法が
採用されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、上記したように枚葉式の洗浄処理方法には、
ウェハの洗浄処理枚数を如何に増加させるか、という課
題がある。枚葉式の洗浄処理方法においてウェハの洗浄
処理枚数を増加させるには、例えば処理温度を上昇させ
て薬液の化学反応速度を速めることにより、洗浄処理時
間を短縮させることが考えられる。しかし、ウェハに付
着した有機物を除去する洗浄処理のように薬液としてＨ
３Ｏ２とＮ　Ｈ４０Ｈと純水との混合溶液を用いる洗浄
処理において処理温度を上昇させると、薬液中のＨ２Ｏ
，の分解速度が薬液中のＮＨ，ＯＨ等のアルカリ性の成
分により一層速くなり、有機物の除去に寄与する薬液中
のＨ３Ｏ２の量が不足して有機物を除去する能力が低下
する問題があった。

また、そのような清浄化能力の低下を防止する観点から
洗浄処理毎にＨ２０２を供給量たり、洗浄処理中にＨ２
Ｏ２を補給したりすることが考えられるが、この場合、
Ｈ３Ｏ２の供給量や補給量ｔ・制御することは、洗浄処
理の再現性を得る上で非常に困難である問題があった。

本発明は上記課題に着目してなされたものであり、その
目的は、枚葉式の洗浄処理方法により被処理物に付着し
た有機物を除去する際に、清浄化能力を低下させること
なく、被処理物の洗浄処理枚数を増加させることのでき
る技術を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、枚葉式の洗浄処理方法によ
り被処理物に付着した有機物を除去する際に、薬液の供
給量あるいは補給量等の制御性を複雑にすることなく、
清浄化能力を安定させることのできる技術を提供するこ
とにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、明
細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。

すなわち、第１の発明は、被処理物を一枚毎に洗浄処理
する洗浄処理方法であって、前記被処理物に付着した有
機物を除去する際、前記被処理物をＨ２０２と純水との
混合溶液に浸す第一の洗浄処理と、前記被処理物をＨ２
０２とＮＨ４ＯＨと純水との混合溶液に浸す第二の洗浄
処理と、前記被処理物を８２０２　と純水との混合溶液
に浸す第三の洗浄処理とを順次施す洗浄処理方法とする
ものである。

〔作用〕

上記した発明によれば、例えばＨ２０ｚ　　とＮＨ○Ｈ
と純水との混合溶液に被処理物を浸し、被処理物に付着
した有機物を除去する第二の洗浄処理に先立って、Ｈｚ
Ｏａ　と純水との混合溶液に被処理物を浸し、被処理物
に付着した有機物を酸化する第一の洗浄処理を施すこと
により、第二の洗浄処理に際してその処理温度を従来よ
り高く設定すれば、Ｈ２Ｏ２とＮＨ，ＯＨと純水との混
合溶液中におけるＨ２０□の分解速度が速くなりその量
は減少するが、その混合溶液中に浸漬された被処理物の
表面近傍には、第一の洗浄処理の際に被処理物に付着し
たＨ２０２が有効に補給されるので、その処理温度を従
来より高く設定しても第一の洗浄処理によって酸化され
除去され易くなった有機物を良好に除去することができ
る。

また、第一、第三の洗浄処理においては、薬液中にＮ　
Ｈ４０Ｈ等のアルカリ性の成分が含有されていないので
、処理温度を高く設定しても薬液中のＨ３Ｏ２の量は不
足せず、Ｈ２Ｏ２の供給や補給を必要としない。第二の
洗浄処理においては、被処理物の表面近傍に、第一の洗
浄処理の際に被処理物に付着したＨ２０２　が有効に補
給されるので、処理温度を高く設定してもＨｘＯｚ　の
供給量や補給量が少量で済む。これらの結果、第一の洗
浄処理から第三の洗浄処理に際して、ＨｚＯｚ　の供給
量や補給量の制御性が複雑にならない。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例である洗浄処理装置の要部斜
視図、第２図（ａ）、（ｂ）はその洗浄処理装置のロー
ダを示す斜視図、’１３図（ａ）、（ｂ）はそのローダ
から洗浄処理部へ被処理物を搬送する際の搬送工程を説
明する被処理物およびカセットの正面図、第４図はその
洗浄処理装置の搬送アームを示す正面図、第５１！Ｉは
第４図に示した搬送アームの側面図、第６図（ａ）〜（
６）はその搬送アームによる被処理物の保持および搬送
動作を説明する搬送アームおよび被処理物の側面図、第
７図はその洗浄処理装置の洗浄槽を示す要部断面図、第
８図および第９図（ａ）、　（ｂ）は本実施例の洗浄処
理方法を模式的に説明する説明図である。

以下、本実施例の洗浄処理装置を第１図〜第９図（ａ）
、（ｂ）により説明する。

第１図に示す本実施例の洗浄処理部ｆ１は、ウェハ（被
処理物）２を一枚毎に洗浄する枚葉洗浄処理装置であり
、ローダ３と、洗浄処理部４と、搬送アーム５．６と、
図示しないアンローダとを有している。

ローダ３は、例えばカセット７に収容された２５枚のウ
ェハ２を所定位置に搬入する機構であり、その上部には
回転テーブル３ａが設けられ、２力セツト分のウェハ２
を連続的に１理できる構造となっている。すなわち、ロ
ーダ３は、例えば第２図（ａ）、（ｂｌに示すように、
ウェハ搬送側Ａのカセット７が空になると、回転テーブ
ル３ａを水平面内において１８０度回転させてウェハ供
給側Ｂのウェハ入すのカセット７を、ウェハ搬送側Ａに
自動的に配置する構造となっている。

また、ローダ３は、そのウェハ供給側Ｂに設けられた図
示しないウェハ整列機構により、ウェハ供給側已に載置
されたカセット７内の全てのウェハ２を、その各々のオ
リエンテーションフラットが揃うように整列させる構造
となっている。

ローダ３のウェハ搬送側Ａには、例えばフッ素樹脂から
なるブツシャ８（第１図参照）が設けられている。また
、ウェハ搬送側Ａのカセット７の上方には、例えばフッ
素樹脂からなるガイド９が設けられている。ブツシャ８
は、例えば第３図（ａ〕。

（ｂ）に示すように、カセット７内の全てのウェハ２を
ガイド９に沿って一度に上昇できる構造になっている。

そして、ブツシャ８およびガイド９に保持されたウェハ
２は、搬送アーム５　（第１図参照）によって−枚ずつ
洗浄処理部４に搬送されるようになっている。

搬送アーム５は、ウェハ２のチッピングを防止するため
、例えばフッ素樹脂からなり、第４図および第５図に示
すように、上下動が可能なアーム＠５５ａと、アームａ
５ａの上下動をガイドするガイド部５ｂとを有している
。アーム部５ａは、その一端が支持部５Ｃに固定されて
いるとともに、他端側に設けられた爪部５ｄによりウェ
ハ２をチャックできる構造となっている。また、ガイド
部５ｂには、ウェハ２を保持するための保持部５ｅ。

５ｅが設けられている。搬送アーム５は、第６図に示す
ように、ウェハ２の保持に際して、搬送アーム５のアー
ム部５ａがウェハ２に近接する位置まで搬送アーム５全
体を移動させた後（第６図（ａ））、アーム部５ａのみ
を上昇させて（第６図う）ン、アーム部５ａの先端の爪
部５ｄとガイド部５ｂの保持部５ｅ、５ｅとによりウェ
ハ２を挟み込むように保持しく第６図（Ｃ））、そのま
ま搬送アーム５全体を上昇させて、洗浄処理部４にウェ
ハ２を垂直に立てた状態で一枚ずつ搬送できる構造とな
っている（第６図（社））。

上記洗浄処理装置ｌｌの洗浄処理部４には、ウェハ２を
一枚毎に収容する受渡し槽４ａと、ウェハ２を一枚毎に
洗浄する複数の洗浄槽４ｂ〜４ｅとが設置されている。

洗浄槽４ｂ〜４ｅのうち、洗浄槽４ｂ、４ｃはウェハ２
に付着したレジスト等のを搬物を除去するための洗浄槽
であり、洗浄槽４ｄは有機物除去後のウェハ２に異物が
付着することを防止するための洗浄槽である。

受渡し槽４ａは、搬送アーム５によりウェハ２が収容さ
れる槽であり、洗浄槽４ａ内には薬液は導入されていな
い。これは、ウェハ２を搬送アーム５によって受渡し槽
４ａに収容する際、搬送アーム５が薬液により濡れてし
まうことを防止するためである。

洗浄槽（第一の洗浄槽）４ｂには、例えば薬液としてＨ
２Ｃ，と純水との混合溶液が導入されている。混合溶液
中のＨ２Ｏ２の量は、例えば約１５〜１６％であり、純
水の量は、例えば約８４％である。洗浄槽４ｂは、例え
ばウェハ２に付着した有機物を洗浄槽４ｂ内のＨ２Ｏ２
によって酸化することにより、後述する洗浄槽４Ｃ内で
の有機物の除去処理を容易にするための槽である。なお
、洗浄槽４ｂ内の混合溶液は、例えば３〜５ｊ！／ｍｉ
ｎ程度の割合で循環濾過されている。

洗浄槽（ｊｌ二の洗浄槽）４Ｃには、例えば薬液として
Ｈ２Ｃ，とＮＨ，ＯＨと純水との混合溶液が導入されて
いる。混合溶液中のＨｚＯｚ　の量は、例えば約１４％
、ＮＨ４ＯＨの量は、例えば約７％、純水の量は、例え
ば約７９％である。洗浄槽４Ｃは、例えば第一の洗浄処
理により酸化された有機物を除去するための檜である。

なお、洗浄槽４Ｃ内の混合溶液の循環量は洗浄槽４ｂと
同一である。

洗浄槽（第三の洗浄槽）４ｄには、例えば薬液としてＨ
２０２と純水との混合溶液が導入されている。混合溶液
中のＨ２Ｏ２の量は、例えば約１５〜１６％であり、純
水の量は、例えば約８４％である。洗浄槽４ｄは、例え
ば有機物が除去され清浄化されたウェハ２の露出面を親
水化することにより、その露出面に異物が付着し難いよ
うにするための槽である。なお、洗浄槽４ｄ内の混合溶
液の循環量は洗浄槽４ｂ、４ｃと同一である。

また、本実施例においては、第７図に示すように、洗浄
槽４ｂ〜４ｄが温水槽１０内に浸漬された状態で設置さ
れている。これは、後述するように、本実施例において
は、洗浄槽４ｂ〜４ｄ内の処理温度を同一温度に設定す
るので、各々の洗浄槽４ｂ〜４ｄ内の処理温度を同一の
温水槽１０内に浸漬した状態で設定するほうが、洗浄処
理装置１の構造を簡潔にすることができるからである。

温水槽１０内には、例えば純水が導入されている。

温水槽１０内の純水の温度は、その底部に設置されたヒ
ータ１１によって調節されるようになっている。なお、
第７図に示す搬送機構部１２は、搬送アーム６の動作を
設定するための機構部である。

洗浄槽４ｅは、洗浄槽４ｂ〜４ｄ内においてウェハ２に
付着した薬液を除去するたｔの水洗槽であり、洗浄槽４
ｅ内に導入された純水は、例えば３〜５β／　ｍ　ｉ　
ｎ　程度の割合で供給されている。

受渡し槽４ａに収容されたウェハ２は、搬送アーム６に
よって、例えばタクト方式で受渡し槽４ａから洗浄槽４
ｅへ順に搬送されるようになっている。

搬送アーム６は、搬送アーム５と同一構造のアームが５
つ連接されて構成されており、各々のアームが連動する
構造となっている。搬送アーム６におけるアーム部は、
ウェハ２のチッピングを防止するため、例えばフッ素樹
脂からなり、その他の部分は、脱着の容易性および剛性
を持たせるため、例えばアルミニウム（ＡＩ）等の金属
にフッ素樹脂が被覆されて構成されている。

次に、本実施例の洗浄処理方法を第１図、第８図および
第９図（ａ）、（ｂ）により説明する。

まず、受渡し槽４　ａ　ｌ：搬送されたウェハ２を搬送
アーム６によって洗浄１’１Ｆ４ｂに搬送し、洗浄槽４
ｂ内に薬液として導入されたＨａＯ□　と純水との混合
溶液に浸す。洗浄槽４ｂにおいては、ウェハ２に付着し
た有機物１３　（第８図参照）を薬液中のＨ２Ｏ２によ
って酸化する（第一の洗浄処理）。この処理によってウ
ェハ２に付着した有機物１３を後述する第二の洗浄処理
に際して除去し易くする。ところで、洗浄１１１４ｂ内
の薬液中には、ＮＨ，ＯＨ等のアルカリ性の成分は含有
されていないので、洗浄槽４ｂ内の処理温度を高く　（
例えば約９０℃に）設定してもＨ２Ｏ，の分解速度は遅
く、洗浄槽４ｂ内におけるＨｘＯ２の量は不足しない。

すなわち、処理温度を高く設定しても有機物１３の酸化
処理は阻害されない。したがって、洗浄槽４ｂ内におけ
る処理温度を高（設定してＨ２０２による有機物１３の
酸化反応速度を速めることができる。本実施例において
は、洗浄槽４ｂにおける処理温度を例えば約９０℃に設
定することにより、洗浄槽４ｂ内における処理時間を例
えば１分間程度にすることができるｃｌまた、第一の洗
浄処理においては、処理温度を高く設定してもＨ２Ｏ２
の量が不足しないので、洗浄槽４ｂ内へのＨ２Ｏ２の供
給や補給を必要とせず、その供給量や補給量の制御性が
複雑になることもない。

次いで、第一の洗浄処理の終了したウエノ１２を搬送ア
ーム６によって洗浄槽４Ｃに搬送し、洗浄槽４Ｃ内に薬
液として導入されたＨ２Ｏ２とＮＨＯＨと純水との混合
溶液に浸す。洗浄槽４Ｃにおいては、第一の洗浄処理の
際に酸化された有機物１３を洗浄槽４Ｃ内のＨ２Ｏ，お
よびＮＨ，ＯＨによって除去する（第二の洗浄処理）。

ところで、洗浄槽４Ｃ内の薬液中には、ＮＨ４ＯＨ等の
アルカリ性の成分が含有されているので、洗浄槽４Ｃ内
の処理温度を従来より高く　（例えば９０℃に）設定す
ると洗浄槽４０内のＨ３Ｏ２の分解速度が速くなり、洗
浄槽４Ｃ内のＨｚＣｌａの量が減少する。しかし、本実
施例においては、処理温度を従来より高く設定してもウ
ェハ２に付着した有機物１３を以下の理由により良好に
除去することができる。すなわち、本実施例においては
、洗浄槽４Ｃ内に収容されたウェハ２に付着した有機物
１３が第一の洗浄処理により酸化され除去され易くなっ
ていることに加え、洗浄槽４Ｃ内のウェハ２の表面近傍
には、第一の洗浄処理の際にウェハ２の表面に付着した
Ｈ２Ｏ，が、第９図（ａ）の破線で示すように、少量で
も有効に補給されるので、洗浄槽４Ｃ内の処理温度を高
く設定しても、第９図（ｂ）に示すように、有機物１３
を良好に除去することができる。したがって、洗浄槽４
Ｃ内における処理温度を従来より高く設定して有機物１
３の除去速度を速め、洗浄槽４０内に右ける有機物１３
の除去処理時間を従来よりも短縮することができる。本
実施例においては、洗浄槽４Ｃにおける処理温度を例え
ば約９０℃に設定することにより、洗浄槽４Ｃ内におけ
る処理時間を例えば１分間程度にすることができる。ま
た、第二の洗浄処理においては、処理温度を従来よりも
高く設定しても上記した理由によりウェハ２の表面近傍
にＨｘＯが有効に補給される上、処理時間も短いので、
洗浄槽４Ｃ内へのＨ２０□の供給量や補給量が少量で済
み、その制御性も複雑にならない。

続いて、第二の洗浄処理の終了したウェハ２を搬送アー
ム６により洗浄槽４ｄに搬送し、洗浄槽４ｄ内に薬液と
して導入されたＨ２０□　と純水との混合溶液に浸す。

洗浄槽４ｄにおいては、洗浄槽４ｄ内のＨ２Ｏ２により
、ウェハ２の露出面を親水化して、その露出表面に異物
が付着し難いようにする（第三の洗浄処理ン。ところで
、洗浄槽４ｄにおいては、第一の洗浄処理と同一理由に
より、処理温度を高く　（例えば約９０℃に）設定して
も洗浄槽４ｄ内におけるＨ２０２の量は不足しない。す
なわち、処理温度を高く設定してもウェハ２の露出面の
親水化は阻害されない。したがって、洗浄槽４ｄ内にお
ける処理温度を高く設定してＨ２Ｏ２によるウェハ２の
露出面の親水化の反応速度を速めることができる。本実
施例においては、洗浄槽４ｄにおける処理温度を例えば
約９０℃に設定することにより、洗浄槽４ｄ内における
処理時間を例えば１分間程度にすることができる。

また、第三の洗浄処理においては、第一の洗浄処理と同
一理由により、処理温度を高く設定しても洗浄槽４ｄ内
へのＨ１Ｏ２の供給や補給を必要とせず、その供給量や
補給量の制御性が複雑になることもない。

最後に、第三の洗浄処理が終了したウェハ２を搬送アー
ム６により洗浄槽４ｅに搬送し、洗浄槽槽４ｅ内で例え
ば１分間程度の水洗処理を施して第一、第二および第三
の洗浄処理の際にウェハ２に付着した薬液を除去する。

このように本実施例によれば、以下の効果を得ることが
可能となる。

（１）、洗浄槽４Ｃ内に導入されたＨ３Ｏ２とＮＨ。

ＯＨと純水との混合溶液にウェハ２を浸し、ウェハ２に
付着した有機物１３を除去する第二の洗浄処理に先立っ
て、洗浄槽４ｂ内に導入されたＨ２Ｏ、と純水との混合
溶液にウェハ２を浸し、ウェハ２に付着した有機物１３
を酸化する第一の洗浄処理を施すことにより、第二の洗
浄処理に際してその処理温度を従来より高く設定すれば
、Ｈ２０とＮＨ，ＯＨと純水との混合溶液中におけるＨ
Ｏ２の分解速度が速くなりその量は減少するが、その混
合溶液中に浸漬されたウェハ２の表面近傍には、第一の
洗浄処理の際に被処理物に付着したＨ２Ｏ２が少量でも
有効に補給されるので、その処理温度を従来よりも高く
設定しても第一の洗浄処理により酸化され除去され易く
なった有機物１３を良好に除去することが可能となる。

したがって、枚葉式の洗浄処理方法によりウェハ２に付
着した有機物１３を除去する際に、清浄化能力を低下さ
せることなく、ウェハ２の洗浄処理時間を短縮させるこ
とができ、ウェハ２の洗浄処理枚数を増加させることが
可能となる。

（２）、第二の洗浄処理の後、洗浄槽４ｄ内に導入され
たＨ２Ｏ，と純水との混合溶液中にウェハ２を浸し、有
機物１３が除去されて露出したウェハ２の露出面を親水
化することにより、ウェハ２の露出面に異物が付着し難
くなるので、ウェハ２の清浄度を向上させることが可能
となる。

（３）、第一、第三の洗浄処理においては、処理温度を
高く　（例えば約９０℃にン設定しても、洗浄槽４ｂ、
４Ｃ１内におけるＨ２０２の量は不足しないので、洗浄
槽４ｂ、４ｄ内へのＨ２Ｏ２の供給や補給を必要としな
い。また、第二の洗浄処理にふいては、処理温度を高く
　（例えば約９０℃に）設定しても上記（１）により洗
浄槽４ｃ内へのＨ３Ｏ２の供給量や補給量が少量で済む
。これらの結果、第一の洗浄処理から第三の洗浄処理に
際して、ＨＯ２の供給量や補給量の制御性が複雑になら
ない。したがって、枚葉式の洗浄処理方法によりウェハ
２に付着した有機物１３を除去する際に、ＨＯ２の供給
量あるいは補給量等の制御性を複雑にすることなく、清
浄化能力を安定させることができ、ウェハ２に対して再
現性の良い洗浄処理を施すことが可能となる。

（４）、上記（１）〜（３）により、半導体集積回路部
首の歩留りおよび信頼性を向上させることが可能となる
。

以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。

例えば前記実施例においては、洗浄槽の各々にウェハを
搬送する搬送アームを複数のアームが連接された構造と
した場合について説明したが、これに限定されるもので
はなく、例えば搬送アームを洗浄槽毎に独立して設けて
も良い。

また、前記実施例においては、洗浄処理部に受渡し槽と
有機物を除去するための洗浄槽と水洗槽とを配置した場
合について説明したが、これに限定されるものではなく
、例えば洗浄処理部に、有機物を除去するための洗浄槽
や水洗槽の他に、フッ酸（ＨＦ）洗浄槽や塩酸（ＨＣｆ
）洗浄槽を配置しても良い。

また、第１０図に示すように、洗浄処理部の後段に、乾
燥処理部１４を設置しても良い。乾燥処理部１４には、
図示はしないが、例えば１．２μｍ程度の波長の赤外線
を放射できる第一の赤外線ランプと、例えば２．５μｍ
程度の波長の赤外線を放射できる第二の赤外線ランプと
が設置されている。

乾燥処理に際して、第一の赤外線ランプは、例えばウェ
ハ２の主面側に配置され、第二の赤外線ランプは、ウェ
ハ２の裏面側に配置される。なお、搬送アーム１５は、
乾燥処理部１４にウェハ２を搬入したり、乾燥処理部１
４からウェハ２を搬出したりするアームである。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウェハの洗浄処理技
術に適用した場合について説明したが、これに限定され
ず種々適用可能であり、例えばウェハに所定のパターン
を転写するフォトマスクや液晶用のガラス板等の他の被
処理物の洗浄処理に適用することが可能である。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。

すなわち、第１の発明によれば、以下の効果を得ること
が可能となる。

（１）６例えばＨ２０２とＮＨ，ＯＨと純水との混合溶
液に被処理物を浸し、被処理物に付着したを搬物を除去
する第二の洗浄処理に先立って、Ｈ，０と純水との混合
溶液に被処理物を浸し、被処理物に付着した有機物を酸
化する第一の洗浄処理を施すことにより、第二の洗浄処
理に際してその処理温度を従来より高く設定すれば、Ｈ
２Ｏ２とＮＨ，ＯＨと純水との混合溶液中におけるＨ２
０ｚの分解速度が速くなりその量は減少するが、その混
合溶液中に浸漬された被処理物の表面近傍には、第一の
洗浄処理の際に被処理物に付着したＨ、　０、が有効に
補給されるので、その処理温度を従来より高く設定して
も第一の洗浄処理によって酸化され除去され易くなった
有機物を良好に除去することができる。したがって、枚
葉式の洗浄処理方法により被処理物に付着した有機物を
除去する際に、清浄化能力を低下させることなく、被処
理物の洗浄処理時間を短縮させることができ、被処理物
の洗浄処理枚数を増加させることが可能となる。

ｔ２）、第一、第三の洗浄処理においては、薬液中にＮ
Ｈ，ＯＨ等のアルカリ性の成分が含有されていないので
、処理温度を高く設定しても薬液中のＨＯ２の量は不足
せず、Ｈ２０２の供給や補給を必要としない。第二の洗
浄処理にふいては、被処理物の表面近傍に、第一の洗浄
処理の際に被処理物に付着したＨ２Ｏ２が有効に補給さ
れるので、処理温度を高く設定してもＨ２０２の供給量
や補給量が少量で済む。これらの結果、第一の洗浄処理
から第三の洗浄処理に際して、Ｈ２Ｏ２の供給量や補給
量の制御性が複雑にならない。したがって、枚葉式の洗
浄処理方法により被処理物に付着した有機物を除去する
際に、Ｈ２Ｏ２の供給量あるいは補給量等の制御性をｌ
ｌ！雑にすることなく、清浄化能力を安定させることが
可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である洗浄処理装置の要部斜
視図、 ９Ｊ２図（ａ）、ら）はその洗浄処理装置のローダを示
す斜視図、 第３図（ａ）、　（ｂ）はそのローダから洗浄処理部へ
被処理物を搬送する際の搬送工程を説明する被処理物お
よびカセットの正面図、 第４図はその洗浄処理装置の搬送アームを示す正面図、 第５図は第４図に示した搬送アームの側面図、第６図（
ａ）〜（６）はその搬送アームによる被処理物の保持お
よび搬送工程を説明する搬送アームおよび被処理物の側
面図、 第７図はその洗浄処理装置の洗浄槽を示す要部断面図、 １８図および第９図（ａ）、ら）は本実施例の洗浄処理
方法を模式的に説明する説明図、 第１０図は本発明の他の実施例である洗浄処理装置の要
部斜視図である。 １・・・洗浄処理装置、２・・・ウェハ（被処理物）、
３・・・ローダ、３ａ・・・回転テーブル、４・・・洗
浄処理部、４ａ・・・受渡し櫂、４ｂ・・・洗浄槽（第
一の洗浄槽）、４Ｃ・・・洗浄槽（第二の洗浄槽）、４
ｄ・・・洗浄槽（第三の洗浄槽）、４ｅ・・・洗浄槽、
５，６・・・搬送アーム、５ａ・・・アーム部、５ｂ・
・・ガイド部、５Ｃ・・・支持部、５ｄ・・・爪部、５
ｅ・・・保持部、７・・・カセット、８・・・ブツシャ
、９・・・ガイド、１０・・・温水槽、１１・・・ヒー
タ、１２・・・搬送機構部、１３・・・有機物、１４・
・・乾燥処理部、１５・・・搬送アーム、Ａ・・・ウエ
ノ１搬送側、Ｂ・・・ウェハ供給側。 代理人　弁理士　筒　井　大　和 第２ 図 ４ｄ：洗浄槽（ｗｐＪ三の洸芹慣） 第３図 （Ｑｌ 第 図 Ｃ 第５ 図 第 図 （Ｃ） 第 図 （ｄ） 第 図 １３：有機物 第 図 （ａ） （ｂ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、被処理物を一枚毎に洗浄処理する洗浄処理方法であ
   って、前記被処理物に付着した有機物を除去する際、前
   記被処理物を過酸化水素と純水との混合溶液に浸す第一
   の洗浄処理と、前記被処理物を過酸化水素と水酸化アン
   モニウムと純水との混合溶液に浸す第二の洗浄処理とを
   施すことを特徴とする洗浄処理方法。 ２、前記第二の洗浄処理の後に、前記被処理物を過酸化
   水素と純水との混合溶液に浸す第三の洗浄処理を施すこ
   とを特徴とする請求項１記載の洗浄処理方法。 ３、被処理物を一枚毎に洗浄処理する洗浄処理部に、前
   記被処理物に付着した有機物を除去するための洗浄槽を
   備える洗浄処理装置であって、前記洗浄槽を過酸化水素
   と純水との混合溶液が導入された第一の洗浄槽と、過酸
   化水素と水酸化アンモニウムと純水との混合溶液が導入
   された第二の洗浄槽と、過酸化水素と純水との混合溶液
   が導入された第三の洗浄槽とから構成したことを特徴と
   する洗浄処理装置。