JPH0472028A - 磁気ディスク基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ この発明は、磁気ディスク基板に関し、特に、耐熱性、
耐磨耗性及び動的特性に優れ、高記録密度の磁気ディス
クの製造に適した磁気ディスク基板及びその製造方法に
関する。

［従来の技術］ コンピュータ用記録媒体として使用されている磁気ディ
スクは、基板と、その上に形成された磁性膜（磁気記録
層）とを具備している。このうち、磁気ディスク基板に
は以下のような特性が要求される。

（ａ）磁気ヘッドが安定してディスク上を走行すること
ができるように、あるいは磁気的エラーが少なく安定し
た磁気特性が得られるように、精密研磨又は精密研削後
の表面性状が良好であること。

（ｂ）基板表面に形成される磁性膜の欠陥となるような
基板表面の突起又は穴がないこと。

（Ｃ）基板製造の際の機械加工、及びディスクとして使
用する際の高速回転に耐え得る強度及び剛性を有するこ
と。

（ｄ）磁性膜を形成する際の加熱に耐え得ること。

（ｅ）軽量かつ非磁性であること。

（ｆ）ある程度の耐食性を有すること。

このような特性を満たす基板材料として、従来、Ａ　ｌ
−Ｍｇ系合金等のアルミニウム合金が用いられている。

一方、近時、磁気ディスクは高記録密度化、及び小型化
の傾向にあり、このため次のようなことが要求されるよ
うになっている。

（Ａ）磁性膜の磁気特性を向上させること。例えば保磁
力が高い磁性膜を形成すること。

（Ｂ）磁性膜の厚みを薄くすること。

（Ｃ）磁気ヘッド浮上量を減少させること。

（Ｄ）磁気ヘッドのギャップ長を小さくすること。

（Ｅ）磁気ヘッドの位置決め制御技術を向上させること
。

（Ｆ）基板を小形化及び薄肉化すること。

これらの要求を満足させるため、従来、以下に示すよう
なことがなされている。

すなわち、スパッタリングにより高記録密度の磁性膜を
形成したり（中村久三　金属１９８６年１１月号）、又
は基板にスパッタリングの際の加熱に対する耐熱性を付
与している。

また、磁気ヘッドの浮上量を減少させるため、アルミニ
ウム合金製ディスク上にＮ１−Ｐめっきを施して介在物
を覆い、表面粗さ及びうねりに関して高度なレベルの表
面性状を得ることもなされている（斉藤昌弘ら　実務表
面技術ｖｏ１．３５．　Ｎｏ、６゜１９８８）。

更に、基板を電気的及び磁気的エラーの原因となる介在
物の少ない合金組成にしたり（特開昭６３−２１６９５
３）　、基板自体を薄肉化することも試みられている。

一方、上述の（ａ）〜（ｆ）の条件を満足する基板材料
として、アルミニウム合金に代わる新しい材料が開発さ
れつつある。例えば、ガラス（石崎浩善　玉業材料第３
５巻、第５号）、セラミックス（松元武志　磁性材料研
究会、電子材料表面処理技術　昭和６２年７月）　チタ
ン（特開昭５２−１０５８０４、特開昭５９−１５１３
３５、特開平１−１１２５２１など）が開発されている
。

［発明が解決しようとする課題］ ところで、磁気ディスク基板として従来から一般に用い
られているＡ　ｌ−Ｍｇ系等のアルミニウム合金は、高
密度記録に必要な高保磁力の磁性薄膜形成のため、及び
磁性膜の薄肉化のために行われるスパッタリングの際に
生じる基板温度の上昇に耐え得るだけの耐熱性がないと
いう不都合がある。また、この材料は組成を調節したと
しても、本質的に介在物を多く含むので高度のレベルの
表面性状を得ることができず、高記録密度化のためにな
されるヘッド浮上量の減少、及び電気的エラーの減少を
十分に達成することかできない。

高度のレベルの表面性状を得るために、前述したように
表面にＮ１−Ｐめっきを行なっているが、このめっきの
歩留がかなり低いという欠点がある。

また、Ｎ１−Ｐめっきは、３５０℃程度の比較的低い温
度で結晶化して磁性を保持したり、剥離するというよう
な不都合がある。また、従来のアルミニウム合金製基板
を要求に従って薄肉化する場合には、アクセスタイムの
短縮のためのディスクの高速回転（例えば３６００　ｒ
ｐａ＋　）に耐え得るだけの強度及び剛性を維持するこ
とができない。

また、基板材料としてガラスやセラミックスを用いた場
合には、耐熱性及び強度の面では十分であるが、どちら
も脆性材料であるため、信頼性が低いという欠点がある
。また、ガラス製基板は、スパッタリングの際の高温加
熱によってガスを放出したり、ガラス中の不純物元素が
磁性膜へ拡散したりして磁性膜の磁気特性に悪影響を及
はす。

セラミックス製基板は気孔が多く存在し、十分な表面性
状を得ることができない。このように、ガラス及びセラ
ミックスも磁気ディスク基板として未だ不十分である。

チタン製基板については、前述したように種々の提案が
なされている。例えば前記特開昭５２１０５８０４では
、表面に酸化膜又は窒化膜が形成されたチタン又はチタ
ン合金を基体とする磁気ディスク基板か提案されている
。これは、表面を酸化又は窒化して酸化膜又は窒化膜を
形成することで、基板表面の硬度を上昇させ、これに伴
う研削性の向上により良好な表面性状を得ようとするも
のである。また、特開昭５９−１５１３３５では、ｈｃ
ｐ相を体積比で８０％以上有し、強度が６０　ｋｇ／　
ｍｍ２以上のα型チタン合金で形成された磁気ディスク
基板を提案している。さらに、特開平１−１１２５２１
では、表面粗さＲａを０．０３μｍ以下にすべく表面が
鏡面研磨され、断面硬さＨｖが２５０以上であるチタン
合金からなる磁気ディスク基板を提案している。しかし
、通常の純チタンやα型チタン合金ては、Ｖ等のＴｉに
対してのβ型安定化傾向の強い元素が不可避的に含まれ
ており、これらのβ型安定化傾向の強い元素は、溶解並
びに分塊及び仕上圧延の段階で偏析しやすく、研磨中に
偏析に起因したピッティングを起しやすい。このため、
高レベルの表面性状を得ようとすると、歩留が低下して
しまう。

また、α＋β型やβ型合金でも、異相を含むので、同様
の理由で歩留が低下してしまう。さらにα相とβ相（偏
析部）とでは、酸化及び窒化の速度か異なり、均一に酸
化又は窒化させることが難しく、酸化膜又は窒化膜を形
成した基板は、チタン単体の基板に比べて歩留か低く、
また製造コストが高い。さらに、チタン又はチタン合金
は難加工性材料であるので、磁気ディスク基板として必
要な高速回転中の変位や加速度等の動的特性を得るため
の平坦化や鏡面研磨等の加工も困難である。

このように、チタンを主体とする磁気ディスク基板でも
良好なものは得られておらず、優れた特性を有しながら
実用化されていないのが現状である。

この発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、
耐熱性、耐磨耗性に優れ、薄肉化が可能であり、かつ回
転中の基板における上下変動の急激さの指標である加速
度特性に優れた磁気ディスク基板及びその製造方法を提
供することを目的とする。

［課題を解決するだめの手段及び作用］本願発明者等が
磁気ディスク基板の性能向上について種々検討を重ねた
結果、耐熱性は基板材料及びその組成に主に依存し、ま
た、耐磨耗性及び加工性は主に基板材料の成分組成に依
存し、さらに高速回転中の変位や加速度等の動的特性は
、基板材料の成分組成及び製造方法に主に関係しており
、これらを制御することにより上記目的を達成できるこ
とを見出した。この発明はこのような知見に基づいてな
されたものである。

すなわち、本発明は、重量％で、Ｏ≦０．６％、ＡＩＩ
≦４，０％、（５／２）Ｏ＋（１／３）ＡＩ！≧１．０
％、かつ、０．２％≦Ｍ　ｏ　＋Ｎ　ｉ　＋　Ｃ。

＋Ｃｒ＋Ｆｅ≦２，０％であり、残部が実質的にＴｉか
らなることを特徴とする磁気ディスク基板を提供する。

また、本発明は、重量％で、Ｏ≦０．６％、八Ω≦４．
０％、（５／２）Ｏ＋　（１／３）ＡＲ≧１．０％、か
つ、Ｑ、２％≦Ｍ　ｏ　＋　Ｎ　ｉ　＋　Ｃ。

＋Ｃｒ＋Ｆｅ≦２．０％であり、残部が実質的にＴｉか
らなる磁気ディスク基板素材に、３０％以上の圧延率で
冷間圧延を施し、次いで、以下に示す条件で熱間矯正を
施すことを特徴とする磁気ディスク基板の製造方法を提
供する。

５００≦Ｔ≦−（３００／１１）　・ｔ＋１０２００／
１１ ｔ　≧　ま たたし、Ｔは熱間矯正温度（’Ｃ）、ｔは熱間矯正時間
（時間）を表わす。

以下、この発明について詳細に説明する。

なお、簡略化のため、（５／２）Ｏ＋（１／３）Ａｆｉ
をＥＱＩ、Ｍｏ＋Ｎｉ＋Ｃｏ＋Ｃｒ＋ＦｅをＥＱ２と表
わす。

チタンは、融点が］６５０℃程度と高いので、磁気ディ
スク基板材料としてチタンを用いることにより、基板の
耐熱性を良好にすることができ、磁性薄膜をスパッタリ
ングにより形成する際の基板温度である３００〜４００
℃においても形状の変化がない。また、チタンは引張強
度が３０　ｋｇｆ／■２程度、縦弾性係数が１００００
ｋｇｆ　／＋ａｍ２程度と強度及び剛性が高いので、薄
い場合でも３６００　ｒｐｍ以上という高速回転の際に
生じる遠心力に耐え、薄肉化に対しても問題がない。更
に、基板かチタン単体であるから薄肉化が容易であり、
Ｎ１−ＰめっきＡ１合金製基板のように異層界面での剥
離が生じることがない。このように、基板材料としてチ
タンを用いることは好ましい。

この発明においては、チタンマトリックにＡｌ１．０を
添加する。これらの元素は、基板の硬度を向上させ、耐
磨耗性を良好にする。しかし、これらの量は重量％てＥ
ＱＩ≧１．０％の関係を満たす必要がある。この範囲を
外れると、十分な硬度が得られず、良好な耐磨耗性が得
られないからである。また、これらの元素は硬度の上昇
を招くと共に冷間加工性の悪化を招くので、０が０．６
％、Ａｉ）か４．０％を超えて添加された場合には、上
述の関係を満足しても冷間加工の際に割れを生じる恐れ
かあり、鏡面加工前のブランク材を歩留り良く製造する
ことが困難である。このため、０及びＡｌＯ量は、０≦
０．６％、Ａｌ≦４．０％、かつＥＱＩ≧１．０％に規
定される。

また、チタンマトリックスに、Ｍｏ、Ｎｉ。

Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅを１種又は２種以上を添加する。

これらの元素は、チタンマトリックスに添加されること
により、研磨中に生じる粒界段差を抑える効果があり、
従って、これらの合金元素を１種又は２種以上添加する
ことにより、高速回転中の加速度特性を良好にすること
ができる。しかし、これらの添加量が０．２％未満では
その効果か小さく、また、２．０％を超えるとこれらが
偏析しやすくなり、磁気ディスク基板製造の際の歩留低
下につなかる。従って、これら合金元素の添加量を０．
２％≦ＥＱ２≦２．０％上述の範囲に規定する。

ここで、加速度とは、磁気ディスク基板を高速回転した
場合のその上下の振れ幅（変位）の時間での２回微分の
値であって振れの急激さを表すパラメータであり、基板
の剛性、強度、平坦度、表面性状等が複合的に関係して
いる。

なお、このような基板材料は多結晶であり、その表面に
は、種々の方位を持つ結晶か存在している。そして、結
晶方位によって、鏡面加工工程の際の精密研磨、精密研
削においてその加工速度が異なり、各結晶によって段差
が生じる。このとき、結晶粒径か微細になればなるほど
、隣接する結晶粒の方位の差が小さくなり、段差も小さ
くなって、高速回転中の加速度特性も向上する。従来の
α型チタン合金の冷延板では結晶粒が平均で５０μｍ程
度であったが、これを微細化することによって結晶段差
を小さくすることができ、基板を高速回転させた際の加
速度を良好にすることができる。

Ｍｏ等の合金元素の添加は、上述した粒界段差を抑える
効果の他に、結晶粒径を微細にする効果もあるか、平均
粒径をより小さくして加速度特性を良好なものにするた
めには、製造条件をも適当な範囲に規定する必要がある
。

チタン製の磁気ディスク基板は、−船釣に、所定の成分
組成を有するインゴットを分塊鍛造し、熱間圧延した後
、冷間圧延を施し、得られた冷間圧延板を円環状に打ち
抜いて基板素材を作成し、この基板素材を熱間矯正を施
すことにより基板素材を平坦化し、さらに、その表面を
研磨して鏡面化することにより得られる。基板の粒径は
、これら工程のうち、冷間圧延の際の圧下率、及び、熱
間矯正温度及び時間に影響される。従って、上述したよ
うに結晶粒径を微細にして加速度が一層良好な基板を得
るためには、冷間圧延の際の圧下率、並びに熱間矯正温
度及び時間を特定の範囲に規定する必要がある。

この発明においては、上述した組成範囲のチタン合金板
に圧延率３０％以上の冷間圧延を行って歪みを加えてお
くことにより熱間矯正の際の組織コントロールを可能に
しておき、この冷延板を打ち抜いて作製したディスク基
板素材に対し、□熱間矯正温度をＴ’Ｃ１熱間矯正時間
をｔ時間とした場合に、５００≦Ｔ≦−（３００／１１
）　　　ｔ＋１０２００／１１、かつ１≦ｔを満足する
ような条件で熱間矯正を施して再結晶を生じさせると共
に基板素材を平坦化する。これにより磁気ディスク基板
として必要な平坦度を得、高速回転中の変位を磁気ディ
スク基板として十分なものとしつつ、結晶粒を微細化し
て加速度を良好にすることが可能である。なお、熱間矯
正は基板を平坦度の高い（平坦度１００μｍ以下）２つ
の定盤間に挟持して行うことが好ましい。

熱間矯正において、熱間矯正温度が５００℃未満、及び
熱間矯正時間が１時間未満の場合には、素材の歪みが有
効に除去されず、熱間矯正後に歪みが残存するので良好
な平坦度を得ることができない。熱間矯正温度の上昇及
び熱間矯正時間の延長により磁気ディスク基板の平坦度
が良好なものとなる（定盤間に挟持して行う場合には定
盤の平坦度に近付く）か、これらが過度になると結晶か
粗大化してしまう。すなわち、５００≦Ｔｉかつ１≦ｔ
の条件を満足しても、Ｔ≦−（３００，・１１）争ｔ＋
１０２００／１１を満足しないような温度及び時間で熱
間矯正を行えば平坦度は満足するが、結晶粒の粗大化を
招き、加速度特性を低下させる。

また、圧延率か３０９０未満の場合には、その後の熱間
矯正の際の組織コントロールに十分な歪みを冷延板に残
存させることか困難である。

このように、磁気ディスク基板の組成を規定することに
より、耐熱性、耐磨耗性に優れ、薄肉化が可能であり、
かつ高速回転中の変位や加速度等の動的特性か優れた高
記録密度用の磁気ディスク基板を歩留良く製造すること
ができる。

なお、切削性向上などのため、Ｙ等の希土類元素を微量
添加しても、本発明の効果が失われるものではない。

［実施例］ 以下、この発明の実施例について説明する。

第１表に示されているような成分組成のインニット（組
成番号Ａ０１〜Ａ２５、ＢＯＩ〜８３０）をＶＡＲ溶解
によって製造し、１０００℃にて分塊鍛造して、厚さ２
０ｍｍのスラブとした。これらスラブに対して８７０℃
で最終熱間圧延を施し、厚さ６ｍｍの熱延板とした。そ
の後、この熱延板の酸化被膜を除去し、切削加工により
厚さ５ｍｍの板状にし、更に冷間圧延を施して厚さ０．
６ｍｍの冷延板とした。この冷延板にて割れの評価を行
った。

この冷延板からリング状平板（外径９５ｍｍ、内径２５
ｍ１、厚さ０．６ｉｓ）を打ち抜き、６００℃で６時間
熱間矯正した後、これらディスク基板素材表面を＃４０
０、＃８００、＃１５００、＃４０００の砥石で順次研
磨し、最後にアルミナ仕上研磨を施して磁気ディスク基
板サンプルを各組成に対して１００枚ずつ作製した。こ
のように作製された各サンプルについて、ビット、冷延
の際の割れ、加速度を評価した。加速度はビットが発生
しなかったサンプルについて、３６００　ｒｐｍの回転
数で測定した。

第１表に、各サンプルの組成と共に評価した特性値を示
す。なお、第１表中、組成番号ＡＯＩ〜Ａ２５はこの発
明の組成範囲内である実施例であり、組成番号ＢＯＩ〜
Ｂ３０はその範囲から外れる比較例である。また、「割
れ」の欄には圧延の際に生じた１１ＩＩＩ１１以上の長
さの割れの有無（無か０１有が×）を示し、ビット発生
枚数の欄には１００倍の微分干渉顕微鏡で各組成のサン
プルを１００枚、６０視野ずつ観察した際のビットか存
在していたサンプル枚数を示す。硬度は、ビッカース硬
度計にて、１ｋｇの荷重で測定した。また、耐磨耗性は
、基板表面に摺動時間２４時間、ＣｏＣｒＴａスパッタ
（磁性膜）およびカーボンコーティング（潤滑材）を形
成し、現用の磁気ディスクと同様の状態にし、ディスク
回転数６００　ｒｐｍ　、荷重１００ｇ／ｃｍ２の条件
で評価した。さらに、加速度は、磁気ディスク基板を３
６００　ｒｐｍで回転させたときの中心から４０ｍｍの
位置での基板の上下方向の変位を測定することによって
求めた。すなわち、第１図に示すように、基板（１）を
回転軸（３）を中心にして３６００　ｒｐｍで高速回転
させ、基板を挾んで設けられた２つのセンサを有するＲ
ＶＡテスタ（２）により、基板の中心から４０１の位置
での２つのセンサ間の静電容量の変化を求め、その値に
基づいて基板の上下方向の振れ幅の値を変位として求め
、この値から加速度を計算した。加速度は、上述したよ
うに上下の振れ幅（変位）の時間での２回微分の値であ
って振れの急激さを表すパラメータであり、この値が１
０ｍ／５ｅｃ２であれば良好な加速度特性ということが
できる。

第１表の結果を、第２図乃至第４図にまとめて示す。第
２図はＡｌｌ及び０の含有量と特性との関係を示す図、
第３図はＥＱ２の値とピットが発生した基板数との関係
を示す図、第４図はＥＱ２と加速度との関係を示す図で
ある。

先ず、ディスク基板の加工性及び耐磨耗性の結果につい
て示す。第１表及び第２図に示すように、Ａ、９及びＯ
量か本発明の範囲内である実施例の組成番号ＡＯＩ〜Ａ
２５及び比較例のＢＯＩ〜ＢＩＯでは、割れの発生がな
く、かつ硬度がＨｖ≧２５０以上であり、耐磨耗性が良
好であった。

これに対し、Ａｌ≦４．０％かつＯ≦０．６％を満たす
が、ＥＱ１≧１，０％を満たさない比較例の組成番号Ｂ
１１〜Ｂ１８、Ｂ２８、Ｂ２９では、割れは発生しなか
ったが、硬度がＨｖ＜２５０であり、良好な耐磨耗性が
得られなかった。また、ＥＱ１≧１．０％を満たすが、
Ａｉｌ≦４．０％かつ０≦０．６％を満たさない比較例
の組成番号Ｂ１９〜２７及びＢ３０ではＨｖ≧２５０で
あり耐磨耗性は良好であったが、割れか発生した。これ
らの結果から、ｌ及びＯの含有量が本発明の範囲内であ
れば、磁気ディスク基板として良好な加工性及び耐磨耗
性が得られることが確認された。

ピット発生については、第１表及び第３図に示すように
、本発明の範囲内の組成番号ＡＯＩ〜Ａ２５及び比較例
のう′ｔ）ＥＱ２≦２．０％を満たす組成番号Ｂ０６〜
Ｂ２０及び８２７〜Ｂ３０ではその発生は少なく歩留低
下は５％以下であった。

これに対し、ＥＱ２≦０．２％を満たさない比較例の組
成番号Ｂ０１〜ＢＯ５及び８２１〜Ｂ２６では、多くの
ピットの発生が確認され、１０％以上という大幅な歩留
低下か生した。加速度特性については、第１表及び第４
図に示すように、本発明の範囲内である組成番号ＡＯＩ
〜Ａ２５及び比較例のうち０．２％≦ＥＱ２を満たす組
成番号Ｂ０１〜Ｂ０５及びＢ１１〜Ｂ２６ては、１０ｍ
／ｓｅｃ　２以下という良好な加速度を示した。これに
対して、０．２％≦ＥＱ２を満たさない比較例の組成番
号Ｂ０６〜ＢＩＯ及び８２７〜Ｂ３０では、加速度は１
０ｍ／５ｅｅ２よりも大きく、加速度特性が悪いことが
確認された。これらの結果より、０．２％≦ＥＱ２≦２
．０％であれば、ピットの発生が少なく、良好な加速度
特性の磁気ディスク基板が得られることか確認された。

以上のように、０≦０．６％以下、ＡｆＡｌ≦４．０％
以下、（５／２）Ｏ＋（１／３）Ａｌ≧１．０％、かつ
、０．２％≦Ｍｏ＋Ｎｉ十Ｃｒ十Ｃｏ＋Ｆｅ≦２．０％
であり、残部が実質的にＴｉからなる成分組成によって
、優れた特性を有する磁気ディスク基板が得られること
が確認された。

次に、この発明の範囲内の組成である組成番号ＡＯＩの
基板について、熱間矯正の条件を変化させる試験を行い
、各条件における３　６００　ｒｐＩＩでの変位及び加
速度を把握した。その結果を第２表、並びに第５図に示
す。第２表は各熱間矯正条件における結晶粒径及び表面
性状を示すものであり、第５図は横軸に熱間矯正時間を
とり、縦軸に熱間矯正温度をとって、熱間矯正条件によ
る熱間矯正後の基板の変位及び加速度特性の良否を示す
図である。第５図中、○は変位及び加速度がいずれも磁
気ディスク基板として適用可能なものを示し、・及び口
は適用不可能なものを示す。具体的には、Ｏは変位か１
０μｍ以下で加速度が１０ｍ／５ｅ０２以下、口は加速
度は１０ｍ／５ｅｅ２以下であるが変位が１０μｍより
大、　・は変位は１０μｍ以下であるが加速度が１０ｍ
／５ｅｅ２より大のものを示す。

第５図から、熱間矯正温度が５００℃未満、又は熱間矯
正時間が１時間未満の場合に変位が１０μｍより大とな
り、不十分な値となることが確認された。

また、加速度が１０ｍ／５ｅｅ２を超えるのは熱間矯正
温度か高く、熱間矯正時間が長い領域であり、加速度１
０ｍ／５ｅｅ２の境界線は、第５図の一点鎖線で示す直
線であり、矯正時間をＴ　（”Ｃ）とし時間をｔ（時間
）としてこれを式で表わすとＴ−−（３００／１１）　
　・ｔ ＋１０２００／１１となる。

従って、Ｔ≦−（３００／１１）　　ｔ＋１０２００／
１１の領域で加速度１０ｍ／５ｅｃ２以下を達成するこ
とができ、この条件を満足しない領域では結晶粒が粗大
化し、加速度か１０ｍ／５ｅＣ２より大と加速度特性が
悪化することが確認された。　次に、基板の加速度特性
に及はす冷間圧延条件の影響について説明する。

組成番号ＡＯＩのインゴットを前述の条件と同様の条件
で分塊鍛造、熱間圧延、切削加工し、厚さ５■の板状に
し、その後第３表に示す条件で冷間圧延を施した。この
冷延板からリング状平板（外径９５ｍｍ、内径２５１）
を打ち抜いてディスク基板素材を作製し、６００℃で６
時間熱間矯正した後、前述した条件と同様の条件で表面
を研磨して各冷間圧延条件について５枚ずつの磁気ディ
スク基板サンプルを得た。このようにして製造された各
サンプルについて、加速度を評価した。第３表に冷間圧
延条件の他に、各サンプルの加速度を示した。　第３表
に示すように、冷間圧延率が３０％以上の場合に、加速
度か１．０　ｍ／ｓｅｅ　２と、良好な加速度特性か得
られることか確認された。

すなわち、３０％以上の冷間圧延によりある程度の歪み
を加えておき、その後５００≦Ｔ≦−（３００／１１）
・を十（１０２００／１１．）、かつ１≦ｔを満たす条
件で熱間矯正を施すことにより、微細な再結晶粒か得ら
れると共に十分に基板か平坦化されるので、加速度を１
０ｍ／５ｅｅ２以下にすることかでき、良好な加速度特
性を得ることかできる。また、その際の変位も磁気ディ
スク基板として良好なものとなる。

なお、この発明の磁気ディスク基板は、Ｆｅ酸化物系薄
膜、バリウムフェライト薄膜等の高基板温度を必要とす
る高記録密度の記録媒体にも適用可能であることはいう
までもない。

第 表 熱間矯正条件による熱間矯正後の基板の変位及び加速度
特性の良否を示す図である。

１；基板、２；センサ、３；回転軸 ［発明の効果コ この発明によれば、耐熱性に優れ、薄肉化が可能で、か
つ、磁気的エラー等の原因となるピットの発生が少なく
、高速回転中の変位や加速度等の動的特性が良好な磁気
ディスクを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）重量％で、 Ｏ≦０．６％、 Ａｌ≦４．０％、 （５／２）Ｏ＋（１／３）Ａｌ≧１．０％、かつ、０．
   ２％≦Ｍｏ＋Ｎｉ＋Ｃｏ＋Ｃｒ＋Ｆｅ≦２．０％であり
   、 残部が実質的にＴｉからなることを特徴とする磁気ディ
   スク基板。
2. （２）重量％で、Ｏ≦０．６％、Ａｌ≦４．０％、（５
   ／２）Ｏ＋（１／３）Ａｌ≧１．０％、かつ、０．２％
   ≦Ｍｏ＋Ｎｉ＋Ｃｏ＋Ｃｒ＋Ｆｅ≦２．０％であり、残
   部が実質的にＴｉからなる磁気ディスク基板素材に、３
   ０％以上の圧延率で冷間圧延を施し、次いで、以下に示
   す条件で熱間矯正を施すことを特徴とする磁気ディスク
   基板の製造方法。 ５００≦Ｔ≦−（３００／１１）・ｔ ＋１０２００／１１ ｔ≧１ ただし、Ｔは熱間矯正温度（℃）、ｔは熱間矯正時間（
   時間）を表わす。