JPH0472380B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0472380B2 JPH0472380B2 JP56147000A JP14700081A JPH0472380B2 JP H0472380 B2 JPH0472380 B2 JP H0472380B2 JP 56147000 A JP56147000 A JP 56147000A JP 14700081 A JP14700081 A JP 14700081A JP H0472380 B2 JPH0472380 B2 JP H0472380B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistivity
- silicon
- silicon wafer
- oxygen
- precipitated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシリコンウエハーの評価方法、さらに
特定すれば二酸化けい素として析出した酸素の濃
度を簡便に測定する方法である。
特定すれば二酸化けい素として析出した酸素の濃
度を簡便に測定する方法である。
シリコンウエハーの内部に酸素を二酸化けい素
として析出させ、これをゲツター源とすることが
あり、また二酸化けい素が結晶欠陥となつている
ことがある。このようなシリコンウエハーに析出
した二酸化けい素となつている欠陥の数、または
酸素の濃度を測定するには、通常ウエハーを割り
エツチングを行なつた断面を観察する方法、また
は初期と加熱処理後とにおいて測定した酸素の濃
度の差から二酸化けい素として析出した酸素の濃
度を求める方法が行なわれている。
として析出させ、これをゲツター源とすることが
あり、また二酸化けい素が結晶欠陥となつている
ことがある。このようなシリコンウエハーに析出
した二酸化けい素となつている欠陥の数、または
酸素の濃度を測定するには、通常ウエハーを割り
エツチングを行なつた断面を観察する方法、また
は初期と加熱処理後とにおいて測定した酸素の濃
度の差から二酸化けい素として析出した酸素の濃
度を求める方法が行なわれている。
一般に、酸素の濃度を測定するには、赤外吸収
を利用する。通常の赤外吸収装置では試料の厚み
を２mmとする必要があるので、実際のウエハーで
は測定が困難であり、またフーリエ波変換赤外吸
収装置を使用すれば、比較的容易に測定すること
ができるが、装置が非常に高価であるので、すべ
てのウエハーについて測定することは経済的でな
い。
を利用する。通常の赤外吸収装置では試料の厚み
を２mmとする必要があるので、実際のウエハーで
は測定が困難であり、またフーリエ波変換赤外吸
収装置を使用すれば、比較的容易に測定すること
ができるが、装置が非常に高価であるので、すべ
てのウエハーについて測定することは経済的でな
い。
本発明の目的は上記欠点を解消することであ
る。
る。
本発明の上記目的は、格子間酸素が部分的に二
酸化けい素として析出しているシリコンウエハー
試料を400〜500℃に加熱して、残りの格子間酸素
をドナー型に変換した後に、このシリコンウエハ
ーの抵抗率を測定し、他方このシリコンウエハー
の初期抵抗率と実質的に同一の初期抵抗率を有す
る複数のシリコンウエハーを800〜1200℃に加熱
して種々の析出酸素濃度を有する照合用シリコン
ウエハーを作成し、試料シリコンウエハーの前記
加熱温度と同一温度に加熱し、析出していない残
りの格子間酸素をドナー型に変換し、熱処理時間
ととも変化する抵抗率を測定して、各照合用シリ
コンウエハーごとに熱処理時間／抵抗率の検量線
を描き、さきに測定した試料ウエハーの抵抗率
と、この抵抗率を得た熱処理時間とを、各検量線
に対比させて、対応する検量線の照合用のシリコ
ンウエハーの析出酸素濃度を、試料シリコンウエ
ハーの析出酸素濃度と見倣すことを特徴とする、
シリコンウエハーの評価方法によつて達成するこ
とができる。
酸化けい素として析出しているシリコンウエハー
試料を400〜500℃に加熱して、残りの格子間酸素
をドナー型に変換した後に、このシリコンウエハ
ーの抵抗率を測定し、他方このシリコンウエハー
の初期抵抗率と実質的に同一の初期抵抗率を有す
る複数のシリコンウエハーを800〜1200℃に加熱
して種々の析出酸素濃度を有する照合用シリコン
ウエハーを作成し、試料シリコンウエハーの前記
加熱温度と同一温度に加熱し、析出していない残
りの格子間酸素をドナー型に変換し、熱処理時間
ととも変化する抵抗率を測定して、各照合用シリ
コンウエハーごとに熱処理時間／抵抗率の検量線
を描き、さきに測定した試料ウエハーの抵抗率
と、この抵抗率を得た熱処理時間とを、各検量線
に対比させて、対応する検量線の照合用のシリコ
ンウエハーの析出酸素濃度を、試料シリコンウエ
ハーの析出酸素濃度と見倣すことを特徴とする、
シリコンウエハーの評価方法によつて達成するこ
とができる。
シリコンの初期抵抗率とは、800〜1200℃にお
いて加熱して二酸化けい素を析出させる前の抵抗
率を意味する。通常、シリコンウエハーの含む格
子間酸素は1.0〜2.0×1018個／cm3程度である。
いて加熱して二酸化けい素を析出させる前の抵抗
率を意味する。通常、シリコンウエハーの含む格
子間酸素は1.0〜2.0×1018個／cm3程度である。
実用には、シリコンウエハーの析出酸素濃度は
0.1×1018個／cm3誤差で合致すればよい。従つて、
照合用シリコンウエハーの初期抵抗率はこの誤差
の範囲で同一性を有するものとする。たとえば格
子間酸素が0.1×1018個／cm3刻みの０，0.1，0.2…
…2.0×1018個／cm3である20種の照合用シリコン
ウエハーを、それぞれ数個、たとえば５個ずつ作
成して、それぞれ析出処理を行つて検量線を作成
すればよい。
0.1×1018個／cm3誤差で合致すればよい。従つて、
照合用シリコンウエハーの初期抵抗率はこの誤差
の範囲で同一性を有するものとする。たとえば格
子間酸素が0.1×1018個／cm3刻みの０，0.1，0.2…
…2.0×1018個／cm3である20種の照合用シリコン
ウエハーを、それぞれ数個、たとえば５個ずつ作
成して、それぞれ析出処理を行つて検量線を作成
すればよい。
また、シリコンウエハーの格子間酸素をドナー
型に変換する温度が400℃より低いと、熱処理時
間を長くしても変換することが困難である。
型に変換する温度が400℃より低いと、熱処理時
間を長くしても変換することが困難である。
なお照合用シリコンウエハーの析出酸素濃度
は、たとえばシリコンウエハーの厚みを２mm以下
として、析出処理前後において、赤外吸収法によ
つて測定した格子間酸素濃度の差として求めるこ
とができる。
は、たとえばシリコンウエハーの厚みを２mm以下
として、析出処理前後において、赤外吸収法によ
つて測定した格子間酸素濃度の差として求めるこ
とができる。
本発明は、シリコンウエハーの格子間酸素の状
態が温度によつて変化し、500℃以下では主とし
てドナー型、500〜800℃では主として析出核とし
て、800〜1200℃では主として二酸化けい素とし
て析出する平衡状態を有することにもとづく。ま
た赤外測定によつて定量される酸素は格子間に存
在する酸素の状態であり、抵抗率が依存する酸素
は、ドナー型である。本発明の方法においては、
二酸化けい素として析出している酸素の量を求め
る。
態が温度によつて変化し、500℃以下では主とし
てドナー型、500〜800℃では主として析出核とし
て、800〜1200℃では主として二酸化けい素とし
て析出する平衡状態を有することにもとづく。ま
た赤外測定によつて定量される酸素は格子間に存
在する酸素の状態であり、抵抗率が依存する酸素
は、ドナー型である。本発明の方法においては、
二酸化けい素として析出している酸素の量を求め
る。
本発明によつて、たとえばｐ型シリコンウエハ
ーの二酸化けい素として析出した酸素の濃度を測
定する場合は、これと同一な初期抵抗率を有する
ｐ型シリコンを、800〜1200℃、好ましくは900〜
1100℃で、たとえば５〜10時間加熱して格子間酸
素を二酸化けい素として析出させ、次に400〜500
℃、好ましくは450℃で、たとえば３時間加熱し
て格子間に残つた酸素をドナー型に変え、このと
き時間とともに変化する抵抗率を測定して検量線
を描く。この検量線は、予め種々な析出酸素濃度
を有する照合試料について求めておく。
ーの二酸化けい素として析出した酸素の濃度を測
定する場合は、これと同一な初期抵抗率を有する
ｐ型シリコンを、800〜1200℃、好ましくは900〜
1100℃で、たとえば５〜10時間加熱して格子間酸
素を二酸化けい素として析出させ、次に400〜500
℃、好ましくは450℃で、たとえば３時間加熱し
て格子間に残つた酸素をドナー型に変え、このと
き時間とともに変化する抵抗率を測定して検量線
を描く。この検量線は、予め種々な析出酸素濃度
を有する照合試料について求めておく。
測定すべき試料については、照合試料と同様に
して、好ましくは450℃で、たとえば３時間加熱
して得られた試料の抵抗率を測定する。この試料
と同一の初期抵抗率を有する照合試料についての
検量線を利用して、同一時間加熱処理して測定し
た抵抗率に対応する析出酸素濃度を知ることがで
きる。測定後のウエハーは約650℃で約30分加熱
処理すれば、さきに行なつた400〜500℃の熱処理
でドナー型に変化した酸素原子は、再び格子間酸
素にもどり、ウエハーは本発明の方法を実施する
前の状態にもどる。
して、好ましくは450℃で、たとえば３時間加熱
して得られた試料の抵抗率を測定する。この試料
と同一の初期抵抗率を有する照合試料についての
検量線を利用して、同一時間加熱処理して測定し
た抵抗率に対応する析出酸素濃度を知ることがで
きる。測定後のウエハーは約650℃で約30分加熱
処理すれば、さきに行なつた400〜500℃の熱処理
でドナー型に変化した酸素原子は、再び格子間酸
素にもどり、ウエハーは本発明の方法を実施する
前の状態にもどる。
次に図面を参照しながら、本発明を詳細に説明
する。測定すべきシリコンウエハー試料は初期抵
抗率が10Ωcmのｐ型シリコンである場合におい
て、検量線の作成を行なう。まずこれと同一の初
期抵抗率10Ωcmを有するＰ型シリコンを900〜
1100℃で５〜10時間加熱し、格子間酸素を二酸化
けい素として析出させ、種々な析出酸素濃度0.3
×1018〜1.0×1018個／cm3の照合試料を作成し、次
にこれらの試料を450℃で３，10および20時間加
熱して残りの格子間酸素をドナー型に変える。こ
れによつてウエハーのｎ型導電性が増加するの
で、ｐ型シリコンの抵抗率は10Ωcmより高い種々
な値となる。
する。測定すべきシリコンウエハー試料は初期抵
抗率が10Ωcmのｐ型シリコンである場合におい
て、検量線の作成を行なう。まずこれと同一の初
期抵抗率10Ωcmを有するＰ型シリコンを900〜
1100℃で５〜10時間加熱し、格子間酸素を二酸化
けい素として析出させ、種々な析出酸素濃度0.3
×1018〜1.0×1018個／cm3の照合試料を作成し、次
にこれらの試料を450℃で３，10および20時間加
熱して残りの格子間酸素をドナー型に変える。こ
れによつてウエハーのｎ型導電性が増加するの
で、ｐ型シリコンの抵抗率は10Ωcmより高い種々
な値となる。
測定すべきシリコンウエハーは、上記照合試料
と同様に450℃で３〜20時間加熱し、ｐ型シリコ
ンの抵抗率を測定する。これと同一抵抗率を有す
る検量線から、この加熱時間と等しい加熱時間を
照合して析出した酸素濃度を求めることができ
る。
と同様に450℃で３〜20時間加熱し、ｐ型シリコ
ンの抵抗率を測定する。これと同一抵抗率を有す
る検量線から、この加熱時間と等しい加熱時間を
照合して析出した酸素濃度を求めることができ
る。
第１図は初期抵抗率が10Ωcmのｐ型シリコンウ
エハーから出発した種々な析出酸素濃度を有する
照合試料の、450℃における加熱処理時間と抵抗
率との関係を示すグラフであり、各曲線に付記し
た数字は析出酸素濃度（個／cm3）を示す。
エハーから出発した種々な析出酸素濃度を有する
照合試料の、450℃における加熱処理時間と抵抗
率との関係を示すグラフであり、各曲線に付記し
た数字は析出酸素濃度（個／cm3）を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 格子間酸素が部分的に二酸化けい素として析
出している試料シリコンウエハーを400〜500℃に
加熱して、残りの格子間酸素をドナー型に変換し
た後、このシリコンウエハーの抵抗率を測定し、 他方このシリコンウエハーの初期抵抗率と実質
的に同一な初期抵抗率を有する複数のシリコンウ
エハーを800〜1200℃に加熱して、種々の析出酸
素濃度を有する照合用シリコンウエハーを作成
し、試料シリコンウエハーの前記加熱温度と同一
温度に加熱し、析出していない残りの格子間酸素
をドナー型に変換し、熱処理時間ととも変化する
抵抗率を測定して、各照合用シリコンウエハーご
とに熱処理時間／抵抗率の検量線を描き、 さきに測定した試料シリコンウエハーの抵抗率
と、この抵抗率を得た熱処理時間とを、各検量線
に対比させて、対応する検量線の照合用のシリコ
ンウエハーの析出酸素濃度を、試料シリコンウエ
ハーの析出酸素濃度と見倣すことを特徴とする、
シリコンウエハーの評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56147000A JPS5850744A (ja) | 1981-09-19 | 1981-09-19 | シリコンウエハ−の評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56147000A JPS5850744A (ja) | 1981-09-19 | 1981-09-19 | シリコンウエハ−の評価方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5850744A JPS5850744A (ja) | 1983-03-25 |
| JPH0472380B2 true JPH0472380B2 (ja) | 1992-11-18 |
Family
ID=15420310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56147000A Granted JPS5850744A (ja) | 1981-09-19 | 1981-09-19 | シリコンウエハ−の評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5850744A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA967185A (en) * | 1973-05-24 | 1975-05-06 | Robert A. Brown | Golf ball dimple spatial relationship |
| CA1230355A (en) * | 1983-10-24 | 1987-12-15 | William Gobush | Low trajectory long distance golf ball |
| US4804189A (en) * | 1983-10-24 | 1989-02-14 | Acushnet Company | Multiple dimple golf ball |
| JPS60163674A (ja) * | 1984-02-07 | 1985-08-26 | 株式会社ブリヂストン | ゴルフボ−ル |
| JPH067875B2 (ja) * | 1985-06-07 | 1994-02-02 | 住友ゴム工業株式会社 | ゴルフボ−ル |
| JP2844874B2 (ja) * | 1990-07-27 | 1999-01-13 | 住友ゴム工業株式会社 | ゴルフボール |
-
1981
- 1981-09-19 JP JP56147000A patent/JPS5850744A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5850744A (ja) | 1983-03-25 |
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