JPH0473317B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0473317B2 JPH0473317B2 JP58164953A JP16495383A JPH0473317B2 JP H0473317 B2 JPH0473317 B2 JP H0473317B2 JP 58164953 A JP58164953 A JP 58164953A JP 16495383 A JP16495383 A JP 16495383A JP H0473317 B2 JPH0473317 B2 JP H0473317B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- passivation film
- magnetoresistive element
- magnetic
- thin film
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は僅かな距離を隔てて移動する磁気記録
媒体上に磁気記録（による磁界）を検出する磁気
抵抗素子の保護被膜に関する。
媒体上に磁気記録（による磁界）を検出する磁気
抵抗素子の保護被膜に関する。
NC工作機械等に使用するモータの回転数及び
角度を正確に測定する手段として、磁気パターン
を設けた磁気ドラムと、この回転磁気ドラムから
の漏れ磁束を検出する磁気抵抗素子とを用いた磁
気エンコーダが従来から用いられている。
角度を正確に測定する手段として、磁気パターン
を設けた磁気ドラムと、この回転磁気ドラムから
の漏れ磁束を検出する磁気抵抗素子とを用いた磁
気エンコーダが従来から用いられている。
第１図はかかる磁気エンコーダの一例の要部側
断面図である。モータ１によつて駆動されるシヤ
フト２に、全周面に亙つて一定のピツチλで着磁
された磁気パターンを有する磁気記録媒体（例え
ば、Co−γFe2O3）を備えた磁気ドラム３が結合
されている。又、回転体のハウジングに固定され
た支持台４上にはガラス基板５（例えば米コーニ
ング社製7059ガラス）上に形成された強磁性薄膜
導体６（例えばNi−Fe合金）及び保護膜７（無
機パツシベーシヨン膜）からなる磁気抵抗素子８
が固定されている。なお、この磁気抵抗素子８の
強磁性薄膜導体６は前記磁気ドラム３の周面上の
磁気記録媒体と一定のスペーシング９を隔てて対
向している。
断面図である。モータ１によつて駆動されるシヤ
フト２に、全周面に亙つて一定のピツチλで着磁
された磁気パターンを有する磁気記録媒体（例え
ば、Co−γFe2O3）を備えた磁気ドラム３が結合
されている。又、回転体のハウジングに固定され
た支持台４上にはガラス基板５（例えば米コーニ
ング社製7059ガラス）上に形成された強磁性薄膜
導体６（例えばNi−Fe合金）及び保護膜７（無
機パツシベーシヨン膜）からなる磁気抵抗素子８
が固定されている。なお、この磁気抵抗素子８の
強磁性薄膜導体６は前記磁気ドラム３の周面上の
磁気記録媒体と一定のスペーシング９を隔てて対
向している。
従来、この種の磁気抵抗素子の保護膜として
は、半導体IC、LSIのチツプ等におけると同様
に、SiO2、Si3N4、Al2O3等をスパツタリングあ
るいはCVD法によつて被着したものが一般に用
いられている。
は、半導体IC、LSIのチツプ等におけると同様
に、SiO2、Si3N4、Al2O3等をスパツタリングあ
るいはCVD法によつて被着したものが一般に用
いられている。
第２図は、このような従来の磁気抵抗素子の一
例の断面図である。ガラス基板５（たとえば前記
7059ガラス）の上に強磁性薄膜導体６（例えば
Ni−Fe合金）が形成され、その上に、一部を残
してSiO2等のスパツタリングその他の方法によ
つて形成された無機パツシベーシヨン膜７が被着
されている。前記一部露出した強磁性薄膜導体６
の上には電気的な接続端子としてのボンデイング
パツド１０が形成されている。
例の断面図である。ガラス基板５（たとえば前記
7059ガラス）の上に強磁性薄膜導体６（例えば
Ni−Fe合金）が形成され、その上に、一部を残
してSiO2等のスパツタリングその他の方法によ
つて形成された無機パツシベーシヨン膜７が被着
されている。前記一部露出した強磁性薄膜導体６
の上には電気的な接続端子としてのボンデイング
パツド１０が形成されている。
しかし、このようなスパツタリング等の方法に
よつて形成された１〜2μm程度の厚みの無機パツ
シベーシヨン膜７には、往々第３図に示すように
微小なピンホール１１が残存し、そこから浸入し
た水分や有害ガス等によつて内部の強磁性薄膜導
体６が損なわれるという問題が有つた。
よつて形成された１〜2μm程度の厚みの無機パツ
シベーシヨン膜７には、往々第３図に示すように
微小なピンホール１１が残存し、そこから浸入し
た水分や有害ガス等によつて内部の強磁性薄膜導
体６が損なわれるという問題が有つた。
同様な問題は、SiO2等を保護膜として被着し
た半導体ICやLSIにおいても当然発生するが、こ
れらの場合には、チツプをセラミツクス等のパツ
ケージ内に収容したり、プラスチツクレジンでモ
ールドする方法が採られ、実用上問題がない程度
の防湿、防ガス性が得られている。
た半導体ICやLSIにおいても当然発生するが、こ
れらの場合には、チツプをセラミツクス等のパツ
ケージ内に収容したり、プラスチツクレジンでモ
ールドする方法が採られ、実用上問題がない程度
の防湿、防ガス性が得られている。
しかし、磁気エンコーダの場合のように検出し
ようとする磁界が、基体（デイスク、ドラム）上
に薄く塗布された磁性媒体膜を等間隔に着磁して
形成された磁化部分（磁気記録）から発生する磁
界であるような場合には、前記磁性媒体膜面から
強磁性薄膜導体６の面までの距離スペーシング９
を数十〜数百μmにセツテイングしなければなら
ず、前述したようなパツケージ内に収容したり、
プラスチツクレジンでモールドすることは、構造
上不可能に近く、また前述したスペーシング調整
の時に、磁気抵抗素子を誤つて前記基体上の磁性
媒体膜に接触させ、磁気抵抗素子上の無機パツシ
ベーシヨン膜７が剥がれたり傷が付くというよう
な問題があり、さらに磁気抵抗素子は腐食、断線
等の大きな被害を受け、その信頼性が著しく阻害
される。
ようとする磁界が、基体（デイスク、ドラム）上
に薄く塗布された磁性媒体膜を等間隔に着磁して
形成された磁化部分（磁気記録）から発生する磁
界であるような場合には、前記磁性媒体膜面から
強磁性薄膜導体６の面までの距離スペーシング９
を数十〜数百μmにセツテイングしなければなら
ず、前述したようなパツケージ内に収容したり、
プラスチツクレジンでモールドすることは、構造
上不可能に近く、また前述したスペーシング調整
の時に、磁気抵抗素子を誤つて前記基体上の磁性
媒体膜に接触させ、磁気抵抗素子上の無機パツシ
ベーシヨン膜７が剥がれたり傷が付くというよう
な問題があり、さらに磁気抵抗素子は腐食、断線
等の大きな被害を受け、その信頼性が著しく阻害
される。
本発明の目的は、上記従来の磁気抵抗素子の如
き問題のない、薄い保護膜によつて十分な耐湿、
耐蝕性および強度を確保できるようにした磁気抵
抗素子を提供することにある。
き問題のない、薄い保護膜によつて十分な耐湿、
耐蝕性および強度を確保できるようにした磁気抵
抗素子を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明においては、
磁気抵抗素子の強磁性薄膜導体の保護膜の最外層
を、この素子に対向して移動する検出対象磁気記
録媒体（デイスク、ドラム）の表面層よりも機械
的に強い非磁性材料により形成した。
磁気抵抗素子の強磁性薄膜導体の保護膜の最外層
を、この素子に対向して移動する検出対象磁気記
録媒体（デイスク、ドラム）の表面層よりも機械
的に強い非磁性材料により形成した。
第４図は本発明一実施例の断面図で、第３図の
場合と同一の符号はそれぞれ同じものを示す。第
４図に於いて、ガラス基板５の上に強磁性薄膜導
体６が形成され、その上にボンデイングパツド１
０の部分を除いて、無機パツシベーシヨン膜７及
び有機パツシベーシヨン膜１２が積層形成され、
その上に接着剤１３により薄膜ガラス（例え米コ
ーニング社製のマクロシート又はそれを研磨した
厚さ数十〜数百μmのもの）１４が被着されてい
る。上記無機パツシベーシヨン膜７は、例えば
SiO2、Si3N4もしくはAl2O3等をスパツタリング
とかCVD等の手法により被着して形成される。
また有機パツシベーシヨン膜１２は、ポリイミド
系樹脂のワニス（例えば日立化成社製”PIQ”）
を塗布することによつて形成される。このよう
に、保護膜を２層構造とし、従来のSiO2等の被
着処理によつて形成される無機パツシベーシヨン
膜７の上に有機パツシベーシヨン膜１２を積層し
たことにより、無機パツシベーシヨン膜７にピン
ホール１１が残存した場合でも、該ピンホール１
１は、有機パツシベーシヨン膜１２の形成過程に
おいては流動性に富む有機材料を塗布するので、
これによつて埋められる。この結果、強磁性薄膜
導体６の露出する部分の発生する可能性はなくな
り、高湿あるいは腐食性の雰囲気に対する信頼性
が向上する。しかし、有機パツシベーシヨン膜１
２は、膜質が軟らかであり、回転磁気エンコーダ
の場合のように基体（デイスク、ドラムなど）上
の磁気記録面に対して磁気抵抗素子の強磁性薄膜
導体６の面までのスペーシング９（数十〜数百
μm）をセツテイングしようとした場合、基体の
磁気記録面などに接触し、容易に剥がれたり、傷
がつくという問題があつた。このため、有機パツ
シベーシヨン膜１２の上に更に薄膜ガラス１４を
積層させることにより、機械的信頼性も向上させ
るようにした。なお、上述した実施例において
は、無機パツシベーシヨン膜上に有機パツシベー
シヨン膜および薄膜ガラスを積層する場合につい
てのみ説明したが、薄膜ガラスを最上層とする場
合、下層の保護膜は有機、無機どちらか一種類だ
けで形成しても良い。
場合と同一の符号はそれぞれ同じものを示す。第
４図に於いて、ガラス基板５の上に強磁性薄膜導
体６が形成され、その上にボンデイングパツド１
０の部分を除いて、無機パツシベーシヨン膜７及
び有機パツシベーシヨン膜１２が積層形成され、
その上に接着剤１３により薄膜ガラス（例え米コ
ーニング社製のマクロシート又はそれを研磨した
厚さ数十〜数百μmのもの）１４が被着されてい
る。上記無機パツシベーシヨン膜７は、例えば
SiO2、Si3N4もしくはAl2O3等をスパツタリング
とかCVD等の手法により被着して形成される。
また有機パツシベーシヨン膜１２は、ポリイミド
系樹脂のワニス（例えば日立化成社製”PIQ”）
を塗布することによつて形成される。このよう
に、保護膜を２層構造とし、従来のSiO2等の被
着処理によつて形成される無機パツシベーシヨン
膜７の上に有機パツシベーシヨン膜１２を積層し
たことにより、無機パツシベーシヨン膜７にピン
ホール１１が残存した場合でも、該ピンホール１
１は、有機パツシベーシヨン膜１２の形成過程に
おいては流動性に富む有機材料を塗布するので、
これによつて埋められる。この結果、強磁性薄膜
導体６の露出する部分の発生する可能性はなくな
り、高湿あるいは腐食性の雰囲気に対する信頼性
が向上する。しかし、有機パツシベーシヨン膜１
２は、膜質が軟らかであり、回転磁気エンコーダ
の場合のように基体（デイスク、ドラムなど）上
の磁気記録面に対して磁気抵抗素子の強磁性薄膜
導体６の面までのスペーシング９（数十〜数百
μm）をセツテイングしようとした場合、基体の
磁気記録面などに接触し、容易に剥がれたり、傷
がつくという問題があつた。このため、有機パツ
シベーシヨン膜１２の上に更に薄膜ガラス１４を
積層させることにより、機械的信頼性も向上させ
るようにした。なお、上述した実施例において
は、無機パツシベーシヨン膜上に有機パツシベー
シヨン膜および薄膜ガラスを積層する場合につい
てのみ説明したが、薄膜ガラスを最上層とする場
合、下層の保護膜は有機、無機どちらか一種類だ
けで形成しても良い。
また２層にする場合、先に流動性に富む有機材
料によつて構成された有機パツシベーシヨン膜で
被覆し、その上に無機パツシベーシヨン膜を形成
しても良い。有機パツシベーシヨン膜は軟らかい
ため緩衝効果を有している。
料によつて構成された有機パツシベーシヨン膜で
被覆し、その上に無機パツシベーシヨン膜を形成
しても良い。有機パツシベーシヨン膜は軟らかい
ため緩衝効果を有している。
更に薄膜ガラスの代わりに機械的強度の大きい
樹脂等を使用しても良い。
樹脂等を使用しても良い。
以上説明したように本発明によれば、基板上に
形成された強磁性薄膜導体を覆う保護膜を、最外
層に頑強な材料を用いる多層構造としたため、十
分な耐湿、耐蝕性および機械的強度を有する信頼
性の向上した磁気抵抗素子が得られる。
形成された強磁性薄膜導体を覆う保護膜を、最外
層に頑強な材料を用いる多層構造としたため、十
分な耐湿、耐蝕性および機械的強度を有する信頼
性の向上した磁気抵抗素子が得られる。
第１図は磁気エンコーダの一例の要部側断面
図、第２，３図は従来の磁気抵抗素子を示す断面
図、第４図は本発明一実施例の断面図である。 ５…ガラス基板、６…強磁性薄膜導体、７…無
機パツシベーシヨン膜、１０…ボンデイングパツ
ド、１１…ピンホール、１２…有機パツシベーシ
ヨン膜、１３…接着剤、１４…薄膜ガラス。
図、第２，３図は従来の磁気抵抗素子を示す断面
図、第４図は本発明一実施例の断面図である。 ５…ガラス基板、６…強磁性薄膜導体、７…無
機パツシベーシヨン膜、１０…ボンデイングパツ
ド、１１…ピンホール、１２…有機パツシベーシ
ヨン膜、１３…接着剤、１４…薄膜ガラス。
Claims (1)
- １ 基板と、基板上に形成され外部磁界の有無に
より電気抵抗が変化する強磁性薄膜導体と、この
強磁性薄膜導体上に無機パツシベーシヨン膜およ
び有機パツシベーシヨン膜が順次積層形成され、
磁気記録媒体としてCo−γFe2O3が形成された磁
気ドラムに書き込まれた磁気パターンを検出する
磁気抵抗素子において、前記磁気抵抗素子の前記
有機パツシベーシヨン膜上には薄板ガラスが形成
されていることを特徴とする磁気抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58164953A JPS6057687A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58164953A JPS6057687A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 磁気抵抗素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6057687A JPS6057687A (ja) | 1985-04-03 |
| JPH0473317B2 true JPH0473317B2 (ja) | 1992-11-20 |
Family
ID=15802997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58164953A Granted JPS6057687A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057687A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5931878B2 (ja) * | 1976-02-10 | 1984-08-04 | 電気音響株式会社 | 磁気センタ−装置 |
-
1983
- 1983-09-09 JP JP58164953A patent/JPS6057687A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6057687A (ja) | 1985-04-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0473317B2 (ja) | ||
| US6483298B2 (en) | Test simulation of a read/write head | |
| JP4228036B2 (ja) | 位置検出装置 | |
| US7300712B2 (en) | Magnetic sensor and position detector | |
| JP2002189069A (ja) | 磁気センサおよびその製造方法 | |
| US6258515B1 (en) | Pattern forming method | |
| US20020093766A1 (en) | "shrink wrap" conformal coating of a chip-on-suspension in a hard disk drive system | |
| JPH0478035B2 (ja) | ||
| CA1212469A (en) | Method of manufacturing magnetic thin film transducer head | |
| JPH0144025B2 (ja) | ||
| JP4244470B2 (ja) | 非接触型ｉｃラベルおよびその製造方法 | |
| JP2005039010A (ja) | 磁気センサ | |
| JPS5984410A (ja) | ロ−タリトランス | |
| JPS63108516A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの保護膜の構造 | |
| KR920008215B1 (ko) | 박막자기헤드 및 그 제조방법 | |
| JP2001066151A (ja) | 磁気センサーおよび磁気式エンコーダーとその製造方法 | |
| JPH0473318B2 (ja) | ||
| JPH1146023A (ja) | 薄膜センサ素子及びその製造方法 | |
| JP2003139830A (ja) | 検出器、位置検出装置 | |
| WO2005112008A1 (ja) | 薄膜磁気ヘッド用基板およびその製造方法 | |
| JPS62159316A (ja) | 薄膜磁気ヘツド用基板 | |
| JPS6113412A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH08184463A (ja) | 磁気情報検出装置 | |
| JPH0729124A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPH04168616A (ja) | 磁気抵抗効果素子 |