JPH0473834B2 - - Google Patents
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- JPH0473834B2 JPH0473834B2 JP60297022A JP29702285A JPH0473834B2 JP H0473834 B2 JPH0473834 B2 JP H0473834B2 JP 60297022 A JP60297022 A JP 60297022A JP 29702285 A JP29702285 A JP 29702285A JP H0473834 B2 JPH0473834 B2 JP H0473834B2
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は固体撮像装置の駆動方法に関する。
固体撮像装置は小型、軽量、長寿命等の優れた
特長を有しておりビデオカメラ等への利用が増加
している。
特長を有しておりビデオカメラ等への利用が増加
している。
従来の固体撮像装置の構成を第８図の断面図に
より説明する。ｐ型基板１の表面側にｎ型領域で
ある電荷転送チヤネル３、ｎ型領域であるフオト
ダイオード２、n+領域であるオーバフロードレ
イン４がそれぞれ形成され、電荷転送チヤネル３
およびこれとフオトダイオード２間のシフトチヤ
ネル５上には転送電極６が、またフオトダイオー
ド２とオーバフロードレイン４間の上にはオーバ
フロー制御ゲート７がそれぞれ設けられている。
より説明する。ｐ型基板１の表面側にｎ型領域で
ある電荷転送チヤネル３、ｎ型領域であるフオト
ダイオード２、n+領域であるオーバフロードレ
イン４がそれぞれ形成され、電荷転送チヤネル３
およびこれとフオトダイオード２間のシフトチヤ
ネル５上には転送電極６が、またフオトダイオー
ド２とオーバフロードレイン４間の上にはオーバ
フロー制御ゲート７がそれぞれ設けられている。
このような固体撮像装置の動作を第９図ないし
第１３図を参照して説明する。
第１３図を参照して説明する。
第９図はオーバフロー制御ゲート７に所定のパ
ルス電圧を印加し、転送電極６には何も印加され
ていない状態を示している。この場合シフトチヤ
ネル５の電位１２はほぼ０でシフトチヤネルは閉
じられており、フオトダイオード２の電荷蓄積層
に蓄積された信号電荷１３は転送されない。な
お、転送チヤネル電位は参照番号１１で示されて
いる。また、オーバフロー制御ゲート７下の電位
はパルス電圧の印加によつて通常のレベル１４ａ
からレベル１４ｂに上昇する。したがつて光電変
換により蓄積された電荷がレベル１４ａよりも降
下したときは過剰電荷はオーバフロードレイン４
に流れ込み、ドレイン電位１５を形成する。
ルス電圧を印加し、転送電極６には何も印加され
ていない状態を示している。この場合シフトチヤ
ネル５の電位１２はほぼ０でシフトチヤネルは閉
じられており、フオトダイオード２の電荷蓄積層
に蓄積された信号電荷１３は転送されない。な
お、転送チヤネル電位は参照番号１１で示されて
いる。また、オーバフロー制御ゲート７下の電位
はパルス電圧の印加によつて通常のレベル１４ａ
からレベル１４ｂに上昇する。したがつて光電変
換により蓄積された電荷がレベル１４ａよりも降
下したときは過剰電荷はオーバフロードレイン４
に流れ込み、ドレイン電位１５を形成する。
第１０図はオーバフロー制御ゲート７には何も
印加されず、シフトチヤネル６にパルス状電圧が
印加された様子を示しており、転送チヤネル電位
１１′およびシフトチヤネル電位１２′は第９図に
比べて上昇しているため光電変換により蓄積され
た電荷１３は転送電極間へ流れ込むことになる。
印加されず、シフトチヤネル６にパルス状電圧が
印加された様子を示しており、転送チヤネル電位
１１′およびシフトチヤネル電位１２′は第９図に
比べて上昇しているため光電変換により蓄積され
た電荷１３は転送電極間へ流れ込むことになる。
第１１図は実際の固体撮像装置の駆動における
オーバフロー制御ゲート７および転送電極６にそ
れぞれ印加されるパルスPOFおよびPTRを示してお
り、tINTごとに発生される短いパルスであるPTRに
対し、POFはtINT内の時間tINT1だけレベルVBのハイ
信号で残りのtINT2の間はロー信号となつている。
オーバフロー制御ゲート７および転送電極６にそ
れぞれ印加されるパルスPOFおよびPTRを示してお
り、tINTごとに発生される短いパルスであるPTRに
対し、POFはtINT内の時間tINT1だけレベルVBのハイ
信号で残りのtINT2の間はロー信号となつている。
PTRが到来することによつて蓄積された信号電
荷は電荷転送チヤネル３に移送され信号読出しが
行なわれ、その後はシフトチヤネル５を閉じ、オ
ーバフロー制御ゲートを開けることにより過剰電
荷を排出しておき、tINT2の期間ではオーバフロー
電位を下降させておき、最大電荷蓄積量を増加さ
せるようにしている。
荷は電荷転送チヤネル３に移送され信号読出しが
行なわれ、その後はシフトチヤネル５を閉じ、オ
ーバフロー制御ゲートを開けることにより過剰電
荷を排出しておき、tINT2の期間ではオーバフロー
電位を下降させておき、最大電荷蓄積量を増加さ
せるようにしている。
ここで蓄積時間ｔに対するフオトダイオードの
ｎ層２に蓄積される電荷量QPの関係を第１２図
のグラフに示す。このグラフは横軸を時間ｔ、縦
軸をフオトダイオードｎ層における蓄積電荷量
QPとしており、傾きは光強度IPを表わす。
ｎ層２に蓄積される電荷量QPの関係を第１２図
のグラフに示す。このグラフは横軸を時間ｔ、縦
軸をフオトダイオードｎ層における蓄積電荷量
QPとしており、傾きは光強度IPを表わす。
時間tINT1の間はオーバフロー電位が高くなつて
いるため、このときの最大電荷量QPM1がよりtINT1
よりも短い時間で電荷蓄積が行なわれる場合、す
なわち光強度が座標（tINT1，QPM1）を通る場合の
傾きIPM1よりも急である場合にはオーバフローが
生ずる。第１２図中の直線１６はこのような場合
を示しており、直線１７は飽和しない場合の例を
示している。
いるため、このときの最大電荷量QPM1がよりtINT1
よりも短い時間で電荷蓄積が行なわれる場合、す
なわち光強度が座標（tINT1，QPM1）を通る場合の
傾きIPM1よりも急である場合にはオーバフローが
生ずる。第１２図中の直線１６はこのような場合
を示しており、直線１７は飽和しない場合の例を
示している。
時間tINT1が経過するとオーバフロー制御ゲート
が閉じるため最大蓄積電荷量はQPM2まで増加す
る。
が閉じるため最大蓄積電荷量はQPM2まで増加す
る。
したがつて時間tINTによる蓄積動作によつて読
み出される電荷量QP′と光強度IPとの関係は第１
３図のグラフに示されるようにIPM1において折れ
点Ｃを有する２つの直線ＡおよびＢを組合わせた
ものとする。このような光電変換特性はニー特性
と称され、強い光に対するダイナミツクレンジを
広げるのに有効である。
み出される電荷量QP′と光強度IPとの関係は第１
３図のグラフに示されるようにIPM1において折れ
点Ｃを有する２つの直線ＡおよびＢを組合わせた
ものとする。このような光電変換特性はニー特性
と称され、強い光に対するダイナミツクレンジを
広げるのに有効である。
しかしながら、このようなニー特性を実現する
ためにはフオトダイオードから電荷転送チヤネル
へ電荷を移動させるシフトパルスに応じた制御パ
ルスをオーバフロー制御ゲートに印加しなければ
ならず、制御が複雑となる。
ためにはフオトダイオードから電荷転送チヤネル
へ電荷を移動させるシフトパルスに応じた制御パ
ルスをオーバフロー制御ゲートに印加しなければ
ならず、制御が複雑となる。
特に第１４図に断面構造を示す縦型オーバフロ
ドレインにおいてはニー特性の実現が困難であ
る。
ドレインにおいてはニー特性の実現が困難であ
る。
すなわち、この構造ではｎ型基板２１内に形成
されたｐウエル２２に形成されたフオトダイオー
ド１、ゲート２６により電荷がシフトされる電荷
転送チヤネル２５を有しており、フオトダイオー
ド１の直下のｐウエルは不純物濃度が低い浅いウ
エル２３となつている。この構造において、ｎ型
基板２１に逆バイアス電圧を印加しておき、フオ
トダイオードｎ層２４の過剰電荷を浅いウエル２
３を介してｎ型基板２１に排出することができる
が、この浅いウエル２３の電位変化は電界の二次
元的拡がり等によりｎ型基板の逆バイアス電圧の
変化に比べて約1/5程度とかなり小さい。したが
つてオーバフロー制御のための電圧パルスの振幅
を数十Ｖの高電圧にしなければニー特性が得られ
ないこととなり、実現が困難である。
されたｐウエル２２に形成されたフオトダイオー
ド１、ゲート２６により電荷がシフトされる電荷
転送チヤネル２５を有しており、フオトダイオー
ド１の直下のｐウエルは不純物濃度が低い浅いウ
エル２３となつている。この構造において、ｎ型
基板２１に逆バイアス電圧を印加しておき、フオ
トダイオードｎ層２４の過剰電荷を浅いウエル２
３を介してｎ型基板２１に排出することができる
が、この浅いウエル２３の電位変化は電界の二次
元的拡がり等によりｎ型基板の逆バイアス電圧の
変化に比べて約1/5程度とかなり小さい。したが
つてオーバフロー制御のための電圧パルスの振幅
を数十Ｖの高電圧にしなければニー特性が得られ
ないこととなり、実現が困難である。
本発明はこのような問題を解決するためなされ
たもので、オーバフロー電位のパルス変調が不要
で容易にニー特性を実現できる固体撮像装置の駆
動方法を提供することを目的とする。
たもので、オーバフロー電位のパルス変調が不要
で容易にニー特性を実現できる固体撮像装置の駆
動方法を提供することを目的とする。
本発明は、入射光を光電変換して信号電荷を発
生すると共にこの信号電荷を蓄積する電荷蓄積層
を有する複数の光電変換部と、この光電変換部に
蓄積された信号電荷を読み出して蓄積する蓄積領
域およびこの蓄積領域に蓄積された信号電荷を転
送する転送手段を含む電荷読出手段と、前記光電
変換部で発生した過剰電荷を排出する過剰電荷排
出手段とを備えた固体撮像装置の駆動方法におい
て、前記電荷転送手段に印加される電荷読出期間
を規定するパルスの幅を光照射強度に応じて変動
させると共に、前記光電変換部と前記過剰電荷排
出手段との間のゲートにおける障壁電位を前記パ
ルス印加時の前記光電変換部と前記前記転送手段
間のチヤネルにおける障壁電位よりも低くしたこ
とを特徴とするものである。したがつてオーバフ
ロー制御電位を変化させることなくダイナミツク
レンジを拡げることができる。
生すると共にこの信号電荷を蓄積する電荷蓄積層
を有する複数の光電変換部と、この光電変換部に
蓄積された信号電荷を読み出して蓄積する蓄積領
域およびこの蓄積領域に蓄積された信号電荷を転
送する転送手段を含む電荷読出手段と、前記光電
変換部で発生した過剰電荷を排出する過剰電荷排
出手段とを備えた固体撮像装置の駆動方法におい
て、前記電荷転送手段に印加される電荷読出期間
を規定するパルスの幅を光照射強度に応じて変動
させると共に、前記光電変換部と前記過剰電荷排
出手段との間のゲートにおける障壁電位を前記パ
ルス印加時の前記光電変換部と前記前記転送手段
間のチヤネルにおける障壁電位よりも低くしたこ
とを特徴とするものである。したがつてオーバフ
ロー制御電位を変化させることなくダイナミツク
レンジを拡げることができる。
以下図面を参照しながら本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
第３図および第４図は本発明が適用される固体
撮像装置の構成を説明するもので第３図は固体撮
像装置の平面図、第４図はそのX1−X2断面図で
あり、第８図に示したものと同じ部分には同じ符
号を付けてその詳細な説明を省略する。これによ
れば第４図では電荷転送チヤネルの次の電極８，
９が描かれている点だけが異なり、その構成は全
く同じである。
撮像装置の構成を説明するもので第３図は固体撮
像装置の平面図、第４図はそのX1−X2断面図で
あり、第８図に示したものと同じ部分には同じ符
号を付けてその詳細な説明を省略する。これによ
れば第４図では電荷転送チヤネルの次の電極８，
９が描かれている点だけが異なり、その構成は全
く同じである。
第１図は本発明における駆動方法を示す電位分
布図であつて第４図に対応させて描いてある。
布図であつて第４図に対応させて描いてある。
本発明においては転送電極６に加えるパルスの
幅を光強度に応じて長くし、オーバフロー制御ゲ
ートには一定の低い電圧を印加するようにする。
第２図は転送電極に印加されるパルスを示す波形
図であつて、第２図ａは従来の制御パルスPTRと
ほぼ同じ長さtFS1のパルス、第２図ｂ第２図ｃは
これよりも長いパルスを示している。これらのパ
ルス幅としては例えば1μs〜1msの広い範囲で選
択することができる。
幅を光強度に応じて長くし、オーバフロー制御ゲ
ートには一定の低い電圧を印加するようにする。
第２図は転送電極に印加されるパルスを示す波形
図であつて、第２図ａは従来の制御パルスPTRと
ほぼ同じ長さtFS1のパルス、第２図ｂ第２図ｃは
これよりも長いパルスを示している。これらのパ
ルス幅としては例えば1μs〜1msの広い範囲で選
択することができる。
第２の転送電極８をローレベルに保つておけば
その下のチヤネル電位は３１で示されるレベルで
あり、またオーバフロー制御ゲート７には３１よ
りもわずかに高いレベル３２を与える定電圧を加
えているものとする。また、転送電極６に加えら
れる電圧によつてシフトチヤネル５下の電位は３
３に、転送チヤネル３の電位は３４になる。
その下のチヤネル電位は３１で示されるレベルで
あり、またオーバフロー制御ゲート７には３１よ
りもわずかに高いレベル３２を与える定電圧を加
えているものとする。また、転送電極６に加えら
れる電圧によつてシフトチヤネル５下の電位は３
３に、転送チヤネル３の電位は３４になる。
このようにシフトチヤネルが開いているときに
フオトダイオード２から転送チヤネル３へ向つて
流れ込む電荷量は光の強さに比例する。したがつ
て光が強いときは転送電極６に加えるパルスの幅
を長くとることによりフオトダイオードのｎ層２
と転送チヤネル３の全体に電荷を蓄積することが
でき、転送電極６の電位が低下したときは転送電
極の障壁電位よりもオーバフロー制御ゲートの障
壁電位が低くなるため、過剰電荷をオーバフロー
ドレイン側へ捨てることができる。
フオトダイオード２から転送チヤネル３へ向つて
流れ込む電荷量は光の強さに比例する。したがつ
て光が強いときは転送電極６に加えるパルスの幅
を長くとることによりフオトダイオードのｎ層２
と転送チヤネル３の全体に電荷を蓄積することが
でき、転送電極６の電位が低下したときは転送電
極の障壁電位よりもオーバフロー制御ゲートの障
壁電位が低くなるため、過剰電荷をオーバフロー
ドレイン側へ捨てることができる。
第１図中３６で示したのはフオトダイオードに
蓄積され時間tFS内に読み出された電荷、３７は
tFSの期間内に光電変換され、信号成分として使
われる電荷、３８は過大光照射時にtFS期間で発
生した過剰電荷でtFS期間経過後にオーバフロー
ドレイン４に捨てられるものをそれぞれ示してい
る。
蓄積され時間tFS内に読み出された電荷、３７は
tFSの期間内に光電変換され、信号成分として使
われる電荷、３８は過大光照射時にtFS期間で発
生した過剰電荷でtFS期間経過後にオーバフロー
ドレイン４に捨てられるものをそれぞれ示してい
る。
ここで期間tFSのシフトパルス電圧の印加によ
つて転送電極６下の埋め込みチヤネル３に読み出
される電荷量QSは次の式で表わされる。
つて転送電極６下の埋め込みチヤネル３に読み出
される電荷量QSは次の式で表わされる。
QS＝ηIP（tINT＋tFS）…… （IP≦IPM）
＝ηIPtFS＋QPM…… （IPM＜IP＜ISM）
＝QIM…… （ISM＜IP）
ここにη：光電変換係数、
IP：照射光強度、
ISM：QS＝QIMとなる照射光強度、
tIMT：シフトパルスが印加されないフオト
ダイオードの蓄積期間、 QIM：最終飽和電荷量である。
ダイオードの蓄積期間、 QIM：最終飽和電荷量である。
したがつてIPがIPM＜IP＜ISMの期間ではQSはIPと
tFSの積に比例し、tFSの時間を適宜選択すること
によつて光電変換曲線の傾きQS／ηtFSを設定する
ことができる。
tFSの積に比例し、tFSの時間を適宜選択すること
によつて光電変換曲線の傾きQS／ηtFSを設定する
ことができる。
第５図はその様子を示したもので、第２図ａ，
ｂ，ｃに対応して読出し電荷量直線４１，４２，
４３が定められることがわかる。また、この光電
変換曲線はIPMにおいて折れ曲り点を有するニー
特性を持つていることがわかる。
ｂ，ｃに対応して読出し電荷量直線４１，４２，
４３が定められることがわかる。また、この光電
変換曲線はIPMにおいて折れ曲り点を有するニー
特性を持つていることがわかる。
また、QPMの電荷量はオーバフロー制御ゲート
の高さによつて異なるから、オーバフロー制御ゲ
ート７の電位を変えることによりニー曲線の折れ
曲り点（ニーポイント）を変えることができる。
第６図はその様子を示すグラフであつて、オーバ
フロー電位V1，V2，V3（V1＞V2＞V3）に対応し
てニーポイントが５１，５２，５３と変わつてい
ることがわかる。
の高さによつて異なるから、オーバフロー制御ゲ
ート７の電位を変えることによりニー曲線の折れ
曲り点（ニーポイント）を変えることができる。
第６図はその様子を示すグラフであつて、オーバ
フロー電位V1，V2，V3（V1＞V2＞V3）に対応し
てニーポイントが５１，５２，５３と変わつてい
ることがわかる。
なお、ニーポイントの変動はシフトパルス電圧
を低くしても実現できる。
を低くしても実現できる。
第６図は本発明の駆動方法を可能ならしめる固
体撮像システムを示すもので、固体撮像装置６１
にこれを駆動するための駆動パルス発生回路６２
と読出した信号を処理する信号処理回路６３とが
接続された通常の構成に加えて光量を検出する光
量検出器６５とその出力を入力して読出しパルス
幅を設定する読出しパルス幅設定回路６４が設け
られ駆動パルス発生回路６２との間で信号を交換
している。ここで光量検出器は例えばフオトトラ
ンジスタであつて被写体の平均光量を検出し、読
出しパルス幅設定回路は例えばカウンタを備えて
得られた光量によつて適当なカウント値を駆動パ
ルス発生回路に送り適当な時間幅を有する読出し
パルスを発生させるものである。
体撮像システムを示すもので、固体撮像装置６１
にこれを駆動するための駆動パルス発生回路６２
と読出した信号を処理する信号処理回路６３とが
接続された通常の構成に加えて光量を検出する光
量検出器６５とその出力を入力して読出しパルス
幅を設定する読出しパルス幅設定回路６４が設け
られ駆動パルス発生回路６２との間で信号を交換
している。ここで光量検出器は例えばフオトトラ
ンジスタであつて被写体の平均光量を検出し、読
出しパルス幅設定回路は例えばカウンタを備えて
得られた光量によつて適当なカウント値を駆動パ
ルス発生回路に送り適当な時間幅を有する読出し
パルスを発生させるものである。
なお、特別の光量検出器を用いず、第６図の点
線で示すように固体撮像装置中の特定画素出力に
より読出しパルス幅を設定することも可能であ
る。
線で示すように固体撮像装置中の特定画素出力に
より読出しパルス幅を設定することも可能であ
る。
以上のように、任意のニー特性は読出しパルス
tFSの時間、オーバフロー電位、読出し電位を適
宜選択することにより得ることができ、所望のダ
イナミツクレンジを有する固体撮像装置の読出し
駆動が可能になる。
tFSの時間、オーバフロー電位、読出し電位を適
宜選択することにより得ることができ、所望のダ
イナミツクレンジを有する固体撮像装置の読出し
駆動が可能になる。
また、電荷転送装置の最大転送電荷量QTMを読
出し最大電荷量QIMよりも大きく設計しておき、
オーバフロードレインが有効に作用するようにし
ておくことにより過剰電荷のあふれ出し（ブルー
ミング）を確実に防止することができ、ブルーミ
ング防止ドレインを有するフオトダイオードを備
えた固体撮像装置にも本発明を適用することがで
きる。
出し最大電荷量QIMよりも大きく設計しておき、
オーバフロードレインが有効に作用するようにし
ておくことにより過剰電荷のあふれ出し（ブルー
ミング）を確実に防止することができ、ブルーミ
ング防止ドレインを有するフオトダイオードを備
えた固体撮像装置にも本発明を適用することがで
きる。
さらに縦型オーバフロードレイン構造の固体撮
像装置等のオーバフロー電位制御効率の劣るもの
に対してはオーバフロー電位を固定化できる本発
明は最適である。
像装置等のオーバフロー電位制御効率の劣るもの
に対してはオーバフロー電位を固定化できる本発
明は最適である。
以上のように、本発明にかかる固体撮像装置駆
動方法によれば、光電変換部と前記過剰電荷排出
手段との間のゲートにおける障壁電位を前記パル
ス印加時の前記光電変換部と前記前記転送手段間
のチヤネルにおける障壁電位よりも低くするよう
にしているので、過剰電荷排出手段の複雑な制御
を行うことなく広いダイナミツクレンジを確保し
た固体撮像装置の読出しが可能となる。
動方法によれば、光電変換部と前記過剰電荷排出
手段との間のゲートにおける障壁電位を前記パル
ス印加時の前記光電変換部と前記前記転送手段間
のチヤネルにおける障壁電位よりも低くするよう
にしているので、過剰電荷排出手段の複雑な制御
を行うことなく広いダイナミツクレンジを確保し
た固体撮像装置の読出しが可能となる。
また、過剰電荷排出手段の複雑な制御が不要で
あるため縦型オーバフロードレインを有する固体
撮像装置への適用が容易となる。
あるため縦型オーバフロードレインを有する固体
撮像装置への適用が容易となる。
第１図は本発明の方法を説明する電位分布図、
第２図は転送電極６に印加されるパルスを示す波
形図、第３図は固体撮像装置の平面図、第４図は
その断面図、第５図は本発明における光強度と読
出し電荷量との関係を示すグラフ、第６図はニー
ポイントを変更する様子を示すグラフ、第７図は
本発明を実現する装置の構成を示すブロツク図、
第８図は固体撮像装置の断面図、第９図および第
１０図は従来の固体撮像装置の動作を示す電位分
布図、第１１図は従来用いられている制御パルス
を示す波形図、第１２図は時間と蓄積電荷量との
関係を示すグラフ、第１３図はニー特性を説明す
るグラフ、第１４図は縦型オーバフロードレイン
を有する固体撮像装置の一例を示す断面図であ
る。 １…基板、２…フオトダイオード、３…転送チ
ヤネル、４…オーバフロードレイン、５…シフト
チヤネル、６…転送ゲート、７…オーバフロー制
御ゲート、５１，５２，５３…ニーポイント。
第２図は転送電極６に印加されるパルスを示す波
形図、第３図は固体撮像装置の平面図、第４図は
その断面図、第５図は本発明における光強度と読
出し電荷量との関係を示すグラフ、第６図はニー
ポイントを変更する様子を示すグラフ、第７図は
本発明を実現する装置の構成を示すブロツク図、
第８図は固体撮像装置の断面図、第９図および第
１０図は従来の固体撮像装置の動作を示す電位分
布図、第１１図は従来用いられている制御パルス
を示す波形図、第１２図は時間と蓄積電荷量との
関係を示すグラフ、第１３図はニー特性を説明す
るグラフ、第１４図は縦型オーバフロードレイン
を有する固体撮像装置の一例を示す断面図であ
る。 １…基板、２…フオトダイオード、３…転送チ
ヤネル、４…オーバフロードレイン、５…シフト
チヤネル、６…転送ゲート、７…オーバフロー制
御ゲート、５１，５２，５３…ニーポイント。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 入射光を光電変換して信号電荷を発生すると
共にこの信号電荷を蓄積する電荷蓄積層を有する
複数の光電変換部と、この光電変換部に蓄積され
た信号電荷を読み出して蓄積する蓄積領域および
この蓄積領域に蓄積された信号電荷を転送する転
送手段を含む電荷読出手段と、前記光電変換部で
発生した過剰電荷を排出する過剰電荷排出手段と
を備えた固体撮像装置の駆動方法において、前記
電荷転送手段に印加される電荷読出期間を規定す
るパルスの幅を光照射強度に応じて変動させると
共に、前記光電変換部と前記過剰電荷排出手段と
の間のゲートにおける障壁電位を前記パルス印加
時の前記光電変換部と前記前記転送手段間のチヤ
ネルにおける障壁電位よりも低くしたことを特徴
とする固体撮像装置の駆動方法。 ２ 前記光電変換部と前記過剰電荷排出手段との
間のゲートにおける障壁電位が定電位で与えられ
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
固体撮像装置の駆動方法。 ３ 前記蓄積領域における最大蓄積電荷量が前記
転送手段の最大転送電荷量よりも小であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記
載の固体撮像装置の駆動方法。 ４ 前記過剰電荷排出手段がその排出ドレインを
光電変換部の深部に設けた縦型オーバフロードレ
イン構造を有していることを特徴とする特許請求
の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の固
体撮像装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60297022A JPS62157479A (ja) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | 固体撮像装置の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60297022A JPS62157479A (ja) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | 固体撮像装置の駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62157479A JPS62157479A (ja) | 1987-07-13 |
| JPH0473834B2 true JPH0473834B2 (ja) | 1992-11-24 |
Family
ID=17841214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60297022A Granted JPS62157479A (ja) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | 固体撮像装置の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62157479A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63157581A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Hamamatsu Photonics Kk | 固体撮像素子 |
| US5166800A (en) * | 1990-03-26 | 1992-11-24 | Olympus Optical Co., Ltd. | Solid-state imaging device having a widened dynamic range |
| JP2751126B2 (ja) * | 1990-11-01 | 1998-05-18 | キヤノン株式会社 | 階調制御機能を有する撮像装置 |
| JP2000092395A (ja) | 1998-09-11 | 2000-03-31 | Nec Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
| JP3317248B2 (ja) | 1998-09-18 | 2002-08-26 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP4529027B2 (ja) * | 2004-09-06 | 2010-08-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP4658755B2 (ja) * | 2005-09-14 | 2011-03-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
-
1985
- 1985-12-28 JP JP60297022A patent/JPS62157479A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62157479A (ja) | 1987-07-13 |
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|---|---|---|---|
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