JPH0473847B2 - - Google Patents
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- JPH0473847B2 JPH0473847B2 JP59142944A JP14294484A JPH0473847B2 JP H0473847 B2 JPH0473847 B2 JP H0473847B2 JP 59142944 A JP59142944 A JP 59142944A JP 14294484 A JP14294484 A JP 14294484A JP H0473847 B2 JPH0473847 B2 JP H0473847B2
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- Japan
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- liquid crystal
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- ferroelectric liquid
- optical device
- molecules
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/141—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent using ferroelectric liquid crystals
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明はカイラルスメクチツク液晶を用いた強
誘電性液晶電気光学装置に関する。 〔従来の技術〕 液晶は、色々のデイスプレイに使われている。
液晶パネルは小型で薄くさらに消費電力が少ない
等の優れた特性がある。 それ故時計や計算機の表示に多使われている。
これらのデイスプレイにく利用されている液晶は
サーモトロピツク液晶である。所定の温度範囲で
各種の液晶相をとる。この液晶相は層構造を持た
ないネマチツク相（以後Ｎ）と層構造をもつスメ
クチツク相に（以後Sm）大別される。 Smはさらに一軸性のスメクチツクＡ相（以後
SmA）と二軸性のスメクチツクＣ相（以後SmC
に分類される。 層の厚みはだいたい液晶分子１分子の長さに相
当する。 第２図にＮ、SmA、SmCの分子配列を模式的
に示した。第２図ａはＮ、第２図ｂはSmA、第
２図ｃはSmCを示す。 さらに液晶分子が不斉炭素をもち、かつラセミ
体でなければ、らせん構造をとるようになる。 Ｎの場合薄い層内で液晶分子の長軸が層内にあ
り、かつ一方向に向かつて配列するようになる。
そして層内の分子の方向が各層ごとに少しづつね
じれたカイラルネマチツクとなる。第３図は、カ
イラルネマチツクの分子配列を模式的に示した図
である。Smの場合、層の法線方向をらせん軸と
して分子がらせん状に配列し、カイラルスメクチ
ツクＣ相（以後SmC*）となる。 SmC*についてもう少し説明を加える。 一つの層内の液晶分子の長軸方向（以後分子軸
と呼ぶ）は、層の法線方向と角度θだけ傾きこの
角度はどの層でも一定である。 第４図のｂは分子軸と法線方向との関係を示し
ている。 一方、層の法線方向からSmC*の分子配列を見
た場合、方位角は一定の値づつ（第４図のａで
は45゜づつ変化する場合を示している）層毎に回
転し、分子配列はらせん構造を生じる。 また一般にSmC*は、らせん構造をとるだけで
はなく分子軸に垂直な方向に電気双極子を持ち強
誘電性を示す。 強誘電性液晶は、1975年Meyer（J.de.Phys，
36，69，1975）らにより合成されその存在が証明
された。 その時合成された液晶は通称DOBAMSB（２−
メチルブチルＰ−〔（Ｐ−ｎ−デシロキシベンジリ
デン）アミノ〕） と呼ばれ現在でも強誘電性液晶の研究に盛んに使
われている。 SmC*は前述のようにらせん構造をとるが、そ
のらせんの周期は液晶をらせんの周期よりも薄い
1μｍ程度の間隙を有するセルに注入すると、ら
せん構造が消失する。 らせん構造が消失した後の分子配列構造は、第
５図にセル基板との幾可学的な関係とともに示さ
れている。 液晶分子は、セル基板に対して平行になる。 すなわち、分子軸が基板と平行になり、かつ層
の法線方向からθ傾いて液晶分子が配列する。 ここで層の法線方向は基板と平行になつてい
る。それ故層は基板に対して垂直に形成する。層
の法線方向からθ傾く場合、法線から時計回りに
θ傾いているドメインと反時計回りに傾いている
ドメインが混在する。 SmC*液晶分子は、一般に分子軸に垂直な電気
双極子を持つ。一方のドメインではセル基板に対
して電子双極子が上向きに揃つているとすると、
他方ドメインでは下向きに電気双極子が揃う。 このセル基板間に電界を印加すると、セル全体
の液晶分子が層の法線方向から＋θまたは−θ
（＋，−は電気双極子のついている方向により決定
される）傾いた位置に揃う。以後これらを＋θ位
置及び−θ位置と呼ぶ。 電界を上記と逆に印加すると、液晶分子は＋θ
位置から−θ位置へ動くか、または−θ位置から
＋θ位置へ動く。セル全体の分子が＋θ位置かま
たは−θ位置に配列するからこの相構造はSmC
である。セルの間隙を薄くする事によりらせん構
造が消失してSmC相ができたことになる。 しかし、このSmCはらせん構造を持つていた
なごりとして、±θ位置から反対の位置に移動す
る際、第４図のｂに示した円椎に沿つて移動す
る。この二つの状態は非常に安定であり、又二つ
の状態を電界で交互に切りかえる速さは、通常の
TNがmsecオーダであるのに対して、数μsecオ
ーダーである。 すなわち、SmC*を挾持しかつ電極を付した二
枚の基板からなるセルは、メモリー性を有しかつ
非常に高速で二つの状態をとりえる。 これらの性質をカイラルスメクチツク液晶が有
している事を、ClarkとLagerwall（Appl，Phys.
lett.36，899、1980）らが初めて発表した。 また、彼らはもう一つの特性をカイラルスメク
チツク液晶が有している事を主張した。 すなわち、“望ましいしきい値特性”である。
この場合しきい値特性は、TN型液晶における実
効電圧に対するしきい値特性とは異なり、印加さ
れた電圧値のみにする。 しかし、我々の実験でもまた世の中のその他の
研究機関においても、望ましいしきい値特性の存
在を示すデータは出ていない。 そこで、我々は選択的に所望のパルス間を有す
る選択電圧±Vapにより点灯。非点灯を選択し、
該Vapよりも小なる正負の振幅が等しい交流パル
スにより点灯。非点灯状態をメモリーさせる駆動
方法を開発した。 第６図のａ，ｂに上記駆動方法による駆動波形
の一実施例を示した。 第６図のａ，ｂは、それぞれ選択時に、走査電
極からの電位が＋Vap、及び−Vapである駆動波
形である。 該駆動波形でカイラルスメクチツク液晶を駆動
した場合、液晶の配向状態により表示の良し悪し
が大きく影響される。 その理由は、一軸配向処理による分子配向が安
定であり、電圧印加されて基板に分子が平行にな
る状態は、大きな歪を持つているからと考えられ
る。 第７図は、二枚の基板表面に一軸配向処理した
時の、分子配列を示した。 層は、基板の厚み方向に傾いていると考えられ
また分子一つに着目すると、第４図の仮想的なコ
ーンを考えた場合、第８図に示したコーンの頂点
の位置にあると考えられる。 基板に対して平行であり、かつ仮想的なコーン
の頂点の位置にあると考えられる。 基板に対して平行であり、かつ仮想的なコーン
についてもコーンの中心面上の二つの分子位置の
どちらかに分子が初期配向状態から安定して位置
させる事が必要である。 従来この状態を得るには、東工大福田教授が主
張するスペーサ等により分子を横から配向させ、
基板に平行でかつ仮想的コーンの中心面上の位置
をとる方法が知られていた。 しかし、この方法は横配向力を有するスペーサ
をセルの中に多数配置せねばならず工業的に量産
するには困難であつた。 〔問題を解決するための手段〕 基板に平行な安定な二つの位置を分子にもたら
しめ、かつ我々が開発した駆動方法にも適合する
配向方向として次の方法がある。 すなわち、一方の基板は一軸配向性を有する配
向処理を施し、他方の基板は、方向性のないラン
ダムな水平配向処理を施す。 〔作用〕 方向性のないランダムな水平配向処理をした膜
には、文字通りランダムに液晶分子が水平に付着
していると考えられる。 一方もう一枚の基板の一軸配向処理は、分子を
一方向で水平に固定する。 これらの配向によるセル内の分子の配向状態は
次のように考えられる。 第１図はセル内の分子の配向状態を示した模式
図である。図は、一軸配向方向から見た図であ
る。液晶分子は、一軸配向膜上では、ほとんど動
かない。一軸配向膜に付着した分子から数分子層
も全く動かないかまたは極くわずかしか動かない
と考えられる。一方、ランダム水平配向の規制を
受ける分子も、同じく数分子層と考えられ、あま
り動かない。前記一軸配向した領域を一軸配向領
域、ランダム水平配向した領域をランダム水平配
向領域と呼ぶ。 前者は、カイラルスメクチツク液晶を方向の揃
つた均一なドメインを形成するように、分子の配
列方向を規定する。 一方、後者は、一軸配向領域の影響を受けて成
長して来たドメインとの界面をフリーな界面とす
るために役立つている。フリーとは、界面を境と
して、上下の分子間の相互作用が少ないという事
である。よつて、一軸配向膜から成長してきた液
晶分子は、本来最も安定な位置に強制されずに居
る事ができる。その位置は、来板に対して水平
で、仮想的コーンと中心面との交線上に位置す
る。この位置は、±θ位置である。 実施例 １ 一軸配向処理の一実施例として、ポリイミド薄
膜を印刷又はデイツピング等により形成し、その
後一方向にラビング処理である。一方ランダム水
平配向処理の一実施例として、次の処理がある。
すなわちSiO2スパツタ→有機シラン垂直配向化
合物、0.01〜5.0重量％水溶液浸せき→洗浄→乾
燥その後、300℃前後で約30分熱処理する。 前記駆動方法の適合性は、最終の熱処理温度に
大きく依存する。250℃〜350℃が最も適合性が良
い。 有機シラン垂直配向化合物については、 （CH3O）3−（CH2）3−N+（CH3）2 −（CH2）17CH3Cl-（DMOAP） 等の化合物がある。 実施例 ２ 一軸配向処理は実施例１と同等とする。ランダ
ム水平配向処理には、有機シラン化合物を用い
る。有機シラン化合物による配向処理は次のよう
である。 SiO2スパツタ→有機シラン化合物0.01〜5.0重
量％の水溶液に浸せき→洗浄→乾燥という処理で
ある。 有機シラン化合物については、 CH3−NH−（CH2）3−Si（OCH3）3、 NH2−（CH2）2−NH−（CH2）3 −Si（OCH3）、 NH2−（CH2）3−Si（OC2H5）3 Si（OC2H5）4，CH3−Si（OCH3）3、 CH3−（CH2）4−Si（OC2H5）3、
誘電性液晶電気光学装置に関する。 〔従来の技術〕 液晶は、色々のデイスプレイに使われている。
液晶パネルは小型で薄くさらに消費電力が少ない
等の優れた特性がある。 それ故時計や計算機の表示に多使われている。
これらのデイスプレイにく利用されている液晶は
サーモトロピツク液晶である。所定の温度範囲で
各種の液晶相をとる。この液晶相は層構造を持た
ないネマチツク相（以後Ｎ）と層構造をもつスメ
クチツク相に（以後Sm）大別される。 Smはさらに一軸性のスメクチツクＡ相（以後
SmA）と二軸性のスメクチツクＣ相（以後SmC
に分類される。 層の厚みはだいたい液晶分子１分子の長さに相
当する。 第２図にＮ、SmA、SmCの分子配列を模式的
に示した。第２図ａはＮ、第２図ｂはSmA、第
２図ｃはSmCを示す。 さらに液晶分子が不斉炭素をもち、かつラセミ
体でなければ、らせん構造をとるようになる。 Ｎの場合薄い層内で液晶分子の長軸が層内にあ
り、かつ一方向に向かつて配列するようになる。
そして層内の分子の方向が各層ごとに少しづつね
じれたカイラルネマチツクとなる。第３図は、カ
イラルネマチツクの分子配列を模式的に示した図
である。Smの場合、層の法線方向をらせん軸と
して分子がらせん状に配列し、カイラルスメクチ
ツクＣ相（以後SmC*）となる。 SmC*についてもう少し説明を加える。 一つの層内の液晶分子の長軸方向（以後分子軸
と呼ぶ）は、層の法線方向と角度θだけ傾きこの
角度はどの層でも一定である。 第４図のｂは分子軸と法線方向との関係を示し
ている。 一方、層の法線方向からSmC*の分子配列を見
た場合、方位角は一定の値づつ（第４図のａで
は45゜づつ変化する場合を示している）層毎に回
転し、分子配列はらせん構造を生じる。 また一般にSmC*は、らせん構造をとるだけで
はなく分子軸に垂直な方向に電気双極子を持ち強
誘電性を示す。 強誘電性液晶は、1975年Meyer（J.de.Phys，
36，69，1975）らにより合成されその存在が証明
された。 その時合成された液晶は通称DOBAMSB（２−
メチルブチルＰ−〔（Ｐ−ｎ−デシロキシベンジリ
デン）アミノ〕） と呼ばれ現在でも強誘電性液晶の研究に盛んに使
われている。 SmC*は前述のようにらせん構造をとるが、そ
のらせんの周期は液晶をらせんの周期よりも薄い
1μｍ程度の間隙を有するセルに注入すると、ら
せん構造が消失する。 らせん構造が消失した後の分子配列構造は、第
５図にセル基板との幾可学的な関係とともに示さ
れている。 液晶分子は、セル基板に対して平行になる。 すなわち、分子軸が基板と平行になり、かつ層
の法線方向からθ傾いて液晶分子が配列する。 ここで層の法線方向は基板と平行になつてい
る。それ故層は基板に対して垂直に形成する。層
の法線方向からθ傾く場合、法線から時計回りに
θ傾いているドメインと反時計回りに傾いている
ドメインが混在する。 SmC*液晶分子は、一般に分子軸に垂直な電気
双極子を持つ。一方のドメインではセル基板に対
して電子双極子が上向きに揃つているとすると、
他方ドメインでは下向きに電気双極子が揃う。 このセル基板間に電界を印加すると、セル全体
の液晶分子が層の法線方向から＋θまたは−θ
（＋，−は電気双極子のついている方向により決定
される）傾いた位置に揃う。以後これらを＋θ位
置及び−θ位置と呼ぶ。 電界を上記と逆に印加すると、液晶分子は＋θ
位置から−θ位置へ動くか、または−θ位置から
＋θ位置へ動く。セル全体の分子が＋θ位置かま
たは−θ位置に配列するからこの相構造はSmC
である。セルの間隙を薄くする事によりらせん構
造が消失してSmC相ができたことになる。 しかし、このSmCはらせん構造を持つていた
なごりとして、±θ位置から反対の位置に移動す
る際、第４図のｂに示した円椎に沿つて移動す
る。この二つの状態は非常に安定であり、又二つ
の状態を電界で交互に切りかえる速さは、通常の
TNがmsecオーダであるのに対して、数μsecオ
ーダーである。 すなわち、SmC*を挾持しかつ電極を付した二
枚の基板からなるセルは、メモリー性を有しかつ
非常に高速で二つの状態をとりえる。 これらの性質をカイラルスメクチツク液晶が有
している事を、ClarkとLagerwall（Appl，Phys.
lett.36，899、1980）らが初めて発表した。 また、彼らはもう一つの特性をカイラルスメク
チツク液晶が有している事を主張した。 すなわち、“望ましいしきい値特性”である。
この場合しきい値特性は、TN型液晶における実
効電圧に対するしきい値特性とは異なり、印加さ
れた電圧値のみにする。 しかし、我々の実験でもまた世の中のその他の
研究機関においても、望ましいしきい値特性の存
在を示すデータは出ていない。 そこで、我々は選択的に所望のパルス間を有す
る選択電圧±Vapにより点灯。非点灯を選択し、
該Vapよりも小なる正負の振幅が等しい交流パル
スにより点灯。非点灯状態をメモリーさせる駆動
方法を開発した。 第６図のａ，ｂに上記駆動方法による駆動波形
の一実施例を示した。 第６図のａ，ｂは、それぞれ選択時に、走査電
極からの電位が＋Vap、及び−Vapである駆動波
形である。 該駆動波形でカイラルスメクチツク液晶を駆動
した場合、液晶の配向状態により表示の良し悪し
が大きく影響される。 その理由は、一軸配向処理による分子配向が安
定であり、電圧印加されて基板に分子が平行にな
る状態は、大きな歪を持つているからと考えられ
る。 第７図は、二枚の基板表面に一軸配向処理した
時の、分子配列を示した。 層は、基板の厚み方向に傾いていると考えられ
また分子一つに着目すると、第４図の仮想的なコ
ーンを考えた場合、第８図に示したコーンの頂点
の位置にあると考えられる。 基板に対して平行であり、かつ仮想的なコーン
の頂点の位置にあると考えられる。 基板に対して平行であり、かつ仮想的なコーン
についてもコーンの中心面上の二つの分子位置の
どちらかに分子が初期配向状態から安定して位置
させる事が必要である。 従来この状態を得るには、東工大福田教授が主
張するスペーサ等により分子を横から配向させ、
基板に平行でかつ仮想的コーンの中心面上の位置
をとる方法が知られていた。 しかし、この方法は横配向力を有するスペーサ
をセルの中に多数配置せねばならず工業的に量産
するには困難であつた。 〔問題を解決するための手段〕 基板に平行な安定な二つの位置を分子にもたら
しめ、かつ我々が開発した駆動方法にも適合する
配向方向として次の方法がある。 すなわち、一方の基板は一軸配向性を有する配
向処理を施し、他方の基板は、方向性のないラン
ダムな水平配向処理を施す。 〔作用〕 方向性のないランダムな水平配向処理をした膜
には、文字通りランダムに液晶分子が水平に付着
していると考えられる。 一方もう一枚の基板の一軸配向処理は、分子を
一方向で水平に固定する。 これらの配向によるセル内の分子の配向状態は
次のように考えられる。 第１図はセル内の分子の配向状態を示した模式
図である。図は、一軸配向方向から見た図であ
る。液晶分子は、一軸配向膜上では、ほとんど動
かない。一軸配向膜に付着した分子から数分子層
も全く動かないかまたは極くわずかしか動かない
と考えられる。一方、ランダム水平配向の規制を
受ける分子も、同じく数分子層と考えられ、あま
り動かない。前記一軸配向した領域を一軸配向領
域、ランダム水平配向した領域をランダム水平配
向領域と呼ぶ。 前者は、カイラルスメクチツク液晶を方向の揃
つた均一なドメインを形成するように、分子の配
列方向を規定する。 一方、後者は、一軸配向領域の影響を受けて成
長して来たドメインとの界面をフリーな界面とす
るために役立つている。フリーとは、界面を境と
して、上下の分子間の相互作用が少ないという事
である。よつて、一軸配向膜から成長してきた液
晶分子は、本来最も安定な位置に強制されずに居
る事ができる。その位置は、来板に対して水平
で、仮想的コーンと中心面との交線上に位置す
る。この位置は、±θ位置である。 実施例 １ 一軸配向処理の一実施例として、ポリイミド薄
膜を印刷又はデイツピング等により形成し、その
後一方向にラビング処理である。一方ランダム水
平配向処理の一実施例として、次の処理がある。
すなわちSiO2スパツタ→有機シラン垂直配向化
合物、0.01〜5.0重量％水溶液浸せき→洗浄→乾
燥その後、300℃前後で約30分熱処理する。 前記駆動方法の適合性は、最終の熱処理温度に
大きく依存する。250℃〜350℃が最も適合性が良
い。 有機シラン垂直配向化合物については、 （CH3O）3−（CH2）3−N+（CH3）2 −（CH2）17CH3Cl-（DMOAP） 等の化合物がある。 実施例 ２ 一軸配向処理は実施例１と同等とする。ランダ
ム水平配向処理には、有機シラン化合物を用い
る。有機シラン化合物による配向処理は次のよう
である。 SiO2スパツタ→有機シラン化合物0.01〜5.0重
量％の水溶液に浸せき→洗浄→乾燥という処理で
ある。 有機シラン化合物については、 CH3−NH−（CH2）3−Si（OCH3）3、 NH2−（CH2）2−NH−（CH2）3 −Si（OCH3）、 NH2−（CH2）3−Si（OC2H5）3 Si（OC2H5）4，CH3−Si（OCH3）3、 CH3−（CH2）4−Si（OC2H5）3、
CH3−（CH2）7−Si（OCH3）3、
等がある。
〔効果〕
二枚の基板上の一方には、従来の一軸配向処理
が施し、もう一方にはランダム水平配向処理を施
す事は、配向処理としては、簡易で量産性に富
む。このような簡易な方法により、基板に平行で
仮想コーンと中心面との交線上に分子の大部分が
位置する。この位置の分子は安定でありオープン
メモリーは、半永久的である。 前記駆動方法との適合性も良く、良好な強誘電
性電気光学装置が得られ、大容量LCDデイスプ
レイが実現できる。
が施し、もう一方にはランダム水平配向処理を施
す事は、配向処理としては、簡易で量産性に富
む。このような簡易な方法により、基板に平行で
仮想コーンと中心面との交線上に分子の大部分が
位置する。この位置の分子は安定でありオープン
メモリーは、半永久的である。 前記駆動方法との適合性も良く、良好な強誘電
性電気光学装置が得られ、大容量LCDデイスプ
レイが実現できる。
第１図は、本発明による配向方法を用いた場合
の、分子の配列の模式図である。第２図は、ネマ
チツク相、スメクチツクＡ相、スメクチツクＣ相
の分子配列の模式図である。第３図は、カイラル
ネマチツク相の分子配列の模式図である。第４図
は、カイラルスメクチツクＣ相の分子配列の模式
図である。第５図は、らせん構造を消失した後の
セル内の分子配列の模式図である。第６図は、カ
イラルスメクチツクを駆動する駆動波形の実施例
である。第７図は、二枚の基板両方に一軸配向処
理した場合の分子配列を示した模式図である。第
８図はコーンの拡大図である。 １……基板、２……液晶分子、３……一軸配向
処理膜、４……ランダム水平配向処理膜、５……
電気双極子。
の、分子の配列の模式図である。第２図は、ネマ
チツク相、スメクチツクＡ相、スメクチツクＣ相
の分子配列の模式図である。第３図は、カイラル
ネマチツク相の分子配列の模式図である。第４図
は、カイラルスメクチツクＣ相の分子配列の模式
図である。第５図は、らせん構造を消失した後の
セル内の分子配列の模式図である。第６図は、カ
イラルスメクチツクを駆動する駆動波形の実施例
である。第７図は、二枚の基板両方に一軸配向処
理した場合の分子配列を示した模式図である。第
８図はコーンの拡大図である。 １……基板、２……液晶分子、３……一軸配向
処理膜、４……ランダム水平配向処理膜、５……
電気双極子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 表面に電極を設けた少なくとも一方が透明な
基板間に強誘電性液晶を挟持し、前記基板間を前
記強誘電性液晶の螺旋ピツチ以下に制限し、電界
を印加して駆動する強誘電性液晶電気光学装置に
おいて、 一方の基板の内表面は一軸配向特性を有する配
向膜が形成され、他方の基板の内表面はランダム
な水平配向特性を有する配向膜が形成されている
ことを特徴とする強誘電性液晶電気光学装置。 ２ 前記一軸配向特性を有する配向膜は、ラビン
グ処理された配向膜である特許請求の範囲第１項
記載の強誘電性液晶電気光学装置。 ３ 前記一軸配向特性を有する配向膜は、ポリイ
ミド薄膜から成る特許請求の範囲第２項記載の強
誘電性電気光学装置。 ４ 前記ランダムな水平配向特性を有する配向膜
は、垂直配向性を有する配向膜を前記垂直配向性
が消失する温度以上で焼成した配向膜である特許
請求の範囲第１項記載の強誘電性液晶電気光学装
置。 ５ 前記ランダムな水平配向特性を有する配向膜
は、有機シラン化合物薄膜から成る特許請求の範
囲第１項記載の強誘電性液晶電気光学装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14294484A JPS6120930A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 強誘電性液晶電気光学装置 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14294484A JPS6120930A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 強誘電性液晶電気光学装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|
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Family
ID=15327275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14294484A Granted JPS6120930A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 強誘電性液晶電気光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6120930A (ja) |
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-
1984
- 1984-07-10 JP JP14294484A patent/JPS6120930A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6120930A (ja) | 1986-01-29 |
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