JPH0473886A - 有機電界発光素子 - Google Patents
有機電界発光素子Info
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は有機物質の電界発光（エレクトロ・ルミネッス
センス：ＥＬ）現象を利用した有機電界発光素子に関す
る。
センス：ＥＬ）現象を利用した有機電界発光素子に関す
る。
（ロ）従来の技術
電界発光素子のひとつとして、有機電界発光素子が知ら
れ、この有機電界発光素子が、特開昭６３−２６４６９
２号公報に開示されている。
れ、この有機電界発光素子が、特開昭６３−２６４６９
２号公報に開示されている。
斯る有機電界発光素子は、陽極が形成されたガラス基板
上に有機質ホール注入輸送層及び有機質電子注入輸送層
を順次形成し、更にこの有機質電子注入輸送層上に陰極
を形成して作られる。そして、有機電界発光素子の両電
極間に１０〜２０Ｖ程度の電圧を印加すると、有機質電
子注入輸送層中の電子が、有機質ホール注入輸送層と有
機質電子注入輸送層との界面付近で、有機質ホール注入
輸送層中のホールと再結合することによって、発光する
。
上に有機質ホール注入輸送層及び有機質電子注入輸送層
を順次形成し、更にこの有機質電子注入輸送層上に陰極
を形成して作られる。そして、有機電界発光素子の両電
極間に１０〜２０Ｖ程度の電圧を印加すると、有機質電
子注入輸送層中の電子が、有機質ホール注入輸送層と有
機質電子注入輸送層との界面付近で、有機質ホール注入
輸送層中のホールと再結合することによって、発光する
。
ところで、この有機電界発光素子を使用していると、空
気中の湿気や酸素が素子中の有機薄膜層、及び電極層ま
で侵入してきて、これらの層間同士が剥離するために、
素子寿命が短くなってしまう。
気中の湿気や酸素が素子中の有機薄膜層、及び電極層ま
で侵入してきて、これらの層間同士が剥離するために、
素子寿命が短くなってしまう。
この欠点を解消するために、前記素子表面をアラルダイ
ト等の樹脂、シールガラス、成るいはシリコンオイルの
保護層で覆っているが、素子を保護層で覆わない状態に
比べて、素子寿命が僅かしか延びない。
ト等の樹脂、シールガラス、成るいはシリコンオイルの
保護層で覆っているが、素子を保護層で覆わない状態に
比べて、素子寿命が僅かしか延びない。
これは、保護層の成分が素子中の有機層及び電極層に侵
入して、これらの層を浸食してしまうことが原因である
と考えられる。
入して、これらの層を浸食してしまうことが原因である
と考えられる。
（ハ）発明が解決しようとする課題
本発明は、前記の問題に鑑み成されたもので、有機電界
発光素子中の有機層及び電極層が、素子表面に形成され
た保護層によって浸食されないような新規な保護層を有
する有機電界発光素子を提供することを目的とする。
発光素子中の有機層及び電極層が、素子表面に形成され
た保護層によって浸食されないような新規な保護層を有
する有機電界発光素子を提供することを目的とする。
（ニ）課題を解決するための手段
基板上に形成された一方の電極層と、この電極層上に形
成された有機薄膜層と、この有機薄膜層上に形成された
他方の電極層と、からなる有機電界発光素子において、
少なくとも前記他方の電極層と前記有機薄膜層との露出
表面を覆う保護層を蒸着法、又はスパッタリング法によ
って形成する。
成された有機薄膜層と、この有機薄膜層上に形成された
他方の電極層と、からなる有機電界発光素子において、
少なくとも前記他方の電極層と前記有機薄膜層との露出
表面を覆う保護層を蒸着法、又はスパッタリング法によ
って形成する。
（ホ）作用
基板上に形成された一方の電極層と、このｔｒｉ層上に
形成された有機薄膜層と、この有機薄膜層上に形成され
た他方の電極層と、からなる有機電界発光素子において
、少なくとも前記他方の電極層と前記有機薄膜層との露
出表面を覆う保護層は、蒸着法、又はスパッタリング法
によって形成されている。
形成された有機薄膜層と、この有機薄膜層上に形成され
た他方の電極層と、からなる有機電界発光素子において
、少なくとも前記他方の電極層と前記有機薄膜層との露
出表面を覆う保護層は、蒸着法、又はスパッタリング法
によって形成されている。
従って、その保護層は、湿気を含まない保護層であるの
で、前記他方の電極層、前記有機薄膜層内にその湿気等
が侵入せず、それらに悪影響を及ぼすことがない。
で、前記他方の電極層、前記有機薄膜層内にその湿気等
が侵入せず、それらに悪影響を及ぼすことがない。
（へ）実施例
本発明の有機電界発光素子の断面図を第１図に示す。
１は透明なガラス基板、２はインジウム、錫酸化物等か
らなる陽極、３は層厚が１００〜１５０人のポリ（Ｎ−
ビニルカルバゾール）からなる有機質ホール注入輸送層
、４は層厚が１０００人程度０トリス（８−キノリツー
ル）アルミニウムからなる有機質電子注入輸送層、５は
層厚が１０００〜２０００人で、電子ビーム蒸着法によ
って形成されるマグネシウム、インジウム合金等からな
る陰極、６は層厚が１μｍ程度のポリイミドからなる保
護層である。この保護層６の他の材料として、絶縁性の
良い、ポリブタジェン、テフロン、若しくはポリスチレ
ン等の有機高分子や炭化水素、長鎖脂肪酸等の有機蒸着
膜、酸化イツトリウム（ｙ 、０ ））、酸化アルミニ
ウム（ＡＩｔｏｓ）、窒化アルミニウム（ＡＩＮ）、酸
化シリコン（ＳｊＯ−）、窒化シリコン（ＳｒｓＮ＜）
等の無機蒸着膜が挙げられる。
らなる陽極、３は層厚が１００〜１５０人のポリ（Ｎ−
ビニルカルバゾール）からなる有機質ホール注入輸送層
、４は層厚が１０００人程度０トリス（８−キノリツー
ル）アルミニウムからなる有機質電子注入輸送層、５は
層厚が１０００〜２０００人で、電子ビーム蒸着法によ
って形成されるマグネシウム、インジウム合金等からな
る陰極、６は層厚が１μｍ程度のポリイミドからなる保
護層である。この保護層６の他の材料として、絶縁性の
良い、ポリブタジェン、テフロン、若しくはポリスチレ
ン等の有機高分子や炭化水素、長鎖脂肪酸等の有機蒸着
膜、酸化イツトリウム（ｙ 、０ ））、酸化アルミニ
ウム（ＡＩｔｏｓ）、窒化アルミニウム（ＡＩＮ）、酸
化シリコン（ＳｊＯ−）、窒化シリコン（ＳｒｓＮ＜）
等の無機蒸着膜が挙げられる。
本発明の有機電界発光素子は、後述の如き方法により形
成される。
成される。
即ち、ガラス基板１上に陽極２を蒸着法によって形成し
、この上に有機質ホール注入輸送層３、有機質電子注入
輸送層４を順次蒸着によって形成し、更に有機質電子注
入輸送層４上に陰極５を電子ビーム蒸着法によって形成
し、その後、少なくとも陰極５、有機質ホール注入輸送
層３、及び有機質電子注入輸送層４の露出部分を覆うべ
く、保護層６を蒸着法によって形成する。
、この上に有機質ホール注入輸送層３、有機質電子注入
輸送層４を順次蒸着によって形成し、更に有機質電子注
入輸送層４上に陰極５を電子ビーム蒸着法によって形成
し、その後、少なくとも陰極５、有機質ホール注入輸送
層３、及び有機質電子注入輸送層４の露出部分を覆うべ
く、保護層６を蒸着法によって形成する。
有機電界発光素子に前記の如き物質からなる保護層６を
蒸着法で形成することによって、素子表面をアラルダイ
ト等の甜脂、シールガラス、成るいはシリコンオイル等
の湿気を有する保護層で覆ったときより、素子寿命を２
倍以上に延ばすことができた。
蒸着法で形成することによって、素子表面をアラルダイ
ト等の甜脂、シールガラス、成るいはシリコンオイル等
の湿気を有する保護層で覆ったときより、素子寿命を２
倍以上に延ばすことができた。
以上は、蒸着法による形成方法を述べたが、スパッタリ
ング法による形成方法で行っても良い。
ング法による形成方法で行っても良い。
（ト）発明の効果
以上の如く、有機薄膜層と、この有機薄膜層上に形成さ
れた他方の電極層との少なくとも露出表面に蒸着法、又
はスパッタリング法で保護層を形成することによって、
外気からの浸食がないことはもちろん、その保護層が素
子中の有機層を浸食することもなく、素子寿命を延ばす
ことができる。
れた他方の電極層との少なくとも露出表面に蒸着法、又
はスパッタリング法で保護層を形成することによって、
外気からの浸食がないことはもちろん、その保護層が素
子中の有機層を浸食することもなく、素子寿命を延ばす
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の有機電界発光素子の模式的断面図を示
す。 １・・・ガラス基板、２・・・陽極、３・・・有機質ホ
ール注入輸送層、４・・・有機質電子注入輸送層、５・
・・陰極、６・・・保護層。
す。 １・・・ガラス基板、２・・・陽極、３・・・有機質ホ
ール注入輸送層、４・・・有機質電子注入輸送層、５・
・・陰極、６・・・保護層。
Claims (1)
- （１）基板上に形成された一方の電極層と、この電極層
上に形成された有機薄膜層と、この有機薄膜層上に形成
された他方の電極層と、からなる有機電界発光素子にお
いて、前記他方の電極層と前記有機薄膜層との少なくと
も露出表面を覆う保護層を蒸着法、又はスパッタリング
法によって形成することを特徴とする有機電界発光素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02185645A JP3101300B2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 有機電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02185645A JP3101300B2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 有機電界発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0473886A true JPH0473886A (ja) | 1992-03-09 |
| JP3101300B2 JP3101300B2 (ja) | 2000-10-23 |
Family
ID=16174396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02185645A Expired - Fee Related JP3101300B2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 有機電界発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3101300B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5416438A (en) * | 1992-03-18 | 1995-05-16 | Nec Corporation | Active filter circuit suited to integration on IC chip |
| WO1999012396A1 (fr) * | 1997-09-01 | 1999-03-11 | Seiko Epson Corporation | Element electroluminescent et procede de production |
| JPH11199864A (ja) * | 1997-10-10 | 1999-07-27 | Koto Gijutsu Kenkyuin Kenkyu Kumiai | 電気発光素子の製造方法 |
| US6497969B2 (en) | 1997-09-05 | 2002-12-24 | Nessdisplay Co., Ltd. | Electroluminescent device having an organic layer including polyimide |
| WO2004021464A1 (de) * | 2002-08-23 | 2004-03-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Organische lichtemittierende diode (oled) und/oder display, verfahren zur versiegelung und verwendung davon |
| JP2004281247A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法 |
| US6960877B1 (en) | 1998-12-17 | 2005-11-01 | Cambrdige Display Technology Limited | Organic light-emitting devices including specific barrier layers |
| CN103915256A (zh) * | 2014-03-25 | 2014-07-09 | 无锡宸瑞新能源科技有限公司 | 一种中小功率光伏用薄膜电容器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2263632B (en) * | 1992-01-16 | 1995-11-01 | Gen Motors Corp | Head restraint |
-
1990
- 1990-07-13 JP JP02185645A patent/JP3101300B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5416438A (en) * | 1992-03-18 | 1995-05-16 | Nec Corporation | Active filter circuit suited to integration on IC chip |
| WO1999012396A1 (fr) * | 1997-09-01 | 1999-03-11 | Seiko Epson Corporation | Element electroluminescent et procede de production |
| US6575800B1 (en) | 1997-09-01 | 2003-06-10 | Seiko Epson Corporation | Electroluminescent element and method of producing the same |
| US6825611B2 (en) | 1997-09-01 | 2004-11-30 | Seiko Epson Corporation | Electroluminescent elements with light-emitting layer containing first and second compounds |
| US6497969B2 (en) | 1997-09-05 | 2002-12-24 | Nessdisplay Co., Ltd. | Electroluminescent device having an organic layer including polyimide |
| JPH11199864A (ja) * | 1997-10-10 | 1999-07-27 | Koto Gijutsu Kenkyuin Kenkyu Kumiai | 電気発光素子の製造方法 |
| US6379743B1 (en) | 1997-10-10 | 2002-04-30 | Nessdisplay, Co. Ltd. | Process for the preparation of organic electroluminescent device using vapor deposition polymerization |
| US6960877B1 (en) | 1998-12-17 | 2005-11-01 | Cambrdige Display Technology Limited | Organic light-emitting devices including specific barrier layers |
| WO2004021464A1 (de) * | 2002-08-23 | 2004-03-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Organische lichtemittierende diode (oled) und/oder display, verfahren zur versiegelung und verwendung davon |
| JP2004281247A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法 |
| CN103915256A (zh) * | 2014-03-25 | 2014-07-09 | 无锡宸瑞新能源科技有限公司 | 一种中小功率光伏用薄膜电容器 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3101300B2 (ja) | 2000-10-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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