JPH0474282B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0474282B2 JPH0474282B2 JP63119434A JP11943488A JPH0474282B2 JP H0474282 B2 JPH0474282 B2 JP H0474282B2 JP 63119434 A JP63119434 A JP 63119434A JP 11943488 A JP11943488 A JP 11943488A JP H0474282 B2 JPH0474282 B2 JP H0474282B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- compounds
- gallium
- general formula
- indium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical group N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 29
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims description 18
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 15
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 12
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical group [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical group [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 11
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical group [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011574 phosphorus Chemical group 0.000 claims description 11
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims description 10
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims description 9
- 125000004665 trialkylsilyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical group [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical group FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000460 chlorine Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000001246 bromo group Chemical group Br* 0.000 claims 2
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 claims 2
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical group II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 22
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 12
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 9
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 6
- 238000005649 metathesis reaction Methods 0.000 description 6
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 5
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003791 organic solvent mixture Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 3
- 239000002879 Lewis base Substances 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 3
- 150000007527 lewis bases Chemical class 0.000 description 3
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IHGSAQHSAGRWNI-UHFFFAOYSA-N 1-(4-bromophenyl)-2,2,2-trifluoroethanone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)C1=CC=C(Br)C=C1 IHGSAQHSAGRWNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005269 GaF 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 aluminum compound Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- FFBGYFUYJVKRNV-UHFFFAOYSA-N boranylidynephosphane Chemical compound P#B FFBGYFUYJVKRNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 2
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000005051 trimethylchlorosilane Substances 0.000 description 2
- FDKXTQMXEQVLRF-ZHACJKMWSA-N (E)-dacarbazine Chemical compound CN(C)\N=N\c1[nH]cnc1C(N)=O FDKXTQMXEQVLRF-ZHACJKMWSA-N 0.000 description 1
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEYOHULQRFXULB-UHFFFAOYSA-N arsenic trichloride Chemical compound Cl[As](Cl)Cl OEYOHULQRFXULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYYIVELXUANFED-UHFFFAOYSA-N bromo(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)Br IYYIVELXUANFED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- KWLSQQRRSAWBOQ-UHFFFAOYSA-N dipotassioarsanylpotassium Chemical compound [K][As]([K])[K] KWLSQQRRSAWBOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003586 protic polar solvent Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSRZQMIRAZTJOY-UHFFFAOYSA-N trimethylsilyl iodide Chemical compound C[Si](C)(C)I CSRZQMIRAZTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFQPGOWZSZOUIV-UHFFFAOYSA-N tris(trimethylsilyl)arsane Chemical compound C[Si](C)(C)[As]([Si](C)(C)C)[Si](C)(C)C OFQPGOWZSZOUIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/02—Phosphorus compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/0632—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with gallium, indium or thallium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/064—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/072—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B25/00—Phosphorus; Compounds thereof
- C01B25/08—Other phosphides
- C01B25/082—Other phosphides of boron, aluminium, gallium or indium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/10—Compounds having one or more C—Si linkages containing nitrogen having a Si-N linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/66—Arsenic compounds
- C07F9/68—Arsenic compounds without As—C bonds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/90—Antimony compounds
- C07F9/902—Compounds without antimony-carbon linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/007—Preparing arsenides or antimonides, especially of the III-VI-compound type, e.g. aluminium or gallium arsenide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/02—Amorphous compounds
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Catalysts (AREA)
Description
Ａ 産業上の利用分野
この発明は、有機金属化学の分野に関するもの
であり、特に有機金属化学を利用して周期律表第
Ａ族と第VA族の化合物を合成することに関す
るものである。 Ｂ 従来技術 砒化カリウム、窒化ホウ素、リン化インジウム
等、第Ａ族と第VA族の種々の化合物は、半導
体工業で商業的価値を有する。これらの化合物
は、得られる化合物の純度と化学量論比を正確に
制御するために、真空法で製造することが多い。
最も一般に用いられている真空法には、スパツタ
リングと化学蒸着法がある。 しかし、最近は、他の方法による第Ａ族と第
VA族の化合物の生成に大きな興味が持たれて来
た。これらのその他の方法には、有機金属化学を
用いてこれらの化合物を合成する方法がある。こ
のような有機金属化学法は複分解である。複分解
反応はもちろん新しいものではない。たとえば、
米国特許第4312970号明細書には、複分解反応に
よつてシラザン重合体を調製することが開示され
ている。引用によりこの開示を本明細書に組み入
れる。 インタランテ（Interrante）等の、DTICレポ
ート（DTIC Report）No.AD−A169482、1986年
５月９日に、複分解反応による窒化アルミニウム
粉末および薄膜の製造法を開示している。引用に
よりこの開示を本明細書に組み入れる。この方法
では、トリアルキルアルミニウム化合物とアンモ
ニアとを反応させて、ルイス酸／ルイス塩基付加
物を生成させた後、窒化アルミニウムとメタン等
の気体に分解させる。実用的見地からは、このよ
うな反応は、自然発火性のトリアルキルアルミニ
ウム化合物を使用し、可燃性気体であるメタンが
生成するため、厄介である。 ガスキル（Gaskill）等の、アプライド・フイ
ジカル・レターズ（Appl.phys.Lett.）、48（21）、
1986年50月26日には、トリメチルガリウムとヒド
ラジンの複分解反応による窒化ガリウムの製造方
法が開示されている。引用によりこの開示を本明
細書に組み入れる。この方法の主な欠点は、ヒド
ラジンが爆発性であることであり、できれば避け
るほうがよい。 他にもアリシノガラン類の製造が開示されてい
る。これらの中には、ピツト（Pitt）等の、オー
ガノメタリツクス（Organo−metallics）、５、
ｐ、1266〜1268、1986年；ウエルス（Wells）等
の、ジヤーナル・オブ・ケミカル・ソサエテイ
（J.Chem.Soc）、ケミカル・コミユニケーシヨン
ズ（Chem Commun）、p.487〜488、1986年；お
よびピツト（Pitt）等の、インオーガニツク・ケ
ミストリー（Inorgaic Chemistry）、25、p.2483
〜2484、1986年等があり、引用によりこれらの開
示を本明細書に組み入れる。しかしこれらの引用
文献には、当業者ならアルシノガランから出発し
て砒化ガリウムを得ることのできる方法について
は開示されていない。 上記の努力にもかかわらず、第Ａ族と第VA
族の化合物を、有機金属法により合成することが
依然として求められている。 Ｃ 発明が解決しようとする問題点 この発明の目的は、有機金属法により、第Ａ
族と第VA族との化合物を合成することにある。 この発明の他の目的は、第Ａ族と第VA族と
の化合物を、経済的で、実現可能であり、しかも
比較的安全な有機金属法により合成することにあ
る。 Ｄ 問題点を解決するための手段 この発明の目的は、非晶質の第Ａ族と第VA
族との化合物を合成するための経済的で実現可能
であり、しかも比較的安全な方法を提供すること
により達成される。 この発明の１つの態様は、第Ａ族元素のトリ
ス（トリアルキルシリル）誘導体を有機溶媒に溶
解した第１の溶液を形成することに関するもので
ある。この第Ａ族元素は、アルミニウム、ホウ
素、ガリウム、インジウムおよびこれらの混合物
からなる群から選択する。次に、第VA族元素の
ハロゲン化物を有機溶媒に溶解した第２の溶液を
調製する。この第VA族元素は、アンチモン、砒
素、窒素、リンおよびこれらの混合物からなる群
から選択する。次に、第１および第２の溶液を混
合して、第Ａ族と第VA族との化合物を副産物
のトリアルキルハロシランとともに形成させる。
この方法の最後の段階で、副産物のトリアルキル
ハロシランと有機溶媒の混合物を除去して、第
Ａ族と第VA族との縮合相を形成させる。 この発明の第２の態様は、非晶質の第Ａ族と
第VA族との化合物を合成する方法に関するもの
である。この方法では、第VA族元素のトリス
（トリスアルキシリル）誘導体を有機溶媒に溶解
して、第１の溶液を調製する。この第VA族元素
は、アンチモン、砒素、窒素、リンおよびこれら
の混合物からなる群から選択する。次に第Ａ族
元素のハロゲン化物を有機溶媒に溶解した第２の
溶液を調製する。この第Ａ族元素は、アルミニ
ウム、ホウ素、ガリウム、インジウムおよびこれ
らの混合物からなる群から選択する。次に、第１
の溶液と第２の溶液を混合して、第Ａ族と第
VA族との化合物と、副産物のトリアルキルハロ
シランが生成する反応を起こさせる。その後、副
産物のトリアルキルハロシランと有機溶倍の混合
物を除去して、第Ａ族と第VA族の縮合相を形
成させる。 Ｅ 実施例 この発明により、非晶質の第Ａ族と第VA族
との化合物を合成する方法を開示する。この方法
では、まず、等モル量の第族Ａ族元素のエトリ
ス（トリアルキルシリル）誘導体と、第VA族元
素のハロゲン化物を、有機溶媒系中で混合する。
第Ａ族元素は、アルミニウム、ホウ素、ガリウ
ム、インジウムおよびこれらの混合物からなる群
から選択し、第VA族元素は、アンチモン、砒
素、窒素、リンおよびこれらの混合物からなる群
から選択する。 有機溶媒は、テトラヒドロフラン（THF）、デ
カリン、ジオキサン、ヘキサン、オクタン、ベン
ゼン、キシレンまたはトルエンを用いることがで
きるが、これらは例として示したものであり、こ
れらに限定されるものではない。水、エタノール
等のプロトン性溶媒や、アセトン、２−ブタノ
ン、DMSO等の活性水素を持つ溶媒は有効では
ない。当業者ならこの出願に示した説明により、
適当な有機溶媒を選定できるはずである。 この方法の次の段階では、第１の段階で生成し
た混合物の各成分を反応させて、下記の一般式に
示す付加物を生成させる。 上式でＲ＝アルキル基、 Ａ＝アルミニウム、ホウ素、ガリウム、インジウ
ムおよびこれらの混合物、 Ｂ＝アンチモン、砒素、窒素、リンおよびこれら
の混合物、 Ｘ＝臭素、塩素、フツ素またはヨウ素である。 上式から明らかなように、ルイス酸／ルイス塩
基付加物が生成する。その後、一般式ABの第
Ａ族と第VA族との化合物が、一般式R3SiXの副
産物であるハロゲン化物（トリアルキルハロシラ
ン）とともに生成する。すなわち、Ａ成分とＢ成
分は複分解反応を行なう。 この方法の最終段階で、副産物のR3SiXハロゲ
ン化物を除去して、ABの化学量論的に縮合した
相を生成させる。これにより明らかなように、こ
の段階は、蒸留により容易に実行することができ
る。 次に、このようにして生成した縮合相を窒素そ
の他の不活性気体中で乾燥した後、加熱して残留
溶媒および揮発性物質をすべて除去する。 トリス（トリアルキルシリル）誘導体は自然発
火性であるため、混合物の処理中、一定の条件を
維持することが必要である。溶媒および混合物を
処理するためのすべての装置は乾燥し、酸素を除
去する必要がある。このような注意は、工業的に
可能である。これらの注意を行なえば、第Ａ族
と第VA族との化合物が、比較的安全な方法で容
易に合成することができる。 原則として、どのアルキル基も可能であるが、
アルキル基はメチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基からなる群から選択することが好まし
い。トリメチルハロシランが他のどのトリアルキ
ルハロシラン類よりも揮発性が高く、したがつて
蒸留が容易であるため、アルキル基はメチル基と
することが最も好ましい。 一般に、この発明による非晶質の第Ａ族と第
VA族との化合物を合成する方法は、下記の工程
からなる。第Ａ族元素のトリス（トリアルキル
シリル）誘導体を、乾燥し酸素を除去した有機溶
媒に溶解して第１の溶液を生成する。第Ａ族元
素は、アルミニウム、ホウ素、ガリウム、インジ
ウムおよびこれらの混合物からなる群から選択す
る。次に、第VA族元素のハロゲン化物を、他の
乾燥し酸素を除去した溶媒に溶解して、第２の溶
液を生成する。第VA族は、アンチモン、砒素、
窒素、リンおよびこれらの混合物からなる群から
選択する。次に、第１および第２の溶液を混合し
て反応させ、第Ａ族と第VA族との化合物およ
び副産物のトリアルキルハロシランを有機溶媒中
に混合物として生成させる。最後に、この方法で
は、副産物のトリアルキルハロシランと有機溶媒
の混合物を除去して、第Ａ族と第VA族との縮
合相を生成させる。 アルキル基は上記のように選択することができ
る。 除去の方法は、蒸溜によるのが好都合である。
この場合も、生成した第Ａ族と第VA族との縮
合相は、窒素その他の不活性気体中で乾燥し、加
熱（培焼または焼成）して、非晶質の第Ａ族と
第VA族との化合物を生成させる。 このようにして生成させた第Ａ族と第VA族
との化合物は、従来の結晶引上げ技術による結晶
成長の原料として使用することができる。これら
の化合物は、非晶質の状態のままアニーリングし
加工して、たとえば薄膜として使用することもで
きる。 この方法により合成した第Ａ族と第VA族と
の化合物には、窒化アルミニウム、リン化アルミ
ニウム、窒化ホウ素、リン化ホウ素、砒化ガリウ
ム、リン化ガリウム、窒化ガリウム、リン化イン
ジウム、アンチモン化インジウム等が含まれる。
これらの化合物のうち、製造が危険なものは窒化
物のみで、これは、この方法に用いるハロゲン化
窒素が爆発性であるためである。しかし、適切な
操作条件下では、窒化物でも安全な形で生成する
ことができる。 この発明の方法により製造する非晶質の化合物
は、結晶相が約10容量％以下しか存在しない、実
質的に非晶質である化合物も含まれることを理解
されたい。用途によつては、この程度の少量の結
晶質は、化合物を最終用途に有害ではない。一
方、化合物を単結晶成長の原料として使用するよ
うな場合には、非晶質化合物は完全に非晶質すな
わち、Ｘ線回折像でどのような線も検出されな
い、結晶化度がゼロであることが好ましい。した
がつて、この明細書を通じて“非晶質”という用
語を用いる場合、“実質的に非晶質”である場合
も含まれることを理解されたい。 この発明によれば、下記の工程からなる非晶質
の第Ａ族と第VA族との化合物を合成する方法
も開示される。第１の工程では、等モル量第VA
族元素のトリス（トリアルキルシリル）誘導体
と、第Ａ族元素のハロゲン化物を、有機溶媒系
中で混合する。第VA族元素はアンチモン、砒
素、窒素、リンおよびこれらの混合物からなる群
から選択する。第Ａ族元素は、アルミニウム、
ホウ素、ガリウム、インジウムおよびこれらの混
合物からなる群から選択する。 前の場合と同様、この発明に用いるのに適した
溶媒は、テトラヒドロフラン、デカリン、ジオキ
サン、ヘキサン、オクタン、ベンゼン、キシレ
ン、トルエン等が含まれるが、これらは例として
示したものであり、これらに限定されるものでは
ない。 この方法の次の工程では、上記の混合物の各成
分を反応させて、下記の一般式を有するルイス
酸／ルイス塩基付加物を生成させる。 式中、Ｒ＝アルキル基、 Ａ＝アルミニウム、ホウ素、ガリウム、インジウ
ムまたはこれらの混合物、 Ｂ＝アンチモン、砒素、窒素、リンまたはこれら
の混合物、 Ｘ＝臭素、塩素、フツ素またはヨウ素である。 その後、一般式ABの第Ａ族と第VA族との
化合物と、一般式R3SiXの副産物のハロゲン化物
（トリアルキルハロシラン）が生成する。明らか
にわかるように、この場合も第Ａ族と第VA族
との化合物は、複分解反応により生成する。 この方法の最後の工程で、副産物のR3SiXを
（たとえば蒸留により）除去して、ABのの反応
量論的縮合相を生成させる。 次にこの縮合相を乾燥し加熱して、非晶質の第
Ａ族と第VA族との化合物を生成させる。 前に述べたように、アルキル基は、メチル基、
エチル基、プロピル基、およびブチル基からなる
群から選択するのが好ましい。最も好ましいアル
キル基はメチル基である。 一般には、非晶質の第Ａ族と第VA族との化
合物を合成する方法は、下記の工程からなる。第
VA族元素のトリス（トリアルキルシリル）誘導
体を、乾燥し酸素を除去した有機溶媒に溶解して
第１の溶液を生成させる。第VA族元素は、アン
チモン、砒素、窒素、リンおよびこれらの混合物
からなる群から選択する。次に、第Ａ族元素の
ハロゲン化物を他の乾燥し酸素を除去した有機溶
媒に溶解して、第２の溶液を生成させる。第Ａ
族元素は、アルミニウム、ホウ素、ガリウム、イ
ンジウムおよびこれらの混合物からなる群から選
択する。次に第１および第２の溶液を混合して反
応させ、第Ａ族と第VA族との化合物および副
産物のトリアルキルハロシランを有機溶媒中に混
合物として生成させる。この方法の最後の工程
で、副産物のトリアルキルハロシランと有機溶媒
との混合物を、蒸留等の方法により除去して、第
Ａ族と第VA族との縮合相を生成させる。 下記の化合物を、この発明のこの第２の態様に
より安全に生成させることができる。砒化ガリウ
ム、リン化ガリウム、窒化ガリウム、リン化イン
ジウム、砒化インジウム、アンチモン化インジウ
ム、窒化アルミニウム、リン化アルミニウム、窒
化ホウ素およびリン化ホウ素。 この発明の興味深い点は、この発明のどの方法
により合成した第Ａ族と第VA族との化合物は
いずれも、出発成分を変化させることにより、合
成中にドーピングすることができることである。
すなわち、ドーパントとなる少量の成分を添加す
ることにより、ドーピングされた第Ａ族と第
VA族との化合物を製造することができる。たと
えば、リン化物でドーピングした砒化ガリウム、
またはガリウムでドーピングしたリン化インジウ
ムを合成することができる。 下記の例を参照することにより、この発明はさ
らに明白となる。 例 １ この例および以下のすべての例用の反応装置
は、三つ口丸底フラスコに電動撹拌機、還流冷却
器、加熱用マントル、滴下ロート、および気体の
出入口を取付けたものである。反応は乾燥した窒
素、または他の乾燥した不活性気体中で行なう。
5.79ｇ（20.0ｍ mol）のトリス（トリメチルシ
リル）ガラン、Ga［Si（CH3）3］3を250mlの乾燥し
酸素を除去したテトラヒドロフラン（THF）に
溶解する。3.63ｇ（20.0ｍ mol）の塩化砒素を
100mlの乾燥させたTHFに溶解した溶液を滴下ロ
ートに入れ、これを撹拌しながら上記のガラン溶
液に滴下する。 30分間室温で撹拌した後、溶液をさらに６時間
還流させる。溶液を冷却した後、フラスコに冷却
器の代りに蒸留ヘツドを取付ける。溶液をさらに
還流させると、副産物のトリメチルクロロシラン
が58℃で溜出する。THFは67℃で溜出する。蒸
溜により、粉末が沈澱する。この粉末を濾過して
液体と分離し、窒素中で乾燥した後、真空中で
200℃まで焙焼して残留する溶媒および揮発性物
質を除去する。この生成物は、理論的には2.89ｇ
の非晶質の砒化ガリウムを有する。実収率は75〜
95％の範囲である。 砒素源としては、AsCl3の代わりに、AsBr3、
AsF3またはAsI3を使用することもできる。そう
すると、蒸溜される副産物はそれぞれ、トリメチ
ルブロモシラン、トリメサルフロオロシランまた
はトリメチルヨードシランに変わる。これらの副
産物はそれぞれ、沸点が異なるため、これらの異
なる沸点に合わせて溶媒も変えなければならな
い。たとえば、AsBr3用の溶媒はトルエンまたは
デカリン、AF3用にはTHFまたはヘキサン、
AsI3用にはキシレンまたはデカリンとすること
ができる。どの場合も、生成する第Ａ族との化
合物、この例では砒化ガリウムは同じである。 例 ２−34 例１の方法により、第表に示した特定の第
Ａ族と第VA族との化合物を製造するための出発
成分を用いて、他の第Ａ族と第VA族との化合
物を生成させる。
であり、特に有機金属化学を利用して周期律表第
Ａ族と第VA族の化合物を合成することに関す
るものである。 Ｂ 従来技術 砒化カリウム、窒化ホウ素、リン化インジウム
等、第Ａ族と第VA族の種々の化合物は、半導
体工業で商業的価値を有する。これらの化合物
は、得られる化合物の純度と化学量論比を正確に
制御するために、真空法で製造することが多い。
最も一般に用いられている真空法には、スパツタ
リングと化学蒸着法がある。 しかし、最近は、他の方法による第Ａ族と第
VA族の化合物の生成に大きな興味が持たれて来
た。これらのその他の方法には、有機金属化学を
用いてこれらの化合物を合成する方法がある。こ
のような有機金属化学法は複分解である。複分解
反応はもちろん新しいものではない。たとえば、
米国特許第4312970号明細書には、複分解反応に
よつてシラザン重合体を調製することが開示され
ている。引用によりこの開示を本明細書に組み入
れる。 インタランテ（Interrante）等の、DTICレポ
ート（DTIC Report）No.AD−A169482、1986年
５月９日に、複分解反応による窒化アルミニウム
粉末および薄膜の製造法を開示している。引用に
よりこの開示を本明細書に組み入れる。この方法
では、トリアルキルアルミニウム化合物とアンモ
ニアとを反応させて、ルイス酸／ルイス塩基付加
物を生成させた後、窒化アルミニウムとメタン等
の気体に分解させる。実用的見地からは、このよ
うな反応は、自然発火性のトリアルキルアルミニ
ウム化合物を使用し、可燃性気体であるメタンが
生成するため、厄介である。 ガスキル（Gaskill）等の、アプライド・フイ
ジカル・レターズ（Appl.phys.Lett.）、48（21）、
1986年50月26日には、トリメチルガリウムとヒド
ラジンの複分解反応による窒化ガリウムの製造方
法が開示されている。引用によりこの開示を本明
細書に組み入れる。この方法の主な欠点は、ヒド
ラジンが爆発性であることであり、できれば避け
るほうがよい。 他にもアリシノガラン類の製造が開示されてい
る。これらの中には、ピツト（Pitt）等の、オー
ガノメタリツクス（Organo−metallics）、５、
ｐ、1266〜1268、1986年；ウエルス（Wells）等
の、ジヤーナル・オブ・ケミカル・ソサエテイ
（J.Chem.Soc）、ケミカル・コミユニケーシヨン
ズ（Chem Commun）、p.487〜488、1986年；お
よびピツト（Pitt）等の、インオーガニツク・ケ
ミストリー（Inorgaic Chemistry）、25、p.2483
〜2484、1986年等があり、引用によりこれらの開
示を本明細書に組み入れる。しかしこれらの引用
文献には、当業者ならアルシノガランから出発し
て砒化ガリウムを得ることのできる方法について
は開示されていない。 上記の努力にもかかわらず、第Ａ族と第VA
族の化合物を、有機金属法により合成することが
依然として求められている。 Ｃ 発明が解決しようとする問題点 この発明の目的は、有機金属法により、第Ａ
族と第VA族との化合物を合成することにある。 この発明の他の目的は、第Ａ族と第VA族と
の化合物を、経済的で、実現可能であり、しかも
比較的安全な有機金属法により合成することにあ
る。 Ｄ 問題点を解決するための手段 この発明の目的は、非晶質の第Ａ族と第VA
族との化合物を合成するための経済的で実現可能
であり、しかも比較的安全な方法を提供すること
により達成される。 この発明の１つの態様は、第Ａ族元素のトリ
ス（トリアルキルシリル）誘導体を有機溶媒に溶
解した第１の溶液を形成することに関するもので
ある。この第Ａ族元素は、アルミニウム、ホウ
素、ガリウム、インジウムおよびこれらの混合物
からなる群から選択する。次に、第VA族元素の
ハロゲン化物を有機溶媒に溶解した第２の溶液を
調製する。この第VA族元素は、アンチモン、砒
素、窒素、リンおよびこれらの混合物からなる群
から選択する。次に、第１および第２の溶液を混
合して、第Ａ族と第VA族との化合物を副産物
のトリアルキルハロシランとともに形成させる。
この方法の最後の段階で、副産物のトリアルキル
ハロシランと有機溶媒の混合物を除去して、第
Ａ族と第VA族との縮合相を形成させる。 この発明の第２の態様は、非晶質の第Ａ族と
第VA族との化合物を合成する方法に関するもの
である。この方法では、第VA族元素のトリス
（トリスアルキシリル）誘導体を有機溶媒に溶解
して、第１の溶液を調製する。この第VA族元素
は、アンチモン、砒素、窒素、リンおよびこれら
の混合物からなる群から選択する。次に第Ａ族
元素のハロゲン化物を有機溶媒に溶解した第２の
溶液を調製する。この第Ａ族元素は、アルミニ
ウム、ホウ素、ガリウム、インジウムおよびこれ
らの混合物からなる群から選択する。次に、第１
の溶液と第２の溶液を混合して、第Ａ族と第
VA族との化合物と、副産物のトリアルキルハロ
シランが生成する反応を起こさせる。その後、副
産物のトリアルキルハロシランと有機溶倍の混合
物を除去して、第Ａ族と第VA族の縮合相を形
成させる。 Ｅ 実施例 この発明により、非晶質の第Ａ族と第VA族
との化合物を合成する方法を開示する。この方法
では、まず、等モル量の第族Ａ族元素のエトリ
ス（トリアルキルシリル）誘導体と、第VA族元
素のハロゲン化物を、有機溶媒系中で混合する。
第Ａ族元素は、アルミニウム、ホウ素、ガリウ
ム、インジウムおよびこれらの混合物からなる群
から選択し、第VA族元素は、アンチモン、砒
素、窒素、リンおよびこれらの混合物からなる群
から選択する。 有機溶媒は、テトラヒドロフラン（THF）、デ
カリン、ジオキサン、ヘキサン、オクタン、ベン
ゼン、キシレンまたはトルエンを用いることがで
きるが、これらは例として示したものであり、こ
れらに限定されるものではない。水、エタノール
等のプロトン性溶媒や、アセトン、２−ブタノ
ン、DMSO等の活性水素を持つ溶媒は有効では
ない。当業者ならこの出願に示した説明により、
適当な有機溶媒を選定できるはずである。 この方法の次の段階では、第１の段階で生成し
た混合物の各成分を反応させて、下記の一般式に
示す付加物を生成させる。 上式でＲ＝アルキル基、 Ａ＝アルミニウム、ホウ素、ガリウム、インジウ
ムおよびこれらの混合物、 Ｂ＝アンチモン、砒素、窒素、リンおよびこれら
の混合物、 Ｘ＝臭素、塩素、フツ素またはヨウ素である。 上式から明らかなように、ルイス酸／ルイス塩
基付加物が生成する。その後、一般式ABの第
Ａ族と第VA族との化合物が、一般式R3SiXの副
産物であるハロゲン化物（トリアルキルハロシラ
ン）とともに生成する。すなわち、Ａ成分とＢ成
分は複分解反応を行なう。 この方法の最終段階で、副産物のR3SiXハロゲ
ン化物を除去して、ABの化学量論的に縮合した
相を生成させる。これにより明らかなように、こ
の段階は、蒸留により容易に実行することができ
る。 次に、このようにして生成した縮合相を窒素そ
の他の不活性気体中で乾燥した後、加熱して残留
溶媒および揮発性物質をすべて除去する。 トリス（トリアルキルシリル）誘導体は自然発
火性であるため、混合物の処理中、一定の条件を
維持することが必要である。溶媒および混合物を
処理するためのすべての装置は乾燥し、酸素を除
去する必要がある。このような注意は、工業的に
可能である。これらの注意を行なえば、第Ａ族
と第VA族との化合物が、比較的安全な方法で容
易に合成することができる。 原則として、どのアルキル基も可能であるが、
アルキル基はメチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基からなる群から選択することが好まし
い。トリメチルハロシランが他のどのトリアルキ
ルハロシラン類よりも揮発性が高く、したがつて
蒸留が容易であるため、アルキル基はメチル基と
することが最も好ましい。 一般に、この発明による非晶質の第Ａ族と第
VA族との化合物を合成する方法は、下記の工程
からなる。第Ａ族元素のトリス（トリアルキル
シリル）誘導体を、乾燥し酸素を除去した有機溶
媒に溶解して第１の溶液を生成する。第Ａ族元
素は、アルミニウム、ホウ素、ガリウム、インジ
ウムおよびこれらの混合物からなる群から選択す
る。次に、第VA族元素のハロゲン化物を、他の
乾燥し酸素を除去した溶媒に溶解して、第２の溶
液を生成する。第VA族は、アンチモン、砒素、
窒素、リンおよびこれらの混合物からなる群から
選択する。次に、第１および第２の溶液を混合し
て反応させ、第Ａ族と第VA族との化合物およ
び副産物のトリアルキルハロシランを有機溶媒中
に混合物として生成させる。最後に、この方法で
は、副産物のトリアルキルハロシランと有機溶媒
の混合物を除去して、第Ａ族と第VA族との縮
合相を生成させる。 アルキル基は上記のように選択することができ
る。 除去の方法は、蒸溜によるのが好都合である。
この場合も、生成した第Ａ族と第VA族との縮
合相は、窒素その他の不活性気体中で乾燥し、加
熱（培焼または焼成）して、非晶質の第Ａ族と
第VA族との化合物を生成させる。 このようにして生成させた第Ａ族と第VA族
との化合物は、従来の結晶引上げ技術による結晶
成長の原料として使用することができる。これら
の化合物は、非晶質の状態のままアニーリングし
加工して、たとえば薄膜として使用することもで
きる。 この方法により合成した第Ａ族と第VA族と
の化合物には、窒化アルミニウム、リン化アルミ
ニウム、窒化ホウ素、リン化ホウ素、砒化ガリウ
ム、リン化ガリウム、窒化ガリウム、リン化イン
ジウム、アンチモン化インジウム等が含まれる。
これらの化合物のうち、製造が危険なものは窒化
物のみで、これは、この方法に用いるハロゲン化
窒素が爆発性であるためである。しかし、適切な
操作条件下では、窒化物でも安全な形で生成する
ことができる。 この発明の方法により製造する非晶質の化合物
は、結晶相が約10容量％以下しか存在しない、実
質的に非晶質である化合物も含まれることを理解
されたい。用途によつては、この程度の少量の結
晶質は、化合物を最終用途に有害ではない。一
方、化合物を単結晶成長の原料として使用するよ
うな場合には、非晶質化合物は完全に非晶質すな
わち、Ｘ線回折像でどのような線も検出されな
い、結晶化度がゼロであることが好ましい。した
がつて、この明細書を通じて“非晶質”という用
語を用いる場合、“実質的に非晶質”である場合
も含まれることを理解されたい。 この発明によれば、下記の工程からなる非晶質
の第Ａ族と第VA族との化合物を合成する方法
も開示される。第１の工程では、等モル量第VA
族元素のトリス（トリアルキルシリル）誘導体
と、第Ａ族元素のハロゲン化物を、有機溶媒系
中で混合する。第VA族元素はアンチモン、砒
素、窒素、リンおよびこれらの混合物からなる群
から選択する。第Ａ族元素は、アルミニウム、
ホウ素、ガリウム、インジウムおよびこれらの混
合物からなる群から選択する。 前の場合と同様、この発明に用いるのに適した
溶媒は、テトラヒドロフラン、デカリン、ジオキ
サン、ヘキサン、オクタン、ベンゼン、キシレ
ン、トルエン等が含まれるが、これらは例として
示したものであり、これらに限定されるものでは
ない。 この方法の次の工程では、上記の混合物の各成
分を反応させて、下記の一般式を有するルイス
酸／ルイス塩基付加物を生成させる。 式中、Ｒ＝アルキル基、 Ａ＝アルミニウム、ホウ素、ガリウム、インジウ
ムまたはこれらの混合物、 Ｂ＝アンチモン、砒素、窒素、リンまたはこれら
の混合物、 Ｘ＝臭素、塩素、フツ素またはヨウ素である。 その後、一般式ABの第Ａ族と第VA族との
化合物と、一般式R3SiXの副産物のハロゲン化物
（トリアルキルハロシラン）が生成する。明らか
にわかるように、この場合も第Ａ族と第VA族
との化合物は、複分解反応により生成する。 この方法の最後の工程で、副産物のR3SiXを
（たとえば蒸留により）除去して、ABのの反応
量論的縮合相を生成させる。 次にこの縮合相を乾燥し加熱して、非晶質の第
Ａ族と第VA族との化合物を生成させる。 前に述べたように、アルキル基は、メチル基、
エチル基、プロピル基、およびブチル基からなる
群から選択するのが好ましい。最も好ましいアル
キル基はメチル基である。 一般には、非晶質の第Ａ族と第VA族との化
合物を合成する方法は、下記の工程からなる。第
VA族元素のトリス（トリアルキルシリル）誘導
体を、乾燥し酸素を除去した有機溶媒に溶解して
第１の溶液を生成させる。第VA族元素は、アン
チモン、砒素、窒素、リンおよびこれらの混合物
からなる群から選択する。次に、第Ａ族元素の
ハロゲン化物を他の乾燥し酸素を除去した有機溶
媒に溶解して、第２の溶液を生成させる。第Ａ
族元素は、アルミニウム、ホウ素、ガリウム、イ
ンジウムおよびこれらの混合物からなる群から選
択する。次に第１および第２の溶液を混合して反
応させ、第Ａ族と第VA族との化合物および副
産物のトリアルキルハロシランを有機溶媒中に混
合物として生成させる。この方法の最後の工程
で、副産物のトリアルキルハロシランと有機溶媒
との混合物を、蒸留等の方法により除去して、第
Ａ族と第VA族との縮合相を生成させる。 下記の化合物を、この発明のこの第２の態様に
より安全に生成させることができる。砒化ガリウ
ム、リン化ガリウム、窒化ガリウム、リン化イン
ジウム、砒化インジウム、アンチモン化インジウ
ム、窒化アルミニウム、リン化アルミニウム、窒
化ホウ素およびリン化ホウ素。 この発明の興味深い点は、この発明のどの方法
により合成した第Ａ族と第VA族との化合物は
いずれも、出発成分を変化させることにより、合
成中にドーピングすることができることである。
すなわち、ドーパントとなる少量の成分を添加す
ることにより、ドーピングされた第Ａ族と第
VA族との化合物を製造することができる。たと
えば、リン化物でドーピングした砒化ガリウム、
またはガリウムでドーピングしたリン化インジウ
ムを合成することができる。 下記の例を参照することにより、この発明はさ
らに明白となる。 例 １ この例および以下のすべての例用の反応装置
は、三つ口丸底フラスコに電動撹拌機、還流冷却
器、加熱用マントル、滴下ロート、および気体の
出入口を取付けたものである。反応は乾燥した窒
素、または他の乾燥した不活性気体中で行なう。
5.79ｇ（20.0ｍ mol）のトリス（トリメチルシ
リル）ガラン、Ga［Si（CH3）3］3を250mlの乾燥し
酸素を除去したテトラヒドロフラン（THF）に
溶解する。3.63ｇ（20.0ｍ mol）の塩化砒素を
100mlの乾燥させたTHFに溶解した溶液を滴下ロ
ートに入れ、これを撹拌しながら上記のガラン溶
液に滴下する。 30分間室温で撹拌した後、溶液をさらに６時間
還流させる。溶液を冷却した後、フラスコに冷却
器の代りに蒸留ヘツドを取付ける。溶液をさらに
還流させると、副産物のトリメチルクロロシラン
が58℃で溜出する。THFは67℃で溜出する。蒸
溜により、粉末が沈澱する。この粉末を濾過して
液体と分離し、窒素中で乾燥した後、真空中で
200℃まで焙焼して残留する溶媒および揮発性物
質を除去する。この生成物は、理論的には2.89ｇ
の非晶質の砒化ガリウムを有する。実収率は75〜
95％の範囲である。 砒素源としては、AsCl3の代わりに、AsBr3、
AsF3またはAsI3を使用することもできる。そう
すると、蒸溜される副産物はそれぞれ、トリメチ
ルブロモシラン、トリメサルフロオロシランまた
はトリメチルヨードシランに変わる。これらの副
産物はそれぞれ、沸点が異なるため、これらの異
なる沸点に合わせて溶媒も変えなければならな
い。たとえば、AsBr3用の溶媒はトルエンまたは
デカリン、AF3用にはTHFまたはヘキサン、
AsI3用にはキシレンまたはデカリンとすること
ができる。どの場合も、生成する第Ａ族との化
合物、この例では砒化ガリウムは同じである。 例 ２−34 例１の方法により、第表に示した特定の第
Ａ族と第VA族との化合物を製造するための出発
成分を用いて、他の第Ａ族と第VA族との化合
物を生成させる。
【表】
例 35
砒化ガリウムを合成する代替方法を下記に示
す。この代替方法では、14.73ｇ（50.0ｍ mol）
のトリス（トリメチルシリル）アルシン、As［Si
（CH3）3］3を250mlのTHF中に溶解する。次にこ
のアルシン溶液に、8.80ｇ（50.0ｍ mol）の塩
化ガリウムを100mlのTHFに溶解した溶液を撹拌
しながら滴下する。次に例と同様に、反応およ
び砒化ガリウムの回収を行なうと、副産物のトリ
メチルクロロシランと、7.0ｇ（理論収量の96.8
％）の非晶質の砒化ガリウムが得られる。 例と同様に、GaCl3の代わりにGaBr3、GaF3
またはGaI3を使用して、砒化ガリウムを生成さ
せることができる。GaBr3、GaF3またはGaI3を
含有する溶液に用いる代表的な溶媒はそれぞれト
ルエン、THF、オクタンである。 例 36−75 例35の方法により、特定の第Ａ族と第VA族
との化合物を生成させる。
す。この代替方法では、14.73ｇ（50.0ｍ mol）
のトリス（トリメチルシリル）アルシン、As［Si
（CH3）3］3を250mlのTHF中に溶解する。次にこ
のアルシン溶液に、8.80ｇ（50.0ｍ mol）の塩
化ガリウムを100mlのTHFに溶解した溶液を撹拌
しながら滴下する。次に例と同様に、反応およ
び砒化ガリウムの回収を行なうと、副産物のトリ
メチルクロロシランと、7.0ｇ（理論収量の96.8
％）の非晶質の砒化ガリウムが得られる。 例と同様に、GaCl3の代わりにGaBr3、GaF3
またはGaI3を使用して、砒化ガリウムを生成さ
せることができる。GaBr3、GaF3またはGaI3を
含有する溶液に用いる代表的な溶媒はそれぞれト
ルエン、THF、オクタンである。 例 36−75 例35の方法により、特定の第Ａ族と第VA族
との化合物を生成させる。
【表】
【表】
例 76
ドーピングした第Ａ族と第VA族との化合物
を製造するために、例から例34または例35から
例75の法を使用することができる。例の成分を
修正してドーピングした第Ａ族との化合物を合
成することができるが、これは例として示すもの
で、これに限定するものではない。 最初に5.79ｇ（20.0ｍ mol）のトリス（トリ
メチルシリル）ガランを250mlの乾燥し酸素を除
去したTHFに溶解する。次に、3.61ｇ（19.9ｍ
mol）のAsCl3と13.7mg（0.1ｍ mol）のPCl3を
100mlのTHFに溶解して第２の溶液を生成させ
る。この２つの溶液を混合して、例１に示す手順
により処理する。得られた生成物は、化学量論的
にGaAs0.995P0.005の式を有するリンをドーピング
した非晶質の砒化ガリウムである。 この方法は上記のどの第Ａ族と第VA族の化
合物についても、どのドーパントをいかなる化学
量比ででもドーピングさせるように拡張すること
ができる。 Ｆ 発明の効果 上に述べたとおり、この発明によれば、第Ａ
族と第VA族との化合物を、経済的で実現可能で
あり、しかも比較的安全な有機金属法により合成
することができる。
を製造するために、例から例34または例35から
例75の法を使用することができる。例の成分を
修正してドーピングした第Ａ族との化合物を合
成することができるが、これは例として示すもの
で、これに限定するものではない。 最初に5.79ｇ（20.0ｍ mol）のトリス（トリ
メチルシリル）ガランを250mlの乾燥し酸素を除
去したTHFに溶解する。次に、3.61ｇ（19.9ｍ
mol）のAsCl3と13.7mg（0.1ｍ mol）のPCl3を
100mlのTHFに溶解して第２の溶液を生成させ
る。この２つの溶液を混合して、例１に示す手順
により処理する。得られた生成物は、化学量論的
にGaAs0.995P0.005の式を有するリンをドーピング
した非晶質の砒化ガリウムである。 この方法は上記のどの第Ａ族と第VA族の化
合物についても、どのドーパントをいかなる化学
量比ででもドーピングさせるように拡張すること
ができる。 Ｆ 発明の効果 上に述べたとおり、この発明によれば、第Ａ
族と第VA族との化合物を、経済的で実現可能で
あり、しかも比較的安全な有機金属法により合成
することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (a) 等モル量の、Ａ族元素のトリス（トリ
アルキルシリル）化合物と、VA族元素のハロ
ゲン化合物を、有機溶媒中で混合し、このとき
該Ａ族元素は、アルミニウム、ホウ素、ガリ
ウム、インジウム、及びこれらの混合物からな
る群から選択され、該VA元素は、アンチモ
ン、砒素、窒素、リン、及びこれらの混合物か
らなる群から選択され、 (b) 上記工程(a)の混合物の成分を反応させて、次
の一般式を有するアダクツを生成させ、 上記式において、Ｒはアルキル基、Ａはアル
ミニウム、ホウ素、ガリウム、インジウム、ま
たはこれらの混合物、Ｂはアンチモン、砒素、
窒素、リン、またはこれらの混合物、Ｘは臭
素、塩素、フツ素、またはヨウ素であり、 もつてこれにより、この後、一般式ABをも
つＡ−VA族化合物と、一般式R3SiXをもつ
副産物を生成させ、 (c) 上記副産物R3SiXを除去して、ABの反応量
論的縮合相を生成させる工程を有する、 Ａ族とVA族の化合物を合成する方法。 ２ (a) 等モル量の、VA族元素のトリス（トリ
アルキルシリル）化合物と、Ａ族元素のハロ
ゲン化合物を、有機溶媒中で混合し、このとき
該Ａ族元素は、アルミニウム、ホウ素、ガリ
ウム、インジウム、及びこれらの混合物からな
る群から選択され、該VA族元素は、アンチモ
ン、砒素、窒素、リン、及びこれらの混合物か
らなる群から選択され、 (b) 上記工程(a)の混合物の成分を反応させて、次
の一般式を有するアダクツを生成させ、 上記式において、Ｒはアルキル基、Ａはアル
ミニウム、ホウ素、ガリウム、インジウム、ま
たはこれらの混合物、Ｂはアンチモン、砒素、
窒素、リン、またはこれらの混合物、Ｘは臭
素、塩素、フツ素、またはヨウ素であり、 もつてこれにより、この後、一般式ABをも
つＡ−VA族化合物と、一般式R3SiXをもつ
副産物を生成させ、 (c) 上記副産物R3SiXを除去して、ABの反応量
論的縮合相を生成させる工程を有する、 Ａ族とVA族の化合物を合成する方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/072,486 US4798701A (en) | 1987-07-13 | 1987-07-13 | Method of synthesizing amorphous group IIIA-group VA compounds |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6424006A JPS6424006A (en) | 1989-01-26 |
| JPH0474282B2 true JPH0474282B2 (ja) | 1992-11-25 |
Family
ID=22107911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63119434A Granted JPS6424006A (en) | 1987-07-13 | 1988-05-18 | Synthesis of iiia group and va group compounds |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4798701A (ja) |
| EP (1) | EP0299212A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6424006A (ja) |
| AU (1) | AU607236B2 (ja) |
| BR (1) | BR8803503A (ja) |
| CA (1) | CA1280873C (ja) |
| MX (1) | MX167380B (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4902486A (en) * | 1987-11-03 | 1990-02-20 | Cornell Research Foundation, Inc. | Novel gallium arsenide precursor and low temperature method of preparing gallium arsenide therefrom |
| US4980490A (en) * | 1987-11-03 | 1990-12-25 | Cornell Research Foundation, Inc. | [R(Cl)GaAs(SiR'3)2 ]n |
| US5505928A (en) * | 1991-11-22 | 1996-04-09 | The Regents Of University Of California | Preparation of III-V semiconductor nanocrystals |
| US5474591A (en) * | 1994-01-31 | 1995-12-12 | Duke University | Method of synthesizing III-V semiconductor nanocrystals |
| US6607829B1 (en) * | 1997-11-13 | 2003-08-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Tellurium-containing nanocrystalline materials |
| US6207392B1 (en) * | 1997-11-25 | 2001-03-27 | The Regents Of The University Of California | Semiconductor nanocrystal probes for biological applications and process for making and using such probes |
| WO2001033643A1 (en) | 1999-10-29 | 2001-05-10 | Ohio University | BAND GAP ENGINEERING OF AMORPHOUS Al-Ga-N ALLOYS |
| WO2001091451A2 (en) | 2000-05-23 | 2001-11-29 | Ohio University | Amorphous aluminum nitride emitter |
| JP2005097022A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Japan Science & Technology Agency | Ｉｉｉｂ族窒化物の合成方法 |
| US8134175B2 (en) * | 2005-01-11 | 2012-03-13 | Massachusetts Institute Of Technology | Nanocrystals including III-V semiconductors |
| US7641880B2 (en) * | 2006-05-03 | 2010-01-05 | Ohio University | Room temperature synthesis of GaN nanopowder |
| EP2038456B1 (en) * | 2006-06-09 | 2014-03-05 | Soitec | System and process for high volume deposition of gallium nitride |
| WO2008133660A2 (en) | 2006-11-21 | 2008-11-06 | Qd Vision, Inc. | Nanocrystals including a group iiia element and a group va element, method, composition, device and other prodcucts |
| WO2008064083A2 (en) | 2006-11-22 | 2008-05-29 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Gallium trichloride injection scheme |
| US8382898B2 (en) * | 2006-11-22 | 2013-02-26 | Soitec | Methods for high volume manufacture of group III-V semiconductor materials |
| EP2094406B1 (en) | 2006-11-22 | 2015-10-14 | Soitec | Method, apparatus and gate valve assembly for forming monocrystalline group iii-v semiconductor material |
| US9481944B2 (en) | 2006-11-22 | 2016-11-01 | Soitec | Gas injectors including a funnel- or wedge-shaped channel for chemical vapor deposition (CVD) systems and CVD systems with the same |
| KR101353334B1 (ko) * | 2006-11-22 | 2014-02-18 | 소이텍 | 갈륨 질화물 증착에서의 반응 가스 감소 |
| WO2008064080A1 (en) * | 2006-11-22 | 2008-05-29 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | High volume delivery system for gallium trichloride |
| WO2008064085A2 (en) * | 2006-11-22 | 2008-05-29 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Abatement system for gallium nitride reactor exhaust gases |
| JP5575483B2 (ja) | 2006-11-22 | 2014-08-20 | ソイテック | Ｉｉｉ−ｖ族半導体材料の大量製造装置 |
| US9481943B2 (en) | 2006-11-22 | 2016-11-01 | Soitec | Gallium trichloride injection scheme |
| WO2009085561A2 (en) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Methods for in-situ chamber cleaning process for high volume manufacture of semiconductor materials |
| FR2969137B1 (fr) * | 2010-12-17 | 2015-01-02 | Centre Nat Rech Scient | Procede de preparation d'une composition de particules mixtes contenant des elements des colonnes 13 et 15 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU570239A1 (ru) * | 1976-02-12 | 1979-02-10 | Институт химии АН СССР | "Способ получени кристаллических соединений а1у ву14 |
| FR2403646A1 (fr) * | 1977-09-16 | 1979-04-13 | Anvar | Procede de realisation d'un depot de compose semi-conducteur d'elements iii et v |
| US4230205A (en) * | 1978-05-10 | 1980-10-28 | Westinghouse Electric Corp. | Elevator system |
| US4312970A (en) * | 1981-02-20 | 1982-01-26 | Dow Corning Corporation | Silazane polymers from {R'3 Si}2 NH and organochlorosilanes |
| US4482669A (en) * | 1984-01-19 | 1984-11-13 | Massachusetts Institute Of Technology | Preceramic organosilazane polymers |
| US4704444A (en) * | 1984-02-10 | 1987-11-03 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Polyhydridosilanes and their conversion to pyropolymers |
| US4611035A (en) * | 1984-02-10 | 1986-09-09 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Polyhydridosilanes and their conversion to pyropolymers |
| US4594264A (en) * | 1984-11-20 | 1986-06-10 | Hughes Aircraft Company | Method for forming gallium arsenide from thin solid films of gallium-arsenic complexes |
-
1987
- 1987-07-13 US US07/072,486 patent/US4798701A/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-05-18 JP JP63119434A patent/JPS6424006A/ja active Granted
- 1988-06-14 EP EP19880109441 patent/EP0299212A3/en not_active Withdrawn
- 1988-06-30 CA CA000570930A patent/CA1280873C/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-11 AU AU18932/88A patent/AU607236B2/en not_active Ceased
- 1988-07-12 BR BR8803503A patent/BR8803503A/pt not_active Application Discontinuation
- 1988-07-12 MX MX012229A patent/MX167380B/es unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0299212A2 (en) | 1989-01-18 |
| US4798701A (en) | 1989-01-17 |
| AU607236B2 (en) | 1991-02-28 |
| BR8803503A (pt) | 1989-01-31 |
| MX167380B (es) | 1993-03-19 |
| JPS6424006A (en) | 1989-01-26 |
| EP0299212A3 (en) | 1990-11-07 |
| CA1280873C (en) | 1991-03-05 |
| AU1893288A (en) | 1989-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0474282B2 (ja) | ||
| Fritz et al. | Substituted heptaphosphanortricyclenes: Derivatives and homologues of P7 (SiMe3) 3 | |
| US6963006B2 (en) | Process for the production and purification of bis(tertiary-butylamino)silane | |
| CN108976256B (zh) | 新型的氯甲硅烷基芳基锗烷、其制备方法及其用途 | |
| US6207844B1 (en) | Compounds and methods for depositing pure thin films of gallium nitride semiconductor | |
| JPH10505355A (ja) | 有機金属化合物類 | |
| JP3880025B2 (ja) | 高純度トリメチルインジウムおよびその合成方法 | |
| JP2887145B2 (ja) | 金属アルキル化合物の製造方法 | |
| GB2123423A (en) | Purification of trialkyl gallium | |
| Wan et al. | Hydride and fluoride transfer reactions accompanying nucleophilic substitution at pentacoordinate silicon | |
| US4778908A (en) | Process for preparing disilylmethanes | |
| JP3334881B2 (ja) | ３ａ族金属のトリアルキル化合物の製法 | |
| US5326425A (en) | Preparation of tertiarybutyldimethylantimony and use thereof | |
| US5164524A (en) | Process for preparing tetra (organyl) telluride compounds | |
| US12122798B2 (en) | Perchlorinated disilenes and germasilenes and also neopentatetrelanes, a method for the preparation thereof and use thereof | |
| WO1993010126A1 (en) | Process for the preparation of trialkyl gallium compounds | |
| TWI672309B (zh) | 三烷基鎵化合物之製備及其用途 | |
| US6060119A (en) | Compound tertiarybutylbis-(dimethylamino)phosphine and a process for preparing the compound tertiarybutylbis-(dimethylamino)phosphine | |
| US11851342B2 (en) | Tris(trichlorosily1)dichlorogallylgermane, process for the preparation thereof and use thereof | |
| US7030260B2 (en) | Preparation of mixed-halogen halo-silanes | |
| EP2800752B1 (en) | Method for preparing di-organo-dialkoxysilanes | |
| JPS5949233B2 (ja) | Ｏ，ｏ−ジアルキルチオノ燐酸クロリドの製造法 | |
| JP2673043B2 (ja) | 有機テルル及びセレン化合物の製造方法 | |
| US4879397A (en) | Novel gallium arsenide precursor and low temperature method of preparing gallium arsenide therefrom | |
| WO1993010124A1 (en) | Process for the preparation of di-alkyl compounds of group 2b metals |