JPH0474810B2 - - Google Patents

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JPH0474810B2
JPH0474810B2 JP12278683A JP12278683A JPH0474810B2 JP H0474810 B2 JPH0474810 B2 JP H0474810B2 JP 12278683 A JP12278683 A JP 12278683A JP 12278683 A JP12278683 A JP 12278683A JP H0474810 B2 JPH0474810 B2 JP H0474810B2
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Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、真空インタラプタの電極材料とその
製造方法に関する。 一般に、真空インタラプタの電極は、 1 大電流をしや断する能力が高いこと、 2 絶縁強度が大きいこと、 3 耐溶着性が良好なこと、及び 4 小電流を良好にしや断できること(さい断電
流値が小さいこと) 等の電極条件を満足することが要求されている。 従来、上記の電極条件を満足すべく、種々の電
極材料が提案されている。が、いずれの電極材料
も、上記の電極条件を十分には満足しないのが現
状である。 例えば、銅に微量の高蒸気圧材料(低融点材
料)を含有せしめた種々の電極、例えば、特公昭
41−12131号公報(米国特許証第3246979号参照)
に示されている、銅に0.5重量%のビスマスを含
有せしめてなるもの(以下、Cu−0.5Bi電極とい
う)、または、特公昭48−36071号公報(米国特許
証第3596027号参照)に示されているもの等が知
られている。 これら高蒸気圧材料を含有してなる電極にあつ
ては、大電流しや断能力、耐溶着性及び導電率に
優れているものの、絶縁強度、特に大電流しや断
後の絶縁強度が著しく低下する欠点があり、しか
も、さい断電流値が10Aと高いために電流しや断
時にさい断サージを発生することがあるので、遅
れ小電流を良好にしや断し得ない欠点があり、し
たがつて、負荷側の電気機器の絶縁破壊を引起す
虞れがあつた。 また、例えば、上記高蒸気圧材料を含有する電
極の上述したような欠点を解消するのを企図した
電極として、銅と低蒸気圧材料(高融点材料)と
の合金からなるもの、例えば、特公昭54−36121
号公報(米国特許証第3811939号参照)に示され
ている、20重量%の銅と80重量%のタングステン
とからなるもの、または、特開昭54−1572843号
公報(英国特許出願公開第2024257号公報参照)
に示されているもの等が知られている。 これら低蒸気圧材料を含有してなる電極にあつ
ては、上記の電極条件から観て、絶縁強度が大き
くなる利点はあるものの、短絡電流のような大電
流をしや断することが困難となる欠点があつた。 本発明は、上述した技術水準に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、耐溶着性を不
都合とならない程度に良好に維持しつつ絶縁強度
を大きくし得るとともに、大電流および小電流の
いずれをも良好にしや断し得るようにした、真空
インタラプタの電極材料とその製造方法を提供す
ることである。 上記の目的を達成するために、本発明は、真空
インタラプタの電極材料の組成と製造方法に関す
るものである。 特定発明は、電極材料を5〜40重量%の鉄と、
5〜40重量%のクロムと、1〜10重量%のモリブ
デンもしくはタングステンと、残り銅との複合金
属で構成した。 また、電極材料に関する他の発明は、5〜40重
量%の鉄粉末と、5〜40重量%のクロム粉末と、
1〜10重量%のモリブデンもしくはタングステン
粉末とを相互に拡散結合した多孔質基材に残り重
量%の銅を溶浸させた複合金属で構成した。 そして上記特定発明にかかる電極材料の製造方
法に関する一の発明は、まず、非酸化性雰囲気中
において、鉄とクロムとモリブデンもしくはタン
グステンとの混合粉末を鉄の融点より低い温度で
加熱して、これらの金属を相互に拡散結合するこ
とにより多孔質基材を形成し、ついで、非酸化性
雰囲気中において、上記基材上に銅材を置くと共
に、多孔質基材および銅材を鉄の融点より低い温
度で、かつ、銅の融点以上の温度で加熱して、銅
材を多孔質基材に溶浸させて複合金属を形成する
方法である。 また、上記特定発明にかかる電極材料の製造方
法に関する他の発明は、まず、鉄とクロムとモリ
ブデンもしくはタングステンとの混合粉末と銅材
とを共に非酸化性雰囲気中に納置し、ついで、銅
の融点より低い温度で加熱して上記混合粉末の各
金属を相互に拡散結合することにより多孔質基材
を形成し、ついで銅の融点以上で、かつ、鉄の融
点より低い温度で上記多孔質基材および銅材を加
熱することにより銅材を基材に溶浸させて複合金
属を形成する方法である。 以下、図面および写真等の図を参照して、本発
明の実施例を詳細に説明する。 第1図は、本発明にかかる電極を備えた真空イ
ンタラプタの縦断面図である。真空インタラプタ
は、円筒状に成形したガラスまたは絶縁セラミツ
クス等の絶縁物からなる複数(本実施例において
は2本)の絶縁筒1,1を、各絶縁筒1の両端に
固着したFe−Ni−Co合金等の金属からなる薄肉
円環状の封着金具2,2,…の一方を介し、同軸
的に接合することにより一体の絶縁筒とするとと
もに、この一体の絶縁筒の両開口部を、他方の封
着金具2,2を介し、ステンレス鋼等からなる円
板状の金属端板3,3により閉塞し、かつ、一体
の絶縁筒と金属端板3,3とから成る容器の内部
を高真空に排気して真空容器4を形成し、この真
空容器4内に、一対の円板状の電極5,5を、各
金属端板3の中央部から、真空容器4の気密性を
保持しつつ、相対的に接近離反自在に導入した対
をなす電極棒6,6を介し、接触離反(接離)自
在に設けて概略構成されている。 なお、第1図において、7は金属ベローズ、8
は各電極5等を同心状に囲繞する中間電位のシー
ルドである。 各電極5は、5〜40重量%の鉄と、5〜40重量
%のクロムと、および1〜10重量%のモリブデン
もしくはタングステンと、残り銅とからなる複合
金属の材料から成る。 この電極材料は、−100メツシユの鉄粉末5〜40
重量%と、−100メツシユのクロム粉末5〜40重量
%と、および−100メツシユのモリブデンもしく
はタングステン粉末1〜10重量%とを相互に造
粒、かつ、拡散結合することにより多孔質基材を
形成し、この基材に残り重量%の銅を溶浸させた
金属組織を有する。 以下、上述した電極材料を製造する方法につい
て説明する。 第1の製造方法 まず、鉄が5〜40重量%、クロムが5〜40重量
%、モリブデンもしくはタングステンが1〜10重
量%の組成比となるように調整され、かつ、粒径
を−100メツシユとした、鉄粉末と、クロム粉末
と、およびモリブデンもしくはタングステン粉末
とを所定量(例えば、後加工の切削しろを加味し
た電極1個分相当)機械的に混合する。 ついで、得られた金属混合粉末を、鉄、クロ
ム、モリブデンもしくはタングステン、および銅
のいずれとも反応しない材料、例えば、アルミナ
から成る円形断面の容器に収納し、この収納物
を、非酸化性雰囲気中(例えば、5×10-5Torr
以下の圧力の真空中、水素ガス中、窒素ガス中ま
たはアルゴンガス中等)において、鉄の融点
(1535℃)より低い温度で加熱保持(例えば、600
〜1000℃で5〜60分間程度)し、これにより、鉄
粉末とクロム粉末とモリブデンもしくはタングス
テン粉末とを相互に拡散結合して、多孔質基材を
製造する。 次に、上記拡散結合工程と同一または異なる非
酸化性雰囲気中において、上記多孔質基材上に銅
ブロツクまたは銅粉末等の銅材を置き、かつ、多
孔質基材と銅材とを銅の融点(1083℃)以上で、
かつ、鉄の融点(1535℃)より低い温度で5〜20
分間程度加熱保持して、溶融した銅材を多孔質基
材に溶浸させる。これにより、鉄、クロム、モリ
ブデンもしくはタングステン、および銅から成る
複合金属材料を製造する。 前述の第1の製造方法は、多孔質基材の形成
(拡散結合)工程と、この多孔質基材への銅材の
溶浸工程とが完全に分離していることに特徴があ
り、容器中で多孔質基材を拡散結合形成している
時には、この容器中に銅材は納置されていない。 したがつて、第1の製造方法では、多孔質基材
の形成を水素ガス、窒素ガス又はアルゴンガス等
のガス中で行い、この多孔質基材への銅材の溶浸
を真空引き下で行うことでもよい。 また、各種非酸化性雰囲気中において電極多数
個分に相当する多孔質の柱状基材を製造し、この
多孔質の柱状基材を所要厚さ、および、形状に切
断して例えば1個の電極用の多孔質基材に加工し
た後に、この多孔質の基材への銅材の溶浸を真空
引き下で行うことでもよい。 第2の製造方法 第2の製造方法は、鉄粉末とクロム粉末とモリ
ブデン粉末もしくはタングステン粉末との混合粉
末と、銅材とを同一容器内に納置し、上記混合粉
末の拡散結合工程および銅材の溶浸工程を、同一
非酸化性雰囲気中での加熱温度の変更のみで一貫
して行う点に特徴がある。 すなわち、第2の製造方法にあつては、まず、
鉄が5〜40重量%、クロムが5〜40重量%、モリ
ブデンもしくはタングステンが1〜10重量%の組
成比となるように調整され、かつ、粒径を−100
メツシユとした、鉄粉末と、クロム粉末と、およ
びモリブデンもしくはタングステン粉末とを所定
量機械的に混合する。 ついで、得られた金属混合粉末を、鉄、クロ
ム、モリブデンもしくはタングステン、および銅
のいずれとも反応しない材料、例えば、アルミナ
から成る円形断面の容器に収納するとともに、金
属混合粉末上に銅材を載置する。 ついで、容器中の収納物を非酸化雰囲気中(例
えば、5×10-5Torr以下の圧力の真空中)にお
いて、まず、銅の融点より低い温度で加熱保持
(例えば、600〜1000℃で5〜60分間程度)し、こ
れにより、鉄粉末とクロム粉末とモリブデンもし
くはタングステン粉末とを相互に拡散結合して、
多孔質基材を製造する。 ついで、得られた多孔質基材と銅材とを銅の融
点(1083℃)以上で、かつ、鉄の融点(1535℃)
より低い温度(例えば1100℃)で、5〜20分間程
度加熱保持し、溶融した銅材を多孔質基材に溶浸
させる。これにより、鉄、クロム、モリブデンも
しくはタングステンおよび銅から成る複合金属の
材料を製造する。 なお、第1、第2の方法いずれの場合にあつて
も、非酸化性雰囲気としては、真空の方が加熱保
持の際に脱ガスが同時に行なえる利点があつて好
適なものである。もちろん真空中以外のガス中に
て製造した場合にあつても真空インタラプタの電
極として実用上問題はないものである。また上記
各金属粉末における各金属粒子の径を−100メツ
シユとした理由は、各金属粒子が電極材料の金属
組織中で均一に分散し且つ相互拡散結合が良好と
なるようにするためである。 また、金属粉末の相互拡散結合に要する、加熱
温度と時間は、炉の条件、形成する多孔質基材の
形状、大きさ、等の条件、及び作業性等を考慮し
て且つ所望の電極材料としての性質を満足するよ
うに加熱保持されるものであり、例えば600℃で
60分間、または1000℃で5分間といつた加熱条件
で作業が行なわれるものである。 次に、前述の第2の製造方法(ただし、非酸化
性雰囲気は、5×10-5Torrの真空中)により製
造した電極材料の実施例にかかる金属組織を第2
図A,B,C,DおよびEならびに第3図A,
B,C,DおよびEに示す。 第2図A,B,C,DおよびEは、実施例−1
にかかる電極材料であつて、鉄が23重量%、クロ
ムが22重量%、モリブデンが5重量%、及び銅が
50重量%の組成比からなる電極材料のX線マイク
ロアナライザによる特性写真である。 第2図Aは、二次電子像を示す特性写真であ
り、また第2図Bは、分散した鉄Feの特性X線
像で、島状に白く存在する部分が鉄である。第2
図Cは、分散したクロムCrの特性X線像で、点
在する白い部分がクロムである。第2図Dは分散
したモリブデンMoの特性X線像で、点在する白
い部分がモリブデンである。また第2図Eは、溶
浸された銅Cuの特性X線像で、白い部分が銅で
ある。 この第2図から判るように、鉄Fe、クロムCr、
モリブデンMoの各粉末(粉体)は、相互拡散結
合して多孔質基材を形成している。 そしてこの多孔質基材の孔(間隙)に銅Cuが
溶浸されることによつて全体として強固な結合体
の複合金属を形成していることが判る。 なお、第2図のBないしEにおいて、白い部分
は各々元素を示すものであるが、白い部分(白
点)が多い部分は、その元素の濃度が高いことを
示している。(後述の第3図においても同様であ
る。) 第3図A,B,C,DおよびEは、実施例−2
にかかる電極材料であつて、鉄が23重量%、クロ
ムが22重量%、タングステンが5重量%及び銅が
50重量%の組成比からなる電極材料のX線マイク
ロアナライザによる特性写真である。 第3図Aは、二次電子像を示す特性写真であ
り、また第3図B,C及びEは、第2図B,C及
びEの場合と同様に分散した白い部分が、鉄Fe、
クロムCr及び銅Cuを各々示すものである。 しかして第3図Dは、分散したタングステンW
の特性X線像で、点在する白い部分がタングステ
ンである。 この第3図から判るように、鉄Fe、クロムCr、
タングステンW、の各粉末(粉体)は、相互拡散
結合して多孔質基材を形成している。そしてこの
多孔質基材の孔(間隙)に銅Cuが溶浸されるこ
とによつて全体として強固な結合体の複合金属を
形成していることが判る。 以上の通り図示し詳述した金属組織を有する実
施例−1及び実施例−2の電極材料を、直径50
mm、厚み6.5mmの円板に形成し、かつ、その周縁
にR=4mmの丸味を付けた電極とし、この電極を
一対第1図に示す構成の真空インタラプタに組込
んで、この真空インタラプタの諸性能を検証し
た。この検証結果は、以下の通りであつた。 なお、実施例−2の第3図に示す、タングステ
ンを含む電極材料から成る電極が、第2図に示す
実施例−1の、モリブデンを含む電極材料から成
る電極と異なる性能を有するときは、その都度特
記する。 1 電極材料の導電率(IACS) 実施例−1の場合は3〜20%、実施−2の場合
は2〜30%であつた。 2 耐溶着性 両電極5,5同士を130Kgfの力で加圧し、こ
れら電極5,5間に25kArmsの電流を3秒間通
電した(IEC短時間電流規格)後に、両電極5,
5は、200Kgfの静的な引外し力で問題なく引外
すことができ、その後の接触抵抗の増加は、2〜
8%に止まつた。 また、両電極5,5同士を1000Kgfの力で加圧
し、これら電極5,5間に50kArmsの電流を3
秒間通電した後に、両電極5,5を、200Kgfの
静的な引外し力で問題なく引外すことができ、そ
の後の接触抵抗の増加は、2〜7%に止まつた。 したがつて、耐溶着性は、実用上不都合となら
ない程度に良好に維持された。 3 さい断電流値 試験電流として30Aを通電して行なつたところ
さい断電流値は平均3.8A(標準偏差σn=1.8、標本
数n=100)であつた。 また、実施例−2のタングステンを含む電極材
料の場合、さい断電流値は、平均3.8A(標準偏差
σn=1.3、n=100)であつた。 4 大電流しや断能力 12kArmsの電流をしや断することができた。 5 絶縁強度 極間ギヤツプを3.0mmに維持し、インパルス耐
電圧試験を行なつたところ、±120kV(バラツキ±
10kV)の耐電圧値を示した。 6 しや断後の絶縁強度 12kA通電して複数回しや断後に極間ギヤツプ
を3.0mmに維持し、インパルス耐電圧試験を行つ
たところ、±110kV(バラツキ10kV)の耐電圧値
を示した。 7 小電流開閉後の絶縁強度 電流80Aで小電流連続開閉試験を10000回行な
つた。耐電圧値は、初期〜10000回の間において、
ほとんど変化しなかつた。 8 進み小電流しや断能力 電圧84×1.25/√3kV、電流80Aの進み小電流しや 断試験(JEC181)を10000回行なつた。両電極
5,5に再点弧は発生しなかつた。 次に本発明に係る組成の電極材料において、
鉄、クロム、モリブデンおよび銅の各組成比、ま
たは鉄、クロム、タングステンおよび銅の各組成
比を変更した場合のさい断電流値(30A通電時に
おける平均値)およびインパルス耐電圧値を、第
1表及び第2表に示す。 Fe,Cr,WおよびCuの組成比と
【表】 Fe,Cr,MoおよびCuの組成比とさ
【表】 上述の1)〜8)項から判るように、本発明の
電極材料から成る電極を有する真空インタラプタ
は、優れた諸性能を有するものであり、本発明に
かかる電極と同一形状のCu−0.5Bi電極を有する
真空インタラプタの諸性能と比較したところ、下
記の通りであつた。 a 大電流しや断能力 両者同一である。 b 絶縁強度 一対のCu−0.5Bi電極が極間ギヤツプ10mmにお
いて示すインパルス耐電圧値と、本発明にかかる
一対の電極が極間ギヤツプ3.0mmにおいて示すイ
ンパルス耐電圧値とは同一であつた。したがつ
て、本発明にかかる電極は、Cu−0.5Bi電極の3
倍強の絶縁強度を有する。 c 耐溶着性 本発明にかかる電極の耐溶着性は、Cu−0.5Bi
電極の耐溶着性の70%である。が、実用上ほとん
ど問題なく、必要ならば、電極開離瞬時の引外し
力を若干増加させればよい。 d 進み小電流しや断能力 本発明にかかる電極は、Cu−0.5Bi電極に比較
して2倍のキヤパシタンス容量の負荷をしや断す
ることができる。 e さい断電流値 本発明にかかる電極のさい断電流値は、Cu−
0.5Bi電極のさい断電流値の30%と小さくなつた。 また、第1表および第2表に示す図示以外の組
成の電極も、Cu−0.5Bi電極との比較において、
前述の実施例−1及び実施例−2の組成のものと
ほぼ同様の性能を示した。 しかして、鉄が5重量%未満の場合には、さい
断電流値が急激に大きくなり、他方、40重量%を
超える場合には、大電流しや断能力が急激に低下
した。 また、クロムが5重量%未満の場合には、さい
断電流値が急激に大きくなり、他方、40重量%を
超える場合には、大電流しや断能力が急激に低下
した。 また、モリブデンもしくはタングステンが1重
量%未満の場合には、絶縁強度が急激に低下し、
他方、10重量%を超える場合には、大電流しや断
能力が急激に低下した。 また、銅が10重量%未満の場合には、短時間電
流試験の結果から判るように通電後の接触抵抗が
急激に大きくなり、すなわち、電極の導電率が急
激に低下するので、定格電流通電時のジユール熱
が急激に大きくなり、銅10重量%未満の電極の実
用性が低下した。 他方、銅が89%を超える場合には、絶縁強度が
急激に低下するとともに、耐溶着性が急激に低下
した。 以上の如く、特定発明は、5〜40重量%の鉄
と、5〜40重量%のクロムと、1〜10重量%のモ
リブデンもしくはタングステンと、および残りの
銅との複合金属を材料とする真空インタラプタの
電極であるから、この電極は、Cu−0.5Bi電極の
ように高蒸気圧材料を含有して成る従来の電極に
比して、真空インタラプタの絶縁強度を飛躍的に
大きくし、かつ、さい断電流値を飛躍的に小さく
することができる。また従来の20Cu−80W等の
如き低蒸気圧材料を含有してなる電極に比べて大
電流しや断を良好に行なうことができる。したが
つて、特定発明にかかる電極材料は、大電流しや
断、進み小電流しや断および遅れ小電流しや断を
良好に行うことができる。 また、電極材料に関する5〜40重量%の鉄粉末
と、5〜40重量%のクロム粉末と、1〜10重量%
のモリブデンもしくはタングステン粉末とを相互
に拡散結合した多孔質基材に残重量%の銅材を溶
浸させてなる、真空インタラプタの電極材料であ
るから、上述した種々の効果に加えて、電極の機
械的強度の向上を図ることができる。 また、特定発明にかかる電極材料の製造方法に
関する一の発明は、鉄とクロムとモリブデンもし
くはタングステンとの混合粉末を非酸化性雰囲気
中で、かつ、所定温度で所定時間保持し、相互に
拡散結合させて多孔質基材とし、この基材上に銅
材を置き、この銅材を非酸化性雰囲気中で多孔質
基材に溶浸させて電極材料を製造するようにして
いるので、各金属間の結合が良好に行われ、その
分散状態を均一にでき、電極材料の電気的特性お
よび機械的特性を優れたものとすることができ
る。 また、特定発明にかかる電極材料の製造方法に
関する他の発明は、鉄とクロムとモリブデンもし
くはタングステンとの混合粉末と銅材とを共に所
定の容器中に納置し、その後に、同一非酸化性雰
囲気中で混合粉末の相互拡散結合および銅材の溶
浸を温度調節のみで一貫して行うようにしている
ので、上記一の発明に伴う効果に加えて、作業工
程の一部を省略できる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明にかかる電極材料により成る
電極を有する真空インタラプタの縦断面図、第2
図A,B,C,DおよびEは、鉄23重量%、クロ
ム22重量%、モリブデン5重量%および銅50重量
%の組成を有する複合金属から成る電極材料のX
線マイクロアナライザによる特性写真で、第2図
Aは、電極材料の二次電子像を示し、第2図B,
C,DおよびEは、分散状態にある、鉄、クロ
ム、モリブデンおよび溶浸銅の特性X線像を示
す。第3図A,B,C,DおよびEは、鉄23重量
%、クロム22重量%、タングステン5重量%およ
び銅50重量%の組成を有する電極材料のX線マイ
クロアナライザによる特性写真で、第3図Aは、
電極材料の二次電子像を示し、第3図B,C,D
およびEは、分散状態にある、鉄、クロム、タン
グステンおよび溶浸銅の特性X線像を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 5〜40重量%の鉄と、5〜40重量%のクロム
    と、1〜10重量%のモリブデンもしくはタングス
    テンと、残り銅との複合金属から成る、真空イン
    タラプタの電極材料。 2 5〜40重量%の鉄粉末と、5〜40重量%のク
    ロム粉末と、1〜10重量%のモリブデンもしくは
    タングステン粉末とを相互に拡散結合した多孔質
    基材に残り重量%の銅を溶浸させた複合金属から
    成る真空インタラプタの電極材料。 3 まず、非酸化性雰囲気中において、鉄と、ク
    ロムと、モリブデンもしくはタングステンとの混
    合粉末を鉄の融点より低い温度で加熱してこれら
    の混合粉末の各金属を相互に拡散結合することに
    より多孔質基材を形成し、ついで、非酸化性雰囲
    気中において、上記多孔質基材上に銅材を置くと
    共に、多孔質基材および銅材を鉄の融点より低い
    温度で、かつ、銅の融点以上の温度で加熱して銅
    材を多孔質基材に溶浸させて複合金属とした真空
    インタラプタの電極材料の製造方法。 4 まず、鉄と、クロムと、モリブデンもしくは
    タングステンとの混合粉末と銅材とを共に非酸化
    性雰囲気中に納置し、ついで、銅の融点より低い
    温度で加熱して上記混合粉末の各金属を相互に拡
    散結合することにより多孔質基材を形成し、つい
    で銅の融点以上で、かつ、鉄の融点より低い温度
    で上記多孔質基材及び銅材を加熱することにより
    銅材を多孔質基材に溶浸させて複合金属とした真
    空インタラプタの電極材料の製造方法。
JP12278683A 1983-07-05 1983-07-05 真空インタラプタの電極材料とその製造方法 Granted JPS6014721A (ja)

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