JPH0474875A - 回折格子の製造方法 - Google Patents
回折格子の製造方法Info
- Publication number
- JPH0474875A JPH0474875A JP18984090A JP18984090A JPH0474875A JP H0474875 A JPH0474875 A JP H0474875A JP 18984090 A JP18984090 A JP 18984090A JP 18984090 A JP18984090 A JP 18984090A JP H0474875 A JPH0474875 A JP H0474875A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- diffraction grating
- intensity
- substrate
- mask
- Prior art date
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- Granted
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、回折格子の製造方法に関し、特に２種類の
周期の回折格子を同時に形成する回折格子の製造方法に
関するものである。
周期の回折格子を同時に形成する回折格子の製造方法に
関するものである。
第５図は従来の回折格子の製造に用いられる干渉露光装
置を示す図であり、図において、レーザ光源４よりレー
ザ光１７ａが出射する。レーザ光１７ａはハーフミラ−
５によりレーザ光１７ｂ。
置を示す図であり、図において、レーザ光源４よりレー
ザ光１７ａが出射する。レーザ光１７ａはハーフミラ−
５によりレーザ光１７ｂ。
１７ｃに分離され、これらレーザ光１７ｂ、１７Ｃはそ
れぞれミラー６ａ、６ｂにより反射されて、基板１上に
塗布されたレジスト２に照射される。
れぞれミラー６ａ、６ｂにより反射されて、基板１上に
塗布されたレジスト２に照射される。
また第６図は従来の干渉露光法による回折格子の形成方
法を示す断面工程図および露光強度分布図である。
法を示す断面工程図および露光強度分布図である。
次に従来の回折格子の製造工程を第６図について説明す
る。
る。
まず基板１上に第６図（ａ）に示すようにレジスト２を
塗布した後、第６図（ロ）に示すように三光束干渉露光
法によりレジスト２を周期的に露光する。
塗布した後、第６図（ロ）に示すように三光束干渉露光
法によりレジスト２を周期的に露光する。
このときレジスト２上に照射されるレーザ光の露光強度
は第６図（Ｃ）に示すように周期的に変化するので、露
光されたレジスト２を現像するとレジスト２は第６図（
ｄ）に示す回折格子３ａにパターニングされる。この後
該パターニンクされたレジスト２をマスクとして基板１
をエツチングすることにより第６図（ｅ）に示すように
回折格子３ｂが形成される。
は第６図（Ｃ）に示すように周期的に変化するので、露
光されたレジスト２を現像するとレジスト２は第６図（
ｄ）に示す回折格子３ａにパターニングされる。この後
該パターニンクされたレジスト２をマスクとして基板１
をエツチングすることにより第６図（ｅ）に示すように
回折格子３ｂが形成される。
次に従来の回折格子の製造方法において用いられる干渉
露光法の原理を第５図について説明する。
露光法の原理を第５図について説明する。
第５図の装置において、レーザ光源４より放射されたレ
ーザ光１７ａはハーフミラ−５により２方向に分けられ
、ミラー６により反射されることで基板１上で再び合波
される。このときレーザ光の干渉により基板上の光の強
度は ノ で表される周期への分布を持つ。ここでλはレーザ光の
波長、θはレーザ光の基板への入射角を表す。
ーザ光１７ａはハーフミラ−５により２方向に分けられ
、ミラー６により反射されることで基板１上で再び合波
される。このときレーザ光の干渉により基板上の光の強
度は ノ で表される周期への分布を持つ。ここでλはレーザ光の
波長、θはレーザ光の基板への入射角を表す。
従来の回折格子の作成は、上記の原理を利用したもので
あり、基板上に塗布したレジストを周期へのピッチで露
光した後、現像、エツチングにより行われる。
あり、基板上に塗布したレジストを周期へのピッチで露
光した後、現像、エツチングにより行われる。
第２図は１次および２次の回折格子を合わせ持つ分布帰
還型（ＤＦＢ）半導体レーザを示す共振器長方向の断面
構造図である。図において、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰガイド
層７．ＩｎＧａＡｓＰ活性層８；及びｎ型１ｎＰクラツ
ドＮ９は、１次の回折格子１１及び２次の回折格子１０
が形成されたＰ型１ｎＰ基板ｌａ上に順次積層されてい
る。
還型（ＤＦＢ）半導体レーザを示す共振器長方向の断面
構造図である。図において、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰガイド
層７．ＩｎＧａＡｓＰ活性層８；及びｎ型１ｎＰクラツ
ドＮ９は、１次の回折格子１１及び２次の回折格子１０
が形成されたＰ型１ｎＰ基板ｌａ上に順次積層されてい
る。
次にこのＤＦＢ半導体レーザの動作について説明する。
ＤＦＢレーザにおいては、活性層で発生した光が回折格
子により反射され、素子内部に閉じ込められるため、素
子全体に均一のピッチで回折格子が形成されている場合
、素子中央部分における光密度が高くなり、ホールバー
ニング等により素子特性に悪影響を与える。第２図の半
導体レーザはこのような問題点を解決するものである。
子により反射され、素子内部に閉じ込められるため、素
子全体に均一のピッチで回折格子が形成されている場合
、素子中央部分における光密度が高くなり、ホールバー
ニング等により素子特性に悪影響を与える。第２図の半
導体レーザはこのような問題点を解決するものである。
回折格子による光の反射は低次の回折格子の方が効率よ
く行なわれる。従って、第２図に示すように、素子中央
部の回折格子１０を共振基板端面近傍の回折格子１１よ
り高次のものにすることにより、素子中央部での光の反
射強度を共振器端面近傍での光の反射強度より小さくす
ることができる。その結果、活性層８で発生した光は素
子中央部のみに閉じ込められることなく、大部分の光は
共振器端面近傍まで進行し、回折格子１１により反射さ
れる。従って、光の密度が素子中央部でのみ高くなるこ
とはなく、素子全体にわたり均一な光の密度となり、ホ
ールバーニングが生じにくくなり、レーザ特性を向上で
きる。また、本レーザにおいては２次の回折格子１０に
よりレーザ光を基板に対し垂直に取り出すことができる
。
く行なわれる。従って、第２図に示すように、素子中央
部の回折格子１０を共振基板端面近傍の回折格子１１よ
り高次のものにすることにより、素子中央部での光の反
射強度を共振器端面近傍での光の反射強度より小さくす
ることができる。その結果、活性層８で発生した光は素
子中央部のみに閉じ込められることなく、大部分の光は
共振器端面近傍まで進行し、回折格子１１により反射さ
れる。従って、光の密度が素子中央部でのみ高くなるこ
とはなく、素子全体にわたり均一な光の密度となり、ホ
ールバーニングが生じにくくなり、レーザ特性を向上で
きる。また、本レーザにおいては２次の回折格子１０に
よりレーザ光を基板に対し垂直に取り出すことができる
。
従来の回折格子は以上のようにして作製されるので基板
全面にわたって同周期の回折格子が形成される。従って
、第２図に示すような１次および２次の回折格子を合わ
せ持つ半導体レーザを作製できないという問題点があっ
た。
全面にわたって同周期の回折格子が形成される。従って
、第２図に示すような１次および２次の回折格子を合わ
せ持つ半導体レーザを作製できないという問題点があっ
た。
二の発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、同一平面上に２種類の周期の回折格子を一回
の干渉露光により同時に形成できる回折格子の製造方法
を得ることを目的とする。
たもので、同一平面上に２種類の周期の回折格子を一回
の干渉露光により同時に形成できる回折格子の製造方法
を得ることを目的とする。
この発明に係る回折格子の製造方法は、回折格子を形成
する基板上に、露光強度に対し現像速度が極値を持つレ
ジストを塗布し、さらに該レジストを部分的に半透性マ
スクで覆った後、該半透性マスクで覆われた部分または
その他の部分のどちらか一方のみにおいて露光強度の最
大値と最小値が、現像速度が極値となる強度の両側の強
度となるような光強度で干渉露光を行ない、この後該レ
ジストを現像して得られたパターンをマスクとして上記
基板をエツチングすることにより回折格子を製造するも
のである。
する基板上に、露光強度に対し現像速度が極値を持つレ
ジストを塗布し、さらに該レジストを部分的に半透性マ
スクで覆った後、該半透性マスクで覆われた部分または
その他の部分のどちらか一方のみにおいて露光強度の最
大値と最小値が、現像速度が極値となる強度の両側の強
度となるような光強度で干渉露光を行ない、この後該レ
ジストを現像して得られたパターンをマスクとして上記
基板をエツチングすることにより回折格子を製造するも
のである。
この発明における回折格子の製造方法は、回折格子を形
成する基板上に、露光強度に対し現像速度が極値を持つ
レジストを塗布し、さらに該レジストを部分的に半透性
マスクで覆った後、該半透性マスクで覆われた部分また
はその他の部分のどちらか一方のみにおいて露光強度の
最大値と最小値が、現像速度が極値となる強度の両側の
強度となるような光強度で干渉露光を行ない、この後練
レジストを現像して得られたパターンをマスクとして上
記基板をエツチングすることにより回折格子を製造する
ようにしたから、周期の異なる２種類の回折格子を一回
の干渉露光で同時に形成できる。
成する基板上に、露光強度に対し現像速度が極値を持つ
レジストを塗布し、さらに該レジストを部分的に半透性
マスクで覆った後、該半透性マスクで覆われた部分また
はその他の部分のどちらか一方のみにおいて露光強度の
最大値と最小値が、現像速度が極値となる強度の両側の
強度となるような光強度で干渉露光を行ない、この後練
レジストを現像して得られたパターンをマスクとして上
記基板をエツチングすることにより回折格子を製造する
ようにしたから、周期の異なる２種類の回折格子を一回
の干渉露光で同時に形成できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による回折格子の製造方法を
示す断面工程図及び光強度分布図である。
示す断面工程図及び光強度分布図である。
図において、基板１上には露光強度に対し現像速度が極
小値を持つレジスト（イメージリバーサルレジスト）１
２が塗布され、該レジスト１２上には半透明マスク１３
が部分的に配置される。
小値を持つレジスト（イメージリバーサルレジスト）１
２が塗布され、該レジスト１２上には半透明マスク１３
が部分的に配置される。
次に本実施例による回折格子の製造工程について説明す
る。
る。
まず、第１図（ａ）に示すように回折格子を形成する基
板１上に、露光前に１１０〜１２０°Ｃの温度でベーク
することにより露光強度に対し現像速度が極小値をもつ
ようになるレジスト（イメージリバーサルレジスト）１
２を塗布する０次に、１１０〜１２０°Ｃの温度で約５
分間ベークした後、第１図（ｂ）に示すようにレジスト
１２上の一部に半透明マスク１３を配置し、２光束干渉
露光法により半透性マスク１３でおおわれていないとこ
ろでは露光強度の最大値と最小値が現象速度が極小にな
る強度の両側になり、半透性マスク１３でおおわれたと
ころでは露光強度の最大値が現象速度が極小になる強度
以下になるような露光強度でレジスト１２を露光する。
板１上に、露光前に１１０〜１２０°Ｃの温度でベーク
することにより露光強度に対し現像速度が極小値をもつ
ようになるレジスト（イメージリバーサルレジスト）１
２を塗布する０次に、１１０〜１２０°Ｃの温度で約５
分間ベークした後、第１図（ｂ）に示すようにレジスト
１２上の一部に半透明マスク１３を配置し、２光束干渉
露光法により半透性マスク１３でおおわれていないとこ
ろでは露光強度の最大値と最小値が現象速度が極小にな
る強度の両側になり、半透性マスク１３でおおわれたと
ころでは露光強度の最大値が現象速度が極小になる強度
以下になるような露光強度でレジスト１２を露光する。
第１図（Ｃ）はこの時の光強度分布を示す図である。こ
の後、現像速度が極小になる光強度で露光された部分の
レジスト１２が残るようにレジストを現像するとレジス
ト１２は第１図（ｄ）に示す回折格子２３ａにバターニ
ングされる。
の後、現像速度が極小になる光強度で露光された部分の
レジスト１２が残るようにレジストを現像するとレジス
ト１２は第１図（ｄ）に示す回折格子２３ａにバターニ
ングされる。
この後畠亥パターニンクされたレジスト１２をマスクと
じて基板１を適当なエツチング液、例えばＨＢ ｒ ／
ＨＮ Ｏ：Ｉ ／ Ｈｚ Ｏ混合溶液、ＨＢｒ／ＨＮ
Ｏ，／ＣＨ３０Ｈ混合溶液、あるいは１３ ｒ２ ／
ＣＨ，ＯＨ混合溶液等によりエツチングすることにより
第１図（ｅ）に示すように回折格子２３ｂが形成される
。
じて基板１を適当なエツチング液、例えばＨＢ ｒ ／
ＨＮ Ｏ：Ｉ ／ Ｈｚ Ｏ混合溶液、ＨＢｒ／ＨＮ
Ｏ，／ＣＨ３０Ｈ混合溶液、あるいは１３ ｒ２ ／
ＣＨ，ＯＨ混合溶液等によりエツチングすることにより
第１図（ｅ）に示すように回折格子２３ｂが形成される
。
次に露光強度に対し現像速度が極小値を持つようになる
レジスト（イメージリハーサルレジスト）の作用につい
て説明する。
レジスト（イメージリハーサルレジスト）の作用につい
て説明する。
イメージリバーサルレジストは露光前に１１０〜１２０
°Ｃの温度でベークすることにより第３図に示すように
、露光強度αに対し現象速度が極小値を持つようになる
ことが知られている（を子材料１９８６年６月号参照）
。
°Ｃの温度でベークすることにより第３図に示すように
、露光強度αに対し現象速度が極小値を持つようになる
ことが知られている（を子材料１９８６年６月号参照）
。
また干渉露光法による露光での露光強度は第４図に示す
ような周期的な分布となる。ここで分布の周期は（１）
式中の八である。
ような周期的な分布となる。ここで分布の周期は（１）
式中の八である。
したがって干渉露光による露光強度の最大値が現象が極
小値となる点（第３図α点）以上でかつ露光強度の最小
値がα点以下となるように露光することにより、現像速
度が極小値となる強度で露光された部分のレジストだけ
を残すように現像することが出来、その後エツチングす
ることにより干渉露光法で得られる干渉縞の周期の半分
の周期の回折格子を形成することが可能となる。
小値となる点（第３図α点）以上でかつ露光強度の最小
値がα点以下となるように露光することにより、現像速
度が極小値となる強度で露光された部分のレジストだけ
を残すように現像することが出来、その後エツチングす
ることにより干渉露光法で得られる干渉縞の周期の半分
の周期の回折格子を形成することが可能となる。
一方、干渉露光による露光強度の最大値がα点以下、ま
たは露光強度の最小値がα点以上の場合は、干渉露光で
得られる干渉縞の周期でレジストが残り、干渉縞の周期
の回折格子が形成される。
たは露光強度の最小値がα点以上の場合は、干渉露光で
得られる干渉縞の周期でレジストが残り、干渉縞の周期
の回折格子が形成される。
したがって半透性マスクで基板の一部をおおうことによ
り、マスクでおおわれていないところの露光強度の最大
値がα点以上でかつ最小値がα点以下となるようにし、
マスクでおおわれたところでは露光強度の最大値がα点
以下になるようにすることで、周期への回折格子と周期
Ａ／２の回折格子を一回の干渉露光により同時に形成す
ることができる。
り、マスクでおおわれていないところの露光強度の最大
値がα点以上でかつ最小値がα点以下となるようにし、
マスクでおおわれたところでは露光強度の最大値がα点
以下になるようにすることで、周期への回折格子と周期
Ａ／２の回折格子を一回の干渉露光により同時に形成す
ることができる。
次に本実施例による回折格子の製造方法を用いて第２図
に示す半導体レーザを作製する工程について説明する。
に示す半導体レーザを作製する工程について説明する。
第１図に示す基板１としてＰ型１ｎＰ基板１ａを用い、
第１図に示すフローに従って、基板ｌａ上に回折格子を
製造する。即ちまず、基板上に、露光前に１１０〜１２
０°Ｃの温度でベータすることにより露光強度に対し現
像速度が極小値を持つようになるレジスト（イメージリ
バーサルレジスト）を第１図（ａ）に示すように塗布す
る０次に１１Ｏ〜１２０℃の温度でベークした後、第１
図ら）に示すように部分的に半透性マスク１３で基板を
覆い、干渉露光法により、半透性マスク１３で覆われて
いないところでは露光強度の最大値と最小値が現象速度
が極小になる強度の両側になり、半透性マスク１３で覆
われたところでは露光強度の最大値が現象速度が極小に
なる強度以下になるよう露光する。ここで半透性マスク
１３の輻及び間隔は３００μｍ程度とする。その後適当
なエツチング液によりエツチングすることにより回折格
子を形成する。その後バンドギャップ相当波長１．１５
μｍの組成のＩｎＧａＡｓＰ５４１層７、バンドギャッ
プ相当波長１．３μｍの組成のＩ ｎＣ；ａＡｓＰ活性
層８、ｎ型１ｎＰクラッド層９を順次形成し、−次の回
折格子の中央部でへき開により分離することにより、第
２図に示すＤＦＢレーザが完成する。
第１図に示すフローに従って、基板ｌａ上に回折格子を
製造する。即ちまず、基板上に、露光前に１１０〜１２
０°Ｃの温度でベータすることにより露光強度に対し現
像速度が極小値を持つようになるレジスト（イメージリ
バーサルレジスト）を第１図（ａ）に示すように塗布す
る０次に１１Ｏ〜１２０℃の温度でベークした後、第１
図ら）に示すように部分的に半透性マスク１３で基板を
覆い、干渉露光法により、半透性マスク１３で覆われて
いないところでは露光強度の最大値と最小値が現象速度
が極小になる強度の両側になり、半透性マスク１３で覆
われたところでは露光強度の最大値が現象速度が極小に
なる強度以下になるよう露光する。ここで半透性マスク
１３の輻及び間隔は３００μｍ程度とする。その後適当
なエツチング液によりエツチングすることにより回折格
子を形成する。その後バンドギャップ相当波長１．１５
μｍの組成のＩｎＧａＡｓＰ５４１層７、バンドギャッ
プ相当波長１．３μｍの組成のＩ ｎＣ；ａＡｓＰ活性
層８、ｎ型１ｎＰクラッド層９を順次形成し、−次の回
折格子の中央部でへき開により分離することにより、第
２図に示すＤＦＢレーザが完成する。
なお上記実施例では半透性マスクで覆われたところで周
期への回折格子、覆われていないところで周期Ａ／２の
回折格子を作製する場合について示したが、干渉露光前
、もしくは露光後に基板上のレジスト全面にわたって露
光することにより、半透性マスクで覆ったところで露光
強度の最大値がα点以上で、最小値がα点以下となるよ
うにし、マスクで覆っていないところでは露光強度の最
小値がα点以上となるようにした場合でも、上記実施例
と同様の効果を奏する。
期への回折格子、覆われていないところで周期Ａ／２の
回折格子を作製する場合について示したが、干渉露光前
、もしくは露光後に基板上のレジスト全面にわたって露
光することにより、半透性マスクで覆ったところで露光
強度の最大値がα点以上で、最小値がα点以下となるよ
うにし、マスクで覆っていないところでは露光強度の最
小値がα点以上となるようにした場合でも、上記実施例
と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、回折格子を形成する
基板上に、露光強度に対し現像速度が極値を持つレジス
トを塗布し、さらに該レジストを部分的に半透性マスク
で覆った後、該半透性マスクで覆われた部分またはその
他の部分のどちらか一方のみにおいて露光強度の最大値
と最小値が、現像速度が極値となる強度の両側の強度と
なるような光強度で干渉露光を行ない、該レジストを現
像して得られたパターンをマスクとして上記基板をエツ
チングすることにより回折格子を製造するようにしたか
ら、周期の異なる２種類の回折格子を一回の干渉露光で
同時に形成でき、−次及び二次の回折格子の両者を有す
る半導体レーザを容易に形成することができる効果があ
る。
基板上に、露光強度に対し現像速度が極値を持つレジス
トを塗布し、さらに該レジストを部分的に半透性マスク
で覆った後、該半透性マスクで覆われた部分またはその
他の部分のどちらか一方のみにおいて露光強度の最大値
と最小値が、現像速度が極値となる強度の両側の強度と
なるような光強度で干渉露光を行ない、該レジストを現
像して得られたパターンをマスクとして上記基板をエツ
チングすることにより回折格子を製造するようにしたか
ら、周期の異なる２種類の回折格子を一回の干渉露光で
同時に形成でき、−次及び二次の回折格子の両者を有す
る半導体レーザを容易に形成することができる効果があ
る。
第１図はこの発明の一実施例による回折格子の製造方法
を示す断面工程図および露光強度分布図、第２図は共振
器端面近傍に１次の回折格子、共振器中央部に２次の回
折格子を有するＤＦＢレーザの断面側面図、第３図は１
１０〜１２０°Ｃでベータされた後のイメージリバーサ
ルレジストの露光強度に対する現象速度の関係を示す図
、第４図は干渉露光法による露光強度分布を示す図、第
５図は干渉露光装置を示す図、第６図は従来の干渉露光
法による回折格子の形成方法を示す断面工程図および露
光強度分布図である。 １は基板、１ａはｐ型１ｎＰ基板、７はｐ型■ｎＧａＡ
ｓ Ｐガイド層、８はＩ ｎＧａＡｓ Ｐ活性層、９は
ｎ型１ｎＰクラッド層、１０は共振器中央部の２次の回
折格子、１１は共振器端面近傍の１次の回折格子、１２
はイメージリバーサルレジスト、１３は半透性マスク、
２３ａはレジストパターンによる回折格子、２３ｂは基
板に転写された回折格子である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
を示す断面工程図および露光強度分布図、第２図は共振
器端面近傍に１次の回折格子、共振器中央部に２次の回
折格子を有するＤＦＢレーザの断面側面図、第３図は１
１０〜１２０°Ｃでベータされた後のイメージリバーサ
ルレジストの露光強度に対する現象速度の関係を示す図
、第４図は干渉露光法による露光強度分布を示す図、第
５図は干渉露光装置を示す図、第６図は従来の干渉露光
法による回折格子の形成方法を示す断面工程図および露
光強度分布図である。 １は基板、１ａはｐ型１ｎＰ基板、７はｐ型■ｎＧａＡ
ｓ Ｐガイド層、８はＩ ｎＧａＡｓ Ｐ活性層、９は
ｎ型１ｎＰクラッド層、１０は共振器中央部の２次の回
折格子、１１は共振器端面近傍の１次の回折格子、１２
はイメージリバーサルレジスト、１３は半透性マスク、
２３ａはレジストパターンによる回折格子、２３ｂは基
板に転写された回折格子である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）回折格子を形成する基板上に露光強度に対し現像
速度が極値を持つレジストを塗布する工程と、 該レジストを部分的に半透性マスクでおおった後、該半
透性マスクで覆われた部分またはその他の部分のどちら
か一方のみにおいて露光強度の最大値と最小値が、現像
速度が極値となる強度の両側の強度となるような光強度
で干渉露光を行なう工程と、 上記レジストを現像してパターニングする工程と、 該パターニングされたレジストをマスクとして上記基板
のエッチングを行なう工程とを含むことを特徴とする回
折格子の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18984090A JP2527833B2 (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 回折格子の製造方法 |
| CA002023510A CA2023510C (en) | 1989-08-18 | 1990-08-17 | Single wavelength oscillating semiconductor laser device and method for manufacturing diffraction grating |
| US07/568,889 US5238785A (en) | 1989-08-18 | 1990-08-17 | Method of manufacturing a diffraction grating for a semiconductor laser |
| EP90115836A EP0413365B1 (en) | 1989-08-18 | 1990-08-17 | Method of manufacturing a diffraction grating |
| DE69018336T DE69018336T2 (de) | 1989-08-18 | 1990-08-17 | Verfahren zur Herstellung eines Beugungsgitters. |
| US08/058,371 US5386433A (en) | 1989-08-18 | 1993-05-10 | Semiconductor laser including periodic structures with different periods for producing a single wavelength of light |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18984090A JP2527833B2 (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 回折格子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0474875A true JPH0474875A (ja) | 1992-03-10 |
| JP2527833B2 JP2527833B2 (ja) | 1996-08-28 |
Family
ID=16248087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18984090A Expired - Lifetime JP2527833B2 (ja) | 1989-08-18 | 1990-07-17 | 回折格子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2527833B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014519047A (ja) * | 2011-04-28 | 2014-08-07 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 太陽光管理のためのｉｒ反射器 |
| JP2016154203A (ja) * | 2014-04-25 | 2016-08-25 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法 |
-
1990
- 1990-07-17 JP JP18984090A patent/JP2527833B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014519047A (ja) * | 2011-04-28 | 2014-08-07 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 太陽光管理のためのｉｒ反射器 |
| JP2016154203A (ja) * | 2014-04-25 | 2016-08-25 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2527833B2 (ja) | 1996-08-28 |
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