JPH0475323A - レジスト除去法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は主として半導体集積回路装置の製造に用いるホ
ト・レジスト膜の除去方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、半導体集積回路装置の製造に用いるホト・レジス
ト膜の除去方法としては主として次の様な方法があった
。すなわち、イオン打込み処理を施したホト・レジスト
膜の除去には酸素プラズマ・ガスによる灰化に引き続き
、硫酸と過酸化水素混液に浸漬すると云う方法や、８０
℃程度に加熱したベンゼン・スルホン酸液中に浸漬する
と云う方法が用いられていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、上記従来技術によると、必ず溶液への浸漬と云
う処理が加わり、薬剤を多量に要すると云う課題や、溶
液からの再汚染と云う課題があった。

本発明は、かかる従、末技術の課題を解決し、薬剤の使
用量を低減し、汚染の再付着等の課題をな（した新らし
いレジスト除去法を提供する事を目的とする。

〔課題を解決するだめの手段〕

上記課題を解決するために、本発明はレジスト除去法に
関し、酸化性ガスによる灰化と、ノ１０ゲン・ガス及び
ハロゲン化物ガスによる汚染除去を行なう手段を取る事
を基本とする。

〔実施例〕

以下、実施例により本発明を詳述する。

いま、イオン打込み処理を施したホト・レジスト膜を除
去するに際し、石英ガラス容器から成る真空容器中にレ
ジスト塗布基板を設置し、容器を１担真空に引いた後、
容器内に酸素プラズマ・ガスを導入してレジストを灰化
する。引き続いて、三酸化硫黄ガスと水蒸気ガス及びオ
ゾン・ガスを導入して残査を除去した後、塩化水素ガス
を導入して表面付着重金属類の塩化物化を行ない、再度
真空状態にして、重金属類の塩化物の蒸発を促進するこ
とにより、レジストのドライ除去と汚染の再付着を防止
する事ができると共に、反応がガスで行なわれる為に、
使用薬剤は大巾に低減することができる。

次に、通常のホト・レジスト膜の除去を行なうに際し、
炭化硅素容器から成る真空容器内にレジスト塗布基板を
設置し、該容器を１担真空にした後、二酸化窒素ガスの
みかあるいは二酸化窒素ガスと水蒸気あるいはオゾン・
ガスを導入してレジストを灰化した後、塩素ガスを導入
して残渣を除去することもできる。尚、容器が石英等の
透明体である時は、酸素ガスを導入して、外部から紫外
線を導入してオゾン化するがあるいは容器が不透明な場
合には容器内に紫外線ランプを設置して、オゾン生成や
光化学反応による灰化の促進を行なう事等もできる。

本実施例では容器を石英ガラスや炭化硅素となしたが、
その他アルミナ等のセラミックやパイレックス等のガラ
スあるいは弗素樹脂等の合成樹脂等であっても良い事は
云うまでもない。

又、本実施例では、導入ガスを酸素プラズマ・ガス、三
酸化硫黄ガス、二酸化窒素ガス、オゾンガス及び塩化水
素ガス、塩素ガスとなしたが、その他の酸化性ガスやハ
ロゲン・ガス及びハロゲン化物ガスを用いても良い。

更に、酸化性ガスとハロゲン系ガスと混合による灰化と
残渣処理の一括化等も計ることができる〔発明の効果〕 本発明により、レジスト除去剤の低減によるレジスト除
去処理のコスト・ダウンが可能となると共に、残渣付着
による基板汚染を防止する事ができる等の効果がある。

以上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　炭化硅素、石英ガラス、アルミナ、パイレックス、ガ
   ラス、弗素樹脂等から成る耐薬品性容器による真空容器
   内にはレジスト塗布基板が設置され、前記容器内にオゾ
   ン・ガス、酸素プラズマ・ガス、二酸化窒素ガス、笑気
   ガス、三酸化硫黄ガス、過酸化水素ガス、水蒸気ガス及
   び塩化水素ガス、塩素ガス、弗酸ガス、弗化水素ガス等
   を導入して、レジストを除去する事を特徴とするレジス
   ト除去法。