JPH0475452B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0475452B2 JPH0475452B2 JP18313383A JP18313383A JPH0475452B2 JP H0475452 B2 JPH0475452 B2 JP H0475452B2 JP 18313383 A JP18313383 A JP 18313383A JP 18313383 A JP18313383 A JP 18313383A JP H0475452 B2 JPH0475452 B2 JP H0475452B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- substrate
- transmitting
- receiving element
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L11/00—Measuring steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by means not provided for in group G01L7/00 or G01L9/00
- G01L11/02—Measuring steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by means not provided for in group G01L7/00 or G01L9/00 by optical means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は小型にして検出精度の高い感圧センサ
に関するものである。
に関するものである。
従来の感圧センサの構成の断面図を図１に示
す。１０はポリエステルフイルム等の薄膜の片面
（外部圧力Ｆと直接接触しない面）にアルミニウ
ム等の蒸着を施し反射面とした受圧部、２０は光
透過性の良いシリコーンゴム等で構成された弾性
体である。４０ａ，４０ｂ，４０ｃは受光素子、
５０は光透過性の透明ガラス基板、３０はガラス
基板の片面に光非透過性の金属を蒸着したもので
（以下遮光層と称す）一部光を透過させるための
非蒸着部（以下光透過窓と称す）６０ａ，６０
ｂ，６０ｃを有する。７０は空気の層、８０ａ，
８０ｂ，８０ｃは発光素子、９０は発光素子８０
ａ，８０ｂ，８０ｃを搭載するセラミツク等の基
板である。第２図に受光素子４０ａ，４０ｂ，４
０ｃを上面（外部圧力Ｆ側）より見た形状を示
す。また、光透過窓６０ａ，６０ｂ，６０ｃおよ
び発光素子８０ａ，８０ｂ，８０ｃは概略円形で
ある。
す。１０はポリエステルフイルム等の薄膜の片面
（外部圧力Ｆと直接接触しない面）にアルミニウ
ム等の蒸着を施し反射面とした受圧部、２０は光
透過性の良いシリコーンゴム等で構成された弾性
体である。４０ａ，４０ｂ，４０ｃは受光素子、
５０は光透過性の透明ガラス基板、３０はガラス
基板の片面に光非透過性の金属を蒸着したもので
（以下遮光層と称す）一部光を透過させるための
非蒸着部（以下光透過窓と称す）６０ａ，６０
ｂ，６０ｃを有する。７０は空気の層、８０ａ，
８０ｂ，８０ｃは発光素子、９０は発光素子８０
ａ，８０ｂ，８０ｃを搭載するセラミツク等の基
板である。第２図に受光素子４０ａ，４０ｂ，４
０ｃを上面（外部圧力Ｆ側）より見た形状を示
す。また、光透過窓６０ａ，６０ｂ，６０ｃおよ
び発光素子８０ａ，８０ｂ，８０ｃは概略円形で
ある。
なお、第１図にて受発光素子４０ａ〜ｃ，８０
ａ〜ｃの電極部、各部の支持部を省略してあると
共に、受発光素子は本来マトリフス状に多素子配
列してあるが、各３素子に省略してあり、受発光
素子の駆動部および制御部等の電気回路系も省略
している。
ａ〜ｃの電極部、各部の支持部を省略してあると
共に、受発光素子は本来マトリフス状に多素子配
列してあるが、各３素子に省略してあり、受発光
素子の駆動部および制御部等の電気回路系も省略
している。
動作としては、発光素子８０ａを電気的に駆動
することにより、点灯させると、発光素子８０ａ
から出た光は光透過窓６０ａ→ガラス基板５０→
弾性体２０→受圧部（反射部）１０→弾性体２０
→受光素子４０ａと進み、受光素子４０ａと受圧
部１０との距離により受光素子４０ａにおける光
強度が図３のように変化する。この距離は外力Ｆ
が受圧部１０を押す力の強度による弾性体２０の
歪み（圧縮）量に対応しているので、受光素子出
力値を圧力値に換算できる。発光素子を８０ａ→
８０ｂ→８０ｃの順で順次駆動し、受光素子も４
０ａ→４０ｂ→４０ｃの順で発光素子の駆動に対
応し出力値を検出し、圧力に換算することによ
り、複数点の圧力を検出できる。
することにより、点灯させると、発光素子８０ａ
から出た光は光透過窓６０ａ→ガラス基板５０→
弾性体２０→受圧部（反射部）１０→弾性体２０
→受光素子４０ａと進み、受光素子４０ａと受圧
部１０との距離により受光素子４０ａにおける光
強度が図３のように変化する。この距離は外力Ｆ
が受圧部１０を押す力の強度による弾性体２０の
歪み（圧縮）量に対応しているので、受光素子出
力値を圧力値に換算できる。発光素子を８０ａ→
８０ｂ→８０ｃの順で順次駆動し、受光素子も４
０ａ→４０ｂ→４０ｃの順で発光素子の駆動に対
応し出力値を検出し、圧力に換算することによ
り、複数点の圧力を検出できる。
以上が圧力センサの原理であるが、この構成に
おいてはいくつかの問題点を含んでいる。以下問
題点を記す。
おいてはいくつかの問題点を含んでいる。以下問
題点を記す。
(1) 一般に発光素子として発光ダイオード等が用
いられるが、指向性があまりないので光透過窓
を通過する光量は少ない。一方受光素子への光
量を増しＳ／Ｎ比を高くする方が好ましいが、
そのために光透過窓径を大きくすると、第４図
ａに示すように受光素子の裏面から光が直接入
射する。
いられるが、指向性があまりないので光透過窓
を通過する光量は少ない。一方受光素子への光
量を増しＳ／Ｎ比を高くする方が好ましいが、
そのために光透過窓径を大きくすると、第４図
ａに示すように受光素子の裏面から光が直接入
射する。
(2) 反射面で反射した光が受光素子表面に入射す
る以外に第４図ｂに示すようにガラス基板５０
の中に再び入射されて遮光層３０により反射さ
れ、従つて受光素子４０ａの裏面から入射され
る。
る以外に第４図ｂに示すようにガラス基板５０
の中に再び入射されて遮光層３０により反射さ
れ、従つて受光素子４０ａの裏面から入射され
る。
(3) その他各部の配置関係によつては、第４図ｃ
に示すようにガラス基板５０の表面で反射した
後遮光層３０で反射して受光素子裏面から入射
する。
に示すようにガラス基板５０の表面で反射した
後遮光層３０で反射して受光素子裏面から入射
する。
上記(1)、(3)項は構成への制約に関係し、各素子
の配置等への制限が大きく(1)項の理由より光透過
窓径を大きくすると受光素子の内径および外径も
大きくする必要があり高密度に多素子を配置する
ことが難しく、(3)項はガラス基板表面における光
の入射角度に関係し発光素子の位置精度が要求さ
れ製造上問題があつた。また(2)項は第３図に示し
たセンサ特性を劣化させる大きな原因の一つで、
受光素子面と反射面の距離の変化に対し受光素子
の出力変化があまり大きく取れない等の悪影響を
及ぼしていた。
の配置等への制限が大きく(1)項の理由より光透過
窓径を大きくすると受光素子の内径および外径も
大きくする必要があり高密度に多素子を配置する
ことが難しく、(3)項はガラス基板表面における光
の入射角度に関係し発光素子の位置精度が要求さ
れ製造上問題があつた。また(2)項は第３図に示し
たセンサ特性を劣化させる大きな原因の一つで、
受光素子面と反射面の距離の変化に対し受光素子
の出力変化があまり大きく取れない等の悪影響を
及ぼしていた。
本発明はこれらの欠点を除去するため遮光層の
位置をガラス基板の反対側に配置するようにした
もので以下詳細に説明する。
位置をガラス基板の反対側に配置するようにした
もので以下詳細に説明する。
［発明の概要］
この発明の感圧センサは、外部圧力により弾性
変形し、一方の面上に光反射面を有する光透過性
弾性体と、 光透過性基板と、 導電性部材からなり、光を透過させるほぼ円形
の複数の光透過窓を形成するように前記光透過性
基板の一方の面上に形成された遮光層と、 10μｍ未満の厚さを有し、前記遮光層上に形成
された光透過性の電気的絶縁層と、 前記遮光層の各光透過窓の直径以上の直径を有
し、互いに間隔を置いて前記遮光層の各光透過窓
に対向するように、前記電気的絶縁層上に配列さ
れると共に、それぞれの中央部に光透過窓を形成
したほぼ円環状の複数の受光素子と を備え、前記光透過性基板は前記受光素子、及び
前記光透過窓の部分で前記電気的絶縁層を介して
前記光透過性弾性体の地方の面に接するように配
置され、 更に、前記光透過性基板の他方の面に対向して
配置された他の基板の面上に搭載され、該面上に
投影した前記各受光素子のほぼ中心軸上にほぼ発
光の中心軸をそれぞれ有するほぼ円形の複数の発
光素子と、 前記各発光素子及び前記各受光素子を駆動する
電気回路と を備え、前記他の基板は前記発光素子からの光を
前記発光素子の裏面に直接入射させないように前
記遮光層から離された距離に配置されている構成
を特徴とするものである。
変形し、一方の面上に光反射面を有する光透過性
弾性体と、 光透過性基板と、 導電性部材からなり、光を透過させるほぼ円形
の複数の光透過窓を形成するように前記光透過性
基板の一方の面上に形成された遮光層と、 10μｍ未満の厚さを有し、前記遮光層上に形成
された光透過性の電気的絶縁層と、 前記遮光層の各光透過窓の直径以上の直径を有
し、互いに間隔を置いて前記遮光層の各光透過窓
に対向するように、前記電気的絶縁層上に配列さ
れると共に、それぞれの中央部に光透過窓を形成
したほぼ円環状の複数の受光素子と を備え、前記光透過性基板は前記受光素子、及び
前記光透過窓の部分で前記電気的絶縁層を介して
前記光透過性弾性体の地方の面に接するように配
置され、 更に、前記光透過性基板の他方の面に対向して
配置された他の基板の面上に搭載され、該面上に
投影した前記各受光素子のほぼ中心軸上にほぼ発
光の中心軸をそれぞれ有するほぼ円形の複数の発
光素子と、 前記各発光素子及び前記各受光素子を駆動する
電気回路と を備え、前記他の基板は前記発光素子からの光を
前記発光素子の裏面に直接入射させないように前
記遮光層から離された距離に配置されている構成
を特徴とするものである。
［実施例］
第５図は本発明の第１の実施例であつて、受発
光素子１組の周辺についてのみ断面図を記す。真
空蒸着法にてクロム（あるいはニクロム）をガラ
ス基板５０の上面（受光素子側）に蒸着して、導
電性部材からなり、光を透過させるほぼ円形の複
数の光透過窓（第５図において太線により示した
ガラス基板５０上の細線の部分）を設けるよう
に、前記光透過性基板の一方の面上に形成された
ほぼ円形の遮光層３０を形成する。更に、遮光層
３０と受光素子４０ａとの間を電気的に絶縁させ
るために、光透過性を有する絶縁層１００をシリ
コン（又はアルミナ）の酸化物を用いてスパツタ
法（あるいはグロー放電法）にてその上に形成し
た後、更に、間隔を置いて遮光層３０の各光透過
窓に対向するように絶縁層１００上に配列された
複数の受光素子４０ａをスパツタ法等にて形成す
る。この場合に、各受光素子４０ａの中央部に
は、光透過窓（第５図において太線により示した
受光素子４０ａ間の細線の部分）が形成されるの
で、各受光素子４０ａは、第５図に示すように、
遮光層の各光透過窓の直径以上の直径を有すると
共に、各受光素子４０ａのほぼ中央軸がほぼ発光
素子８０ａの中心軸と一致し、かつ第６図に参照
番号４０により示すように、ほぼ円環状をなす。
絶縁層１００の厚さはガラス基板の厚さに比較し
十分薄いので（本実施例ではガラス基板の厚さは
約１mm、絶縁層の厚さは10μｍ未満である。）、従
来のものと異なり、受光素子の直下に遮光層３０
があるのと、ほぼ等価になり、従来例のような受
光素子下面からの光の入射がほとんどない。
光素子１組の周辺についてのみ断面図を記す。真
空蒸着法にてクロム（あるいはニクロム）をガラ
ス基板５０の上面（受光素子側）に蒸着して、導
電性部材からなり、光を透過させるほぼ円形の複
数の光透過窓（第５図において太線により示した
ガラス基板５０上の細線の部分）を設けるよう
に、前記光透過性基板の一方の面上に形成された
ほぼ円形の遮光層３０を形成する。更に、遮光層
３０と受光素子４０ａとの間を電気的に絶縁させ
るために、光透過性を有する絶縁層１００をシリ
コン（又はアルミナ）の酸化物を用いてスパツタ
法（あるいはグロー放電法）にてその上に形成し
た後、更に、間隔を置いて遮光層３０の各光透過
窓に対向するように絶縁層１００上に配列された
複数の受光素子４０ａをスパツタ法等にて形成す
る。この場合に、各受光素子４０ａの中央部に
は、光透過窓（第５図において太線により示した
受光素子４０ａ間の細線の部分）が形成されるの
で、各受光素子４０ａは、第５図に示すように、
遮光層の各光透過窓の直径以上の直径を有すると
共に、各受光素子４０ａのほぼ中央軸がほぼ発光
素子８０ａの中心軸と一致し、かつ第６図に参照
番号４０により示すように、ほぼ円環状をなす。
絶縁層１００の厚さはガラス基板の厚さに比較し
十分薄いので（本実施例ではガラス基板の厚さは
約１mm、絶縁層の厚さは10μｍ未満である。）、従
来のものと異なり、受光素子の直下に遮光層３０
があるのと、ほぼ等価になり、従来例のような受
光素子下面からの光の入射がほとんどない。
第６図は本実施例の感圧センサの概略構成を示
す斜視図である。図では受発光素子を各々４×４
素子を２mm間隔に配列した例である。実施例では
受圧部１０は厚さ数10μの薄膜フイルム、弾性体
２０は厚さ２mmの透明シリコーンゴムで構成され
ていて電気回路部は図示しない。各受光素子４０
および発光素子８０は各々マトリクス駆動を行つ
ており、受光素子４０はアモルフアスシリコンで
構成されている。
す斜視図である。図では受発光素子を各々４×４
素子を２mm間隔に配列した例である。実施例では
受圧部１０は厚さ数10μの薄膜フイルム、弾性体
２０は厚さ２mmの透明シリコーンゴムで構成され
ていて電気回路部は図示しない。各受光素子４０
および発光素子８０は各々マトリクス駆動を行つ
ており、受光素子４０はアモルフアスシリコンで
構成されている。
第７図に電気回路系のブロツク図を示す。２０
０は受光素子群とそのマトリツクス駆動部、２１
０は発光素子群とそのマトリクス駆動部、２２０
はアナログマルチプレクサ、２３０は増幅器、２
４０はＡ／Ｄ変換器、２５０はROM（Read
Only Memeory）でＡ／Ｄ変換器２４０の出力
信号がROM２５０のアドレス信号に結線されて
いて、ROMの出力データがインターフエース部
２６０を通し外部出力端子２７０より外部に送出
される。３００は制御部である。動作はまず発光
素子群の一つの発光素子を制御部３００の信号に
よりマトリクス２１０を選択し点灯させその対と
なつた受光素子（点灯した発光素子の真上に位置
する受光素子）の出力をマトリクス２００および
アナログマルチプレクサ２２０を用いて制御部３
００により指定し、選択する。アナログマルチプ
レクサ２２０の出力は増幅器２３０で増幅され、
Ａ／Ｄ変換器２４０にてデイジタル量に変換され
る。このデイジタル値は、第３図の受光素子と反
射面の距離に対応する量であるので、ROM２５
０を用いて圧力値に変換する。ROM２５０には
あらかじめ弾性体２０（受圧部１０も含む）の圧
力に対する歪率の関係から距離と圧力との間の関
係を表わすテーブルが内蔵されている。そして変
換された圧力値がインターフエース部２６０を介
し外部出力端子２７０より送出される。また弾性
体２０は力がかかり歪を受けるが力が除去される
と数100ｍＳの間にほとんどもとの位置迄復帰し、
再び次の圧力を検出できる状態になることは言う
までもない。なお本実施例で用いているガラス基
板５０は光透過性を有する石英あるいはプラスチ
ツク等でもよいことはいうまでもない。
０は受光素子群とそのマトリツクス駆動部、２１
０は発光素子群とそのマトリクス駆動部、２２０
はアナログマルチプレクサ、２３０は増幅器、２
４０はＡ／Ｄ変換器、２５０はROM（Read
Only Memeory）でＡ／Ｄ変換器２４０の出力
信号がROM２５０のアドレス信号に結線されて
いて、ROMの出力データがインターフエース部
２６０を通し外部出力端子２７０より外部に送出
される。３００は制御部である。動作はまず発光
素子群の一つの発光素子を制御部３００の信号に
よりマトリクス２１０を選択し点灯させその対と
なつた受光素子（点灯した発光素子の真上に位置
する受光素子）の出力をマトリクス２００および
アナログマルチプレクサ２２０を用いて制御部３
００により指定し、選択する。アナログマルチプ
レクサ２２０の出力は増幅器２３０で増幅され、
Ａ／Ｄ変換器２４０にてデイジタル量に変換され
る。このデイジタル値は、第３図の受光素子と反
射面の距離に対応する量であるので、ROM２５
０を用いて圧力値に変換する。ROM２５０には
あらかじめ弾性体２０（受圧部１０も含む）の圧
力に対する歪率の関係から距離と圧力との間の関
係を表わすテーブルが内蔵されている。そして変
換された圧力値がインターフエース部２６０を介
し外部出力端子２７０より送出される。また弾性
体２０は力がかかり歪を受けるが力が除去される
と数100ｍＳの間にほとんどもとの位置迄復帰し、
再び次の圧力を検出できる状態になることは言う
までもない。なお本実施例で用いているガラス基
板５０は光透過性を有する石英あるいはプラスチ
ツク等でもよいことはいうまでもない。
本実施例では受光素子と遮光層を薄い絶縁体
（光透過性）をはさんで受光素子搭載用基板の同
一面に形成することにより従来例の欠点であつた
センサ裏面からの光の入射を除去でき光を用いた
感圧センサの測定精度を向上できると共に、構成
上の自由度（たとえば各素子の大きさ等）が増し
製造時の受光素子と発光素子の位置精度を従来よ
り下げても性能上の劣化を小さく押えることがで
き製造工程が簡単になる。
（光透過性）をはさんで受光素子搭載用基板の同
一面に形成することにより従来例の欠点であつた
センサ裏面からの光の入射を除去でき光を用いた
感圧センサの測定精度を向上できると共に、構成
上の自由度（たとえば各素子の大きさ等）が増し
製造時の受光素子と発光素子の位置精度を従来よ
り下げても性能上の劣化を小さく押えることがで
き製造工程が簡単になる。
本発明は弾性体の歪量を受発光素子を用いて光
学的に測定しているので、高密度に多点の圧力が
検出でき、ロボツト用ハンド等に実装し触覚セン
サに応用できる。
学的に測定しているので、高密度に多点の圧力が
検出でき、ロボツト用ハンド等に実装し触覚セン
サに応用できる。
第１図は従来の感圧センサの構成を示す断面
図、第２図は基板上の受光素子の形状及び配列を
示す平面図、第３図は受光素子の出力特性を示す
図、第４図ａ〜ｃは従来例の受光素子裏面からの
光入射経路を示す図、第５図は本発明の実施例に
おけるセンサ構成の断面図、第６図は本発明の実
施例におけるセンサ構成の斜視図、第７図は本発
明の実施例における電気回路系のブロツク図であ
る。 １０……受圧部、２０……弾性体、３０……遮
光層、４０，４０ａ，４０ｂ，４０ｃ……受光素
子、５０……受光素子搭載用基板、６０ａ，６０
ｂ，６０ｃ……光透過窓、７０……空気の層、８
０，８０ａ，８０ｂ，８０ｃ……発光素子、９０
……発光素子搭載用基板、１００……絶縁層、２
００……受光素子群とマトリクス駆動部、２１０
……発光素子群とマトリクス駆動部、２２０……
アナログマルチプレクサ、２３０……増幅器、２
４０……Ａ／Ｄ変換器、２５０……ROM、２６
０……インターフエース部、３００……制御部。
図、第２図は基板上の受光素子の形状及び配列を
示す平面図、第３図は受光素子の出力特性を示す
図、第４図ａ〜ｃは従来例の受光素子裏面からの
光入射経路を示す図、第５図は本発明の実施例に
おけるセンサ構成の断面図、第６図は本発明の実
施例におけるセンサ構成の斜視図、第７図は本発
明の実施例における電気回路系のブロツク図であ
る。 １０……受圧部、２０……弾性体、３０……遮
光層、４０，４０ａ，４０ｂ，４０ｃ……受光素
子、５０……受光素子搭載用基板、６０ａ，６０
ｂ，６０ｃ……光透過窓、７０……空気の層、８
０，８０ａ，８０ｂ，８０ｃ……発光素子、９０
……発光素子搭載用基板、１００……絶縁層、２
００……受光素子群とマトリクス駆動部、２１０
……発光素子群とマトリクス駆動部、２２０……
アナログマルチプレクサ、２３０……増幅器、２
４０……Ａ／Ｄ変換器、２５０……ROM、２６
０……インターフエース部、３００……制御部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 外部圧力により弾性変形し、一方の面上に光
反射面を有する光透過性弾性体と、 光透過性基板と、 導電性部材からなり、光を透過させるほぼ円形
の複数の光透過窓を形成するように前記光透過性
基板の一方の面上に形成された遮光層と、 10μｍ未満の厚さを有し、前記遮光層上に形成
された光透過性の電気的絶縁層と、 前記遮光層の各光透過窓の直径以上の直径を有
し、互いに間隔を置いて前記遮光層の各光透過窓
に対向するように、前記電気的絶縁層上に配列さ
れると共に、それぞれの中央部に光透過窓を形成
したほぼ円環状の複数の受光素子と を備え、前記光透過性基板は前記受光素子、及び
前記光透過窓の部分で前記電気的絶縁層を介して
前記光透過性弾性体の地方の面に接するように配
置され、 更に、前記光透過性基板の他方の面に対向して
配置された他の基板の面上に搭載され、該面上に
投影した前記各受光素子のほぼ中心軸上にほぼ発
光の中心軸をそれぞれ有するほぼ円形の複数の発
光素子と、 前記各発光素子及び前記各受光素子を駆動する
電気回路と を備え、前記他の基板は前記発光素子からの光を
前記発光素子の裏面に直接入射させないように前
記遮光層から離された距離に配置されていること
を特徴とする感圧センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18313383A JPS6076633A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 感圧センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18313383A JPS6076633A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 感圧センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6076633A JPS6076633A (ja) | 1985-05-01 |
| JPH0475452B2 true JPH0475452B2 (ja) | 1992-11-30 |
Family
ID=16130371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18313383A Granted JPS6076633A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 感圧センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6076633A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010197066A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Casio Computer Co Ltd | 圧力センサ及び圧力センサの圧力測定方法 |
| CN112160263A (zh) * | 2020-10-19 | 2021-01-01 | 东阳汉林传感器有限公司 | 一种用于玻璃栈道的应力检测警示设备 |
-
1983
- 1983-10-03 JP JP18313383A patent/JPS6076633A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6076633A (ja) | 1985-05-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6351260B1 (en) | User input device for a computer system | |
| JPH11506381A (ja) | 指紋センサ装置 | |
| US4912316A (en) | Detecting apparatus with resinous body | |
| FR2697935A1 (fr) | Terminal de communication compact et ergonomique muni de surfaces de détection de proximité. | |
| US11486784B2 (en) | Pressure transducer and fabrication method thereof | |
| JPWO2020166185A1 (ja) | 触覚及び近接センサ | |
| US8558162B2 (en) | Optical pointing device having a transparent housing element | |
| JPH0475452B2 (ja) | ||
| JP4023979B2 (ja) | 光デジタイザ | |
| JPH0426413B2 (ja) | ||
| CN218827060U (zh) | 一种光传感器封装结构 | |
| JPH06105791B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH08184514A (ja) | 圧力センサ | |
| JPH0418612B2 (ja) | ||
| JPH0749806Y2 (ja) | イメージセンサの実装構造 | |
| JPS6394671A (ja) | 光走査型イメ−ジスキヤナ | |
| JPS58195356A (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
| US20230358529A1 (en) | Optical pressure sensor and application thereof | |
| JPS6076634A (ja) | 二次元感圧センサ | |
| JP2986612B2 (ja) | 外形認識装置 | |
| JPS6012174Y2 (ja) | キ−ボ−ド装置 | |
| JPH0586105B2 (ja) | ||
| JPS63217223A (ja) | 光電式変位検出装置 | |
| JP2833972B2 (ja) | 光結合素子 | |
| JPH0758767B2 (ja) | 完全密着型イメージセンサ |