JPH0476047B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0476047B2 JPH0476047B2 JP59027655A JP2765584A JPH0476047B2 JP H0476047 B2 JPH0476047 B2 JP H0476047B2 JP 59027655 A JP59027655 A JP 59027655A JP 2765584 A JP2765584 A JP 2765584A JP H0476047 B2 JPH0476047 B2 JP H0476047B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance
- bridge
- physical quantity
- output
- resistance value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜発明の属する技術分野＞
本発明は、圧力、差圧等の被測定物理量に応じ
て抵抗値が変化する抵抗を有する抵抗ブリツジを
用いた測定装置に関するものである。
て抵抗値が変化する抵抗を有する抵抗ブリツジを
用いた測定装置に関するものである。
＜従来技術＞
例えば、半導体のピエゾ抵抗効果を利用したシ
リコン圧力センサは、被測定圧力を受けるシリコ
ンダイヤフラム上に４個の拡散抵抗をブリツジ結
合して設け、測定抵抗ブリツジを構成している。
ところでシリコン圧力センサにおいては、拡散抵
抗およびピエゾ抵抗変化の温度依存性が大きいた
め、温度変動により影響を受ける欠点がある。こ
のため一般には、サーミスタ、ポジスタ、トラン
ジスタ等の感温素子を用い、温度変動に応じて測
定抵抗ブリツジの電源電圧を制御することによつ
て補償を行つている。この方法で精度よく補償を
行うには、拡散抵抗およびピエゾ抵抗変化の温度
依存性と補償用感温素子の温度特性を一致させる
必要があるが、しかしながらこれらを一致させる
ことは容易でなく、高精度な補償は困難であつ
た。
リコン圧力センサは、被測定圧力を受けるシリコ
ンダイヤフラム上に４個の拡散抵抗をブリツジ結
合して設け、測定抵抗ブリツジを構成している。
ところでシリコン圧力センサにおいては、拡散抵
抗およびピエゾ抵抗変化の温度依存性が大きいた
め、温度変動により影響を受ける欠点がある。こ
のため一般には、サーミスタ、ポジスタ、トラン
ジスタ等の感温素子を用い、温度変動に応じて測
定抵抗ブリツジの電源電圧を制御することによつ
て補償を行つている。この方法で精度よく補償を
行うには、拡散抵抗およびピエゾ抵抗変化の温度
依存性と補償用感温素子の温度特性を一致させる
必要があるが、しかしながらこれらを一致させる
ことは容易でなく、高精度な補償は困難であつ
た。
＜発明の目的＞
本発明は、温度変動の影響を受けず、高精度に
被測定物理量を測定できる抵抗ブリツジを用いた
測定装置を実現するにある。
被測定物理量を測定できる抵抗ブリツジを用いた
測定装置を実現するにある。
＜発明の構成＞
本発明は、物理量に応じて抵抗値が変化する抵
抗を含み被測定物理量を検出する測定抵抗ブリツ
ジと、物理量に応じて抵抗値が変化する抵抗を含
み一定物理量を検出する基準抵抗ブリツジと、こ
れらのブリツジの電源端子に共通に電源を印加す
る制御電源と、これらのブリツジの一方の出力端
に生じる出力電圧が予め決定された一定電圧に等
しくなるように前記制御電源を制御する誤差増幅
器とを具備し、これらのブリツジの他方の出力端
から前記被測定物理量に応じた測定抵抗ブリツジ
の抵抗値の変化分と一定物理量に応じた基準抵抗
ブリツジの抵抗値の変化分との比に関連した出力
信号を得ることを特徴としたものである。
抗を含み被測定物理量を検出する測定抵抗ブリツ
ジと、物理量に応じて抵抗値が変化する抵抗を含
み一定物理量を検出する基準抵抗ブリツジと、こ
れらのブリツジの電源端子に共通に電源を印加す
る制御電源と、これらのブリツジの一方の出力端
に生じる出力電圧が予め決定された一定電圧に等
しくなるように前記制御電源を制御する誤差増幅
器とを具備し、これらのブリツジの他方の出力端
から前記被測定物理量に応じた測定抵抗ブリツジ
の抵抗値の変化分と一定物理量に応じた基準抵抗
ブリツジの抵抗値の変化分との比に関連した出力
信号を得ることを特徴としたものである。
＜実施例＞
第１図は本発明装置の一実施例を示す接続図、
第２図は本発明装置に用いるセンサの一例を示す
断面図である。両図において、１０はセンサ部、
２０は信号処理回路である。
第２図は本発明装置に用いるセンサの一例を示す
断面図である。両図において、１０はセンサ部、
２０は信号処理回路である。
センサ部１０において、ガラス等の絶縁体１１
に接着等で取付けられたシリコン基板１２に２個
のダイヤフラム１３，１４が形成されている。ダ
イヤフラム１３には測定抵抗ブリツジ１５の４個
の拡散抵抗１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄが設
けられており、またダイヤフラム１４には基準抵
抗ブリツジ１６の４個の拡散抵抗１６ａ，１６
ｂ，１６ｃ，１６ｄが設けられている。ダイヤフ
ラム１３には絶縁体１１の開口１１ａを介して被
測定圧力PMが与えられ、ダイヤフラム１４には
絶縁体１１の開口１１ｂを介して一定圧力PSが与
えられている。またダイヤフラム１３，１４の外
側は大気圧（または真空）とされている。したが
つて、測定抵抗ブリツジ１５の拡散抵抗１５ａ，
１５ｂ，１５ｃ，１５ｄの抵抗値R11，R12，
R13，R14は被測定圧力PMに応じて変化し、PMに
よる抵抗変化分をΔRM、PMが零のときの初期抵
抗値をRMとするとそれぞれ次式で与えられる。
に接着等で取付けられたシリコン基板１２に２個
のダイヤフラム１３，１４が形成されている。ダ
イヤフラム１３には測定抵抗ブリツジ１５の４個
の拡散抵抗１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄが設
けられており、またダイヤフラム１４には基準抵
抗ブリツジ１６の４個の拡散抵抗１６ａ，１６
ｂ，１６ｃ，１６ｄが設けられている。ダイヤフ
ラム１３には絶縁体１１の開口１１ａを介して被
測定圧力PMが与えられ、ダイヤフラム１４には
絶縁体１１の開口１１ｂを介して一定圧力PSが与
えられている。またダイヤフラム１３，１４の外
側は大気圧（または真空）とされている。したが
つて、測定抵抗ブリツジ１５の拡散抵抗１５ａ，
１５ｂ，１５ｃ，１５ｄの抵抗値R11，R12，
R13，R14は被測定圧力PMに応じて変化し、PMに
よる抵抗変化分をΔRM、PMが零のときの初期抵
抗値をRMとするとそれぞれ次式で与えられる。
R11＝R13＝RM＋ΔRM
R12＝R14＝RM−ΔRM (1)
また基準抵抗ブリツジ１６の拡散抵抗１６ａ，
１６ｂ，１６ｃ，１６ｄの抵抗値R21，R22，
R23，R24は一定圧力PSによつて決まり、PSによ
る抵抗変化分をΔRS、PSが零のときの初期抵抗値
をRSとするとそれぞれ次式で与えられる。
１６ｂ，１６ｃ，１６ｄの抵抗値R21，R22，
R23，R24は一定圧力PSによつて決まり、PSによ
る抵抗変化分をΔRS、PSが零のときの初期抵抗値
をRSとするとそれぞれ次式で与えられる。
R21＝R23＝RS＋ΔRS
R22＝R24＝RS−ΔRS (2)
(1)式および(2)式において、拡散抵抗の初期抵抗
値RM、RSには温度係数αがあり、また抵抗変化
分ΔRM、ΔRSにはピエゾ抵抗係数πに基づく温度
係数βがある。よつてΔRMおよびΔRSは基準温度
のときの初期抵抗値をRMOおよびRSO、基準温度
のときのピエゾ抵抗係数をπO、比例定数をＫ、温
度変化をΔTとするとそれぞれ次式で与えられ
る。
値RM、RSには温度係数αがあり、また抵抗変化
分ΔRM、ΔRSにはピエゾ抵抗係数πに基づく温度
係数βがある。よつてΔRMおよびΔRSは基準温度
のときの初期抵抗値をRMOおよびRSO、基準温度
のときのピエゾ抵抗係数をπO、比例定数をＫ、温
度変化をΔTとするとそれぞれ次式で与えられ
る。
ΔRM＝KRMOπO（１＋αΔT）（１＋
βΔT）PM ΔRS＝KRSOπO（１＋αΔT）（１＋βΔT）PS(3) 次に信号処理回路２０において、２１測定用抵
抗ブリツジ１５の出力EMを検出し、出力電圧EO
を得る出力回路で、演算増幅器２１ａと抵抗値の
等しい４個の演算抵抗２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，
２１ｅとからなつている。２２は基準抵抗ブリツ
ジ１６の出力ESを検出する回路で、演算増幅器２
２ａと抵抗値の等しい４個の演算抵抗２２ｂ，２
２ｃ，２２ｄ，２２ｅとからなつている。２３は
誤差増幅器で、検出回路２２で検出した基準抵抗
ブリツジ１６の出力ESと基準電圧源２４からの一
定電圧ERとの差を増幅する。２５はブリツジ電
源で、誤差増幅器２３の出力で出力電流ICが制御
され、センサ部１０の測定抵抗ブリツジ１５と基
準抵抗ブリツジ１６に共通に供給するものであ
る。
βΔT）PM ΔRS＝KRSOπO（１＋αΔT）（１＋βΔT）PS(3) 次に信号処理回路２０において、２１測定用抵
抗ブリツジ１５の出力EMを検出し、出力電圧EO
を得る出力回路で、演算増幅器２１ａと抵抗値の
等しい４個の演算抵抗２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，
２１ｅとからなつている。２２は基準抵抗ブリツ
ジ１６の出力ESを検出する回路で、演算増幅器２
２ａと抵抗値の等しい４個の演算抵抗２２ｂ，２
２ｃ，２２ｄ，２２ｅとからなつている。２３は
誤差増幅器で、検出回路２２で検出した基準抵抗
ブリツジ１６の出力ESと基準電圧源２４からの一
定電圧ERとの差を増幅する。２５はブリツジ電
源で、誤差増幅器２３の出力で出力電流ICが制御
され、センサ部１０の測定抵抗ブリツジ１５と基
準抵抗ブリツジ１６に共通に供給するものであ
る。
このように構成した本発明装置において、測定
抵抗ブリツジ１５の出力EMと基準抵抗ブリツジ
１６の出力ESとは、電源電流ICが拡散抵抗１５ａ
と１５ｄの直列回路と拡散抵抗１５ｂと１５ｃの
直列回路側とに（IC／２）として分流することを
考慮すると、それぞれ次式で与えられる。
抵抗ブリツジ１５の出力EMと基準抵抗ブリツジ
１６の出力ESとは、電源電流ICが拡散抵抗１５ａ
と１５ｄの直列回路と拡散抵抗１５ｂと１５ｃの
直列回路側とに（IC／２）として分流することを
考慮すると、それぞれ次式で与えられる。
EM＝ΔRM・IC
ES＝ΔRS・IC (4)
そして、誤差増幅器２３により、基準抵抗ブリ
ツジ１６の出力ESが一定電圧ERと等しくなるよ
うに、両ブリツジの電源電流ICが制御されるの
で、 ΔRS・IC＝ER (5) が成立し、測定抵抗ブリツジ１５の出力ERは、 EM＝ΔRM／ΔRSER (6) となる。よつて、(6)式に(3)式を代入すると、測定
抵抗ブリツジ１５の出力EMは、 EM＝MO／RSO・PM／PS・ER (7) となり、温度係数αとβの項を含まないので、温
度変動による影響を受けない。したがつて、測定
抵抗ブリツジ１５の出力EMを検出して得た出力
電圧EOも温度変動による影響を受けない。
ツジ１６の出力ESが一定電圧ERと等しくなるよ
うに、両ブリツジの電源電流ICが制御されるの
で、 ΔRS・IC＝ER (5) が成立し、測定抵抗ブリツジ１５の出力ERは、 EM＝ΔRM／ΔRSER (6) となる。よつて、(6)式に(3)式を代入すると、測定
抵抗ブリツジ１５の出力EMは、 EM＝MO／RSO・PM／PS・ER (7) となり、温度係数αとβの項を含まないので、温
度変動による影響を受けない。したがつて、測定
抵抗ブリツジ１５の出力EMを検出して得た出力
電圧EOも温度変動による影響を受けない。
第３図は本発明装置の他の実施例を示す接続図
である。第３図において第１図の実施例と異ると
ころは、測定抵抗ブリツジ１５と基準抵抗ブリツ
ジ１６に共通にブリツジ電源２５の出力電圧EC
を与えるようにした点である。よつて第３図にお
いては、測定抵抗ブリツジ１５の出力EMと基準
抵抗ブリツジ１６の出力ESは、電源電圧ECを拡
散抵抗１５ａと１５ｄの直列抵抗で割つた電流に
抵抗変化分を掛けた電圧と、電源電圧ECを拡散
抵抗１５ｂと１５ｃの直列抵抗で割つた電流に抵
抗変化分を掛けた電圧との差であることを考慮し
て、 EM＝ΔRMEC／RM ES＝ΔRSEC／RS (8) となり、ES＝ERとなるように誤差増幅器２３で
ECが制御されるので、EMは EM＝ΔRM／ΔRS・RS／RM・ER (9) となる。よつて、(3)式を代入すると、 EM＝PM／PSER (10) となり、温度変動の影響を受けない。なお第３図
においては、誤差増幅器２３の帰還回路にコンデ
ンサ２３ｂを接続して、誤差増幅器２３に積分特
性を持たせてある。また誤差増幅器２３の出力電
圧をブリツジの電源電圧ECとしても用いてもよ
く、第１図の場合には誤差増幅器２３の出力電圧
を電圧／電流変換器により電流に変換することに
よりブリツジの電源電流ICとして用いることがで
きる。
である。第３図において第１図の実施例と異ると
ころは、測定抵抗ブリツジ１５と基準抵抗ブリツ
ジ１６に共通にブリツジ電源２５の出力電圧EC
を与えるようにした点である。よつて第３図にお
いては、測定抵抗ブリツジ１５の出力EMと基準
抵抗ブリツジ１６の出力ESは、電源電圧ECを拡
散抵抗１５ａと１５ｄの直列抵抗で割つた電流に
抵抗変化分を掛けた電圧と、電源電圧ECを拡散
抵抗１５ｂと１５ｃの直列抵抗で割つた電流に抵
抗変化分を掛けた電圧との差であることを考慮し
て、 EM＝ΔRMEC／RM ES＝ΔRSEC／RS (8) となり、ES＝ERとなるように誤差増幅器２３で
ECが制御されるので、EMは EM＝ΔRM／ΔRS・RS／RM・ER (9) となる。よつて、(3)式を代入すると、 EM＝PM／PSER (10) となり、温度変動の影響を受けない。なお第３図
においては、誤差増幅器２３の帰還回路にコンデ
ンサ２３ｂを接続して、誤差増幅器２３に積分特
性を持たせてある。また誤差増幅器２３の出力電
圧をブリツジの電源電圧ECとしても用いてもよ
く、第１図の場合には誤差増幅器２３の出力電圧
を電圧／電流変換器により電流に変換することに
よりブリツジの電源電流ICとして用いることがで
きる。
なお上述の実施例では、測定抵抗ブリツジ１５
の４個の抵抗および基準抵抗ブリツジ１６の４個
の抵抗がそれぞれ被測定圧力PMと一定圧力PSに
応じて抵抗値が変化するものを例示したが、測定
抵抗ブリツジ１５では抵抗１５ａ，１５ｄを抵抗
値がRMの固定抵抗とし、基準抵抗ブリツジ１６
では抵抗１６ａ，１６ｄを抵抗値がRSの固定抵
抗としても同様にできる。また上述では基準抵抗
ブリツジ１６に一定物理量を作用させるために、
一定圧力PSをダイヤフラム１４に与える場合を例
示したが、第４図に示すようにダイヤフラム１４
をネジ１８で調整できる恒弾性ばね合金である
Ni−SpaoＣ等のバネ１７によつて押圧して一定物
理量を与える等必要に応じて種々の手段を用いる
ことができる。さらに上述では、センサ部１０と
して半導体のピエゾ抵抗効果を利用したものを例
示したが、ストレンゲージのように変位によつて
抵抗値が変るもので同様にできる。
の４個の抵抗および基準抵抗ブリツジ１６の４個
の抵抗がそれぞれ被測定圧力PMと一定圧力PSに
応じて抵抗値が変化するものを例示したが、測定
抵抗ブリツジ１５では抵抗１５ａ，１５ｄを抵抗
値がRMの固定抵抗とし、基準抵抗ブリツジ１６
では抵抗１６ａ，１６ｄを抵抗値がRSの固定抵
抗としても同様にできる。また上述では基準抵抗
ブリツジ１６に一定物理量を作用させるために、
一定圧力PSをダイヤフラム１４に与える場合を例
示したが、第４図に示すようにダイヤフラム１４
をネジ１８で調整できる恒弾性ばね合金である
Ni−SpaoＣ等のバネ１７によつて押圧して一定物
理量を与える等必要に応じて種々の手段を用いる
ことができる。さらに上述では、センサ部１０と
して半導体のピエゾ抵抗効果を利用したものを例
示したが、ストレンゲージのように変位によつて
抵抗値が変るもので同様にできる。
＜発明の効果＞
本発明においては、温度変動の影響を受けず、
高精度に被測定物理量を測定できる抵抗ブリツジ
を用いた測定装置が得られる。
高精度に被測定物理量を測定できる抵抗ブリツジ
を用いた測定装置が得られる。
第１図は本発明装置の一実施例を示す接続図、
第２図は本発明装置に用いるセンサ部の構成の一
例を示す断面図、第３図は本発明装置の他の実施
例を示す接続図、第４図は本発明装置に用いるセ
ンサ部の構成の他の例を示す断面図である。 １０……センサ部、１１……絶縁体、１２……
シリコン基板、１３，１４……ダイヤフラム、１
５……測定抵抗ブリツジ、１６……基準抵抗ブリ
ツジ、１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ，１６
ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ……拡散抵抗、２０
……信号処理回路、２１，２２……検出回路、２
３……誤差増幅器、２４……基準電圧源、２５…
…ブリツジ電源。
第２図は本発明装置に用いるセンサ部の構成の一
例を示す断面図、第３図は本発明装置の他の実施
例を示す接続図、第４図は本発明装置に用いるセ
ンサ部の構成の他の例を示す断面図である。 １０……センサ部、１１……絶縁体、１２……
シリコン基板、１３，１４……ダイヤフラム、１
５……測定抵抗ブリツジ、１６……基準抵抗ブリ
ツジ、１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ，１６
ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ……拡散抵抗、２０
……信号処理回路、２１，２２……検出回路、２
３……誤差増幅器、２４……基準電圧源、２５…
…ブリツジ電源。
Claims (1)
- １ 物理量に応じて抵抗値が変化する抵抗を含み
被測定物理量を検出する測定抵抗ブリツジと、物
理量に応じて抵抗値が変化する抵抗を含み一定物
理量を検出する基準抵抗ブリツジと、これらのブ
リツジの電源端子に共通に電源を印加する制御電
源と、これらのブリツジの一方の出力端に生じる
出力電圧が予め決定された一定電圧に等しくなる
ように前記制御電源を制御する誤差増幅器とを具
備し、これらのブリツジの他方の出力端から前記
被測定物理量に応じた測定抵抗ブリツジの抵抗値
の変化分と一定物理量に応じた基準抵抗ブリツジ
の抵抗値の変化分との比に関連した出力信号を得
ることを特徴とする抵抗ブリツジを用いた測定装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59027655A JPS60216213A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 抵抗ブリツジを用いた測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59027655A JPS60216213A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 抵抗ブリツジを用いた測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60216213A JPS60216213A (ja) | 1985-10-29 |
| JPH0476047B2 true JPH0476047B2 (ja) | 1992-12-02 |
Family
ID=12226937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59027655A Granted JPS60216213A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 抵抗ブリツジを用いた測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60216213A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10739389B2 (en) * | 2018-03-16 | 2020-08-11 | The Boeing Company | Systems and methods for measuring the electrical contact resistance at an interface |
| CN115856433B (zh) * | 2022-11-22 | 2026-05-12 | 上海交通大学 | 双交流电桥阻抗分离检测电路及检测方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5647485B2 (ja) * | 1973-03-15 | 1981-11-10 | ||
| JPS5023679A (ja) * | 1973-06-30 | 1975-03-13 | ||
| JPS52156648A (en) * | 1976-06-23 | 1977-12-27 | Hitachi Ltd | Measurement of sensor |
| JPS535653A (en) * | 1976-07-05 | 1978-01-19 | Kubota Ltd | Gainncompensating circuit for low input impedance amplifier of measuring instrument |
| JPS566691A (en) * | 1979-06-25 | 1981-01-23 | Toyo Electric Mfg Co Ltd | Controller for induction motor |
-
1984
- 1984-02-16 JP JP59027655A patent/JPS60216213A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60216213A (ja) | 1985-10-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5343755A (en) | Strain gage sensor with integral temperature signal | |
| US4798093A (en) | Apparatus for sensor compensation | |
| CA2145698C (en) | Electronic circuit for a transducer | |
| JPS60259922A (ja) | 歪センサ | |
| JPH0777266B2 (ja) | 半導体歪み検出装置 | |
| WO1988006719A1 (en) | Transducer signal conditioner | |
| US4414837A (en) | Apparatus and methods for the shunt calibration of semiconductor strain gage bridges | |
| US4196382A (en) | Physical quantities electric transducers temperature compensation circuit | |
| WO2003029759A1 (en) | Flow rate measuring instrument | |
| JPH02269912A (ja) | 半導体複合センサ及び信号処理方法 | |
| JP2946400B2 (ja) | 発熱抵抗体の温度制御回路 | |
| US6107861A (en) | Circuit for self compensation of silicon strain gauge pressure transmitters | |
| JP2730152B2 (ja) | 圧力・温度複合検出装置 | |
| JPS60216213A (ja) | 抵抗ブリツジを用いた測定装置 | |
| JPS6222272B2 (ja) | ||
| JP2948958B2 (ja) | トランスジューサ回路 | |
| JPS6255629B2 (ja) | ||
| JPH04307331A (ja) | 複合センサ | |
| JPH0542610B2 (ja) | ||
| JPH0814521B2 (ja) | 半導体圧力センサの温度補償方法 | |
| KR19980084452A (ko) | 압력센서의 온도 보상 회로 | |
| JPH0676941B2 (ja) | 圧力検出装置 | |
| JPS62175632A (ja) | 半導体圧力センサの温度補償方法 | |
| JPH0476046B2 (ja) | ||
| JPH0542611B2 (ja) |