JPH0476073U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0476073U JPH0476073U JP12057890U JP12057890U JPH0476073U JP H0476073 U JPH0476073 U JP H0476073U JP 12057890 U JP12057890 U JP 12057890U JP 12057890 U JP12057890 U JP 12057890U JP H0476073 U JPH0476073 U JP H0476073U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- ceramic substrate
- chip carrier
- strip lines
- strip
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
Description
第１図はこの考案の一実施例である半導体レー
ザ装置の斜視図、第２図は従来の半導体レーザ装
置の斜視図である。 図において、１はセラミツク基板、２はアノー
ド側ストリツプライン、３はカソード側ストリツ
プライン、４は半導体レーザ、５は金属ブロツク
、６はワイヤを示す。なお、図中、同一符号は同
一、又は相当部分を示す。
ザ装置の斜視図、第２図は従来の半導体レーザ装
置の斜視図である。 図において、１はセラミツク基板、２はアノー
ド側ストリツプライン、３はカソード側ストリツ
プライン、４は半導体レーザ、５は金属ブロツク
、６はワイヤを示す。なお、図中、同一符号は同
一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体レーザ用のチツプキヤリアタイプパツケ
ージにおいて、チツプキヤリア本体をセラミツク
基板で構成し、このセラミツク基板上に近接した
２つのストリツプラインを備え、前記ストリツプ
ラインの一方に半導体レーザと同じ高さを持つ金
属ブロツクを設けたことを特徴とする半導体レー
ザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12057890U JPH0476073U (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12057890U JPH0476073U (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0476073U true JPH0476073U (ja) | 1992-07-02 |
Family
ID=31868477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12057890U Pending JPH0476073U (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0476073U (ja) |
-
1990
- 1990-11-15 JP JP12057890U patent/JPH0476073U/ja active Pending