JPH0476440B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0476440B2 JPH0476440B2 JP60156346A JP15634685A JPH0476440B2 JP H0476440 B2 JPH0476440 B2 JP H0476440B2 JP 60156346 A JP60156346 A JP 60156346A JP 15634685 A JP15634685 A JP 15634685A JP H0476440 B2 JPH0476440 B2 JP H0476440B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- radiation image
- image conversion
- protective layer
- phosphor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は輝尽性螢光体を用いた放射線画像変換
パネルに関するものであり、さらに詳しくは長期
間の使用に耐えうる放射線画像変換パネルに関す
るものである。
パネルに関するものであり、さらに詳しくは長期
間の使用に耐えうる放射線画像変換パネルに関す
るものである。
Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用など
に多く用いられている。このＸ線画像を得るため
に、被写体を透過したＸ線を螢光体層（螢光スク
リーン）に照射し、これにより可視光を生じさせ
てこの可視光を通常の写真をとるときと同じよう
に銀塩を使用したフイルムに照射して現像した、
いわゆる放射線写真が利用されている。しかし、
近年銀塩を塗布したフイルムを使用しないで螢光
体層から直接画像を取り出す方法が工夫されるよ
うになつた。
に多く用いられている。このＸ線画像を得るため
に、被写体を透過したＸ線を螢光体層（螢光スク
リーン）に照射し、これにより可視光を生じさせ
てこの可視光を通常の写真をとるときと同じよう
に銀塩を使用したフイルムに照射して現像した、
いわゆる放射線写真が利用されている。しかし、
近年銀塩を塗布したフイルムを使用しないで螢光
体層から直接画像を取り出す方法が工夫されるよ
うになつた。
この方法としては、被写体を透過した放射線を
螢光体に吸収せしめ、しかる後、この螢光体を例
えば光または熱エネルギーで励起することにより
この螢光体が上記吸収により蓄積している放射線
エネルギーを螢光として放射せしめ、この螢光を
検出して画像化する方法がある。具体的には、例
えば米国特許3859527号および特開昭55−12144号
には輝尽性螢光体を用い可視光線または紫外線を
輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示されて
いる。この方法は支持体上に輝尽性螢光体層を形
成した放射線画像変換パネルを使用するもので、
この放射線画像変換パネルの輝尽性螢光体層に被
写体を透過した放射線を当てて被写体各部の放射
線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させ
て潜像を形成し、しかる後にこの輝尽性螢光体層
を輝尽励起光で走査することによつて各部の蓄積
された放射線エネルギーを放射させてこれを光に
変換し、この光の強弱による光信号により画像を
得るものである。この最終的な画像はハードコピ
ーとして再生してもよいし、CRT上に再生して
もよい。
螢光体に吸収せしめ、しかる後、この螢光体を例
えば光または熱エネルギーで励起することにより
この螢光体が上記吸収により蓄積している放射線
エネルギーを螢光として放射せしめ、この螢光を
検出して画像化する方法がある。具体的には、例
えば米国特許3859527号および特開昭55−12144号
には輝尽性螢光体を用い可視光線または紫外線を
輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示されて
いる。この方法は支持体上に輝尽性螢光体層を形
成した放射線画像変換パネルを使用するもので、
この放射線画像変換パネルの輝尽性螢光体層に被
写体を透過した放射線を当てて被写体各部の放射
線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させ
て潜像を形成し、しかる後にこの輝尽性螢光体層
を輝尽励起光で走査することによつて各部の蓄積
された放射線エネルギーを放射させてこれを光に
変換し、この光の強弱による光信号により画像を
得るものである。この最終的な画像はハードコピ
ーとして再生してもよいし、CRT上に再生して
もよい。
この放射線画像変換方法において使用される放
射線画像変換パネルは、放射線画像情報を蓄積し
た後励起光の走査によつて蓄積エネルギーを放出
するので、走査後再度放射線画像の蓄積を行うこ
とができ、繰り返し使用が可能である。
射線画像変換パネルは、放射線画像情報を蓄積し
た後励起光の走査によつて蓄積エネルギーを放出
するので、走査後再度放射線画像の蓄積を行うこ
とができ、繰り返し使用が可能である。
そこで、前記放射線画像変換パネルは、得られ
る放射線画像の画質を劣化させることなく長期間
あるいは多数回の繰り返しの使用に耐える性能を
有することが望ましい。そのためには前記放射線
画像変換パネル中の輝尽性螢光体層が外部からの
物理的あるいは化学的刺激から十分に保護される
必要がある。
る放射線画像の画質を劣化させることなく長期間
あるいは多数回の繰り返しの使用に耐える性能を
有することが望ましい。そのためには前記放射線
画像変換パネル中の輝尽性螢光体層が外部からの
物理的あるいは化学的刺激から十分に保護される
必要がある。
とくに前記輝尽性螢光体層が水分を吸収すると
前記放射線画像変換パネルの放射線感度が低下し
たり、あるいは励起光照射を受ける前の蓄積エネ
ルギーの保持時間が短くなり、得られる放射線画
像の画質の劣化をもたらすため、前記輝尽性螢光
体層に水分が到達しないよう保護することが望ま
れてきた。
前記放射線画像変換パネルの放射線感度が低下し
たり、あるいは励起光照射を受ける前の蓄積エネ
ルギーの保持時間が短くなり、得られる放射線画
像の画質の劣化をもたらすため、前記輝尽性螢光
体層に水分が到達しないよう保護することが望ま
れてきた。
従来の放射線画像変換パネルにおいては、上記
の問題の解決を図るため、放射線画像変換パネル
の支持体上の輝尽性螢光体層面を被覆する保護層
を設ける方法がとられてきた。
の問題の解決を図るため、放射線画像変換パネル
の支持体上の輝尽性螢光体層面を被覆する保護層
を設ける方法がとられてきた。
この保護層は、たとえば特開昭59−42500号に
記述されているように、保護層用塗布液を輝尽性
螢光体層上に直接塗布して形成されるか、あるい
は、あらかじめ別途形成した保護層を輝尽性螢光
体層上に接着する方法により形成されている。
記述されているように、保護層用塗布液を輝尽性
螢光体層上に直接塗布して形成されるか、あるい
は、あらかじめ別途形成した保護層を輝尽性螢光
体層上に接着する方法により形成されている。
更に本発明者等は特願昭60−18934号に於いて、
放射線照射および／または加熱によつて重縮合あ
るいは架橋反応して硬化する樹脂素材、すなわち
モノマー、オリゴマーあるいはポリマー（以下、
これらを放射線硬化型樹脂あるいは熱硬化型樹脂
と称する。）を含有する保護層用塗布液を輝尽性
螢光体層上に塗布した後、放射線の照射および／
または加熱により前記樹脂素材を硬化させて保護
層を形成する方法を提案している。
放射線照射および／または加熱によつて重縮合あ
るいは架橋反応して硬化する樹脂素材、すなわち
モノマー、オリゴマーあるいはポリマー（以下、
これらを放射線硬化型樹脂あるいは熱硬化型樹脂
と称する。）を含有する保護層用塗布液を輝尽性
螢光体層上に塗布した後、放射線の照射および／
または加熱により前記樹脂素材を硬化させて保護
層を形成する方法を提案している。
放射線画像変換パネルの長寿命化を達成するた
めに特に耐湿性の点でのよりいつそうの改良が望
まれているが、前記保護層の透湿性を低下、即ち
吸湿防止効果を向上させる方法に関しては、ほと
んど検討されていない。
めに特に耐湿性の点でのよりいつそうの改良が望
まれているが、前記保護層の透湿性を低下、即ち
吸湿防止効果を向上させる方法に関しては、ほと
んど検討されていない。
本発明は、輝尽性螢光体を用いた放射線画像変
換パネルにおける前述のような現状に鑑みてなさ
れたものであり、本発明の目的は輝尽性螢光体層
への水分の浸透が小さく長期間にわたり良好な状
態で使用が可能である放射線画像変換パネルを提
供することにある。
換パネルにおける前述のような現状に鑑みてなさ
れたものであり、本発明の目的は輝尽性螢光体層
への水分の浸透が小さく長期間にわたり良好な状
態で使用が可能である放射線画像変換パネルを提
供することにある。
前記した本発明の目的は、支持体と、該支持体
上に設けられた少くとも一層の輝尽性螢光体層
と、該輝尽性螢光体層上に設けられた保護層とを
有する放射線画像変換パネルにおいて、前期保護
層が吸湿性について相対的に異る少くとも二層よ
りなり、該層の吸湿性の大なる層が前記輝尽性螢
光体層に近く、吸湿性の小なる層が遠くに設けら
れていることを特徴とする放射線画像変換パネル
によつて達成される。
上に設けられた少くとも一層の輝尽性螢光体層
と、該輝尽性螢光体層上に設けられた保護層とを
有する放射線画像変換パネルにおいて、前期保護
層が吸湿性について相対的に異る少くとも二層よ
りなり、該層の吸湿性の大なる層が前記輝尽性螢
光体層に近く、吸湿性の小なる層が遠くに設けら
れていることを特徴とする放射線画像変換パネル
によつて達成される。
ここで「吸湿性が異なる」という表現は、具体
的には以下のような意味である。すなわち、保護
層がＡ、B2層よりなるとすれば、該Ａ層とＢ層
とで吸湿性が異なるということは、前記放射線画
像変換パネルが通常の使用方法において曝される
と考えうるある気温のもとでのＡ層の平衡吸湿等
温曲線が該気温のもとでのＢ層の平衡吸湿等温曲
線と一致しないということを表わしている。
的には以下のような意味である。すなわち、保護
層がＡ、B2層よりなるとすれば、該Ａ層とＢ層
とで吸湿性が異なるということは、前記放射線画
像変換パネルが通常の使用方法において曝される
と考えうるある気温のもとでのＡ層の平衡吸湿等
温曲線が該気温のもとでのＢ層の平衡吸湿等温曲
線と一致しないということを表わしている。
尚平衡吸湿等温曲線において、平衡吸湿量の少
いことは透湿度が小さいことであり、吸湿性が小
であることに対応している。
いことは透湿度が小さいことであり、吸湿性が小
であることに対応している。
以下、本発明を詳細に説明する。
第１図１に、本発明の放射線画像変換パネルの
構造例を断面図として示す。１１は支持体１２は
輝尽性螢光体層、１３ａおよび１３ｂは保護層で
あり、輝尽性螢光体層に接する１３ａは相対的に
吸示性の大きい保護層を、そして最も外側の１３
ｂは相対的に吸湿性の小さい保護層を表してい
る。保護層を第１図１のごとき層構成にすること
により、放射線画像変換パネルの耐湿性を大幅に
向上することができる。すなわち、放射線画像変
換パネルの外部に存在する水あるいは水蒸気は、
まず保護層１３ｂにより放射線画像変換パネル内
部への浸透を阻止される。しかし保護層１３ｂが
水分を完全に遮断することは不可能であり、常に
ある程度の水分透過量が存在する。その水分透過
量は一般に外界と保護層１３ｂの内側との湿度差
に比例して増大する。保護層１３ｂを透過した水
分は保護層１３ａの表面に到達するが、保護層１
３ａはその吸湿性が大きいため、前記水分を層の
１３ｂと接する側の表面および層の内部において
保持し、輝尽性螢光体層への水分の到達を防ぐ機
能を果たす。結果として前記輝尽性螢光体層の吸
水による劣化は従来の放射線画像変換パネルに比
べて著しく減少する。
構造例を断面図として示す。１１は支持体１２は
輝尽性螢光体層、１３ａおよび１３ｂは保護層で
あり、輝尽性螢光体層に接する１３ａは相対的に
吸示性の大きい保護層を、そして最も外側の１３
ｂは相対的に吸湿性の小さい保護層を表してい
る。保護層を第１図１のごとき層構成にすること
により、放射線画像変換パネルの耐湿性を大幅に
向上することができる。すなわち、放射線画像変
換パネルの外部に存在する水あるいは水蒸気は、
まず保護層１３ｂにより放射線画像変換パネル内
部への浸透を阻止される。しかし保護層１３ｂが
水分を完全に遮断することは不可能であり、常に
ある程度の水分透過量が存在する。その水分透過
量は一般に外界と保護層１３ｂの内側との湿度差
に比例して増大する。保護層１３ｂを透過した水
分は保護層１３ａの表面に到達するが、保護層１
３ａはその吸湿性が大きいため、前記水分を層の
１３ｂと接する側の表面および層の内部において
保持し、輝尽性螢光体層への水分の到達を防ぐ機
能を果たす。結果として前記輝尽性螢光体層の吸
水による劣化は従来の放射線画像変換パネルに比
べて著しく減少する。
さらに、第１図１に示す層構造を有する複合保
護層は、保護層用材料の適切な選択により、１３
ｂ→１３ａの方向の透湿度が非常に小さく、かつ
１３ａ→１３ｂの方向の透湿度が比較的大きい性
質を有する複合保護層とすることができる。一般
に吸湿性の小さい膜は透湿係数の湿度依存性が小
さく、吸湿性の大きい膜は透湿係数の湿度依存性
が大きいという性質を有する。したがつて保護層
１３ｂは透湿係数の湿度依存性が小さく保護層１
３ａは透湿係数の湿度依存性が大であるため、両
者の複合系は、よく知られている複合膜の透湿の
二面性を示す。すなわち１３ｂが高湿側に接する
ように配した場合の透湿度は１３ａを高湿側にお
いた場合の透湿度より小となる。保護層用材料の
適切な組み合わせにより両透湿度間の差を拡大す
れば、耐湿性にすぐれ、かつ輝尽性螢光体層が水
分を吸収した場合には低湿度の外気に曝すことに
より速やかに該水分を放出する放射線画像変換パ
ネルを作製することができる。
護層は、保護層用材料の適切な選択により、１３
ｂ→１３ａの方向の透湿度が非常に小さく、かつ
１３ａ→１３ｂの方向の透湿度が比較的大きい性
質を有する複合保護層とすることができる。一般
に吸湿性の小さい膜は透湿係数の湿度依存性が小
さく、吸湿性の大きい膜は透湿係数の湿度依存性
が大きいという性質を有する。したがつて保護層
１３ｂは透湿係数の湿度依存性が小さく保護層１
３ａは透湿係数の湿度依存性が大であるため、両
者の複合系は、よく知られている複合膜の透湿の
二面性を示す。すなわち１３ｂが高湿側に接する
ように配した場合の透湿度は１３ａを高湿側にお
いた場合の透湿度より小となる。保護層用材料の
適切な組み合わせにより両透湿度間の差を拡大す
れば、耐湿性にすぐれ、かつ輝尽性螢光体層が水
分を吸収した場合には低湿度の外気に曝すことに
より速やかに該水分を放出する放射線画像変換パ
ネルを作製することができる。
第１図２に、本発明の放射線画像変換パネルの
構造の参考例を示す。第１図２に示す放射線画像
変換パネルは、輝尽性螢光体層に接する相対的に
吸湿性の小さい保護層１３ｂとその外側の相対的
に吸湿性の大きい保護層１３ａとを有する。前記
放射線画像変換パネルの外界に存在する水分は吸
湿性の大きい保護層１３ａの表面および内部で保
持され、さらに保護層１３ａが保持しきれずに透
過した水分は吸湿性の小さい保護層１３ｂにより
輝尽性螢光体層への浸透を阻止される。保護層１
３ｂは、とくに透湿性の小さい材料より成ること
が好ましい。また、保護層１３ａの外側にさらに
透湿性の小さいもうひとつの保護層を設けてもよ
い。
構造の参考例を示す。第１図２に示す放射線画像
変換パネルは、輝尽性螢光体層に接する相対的に
吸湿性の小さい保護層１３ｂとその外側の相対的
に吸湿性の大きい保護層１３ａとを有する。前記
放射線画像変換パネルの外界に存在する水分は吸
湿性の大きい保護層１３ａの表面および内部で保
持され、さらに保護層１３ａが保持しきれずに透
過した水分は吸湿性の小さい保護層１３ｂにより
輝尽性螢光体層への浸透を阻止される。保護層１
３ｂは、とくに透湿性の小さい材料より成ること
が好ましい。また、保護層１３ａの外側にさらに
透湿性の小さいもうひとつの保護層を設けてもよ
い。
本発明の放射線画像変換パネルの構造は、第１
図に示した例に限るものではない。
図に示した例に限るものではない。
本発明の放射線画像変換パネルにおいて、輝尽
性螢光体層の表面を被覆する二層以上の保護層の
うち少なくとも最も外側の保護層は表面硬度の高
い層であることが好ましい。表面硬度の高い保護
層を設けることにより、前記放射線画像変換パネ
ルが繰り返し使用中にパネル搬送系その他の機械
部分等から受ける物理的衝撃による傷の発生と、
それに伴う得られる放射線画像の画質の劣化を防
止することができる。
性螢光体層の表面を被覆する二層以上の保護層の
うち少なくとも最も外側の保護層は表面硬度の高
い層であることが好ましい。表面硬度の高い保護
層を設けることにより、前記放射線画像変換パネ
ルが繰り返し使用中にパネル搬送系その他の機械
部分等から受ける物理的衝撃による傷の発生と、
それに伴う得られる放射線画像の画質の劣化を防
止することができる。
また、保護層の設置される面は輝尽性螢光体層
の支持体側と反対側の面（パネル表面と称する）
に限らず、パネル周辺の厚み断面（パネル側面と
称する）あるいは輝尽性螢光体層側とは反対側の
支持体面（パネル裏面と称する）に設けてもよ
い。その際、たとえばパネル表面を被覆する保護
層とパネル裏面を被覆する保護層とは同一の構造
を有する必要はない。
の支持体側と反対側の面（パネル表面と称する）
に限らず、パネル周辺の厚み断面（パネル側面と
称する）あるいは輝尽性螢光体層側とは反対側の
支持体面（パネル裏面と称する）に設けてもよ
い。その際、たとえばパネル表面を被覆する保護
層とパネル裏面を被覆する保護層とは同一の構造
を有する必要はない。
以上に述べたような好ましい特性を持つた本発
明の放射線画像変換パネルは、たとえば以下に述
べるような方法に従い、支持体上に輝尽性螢光体
層を形成した後に該輝尽性螢光体層上、その他の
面に少なくとも二層の所望の保護層を形成あるい
は付設することにより製造することができる。
明の放射線画像変換パネルは、たとえば以下に述
べるような方法に従い、支持体上に輝尽性螢光体
層を形成した後に該輝尽性螢光体層上、その他の
面に少なくとも二層の所望の保護層を形成あるい
は付設することにより製造することができる。
本発明の放射線画像変換パネルにおいて用いら
れる支持体としては各種高分子材料、ガラス、金
属等が用いられる。特に情報記録材料としての取
り扱い上可撓性のあるシートあるいはウエブに加
工できるものが好適であり、この点から例えばセ
ルロースアセテートフイルム、ポリエステルフイ
ルム、ポリエチレンテレフタレートフイルム、ポ
リアミドフイルム、ポリイミドフイルム、トリア
セテートフイルム、ポリカーボネイトフイルム等
のプラスチツクフイルム、アルミニウム、鉄、
銅、クロム等の金属シート或いは該金属酸化物の
被覆層を有する金属シートが好ましい。
れる支持体としては各種高分子材料、ガラス、金
属等が用いられる。特に情報記録材料としての取
り扱い上可撓性のあるシートあるいはウエブに加
工できるものが好適であり、この点から例えばセ
ルロースアセテートフイルム、ポリエステルフイ
ルム、ポリエチレンテレフタレートフイルム、ポ
リアミドフイルム、ポリイミドフイルム、トリア
セテートフイルム、ポリカーボネイトフイルム等
のプラスチツクフイルム、アルミニウム、鉄、
銅、クロム等の金属シート或いは該金属酸化物の
被覆層を有する金属シートが好ましい。
また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材
質等によつて異なるが、一般的には80μｍ〜
1000μｍであり、取り扱い上の点から、さらに好
ましくは80μｍ〜500μｍである。
質等によつて異なるが、一般的には80μｍ〜
1000μｍであり、取り扱い上の点から、さらに好
ましくは80μｍ〜500μｍである。
これら支持体の表面は滑面であつてもよいし、
輝尽性螢光体層との接着性を向上させる目的でマ
ツト面としてもよい。また、支持体の表面は凹凸
面としてもよいし、隔絶された微小タイル状板を
敷きつめた構造としてもよい。
輝尽性螢光体層との接着性を向上させる目的でマ
ツト面としてもよい。また、支持体の表面は凹凸
面としてもよいし、隔絶された微小タイル状板を
敷きつめた構造としてもよい。
さらに、これら支持体は、輝尽性螢光体層との
接着性を向上させる目的で輝尽性螢光体層が設け
られる面に下引層を設けてもよい。
接着性を向上させる目的で輝尽性螢光体層が設け
られる面に下引層を設けてもよい。
本発明の放射線画像変換パネルにおいて輝尽性
螢光体とは、最初の光もしくは高エネルギー放射
線が照射された後に、光的、熱的、機械的、化学
的または電気的等の刺激（輝尽励起）により、最
初の光もしくは高エネルギーの放射線の照射量に
対応した輝尽発光を示す螢光体を言うが、実用的
な面から好ましくは500nｍ以上の輝尽励起光に
よつて輝尽発光を示す螢光体である。本発明の放
射線画像変換パネルに用いられる輝尽性螢光体と
しては、例えば特開昭48−80487号に記載されて
いるBaSO4：Ax（但し、ＡはDy、TbおよびTm
のうち少なくとも１種であり、ｘは0.001≦ｘ＜
１モル％である。）で表わされる螢光体、特開昭
48−80488号記載のMgSO4：Ax（但し、ＡはHo
或いはDyのうちいずれかであり、0.001≦ｘ≦１
モル％である。）で表わされる螢光体、特開昭48
−80489号に記載されているSrSO4：Ax（但し、
ＡはDy、TbおよびTmのうち少なくとも１種で
ありｘは0.001≦ｘ＜１モル％である。）で表わさ
れている螢光体、特開昭51−29889号に記載され
ているNa2SO4、CaSO4およびBaSO4等にMn、
DyおよびTbのうち少なくとも１種を添加した螢
光体、特開昭52−30487号に記載されている
BeO、LiFMgSO4およびCaF2等の螢光体、特開
昭53−39277号に記載されているLi2B4O7：Cu、
Ag等の螢光体、特開昭54−47883号に記載されて
いるLi2O・（B2O2）ｘ：Cu（但し、ｘは２＜ｘ≦
３）およびLi2O・（B2O2）ｘ：Cu、Ag（但しｘ
は２＜ｘ≦３）等の螢光体、米国特許3859527号
に記載されているSrS：Ce、Sm、SrS；Eu、
Sm、La2O2S：Eu、Smおよび（Zn、Cd）Ｓ：
Mn、Ｘ（但し、ｘはハロゲン）で表わされる螢
光体が挙げられる。また、特開昭55−12142号に
記載されているZnS：Cu、Pb螢光体、BaO・
xAl2O3：Eu（但し、0.8≦ｘ≦10）で表わされる
アルミン酸バリウム螢光体およびM〓Ｏ・
xSiO2：Ａ（但し、M〓はMg、Ca、Sr、Zn、Cdま
たはBaであり、ＡはCe、Tb、Eu、Tm、Pb、
Tl、BiおよびMnのうち少なくとも１種であり、
ｘは0.5≦ｘ≦2.5である。）で表わされるアルカ
リ土類金属珪酸塩系螢光体が挙げられる。
螢光体とは、最初の光もしくは高エネルギー放射
線が照射された後に、光的、熱的、機械的、化学
的または電気的等の刺激（輝尽励起）により、最
初の光もしくは高エネルギーの放射線の照射量に
対応した輝尽発光を示す螢光体を言うが、実用的
な面から好ましくは500nｍ以上の輝尽励起光に
よつて輝尽発光を示す螢光体である。本発明の放
射線画像変換パネルに用いられる輝尽性螢光体と
しては、例えば特開昭48−80487号に記載されて
いるBaSO4：Ax（但し、ＡはDy、TbおよびTm
のうち少なくとも１種であり、ｘは0.001≦ｘ＜
１モル％である。）で表わされる螢光体、特開昭
48−80488号記載のMgSO4：Ax（但し、ＡはHo
或いはDyのうちいずれかであり、0.001≦ｘ≦１
モル％である。）で表わされる螢光体、特開昭48
−80489号に記載されているSrSO4：Ax（但し、
ＡはDy、TbおよびTmのうち少なくとも１種で
ありｘは0.001≦ｘ＜１モル％である。）で表わさ
れている螢光体、特開昭51−29889号に記載され
ているNa2SO4、CaSO4およびBaSO4等にMn、
DyおよびTbのうち少なくとも１種を添加した螢
光体、特開昭52−30487号に記載されている
BeO、LiFMgSO4およびCaF2等の螢光体、特開
昭53−39277号に記載されているLi2B4O7：Cu、
Ag等の螢光体、特開昭54−47883号に記載されて
いるLi2O・（B2O2）ｘ：Cu（但し、ｘは２＜ｘ≦
３）およびLi2O・（B2O2）ｘ：Cu、Ag（但しｘ
は２＜ｘ≦３）等の螢光体、米国特許3859527号
に記載されているSrS：Ce、Sm、SrS；Eu、
Sm、La2O2S：Eu、Smおよび（Zn、Cd）Ｓ：
Mn、Ｘ（但し、ｘはハロゲン）で表わされる螢
光体が挙げられる。また、特開昭55−12142号に
記載されているZnS：Cu、Pb螢光体、BaO・
xAl2O3：Eu（但し、0.8≦ｘ≦10）で表わされる
アルミン酸バリウム螢光体およびM〓Ｏ・
xSiO2：Ａ（但し、M〓はMg、Ca、Sr、Zn、Cdま
たはBaであり、ＡはCe、Tb、Eu、Tm、Pb、
Tl、BiおよびMnのうち少なくとも１種であり、
ｘは0.5≦ｘ≦2.5である。）で表わされるアルカ
リ土類金属珪酸塩系螢光体が挙げられる。
また、
（Ba1−ｘ−yMgxCay）FX：eEu2+
（但し、ＸはBrおよびClの中の少なくとも１つ
であり、ｘ、ｙおよびｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦
0.6、xy＝０および10-6≦ｅ≦５×10-2なる条件
を満たす数である。）で表わされるアルカリ土類
弗化ハロゲン化物螢光体、特開昭55−12144号に
記載されている。
であり、ｘ、ｙおよびｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦
0.6、xy＝０および10-6≦ｅ≦５×10-2なる条件
を満たす数である。）で表わされるアルカリ土類
弗化ハロゲン化物螢光体、特開昭55−12144号に
記載されている。
LnOX：xA（但し、LnはLa、Ｙ、GdおよびLu
の少なくとも１つを、ＸはClおよび／またはBr
を、ＡはCeおよび／またはTbを、ｘは０＜ｘ＜
0.1を満足する数を表わす。）で表わされる螢光
体、特開昭55−12145号に記載されている （Ba1−xM〓ｘ）FX：yA （但し、M〓は、Mg、Ca、Sr、ZnおよびCdのう
ちの少なくとも１つを、ＸはCl、BrおよびＩの
うち少なくとも１つを、ＡはEu、Tb、Ce、Tm、
Dy、Pr、Ho、Nd、YbおよびErのうちの少なく
とも１つを、ｘおよびｙは０≦ｘ≦0.6および０
≦ｙ≦0.2なる条件を満たす数を表わす。）で表わ
される螢光体、特開昭55−84389号に記載されて
いるBaFX：xCe、yA（但し、ＸはCl、Brおよび
Ｉのうちの少なくとも１つ、ＡはIn、Tl、Gd、
SmおよびZrのうちの少なくとも１つであり、ｘ
およびｙはそれぞれ０＜ｘ≦２×10-1および０＜
ｙ≦５×10-2である。）で表わされる螢光体、特
開昭55−160078号に記載されている M〓FX・xA：yLn （但し、M〓は、Mg、Ca、Ba、Sr、Znおよび
Cdのうちの少なくとも１種、ＡはBeO、MgO、
CaO、SrO、BaO、ZnO、Al2O3、Y2O3、
La2O3、IN2O3、SiO2、TiO2、ZrO2、GeO2、
SnO2、Nb2O5、Ta2O5およびThO2のうち少なく
とも１種、LnはEu、Tb、Ce、Tm、Dy、Pr、
Ho、Nd、Yb、Er、SmおよびGdのうちの少な
くとも１種であり、ＸはCl、BrおよびＩのうち
の少なくとも１種であり、ｘおよびｙはそれぞれ
５×10-5≦ｘ≦0.5および０＜ｙ≦0.2なる条件を
満たす数である。）で表わされる希土類元素付活
２価金属フルオロハライド螢光体、ZnS：Ａ、
（Zn、Cd）Ｓ：Ａ、CdS：Ａ、ZnS：Ａ、Ｘおよ
びCdS：Ａ、Ｘ（但し、ＡはCu、Ag、Auまたは
Mnであり、Ｘはハロゲンである。）で表わされ
る螢光体、特開昭57−148285号に記載されている xM3（PO4）2・NX2：yA M3（PO4）2・yA （式中、ＭおよびＮはそれぞれMg、Ca、Sr、
Ba、ZnおよびCdのうち少なくとも１種、Ｘは
Ｆ、Cl、BrおよびＩのうち少なくとも１種、Ａ
はEu、Tb、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Er、
Sb、Tl、MnおよびSnのうち少なくとも１種を
表わす。また、ｘおよびｙは０＜ｘ≦６、０≦ｙ
≦１なる条件を満たす数である。）で表わされる
螢光体、一般に nReX3・mAX′2：xEu nReX3・mAX′2：xEu、ySm （式中、ReはLa、Gd、Ｙ、Luのうち少なくと
も１種、Ａはアルカリ土類金属Ba、Sr、Caのう
ち少なくとも１種、ＸおよびX′はＦ、Cl、Brの
うち少なくとも１種を表わす。また、ｘおよびｙ
は、１×10-4＜ｘ＜３×10-1、１×10-4＜ｙ＜１
×10-1なる条件を満たす数であり、ｎ／ｍは１×
10-3＜ｎ／ｍ＜７×10-1なる条件を満たす。）で
表わされる螢光体および M〓Ｘ・aM〓X′2・bM〓X″3：cA （但し、M〓はLi、Na、Ｋ、RbおよびCsから選
ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、
M〓はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cuおよ
びNiから選ばれる少なくとも一種の二価金属で
ある。M〓はSc、Ｙ、La、Ce、Pr、Nd、Pm、
Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、
Lu、Al、GaおよはInから選ばれる少なくとも一
種の三価金属である。Ｘ、X′およびX″はＦ、Cl、
BrおよびＩから選ばれる少なくとも一種のハロ
ゲンである。ＡはEu、Tb、Ce、Tm、Dy、Pr、
Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Ｙ、Tl、
Na、Ag、CuおよびMgから選ばれる少なくとも
一種の金属である。また、ａは０≦ａ＜0.5の範
囲の数値であり、ｂは０≦ｂ＜0.5の範囲の数値
であり、ｃは０＜ｃ≦0.2の範囲の数値である。）
で表わされるアルカリハライド螢光体が挙げられ
る。とくにアルカリハライド螢光体は真空蒸着、
スパツタ等の方法で輝尽性螢光体層を形成させる
場合に好ましい。
の少なくとも１つを、ＸはClおよび／またはBr
を、ＡはCeおよび／またはTbを、ｘは０＜ｘ＜
0.1を満足する数を表わす。）で表わされる螢光
体、特開昭55−12145号に記載されている （Ba1−xM〓ｘ）FX：yA （但し、M〓は、Mg、Ca、Sr、ZnおよびCdのう
ちの少なくとも１つを、ＸはCl、BrおよびＩの
うち少なくとも１つを、ＡはEu、Tb、Ce、Tm、
Dy、Pr、Ho、Nd、YbおよびErのうちの少なく
とも１つを、ｘおよびｙは０≦ｘ≦0.6および０
≦ｙ≦0.2なる条件を満たす数を表わす。）で表わ
される螢光体、特開昭55−84389号に記載されて
いるBaFX：xCe、yA（但し、ＸはCl、Brおよび
Ｉのうちの少なくとも１つ、ＡはIn、Tl、Gd、
SmおよびZrのうちの少なくとも１つであり、ｘ
およびｙはそれぞれ０＜ｘ≦２×10-1および０＜
ｙ≦５×10-2である。）で表わされる螢光体、特
開昭55−160078号に記載されている M〓FX・xA：yLn （但し、M〓は、Mg、Ca、Ba、Sr、Znおよび
Cdのうちの少なくとも１種、ＡはBeO、MgO、
CaO、SrO、BaO、ZnO、Al2O3、Y2O3、
La2O3、IN2O3、SiO2、TiO2、ZrO2、GeO2、
SnO2、Nb2O5、Ta2O5およびThO2のうち少なく
とも１種、LnはEu、Tb、Ce、Tm、Dy、Pr、
Ho、Nd、Yb、Er、SmおよびGdのうちの少な
くとも１種であり、ＸはCl、BrおよびＩのうち
の少なくとも１種であり、ｘおよびｙはそれぞれ
５×10-5≦ｘ≦0.5および０＜ｙ≦0.2なる条件を
満たす数である。）で表わされる希土類元素付活
２価金属フルオロハライド螢光体、ZnS：Ａ、
（Zn、Cd）Ｓ：Ａ、CdS：Ａ、ZnS：Ａ、Ｘおよ
びCdS：Ａ、Ｘ（但し、ＡはCu、Ag、Auまたは
Mnであり、Ｘはハロゲンである。）で表わされ
る螢光体、特開昭57−148285号に記載されている xM3（PO4）2・NX2：yA M3（PO4）2・yA （式中、ＭおよびＮはそれぞれMg、Ca、Sr、
Ba、ZnおよびCdのうち少なくとも１種、Ｘは
Ｆ、Cl、BrおよびＩのうち少なくとも１種、Ａ
はEu、Tb、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Er、
Sb、Tl、MnおよびSnのうち少なくとも１種を
表わす。また、ｘおよびｙは０＜ｘ≦６、０≦ｙ
≦１なる条件を満たす数である。）で表わされる
螢光体、一般に nReX3・mAX′2：xEu nReX3・mAX′2：xEu、ySm （式中、ReはLa、Gd、Ｙ、Luのうち少なくと
も１種、Ａはアルカリ土類金属Ba、Sr、Caのう
ち少なくとも１種、ＸおよびX′はＦ、Cl、Brの
うち少なくとも１種を表わす。また、ｘおよびｙ
は、１×10-4＜ｘ＜３×10-1、１×10-4＜ｙ＜１
×10-1なる条件を満たす数であり、ｎ／ｍは１×
10-3＜ｎ／ｍ＜７×10-1なる条件を満たす。）で
表わされる螢光体および M〓Ｘ・aM〓X′2・bM〓X″3：cA （但し、M〓はLi、Na、Ｋ、RbおよびCsから選
ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、
M〓はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cuおよ
びNiから選ばれる少なくとも一種の二価金属で
ある。M〓はSc、Ｙ、La、Ce、Pr、Nd、Pm、
Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、
Lu、Al、GaおよはInから選ばれる少なくとも一
種の三価金属である。Ｘ、X′およびX″はＦ、Cl、
BrおよびＩから選ばれる少なくとも一種のハロ
ゲンである。ＡはEu、Tb、Ce、Tm、Dy、Pr、
Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Ｙ、Tl、
Na、Ag、CuおよびMgから選ばれる少なくとも
一種の金属である。また、ａは０≦ａ＜0.5の範
囲の数値であり、ｂは０≦ｂ＜0.5の範囲の数値
であり、ｃは０＜ｃ≦0.2の範囲の数値である。）
で表わされるアルカリハライド螢光体が挙げられ
る。とくにアルカリハライド螢光体は真空蒸着、
スパツタ等の方法で輝尽性螢光体層を形成させる
場合に好ましい。
しかし、本発明の放射線画像変換パネルに用い
られる輝尽性螢光体は、前述の螢光体に限られる
ものではなく、放射線を照射した後輝尽励起光を
照射した場合に輝尽螢光を示す螢光体であれば、
いかなる螢光体であつてもよい。
られる輝尽性螢光体は、前述の螢光体に限られる
ものではなく、放射線を照射した後輝尽励起光を
照射した場合に輝尽螢光を示す螢光体であれば、
いかなる螢光体であつてもよい。
本発明の放射線画像変換パネルは前記の輝尽性
螢光体の少なくとも一種類を含む一つ若しくは二
つ以上の輝尽性螢光体層から成る輝尽性螢光体層
群を有してもよい。また、それぞれの輝尽性螢光
体層に含まれる輝尽性螢光体は同一であつてもよ
いが異なつていてもよい。
螢光体の少なくとも一種類を含む一つ若しくは二
つ以上の輝尽性螢光体層から成る輝尽性螢光体層
群を有してもよい。また、それぞれの輝尽性螢光
体層に含まれる輝尽性螢光体は同一であつてもよ
いが異なつていてもよい。
前記輝尽性螢光体層は、特願昭59−196365号に
述べられているように輝尽性螢光体を蒸着法・ス
パツタ法等の方法を用いることにより結着剤を含
有しない層状部分として支持体上に形成してもよ
いし、輝尽性螢光体を適当な結着剤中に分散して
塗布液を調整し、それを支持体上に塗布すること
により形成してもよい。本発明の放射線画像変換
パネルにおいて、結着剤を用いる場合には、例え
ばゼラチンの如きタンパク質、デキストランの如
きポリサツカライドまたはアラビアゴム、ポリビ
ニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロ
ース、エチルセルロース、塩化ビニリデン−塩化
ビニルコポリマー、ポリメチルメタクリレート、
塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、ポリウレタ
ン、セルロースアセテートブチレート、ポリビニ
ルアルコール等のような通常層構成に用いられる
結着剤が使用される。
述べられているように輝尽性螢光体を蒸着法・ス
パツタ法等の方法を用いることにより結着剤を含
有しない層状部分として支持体上に形成してもよ
いし、輝尽性螢光体を適当な結着剤中に分散して
塗布液を調整し、それを支持体上に塗布すること
により形成してもよい。本発明の放射線画像変換
パネルにおいて、結着剤を用いる場合には、例え
ばゼラチンの如きタンパク質、デキストランの如
きポリサツカライドまたはアラビアゴム、ポリビ
ニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロ
ース、エチルセルロース、塩化ビニリデン−塩化
ビニルコポリマー、ポリメチルメタクリレート、
塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、ポリウレタ
ン、セルロースアセテートブチレート、ポリビニ
ルアルコール等のような通常層構成に用いられる
結着剤が使用される。
しかし、本発明の放射線画像変換パネルに関し
ては、とくに特願昭59−196365号において提案さ
れているように、輝尽性螢光体層が結着剤を含有
しない構造を有することが好ましい。結着剤を含
有しない輝尽性螢光体層の形成方法としては、以
下のような方法があげられる。
ては、とくに特願昭59−196365号において提案さ
れているように、輝尽性螢光体層が結着剤を含有
しない構造を有することが好ましい。結着剤を含
有しない輝尽性螢光体層の形成方法としては、以
下のような方法があげられる。
第１の方法として蒸着法がある。該方法に於い
ては、まず支持体を蒸着装置内に設置した後装置
内を排気して10-6Torr程度の真空度とする。次
いで、前記輝尽性螢光体の少なくとも一つを抵抗
加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸
発させて前記支持体表面に輝尽性螢光体を所望の
厚さに堆積させる。
ては、まず支持体を蒸着装置内に設置した後装置
内を排気して10-6Torr程度の真空度とする。次
いで、前記輝尽性螢光体の少なくとも一つを抵抗
加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸
発させて前記支持体表面に輝尽性螢光体を所望の
厚さに堆積させる。
この結果、結着剤を含有しない輝尽性螢光体層
が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分け
て輝尽性螢光体層を形成することも可能である。
また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるい
はエレクトロンビームを用いて共蒸着を行うこと
も可能である。
が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分け
て輝尽性螢光体層を形成することも可能である。
また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるい
はエレクトロンビームを用いて共蒸着を行うこと
も可能である。
また、前記蒸着法においては、輝尽性螢光体原
料を複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビー
ムを用いて共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽
性螢光体を合成すると同時に輝尽性螢光体層を形
成することも可能である。
料を複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビー
ムを用いて共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽
性螢光体を合成すると同時に輝尽性螢光体層を形
成することも可能である。
さらに前記蒸着法においては、蒸着時、必要に
応じて被蒸着物を冷却あるいは加熱してもよい。
また、蒸着終了後輝尽性螢光体層を加熱処理して
もよい。
応じて被蒸着物を冷却あるいは加熱してもよい。
また、蒸着終了後輝尽性螢光体層を加熱処理して
もよい。
第２の方法としてスパツタ法がある。該方法に
おいては、蒸着法と同様に支持体をスパツタ装置
内に設置した後装置内を一旦排気して10-6Torr
程度の真空度とし、次いでスパツタ用のガスとし
てAr、Ne等の不活性ガスをスパツタ装置内に導
入して10-3Torr程度のガス圧とする。
おいては、蒸着法と同様に支持体をスパツタ装置
内に設置した後装置内を一旦排気して10-6Torr
程度の真空度とし、次いでスパツタ用のガスとし
てAr、Ne等の不活性ガスをスパツタ装置内に導
入して10-3Torr程度のガス圧とする。
次に、前記輝尽性螢光体をターゲツトとして、
スパツタリングすることにより、前記支持体表面
に輝尽性螢光体を所望の厚さに堆積させる。
スパツタリングすることにより、前記支持体表面
に輝尽性螢光体を所望の厚さに堆積させる。
前記スパツタ工程では蒸着法と同様に複数回に
分けて輝尽性螢光体層を形成することも可能であ
るし、また、それぞれ異つた輝尽性螢光体からな
る複数のターゲツトを用いて、同時あるいは順
次、前記ターゲツトをスパツタリングして輝尽性
螢光体層を形成することも可能である。
分けて輝尽性螢光体層を形成することも可能であ
るし、また、それぞれ異つた輝尽性螢光体からな
る複数のターゲツトを用いて、同時あるいは順
次、前記ターゲツトをスパツタリングして輝尽性
螢光体層を形成することも可能である。
前記スパツタ法においては、複数の輝尽性螢光
体原料をターゲツトとして用い、これを同時ある
いは順次スパツタリングして、支持体上で目的と
する輝尽性螢光体を合成すると同時に輝尽性螢光
体層を形成することも可能である。また、前記ス
パツタ法においては、必要に応じてO2、H2等の
ガスを導入して反応性スパツタを行つてもよい。
体原料をターゲツトとして用い、これを同時ある
いは順次スパツタリングして、支持体上で目的と
する輝尽性螢光体を合成すると同時に輝尽性螢光
体層を形成することも可能である。また、前記ス
パツタ法においては、必要に応じてO2、H2等の
ガスを導入して反応性スパツタを行つてもよい。
さらに、前記スパツタ法においては、スパツタ
時必要に応じて被蒸着物を冷却あるいは加熱して
もよい。また、スパツタ終了後輝尽性螢光体層を
加熱処理してもよい。
時必要に応じて被蒸着物を冷却あるいは加熱して
もよい。また、スパツタ終了後輝尽性螢光体層を
加熱処理してもよい。
第３の方法としてCVD法がある。該方法は目
的とする輝尽性螢光体あるいは輝尽性螢光体原料
を含有する有機金属化合物を熱、高周波電力等の
エネルギーで分解することにより、支持体上に結
着剤を含有しない輝尽性螢光体層を得る。
的とする輝尽性螢光体あるいは輝尽性螢光体原料
を含有する有機金属化合物を熱、高周波電力等の
エネルギーで分解することにより、支持体上に結
着剤を含有しない輝尽性螢光体層を得る。
第４の方法として吹き着け法がある。該方法は
輝尽性螢光体粉末を粘着層上に吹き着けることに
より支持体上に結着剤を含有しない輝尽性螢光体
層を得る。
輝尽性螢光体粉末を粘着層上に吹き着けることに
より支持体上に結着剤を含有しない輝尽性螢光体
層を得る。
本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性螢光体
層の層厚は、目的とする放射線画像変換パネルの
放射線に対する感度、輝尽性螢光体の種類等によ
つて異なるが、結着剤を含有しない場合で10μｍ
〜1000μｍの範囲、さらに好ましくは20μｍ〜
800μｍの範囲から選ばれるのが好ましく、結着
剤を含有する場合で10μｍ〜1000μｍの範囲、さ
らに好ましくは20μｍ〜500μｍの範囲から選ばれ
るのが好ましい。
層の層厚は、目的とする放射線画像変換パネルの
放射線に対する感度、輝尽性螢光体の種類等によ
つて異なるが、結着剤を含有しない場合で10μｍ
〜1000μｍの範囲、さらに好ましくは20μｍ〜
800μｍの範囲から選ばれるのが好ましく、結着
剤を含有する場合で10μｍ〜1000μｍの範囲、さ
らに好ましくは20μｍ〜500μｍの範囲から選ばれ
るのが好ましい。
本発明の放射線画像変換パネルは、得られる放
射線画像の鮮鋭性を向上させる目的で、たとえば
特願昭59−266912号に述べられているような輝尽
性螢光体層が前記支持体面にほぼ垂直方向に伸び
た微細柱状ブロツク構造を有する構造、特願昭59
−266913号に述べられているような表面に多数の
微細な凹凸パターンを有する支持体と、前記支持
体上に前記表面構造をそのまま引き継いだ、微細
柱状ブロツク構造から成る輝尽性螢光体層とを有
する構造、特願昭59−266914号に述べられている
ような多数の微小タイル状板が微細な間隙により
互いに隔絶されて敷きつめられた如き表面構造を
有する支持体と、前記支持体上に前記表面構造を
そのまま引き継いだ微細柱状ブロツク構造から成
る輝尽性螢光体層とを有する構造、特願昭59−
266915号に述べられているような多数の微小タイ
ル状板と該微小タイル状板夫々を取り囲んでなり
夫々を区画する細線網とを該微小タイル状板上に
厚み方向に伸びた輝尽性螢光体の微細柱状ブロツ
ク構造の輝尽性螢光体層とを有する構造、特願昭
59−266916号に述べられているような支持体表面
に多数分布し、且つ間隙をもつて互いに離散して
いる微小タイル状の面上から厚み方向に堆積され
た輝尽性螢光体層にシヨツク処理を加えることに
よつて前記微小タイル状板間の間隙から該層表面
に向つて発達させたクレバスを有する微細柱状ブ
ロツク構造から成る輝尽性螢光体層を設けた構造
としてもよい。
射線画像の鮮鋭性を向上させる目的で、たとえば
特願昭59−266912号に述べられているような輝尽
性螢光体層が前記支持体面にほぼ垂直方向に伸び
た微細柱状ブロツク構造を有する構造、特願昭59
−266913号に述べられているような表面に多数の
微細な凹凸パターンを有する支持体と、前記支持
体上に前記表面構造をそのまま引き継いだ、微細
柱状ブロツク構造から成る輝尽性螢光体層とを有
する構造、特願昭59−266914号に述べられている
ような多数の微小タイル状板が微細な間隙により
互いに隔絶されて敷きつめられた如き表面構造を
有する支持体と、前記支持体上に前記表面構造を
そのまま引き継いだ微細柱状ブロツク構造から成
る輝尽性螢光体層とを有する構造、特願昭59−
266915号に述べられているような多数の微小タイ
ル状板と該微小タイル状板夫々を取り囲んでなり
夫々を区画する細線網とを該微小タイル状板上に
厚み方向に伸びた輝尽性螢光体の微細柱状ブロツ
ク構造の輝尽性螢光体層とを有する構造、特願昭
59−266916号に述べられているような支持体表面
に多数分布し、且つ間隙をもつて互いに離散して
いる微小タイル状の面上から厚み方向に堆積され
た輝尽性螢光体層にシヨツク処理を加えることに
よつて前記微小タイル状板間の間隙から該層表面
に向つて発達させたクレバスを有する微細柱状ブ
ロツク構造から成る輝尽性螢光体層を設けた構造
としてもよい。
また、同じく本発明の放射線画像変換パネルに
おいて得られる放射線画像の鮮鋭性向上の目的で
輝尽性螢光体層中に白色粉末を含有させてもよい
し、輝尽性螢光体層を輝尽励起光を吸収するよう
な着色剤で着色してもよい。あるいは支持体と輝
尽性螢光体層との間に白色顔料を含有する光反射
層を設けてもよい。
おいて得られる放射線画像の鮮鋭性向上の目的で
輝尽性螢光体層中に白色粉末を含有させてもよい
し、輝尽性螢光体層を輝尽励起光を吸収するよう
な着色剤で着色してもよい。あるいは支持体と輝
尽性螢光体層との間に白色顔料を含有する光反射
層を設けてもよい。
次に、輝尽性螢光体層の支持体側とは反対側の
面および必要に応じてその他の面に保護層を設け
る。保護層の形成方法としては、以下に述べるよ
うな方法が用いられる。
面および必要に応じてその他の面に保護層を設け
る。保護層の形成方法としては、以下に述べるよ
うな方法が用いられる。
第１の方法として、特願昭59−42500号に開示
されているように透明性の高い高分子物質を適当
な溶媒に溶解して調整した溶液を保護層を設置す
べき面に塗布し、乾燥させて保護層を形成する方
法がある。
されているように透明性の高い高分子物質を適当
な溶媒に溶解して調整した溶液を保護層を設置す
べき面に塗布し、乾燥させて保護層を形成する方
法がある。
第２の方法として、同じく特開昭59−42500号
に開示されているように透明な高分子物質より成
る薄膜の片面に適当な接着剤を付与し、保護層を
設置すべき面に接着する方法がある。
に開示されているように透明な高分子物質より成
る薄膜の片面に適当な接着剤を付与し、保護層を
設置すべき面に接着する方法がある。
第１の方法および第２の方法において用いられ
る保護層用材料としては、たとえば酢酸セルロー
ス、ニトロセルロース、エチルセルロースなどの
セルロース誘導体、あるいはポリメチルメタクリ
レート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホル
マール、ポリカーボネート、ポリ酢酸ビニル、ポ
リアクリロニトリル、ポリメチルアリルアルコー
ル、ポリメチルビニルケトン、セルロースジアセ
テート、セルローストリアセテート、ポリビニル
アルコール、ポリアクリル酸、ポリメタクリル
酸、ポリグリシン、ポリアクリルアミド、ポリビ
ニルピロリドン、ポリビニルアミン、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニ
リデン、ポリ塩化ビニル、ポリアミド（ナイロ
ン）、ポリ四フツ化エチレン、ポリ三フツ化−塩
化エチレン、ポリプロピレン、四フツ化エチレン
−六フツ化プロピレン共重合体、ポリビニルイソ
ブチルエーテル、ポリスチレンなどがあげられ
る。
る保護層用材料としては、たとえば酢酸セルロー
ス、ニトロセルロース、エチルセルロースなどの
セルロース誘導体、あるいはポリメチルメタクリ
レート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホル
マール、ポリカーボネート、ポリ酢酸ビニル、ポ
リアクリロニトリル、ポリメチルアリルアルコー
ル、ポリメチルビニルケトン、セルロースジアセ
テート、セルローストリアセテート、ポリビニル
アルコール、ポリアクリル酸、ポリメタクリル
酸、ポリグリシン、ポリアクリルアミド、ポリビ
ニルピロリドン、ポリビニルアミン、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニ
リデン、ポリ塩化ビニル、ポリアミド（ナイロ
ン）、ポリ四フツ化エチレン、ポリ三フツ化−塩
化エチレン、ポリプロピレン、四フツ化エチレン
−六フツ化プロピレン共重合体、ポリビニルイソ
ブチルエーテル、ポリスチレンなどがあげられ
る。
第３の方法としては、特願昭60−18934号に述
べられているように放射線硬化型樹脂または熱硬
化型樹脂の少なくともいずれか一方を含有する塗
布液を保護層を設置すべき面に塗布し、特願昭60
−18934号に示したような装置を用いて紫外線あ
るいは電子線などの放射線の照射および／または
加熱を施して前記塗布液を硬化させる方法があ
る。
べられているように放射線硬化型樹脂または熱硬
化型樹脂の少なくともいずれか一方を含有する塗
布液を保護層を設置すべき面に塗布し、特願昭60
−18934号に示したような装置を用いて紫外線あ
るいは電子線などの放射線の照射および／または
加熱を施して前記塗布液を硬化させる方法があ
る。
前記放射線硬化型樹脂としては、不飽和二重結
合を有する化合物またはこれを含む組成物であれ
ばよく、このような化合物は、好ましくは不飽和
二重結合を２個以上有するプレポリマーおよび／
またはオリゴマーであり、さらに、これらに不飽
和二重結合を有する単量体（ビニルモノマー）を
反応性希釈剤として含有させることができる。
合を有する化合物またはこれを含む組成物であれ
ばよく、このような化合物は、好ましくは不飽和
二重結合を２個以上有するプレポリマーおよび／
またはオリゴマーであり、さらに、これらに不飽
和二重結合を有する単量体（ビニルモノマー）を
反応性希釈剤として含有させることができる。
不飽和二重結合を２個以上有するプレポリマー
またはオリゴマーの具体例としては、下記のよう
なものがある。
またはオリゴマーの具体例としては、下記のよう
なものがある。
(1) 不飽和ポリエステル
(2) 変性不飽和ポリエステル
ウレタン変性不飽和ポリエステル、アクリル
ウレタン変性不飽和ポリエステルおよび末端に
アクリル基を有する液状の不飽和ポリエステル (3) アクリル系ポリマー ポリエステルアクリレート、エポキシアクリ
レート、シリコーンアクリレートおよびウレタ
ンアクリレート (4) ブタジエン系ポリマー (5) エポキシ系ポリマー 脂肪族ポリオールのポリグリシジルエーテ
ル、ビスフエノールＡ（あるいはＦ、Ｓ）ジグ
リシジルエーテル、ジカルボン酸エポキシシク
ロヘキシルアルキルおよびシクロペンテンオキ
シド基１個または２個以上を含有するエポキシ
ド (6) ポリオール・ポリエン樹脂 また、本発明に関わる前記熱硬化型樹脂の具
体例としては、エポキシ樹脂、アルキド樹脂、
アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウ
レタン樹脂、シリコーン樹脂等があげられる。
ウレタン変性不飽和ポリエステルおよび末端に
アクリル基を有する液状の不飽和ポリエステル (3) アクリル系ポリマー ポリエステルアクリレート、エポキシアクリ
レート、シリコーンアクリレートおよびウレタ
ンアクリレート (4) ブタジエン系ポリマー (5) エポキシ系ポリマー 脂肪族ポリオールのポリグリシジルエーテ
ル、ビスフエノールＡ（あるいはＦ、Ｓ）ジグ
リシジルエーテル、ジカルボン酸エポキシシク
ロヘキシルアルキルおよびシクロペンテンオキ
シド基１個または２個以上を含有するエポキシ
ド (6) ポリオール・ポリエン樹脂 また、本発明に関わる前記熱硬化型樹脂の具
体例としては、エポキシ樹脂、アルキド樹脂、
アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウ
レタン樹脂、シリコーン樹脂等があげられる。
以上に述べた放射線硬化型樹脂および熱硬化型
樹脂は、単独または２種以上混合して用いてもか
まわない。
樹脂は、単独または２種以上混合して用いてもか
まわない。
前記放射線硬化型樹脂および／または熱硬化型
樹脂であるポリマーに必要に応じて反応性希釈剤
であるビニルモノマー、非反応性バインダー、架
橋剤、光重合開始剤、光増感剤、貯蔵安定剤およ
び接着剤、その他の添加剤を混合して分散し、保
護層用塗布液を作成する。
樹脂であるポリマーに必要に応じて反応性希釈剤
であるビニルモノマー、非反応性バインダー、架
橋剤、光重合開始剤、光増感剤、貯蔵安定剤およ
び接着剤、その他の添加剤を混合して分散し、保
護層用塗布液を作成する。
ここで、組成物の粘度を低下させ、かつ放射線
硬化速度を向上させる効果をもつ前記反応性希釈
剤の具体例としては、以下のようなものがある。
硬化速度を向上させる効果をもつ前記反応性希釈
剤の具体例としては、以下のようなものがある。
(a) 単官能モノマー
メチルアクリレート、エチルアクリレート、
ブチルアクリレート、２−エチルヘキシルメタ
アクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレ
ート、２−ヒドロキシエチルメタアクリレー
ト、グリシジルメタアクリレート、ｎ−ヘキシ
ルアクリレート、ラウリルアクリレートなど (b) ２官能モノマー １，６−ヘキサンジオールジアクリレート、
１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、
ネオペンチルグリコール、１，４−ブタンジオ
ールジアクリレート、エチレングリコールジア
クリレート、ポリエチレングリコールジアクリ
レート、ペンタエリスリトールジアクリレー
ト、ジビニルベンゼンなど (c) ３官能以上のモノマー トリメチロールプロパントリアクリレート、
トリメチロールプロパントリメタクリレート、
ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペ
ンタエリスリトールヘキサアクリレート、エチ
レンジアミンのアクリル酸エステルなど。
ブチルアクリレート、２−エチルヘキシルメタ
アクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレ
ート、２−ヒドロキシエチルメタアクリレー
ト、グリシジルメタアクリレート、ｎ−ヘキシ
ルアクリレート、ラウリルアクリレートなど (b) ２官能モノマー １，６−ヘキサンジオールジアクリレート、
１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、
ネオペンチルグリコール、１，４−ブタンジオ
ールジアクリレート、エチレングリコールジア
クリレート、ポリエチレングリコールジアクリ
レート、ペンタエリスリトールジアクリレー
ト、ジビニルベンゼンなど (c) ３官能以上のモノマー トリメチロールプロパントリアクリレート、
トリメチロールプロパントリメタクリレート、
ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペ
ンタエリスリトールヘキサアクリレート、エチ
レンジアミンのアクリル酸エステルなど。
前記保護層用塗布液には、放射線照射および加
熱により硬化しないバインダーを必要に応じ含有
させてもよい。たとえばセルロースエステル、ポ
リビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニ
ル・酢酸ビニル共重合体、スチロール・アクリル
酸共重合体などである。
熱により硬化しないバインダーを必要に応じ含有
させてもよい。たとえばセルロースエステル、ポ
リビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニ
ル・酢酸ビニル共重合体、スチロール・アクリル
酸共重合体などである。
前記保護層用塗布液を硬化させる手段として紫
外線照射を用いる場合には、紫外線エネルギーを
吸収して樹脂の重合反応を開始させる触媒である
光重合開始剤を必要に応じて添加してもよく、さ
らに該光重合開始剤の効果を促進する目的で光増
感剤を添加してもよい。前記光重合開始剤として
は、カルボニル化合物が多く用いられ、その具体
例としては、ベンゾインイソプロピル、イソブチ
ルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物、
エンゾフエノン、０−ベンゾイルメチルベンゾエ
ートなどのベンゾフエノン系化合物、アセトフエ
ノン、トリクロロアセトフエノン、１，１−ジク
ロロアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセト
フエノン、２，２−ジメトキシ−２−フエニルア
セトフエノンなどのアセトフエノン系化合物、２
−クロロチオキサントン、２−アルキルチオキサ
ントンなどのチオキサントン系化合物、および２
−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフエノン、２
−ヒドロキシ−4′−イソプロピル−２−メチルプ
ロピオフエノン、１−ヒドロキシシクロヘキシル
フエニルケトンなどの化合物があげられる。
外線照射を用いる場合には、紫外線エネルギーを
吸収して樹脂の重合反応を開始させる触媒である
光重合開始剤を必要に応じて添加してもよく、さ
らに該光重合開始剤の効果を促進する目的で光増
感剤を添加してもよい。前記光重合開始剤として
は、カルボニル化合物が多く用いられ、その具体
例としては、ベンゾインイソプロピル、イソブチ
ルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物、
エンゾフエノン、０−ベンゾイルメチルベンゾエ
ートなどのベンゾフエノン系化合物、アセトフエ
ノン、トリクロロアセトフエノン、１，１−ジク
ロロアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセト
フエノン、２，２−ジメトキシ−２−フエニルア
セトフエノンなどのアセトフエノン系化合物、２
−クロロチオキサントン、２−アルキルチオキサ
ントンなどのチオキサントン系化合物、および２
−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフエノン、２
−ヒドロキシ−4′−イソプロピル−２−メチルプ
ロピオフエノン、１−ヒドロキシシクロヘキシル
フエニルケトンなどの化合物があげられる。
また、とくにエポキシ系ポリマーに対する光重
合開始剤としては、芳香族オニウム塩、すなわち
ルイス酸ジアゾニウム塩などのジアゾニウム塩、
ヘキサフルオロリン酸トリフエニルフエナシルホ
スホニウムなどのホスホニウム塩、テトラフルオ
ロホウ酸トリフエニルスルホニウム、ヘキサフル
オロリン酸トリフエニルスルホニウムなどのスル
ホニウム塩および塩化ジフエニルヨードニウムな
どのヨードニウム塩などが有用である。その他に
もイオウ化合物、アゾ化合物、ハロゲン化合物お
よび有機過酸化物等が光重合開始剤として用いら
れる。
合開始剤としては、芳香族オニウム塩、すなわち
ルイス酸ジアゾニウム塩などのジアゾニウム塩、
ヘキサフルオロリン酸トリフエニルフエナシルホ
スホニウムなどのホスホニウム塩、テトラフルオ
ロホウ酸トリフエニルスルホニウム、ヘキサフル
オロリン酸トリフエニルスルホニウムなどのスル
ホニウム塩および塩化ジフエニルヨードニウムな
どのヨードニウム塩などが有用である。その他に
もイオウ化合物、アゾ化合物、ハロゲン化合物お
よび有機過酸化物等が光重合開始剤として用いら
れる。
前記光重合開始剤は単独で用いてもよいし、２
種以上混合して用いてもよい。
種以上混合して用いてもよい。
また、光増感剤の例としては、アミン、尿素、
ニトリルおよびイオウ、リン、窒素、塩素などの
化合物があげられる。
ニトリルおよびイオウ、リン、窒素、塩素などの
化合物があげられる。
前記第１の方法、第２の方法または第３の方法
により形成される保護層の一層の膜厚は1μｍ〜
1000μｍ程度、さらに好ましくは2μｍ〜50μｍ程
度の範囲にあることが好ましい。
により形成される保護層の一層の膜厚は1μｍ〜
1000μｍ程度、さらに好ましくは2μｍ〜50μｍ程
度の範囲にあることが好ましい。
第４の方法としては、SiO2、SiC、SiN、
Al2O3等の無機物質層を真空蒸着法、スパツタ法
等により形成する方法がある。前記無機物質層の
層厚は0.1μｍ〜100μｍ程度が好ましい。
Al2O3等の無機物質層を真空蒸着法、スパツタ法
等により形成する方法がある。前記無機物質層の
層厚は0.1μｍ〜100μｍ程度が好ましい。
本発明の放射線画像変換パネルにおける少なく
とも二層の保護層群は、そのすべてが同一の形成
方法により形成されている必要はない。本発明の
放射線画像変換パネルは、支持体上に輝尽性螢光
体層を設けた後に該輝尽性螢光体層上に複数の保
護層を順次形成して製造してもよいし、あらかじ
め形成した多層構造の保護層を前記輝尽性螢光体
上に付設して製造してもよい。あるいは保護層上
に輝尽性螢光体層を形成した後、支持体を設ける
手順をとつてもよい。
とも二層の保護層群は、そのすべてが同一の形成
方法により形成されている必要はない。本発明の
放射線画像変換パネルは、支持体上に輝尽性螢光
体層を設けた後に該輝尽性螢光体層上に複数の保
護層を順次形成して製造してもよいし、あらかじ
め形成した多層構造の保護層を前記輝尽性螢光体
上に付設して製造してもよい。あるいは保護層上
に輝尽性螢光体層を形成した後、支持体を設ける
手順をとつてもよい。
本発明の放射線画像変換パネルにおいて、保護
層は互いに吸湿性の異なる二つ以上の層の組み合
わせより成る。前記保護層のうち、相対的に吸湿
性の小さい保護層用に用いられる材料としては、
たとえばポリエチレン。ポリ四フツ化エチレン、
ポリ三フツ化−塩化エチレン、ポリプロピレン、
四フツ化エチレン、六フツ化プロピレン共重合
体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルイソブチル
エーテル、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビ
ニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン
−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニリデン−
イソブチレン共重合体、ポリスチレン、エポキシ
系ポリマーの一部およびアクリル系ポリマーの一
部などが好ましい。また、相対的に吸湿性の大き
い保護層用に用いられる材料としては、たとえば
ポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド、ポ
リグリシン、ポリメタクリル酸、ポリアクリル
酸、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアミン、
セルロースジアセテート、セルローストリアセテ
ート、ナイロン４、ナイロン６、ナイロン12、ナ
イロン66、ポリ酢酸ビニル、ポリメチルアリルア
ルコールなどが好ましい。
層は互いに吸湿性の異なる二つ以上の層の組み合
わせより成る。前記保護層のうち、相対的に吸湿
性の小さい保護層用に用いられる材料としては、
たとえばポリエチレン。ポリ四フツ化エチレン、
ポリ三フツ化−塩化エチレン、ポリプロピレン、
四フツ化エチレン、六フツ化プロピレン共重合
体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルイソブチル
エーテル、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビ
ニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン
−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニリデン−
イソブチレン共重合体、ポリスチレン、エポキシ
系ポリマーの一部およびアクリル系ポリマーの一
部などが好ましい。また、相対的に吸湿性の大き
い保護層用に用いられる材料としては、たとえば
ポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド、ポ
リグリシン、ポリメタクリル酸、ポリアクリル
酸、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアミン、
セルロースジアセテート、セルローストリアセテ
ート、ナイロン４、ナイロン６、ナイロン12、ナ
イロン66、ポリ酢酸ビニル、ポリメチルアリルア
ルコールなどが好ましい。
本発明の実施態様中とくに好ましいのは、前記
吸湿性の小さい保護層用の材料として挙げた一群
の材料の中から少なくとも一種類を選び、また前
記吸湿性の大きい保護層用の材料として挙げた一
群の材料の中から少なくとも一種類を選んで前者
を外側、後者を内側すなわち輝尽性螢光体層に接
する側に配置した複合保護層を有する放射線画像
変換パネルである。
吸湿性の小さい保護層用の材料として挙げた一群
の材料の中から少なくとも一種類を選び、また前
記吸湿性の大きい保護層用の材料として挙げた一
群の材料の中から少なくとも一種類を選んで前者
を外側、後者を内側すなわち輝尽性螢光体層に接
する側に配置した複合保護層を有する放射線画像
変換パネルである。
本発明の放射線画像変換パネルは第２図に概略
的に示される放射線画像変換方法に用いられる。
すなわち、第２図において、２１は放射線発生装
置、２２は被写体、２３は本発明の放射線画像変
換パネル、２４は輝尽励起光源、２５は該放射線
画像変換パネルより放射された輝尽螢光を検出す
る光電変換装置、２６は２５で検出された信号を
画像として再生する装置、２７は再生された画像
を表示する装置、２８は輝尽励起光と輝尽螢光と
を分離し、輝尽螢光のみを透過させるフイルター
である。なお、２５以降は２３からの光情報を何
らかの形で画像として再生できるものであればよ
く、上記に限定されるものではない。
的に示される放射線画像変換方法に用いられる。
すなわち、第２図において、２１は放射線発生装
置、２２は被写体、２３は本発明の放射線画像変
換パネル、２４は輝尽励起光源、２５は該放射線
画像変換パネルより放射された輝尽螢光を検出す
る光電変換装置、２６は２５で検出された信号を
画像として再生する装置、２７は再生された画像
を表示する装置、２８は輝尽励起光と輝尽螢光と
を分離し、輝尽螢光のみを透過させるフイルター
である。なお、２５以降は２３からの光情報を何
らかの形で画像として再生できるものであればよ
く、上記に限定されるものではない。
第２図に示されるように、放射線発生装置２１
からの放射線は被写体２２を通して本発明の放射
線画像変換パネル２３に入射する。この入射した
放射線は放射線画像変換パネル２３の輝尽性螢光
体層に吸収され、そのエネルギーが蓄積され、放
射線透過像の蓄積像が形成される。次にこの蓄積
像を輝尽励起光源２４からの輝尽励起光で励起し
て輝尽発光として放出せしめる。本発明の放射線
画像変換パネル２３の好ましいひとつの実施態様
においては、輝尽性螢光体層中に結着剤が含まれ
ておらず輝尽性螢光体層の透明性が高いため、上
記輝尽励起光による走査の際に、輝尽励起光が輝
尽性螢光体層中で拡散するのが抑制される。
からの放射線は被写体２２を通して本発明の放射
線画像変換パネル２３に入射する。この入射した
放射線は放射線画像変換パネル２３の輝尽性螢光
体層に吸収され、そのエネルギーが蓄積され、放
射線透過像の蓄積像が形成される。次にこの蓄積
像を輝尽励起光源２４からの輝尽励起光で励起し
て輝尽発光として放出せしめる。本発明の放射線
画像変換パネル２３の好ましいひとつの実施態様
においては、輝尽性螢光体層中に結着剤が含まれ
ておらず輝尽性螢光体層の透明性が高いため、上
記輝尽励起光による走査の際に、輝尽励起光が輝
尽性螢光体層中で拡散するのが抑制される。
放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線
エネルギー量に比例するので、この光信号を例え
ば光電子増倍管等の光電変換装置２５で光電変換
し、画像再生装置２６によつて画像として再生
し、画像表示装置２７によつて表示することによ
り、被写体の放射線透過像を観察することができ
る。
エネルギー量に比例するので、この光信号を例え
ば光電子増倍管等の光電変換装置２５で光電変換
し、画像再生装置２６によつて画像として再生
し、画像表示装置２７によつて表示することによ
り、被写体の放射線透過像を観察することができ
る。
次に、実施例によつて本発明を説明する。
実施例 １
500μｍ厚のアルミニウム板に特願昭59−
266914号に述べられた方法により陽極酸化処理、
封孔処理および加熱処理を施した支持体を蒸着器
中に設置した。次に、抵抗加熱用のタングステン
ポード中にアルカリハライド輝尽性螢光体
（RbBr：0.01T）を入れ、抵抗加熱用電極にセ
ツトし、続いて蒸着器を排気して２×10-6Torr
の真空度とした。
266914号に述べられた方法により陽極酸化処理、
封孔処理および加熱処理を施した支持体を蒸着器
中に設置した。次に、抵抗加熱用のタングステン
ポード中にアルカリハライド輝尽性螢光体
（RbBr：0.01T）を入れ、抵抗加熱用電極にセ
ツトし、続いて蒸着器を排気して２×10-6Torr
の真空度とした。
次に、タングステンボードに電流を流し、抵抗
加熱法によつてアルカリハライド輝尽性螢光体を
蒸発させアルミニウム板上に輝尽性螢光体層の層
厚が300μｍの厚さになるまで堆積させ、本発明
の放射線画像変換パネルの基礎となる輝尽性螢光
体パネルＰを得た。
加熱法によつてアルカリハライド輝尽性螢光体を
蒸発させアルミニウム板上に輝尽性螢光体層の層
厚が300μｍの厚さになるまで堆積させ、本発明
の放射線画像変換パネルの基礎となる輝尽性螢光
体パネルＰを得た。
次に、十分乾燥させた厚さ10μｍのナイロン６
フイルムの片面にナイロン12接着剤を付与したも
のを前記輝尽性螢光体パネルＰの輝尽性螢光体層
面に接着して第１の保護層を作成した。さらに、
厚さ10μｍの塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合
体フイルムの片面にエポキシ変性ポリオレフイン
系接着剤を付与したものを前記第１の保護層上に
接着して第２の保護層を形成し、本発明の放射線
画像変換パネルＡを製造した。
フイルムの片面にナイロン12接着剤を付与したも
のを前記輝尽性螢光体パネルＰの輝尽性螢光体層
面に接着して第１の保護層を作成した。さらに、
厚さ10μｍの塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合
体フイルムの片面にエポキシ変性ポリオレフイン
系接着剤を付与したものを前記第１の保護層上に
接着して第２の保護層を形成し、本発明の放射線
画像変換パネルＡを製造した。
実施例 ２
実施例１で用いたものと同様の輝尽性螢光体パ
ネルＰの輝尽性螢光体層面に、十分乾燥させた厚
さ20μｍのポリビニルアルコールフイルムの片面
にポリエステル系接着剤を付与したものを接着し
て第１の保護層を作成した。
ネルＰの輝尽性螢光体層面に、十分乾燥させた厚
さ20μｍのポリビニルアルコールフイルムの片面
にポリエステル系接着剤を付与したものを接着し
て第１の保護層を作成した。
次に、下記の組成物をボールミルにて分散して
第２の保護層用塗布液を作成した。
第２の保護層用塗布液を作成した。
ビスフエノールＡグリシジルエーテル 75重量％
３，４−エポキシシクロヘキシルメチルカルボキ
シレート 18重量％ トリアリルスルホニウムヘキサフルオロアンチモ
ン塩 ７重量％ このようにして作成した保護層用塗布液を前記
第１の保護層上にドクターコータで被覆厚が10μ
ｍとなるように塗布した。この塗布層に出力
80W／cmの高圧水銀灯により10秒間紫外線を照射
し、完全に硬化させて第２の保護層を作成し、本
発明の放射線画像変換パネルＢを製造した。
シレート 18重量％ トリアリルスルホニウムヘキサフルオロアンチモ
ン塩 ７重量％ このようにして作成した保護層用塗布液を前記
第１の保護層上にドクターコータで被覆厚が10μ
ｍとなるように塗布した。この塗布層に出力
80W／cmの高圧水銀灯により10秒間紫外線を照射
し、完全に硬化させて第２の保護層を作成し、本
発明の放射線画像変換パネルＢを製造した。
実施例 ３
厚さ13μｍの低密度ポリエチレンフイルムと厚
さ10μｍのポリ酢酸ビニルフイルムとをポリエス
テル系接着剤により貼り合わせ、２層より成る保
護層を作成した。実施例１で用いたものと同様の
輝尽性螢光体パネルＰの輝尽性螢光体層面に、全
期保護層のポリエチレンフイルム面にポリエステ
ル系接着剤を付与したものを接着して本発明の放
射線画像変換パネルＣを製造した。
さ10μｍのポリ酢酸ビニルフイルムとをポリエス
テル系接着剤により貼り合わせ、２層より成る保
護層を作成した。実施例１で用いたものと同様の
輝尽性螢光体パネルＰの輝尽性螢光体層面に、全
期保護層のポリエチレンフイルム面にポリエステ
ル系接着剤を付与したものを接着して本発明の放
射線画像変換パネルＣを製造した。
比較例 １
実施例１で用いたものと同様の輝尽性螢光体パ
ネルＰの輝尽性螢光体層面に厚さ10μｍの塩化ビ
ニリデン−塩化ビニル共重合体フイルムの片面に
エポキシ変性ポリオレフイン系接着剤を付与した
ものを接着して保護層を作成し、比較の放射線画
像変換パネルＤを製造した。
ネルＰの輝尽性螢光体層面に厚さ10μｍの塩化ビ
ニリデン−塩化ビニル共重合体フイルムの片面に
エポキシ変性ポリオレフイン系接着剤を付与した
ものを接着して保護層を作成し、比較の放射線画
像変換パネルＤを製造した。
比較例 ２
実施例１で用いたものと同様の輝尽性螢光体パ
ネルＰの輝尽性螢光体層面に、実施例２で作成し
た第２の保護層用塗布液と同様の保護層用塗布液
をドクターコータで被覆厚が10μｍとなるように
塗布した。この塗布層に出力80W／cmの高圧水銀
灯により10秒間紫外線を照射し、完全に硬化させ
て保護層を作成し、比較の放射線画像変換パネル
Ｅを製造した。
ネルＰの輝尽性螢光体層面に、実施例２で作成し
た第２の保護層用塗布液と同様の保護層用塗布液
をドクターコータで被覆厚が10μｍとなるように
塗布した。この塗布層に出力80W／cmの高圧水銀
灯により10秒間紫外線を照射し、完全に硬化させ
て保護層を作成し、比較の放射線画像変換パネル
Ｅを製造した。
比較例 ３
実施例１で用いたものと同様の輝尽性螢光体パ
ネルＰの輝光性螢光体層面に厚さ13μｍの低密度
ポリエチレンフイルムの片面にポリエステル系接
着剤を付与したものを接着して保護層を形成し、
比較の放射線画像変換パネルＦを製造した。
ネルＰの輝光性螢光体層面に厚さ13μｍの低密度
ポリエチレンフイルムの片面にポリエステル系接
着剤を付与したものを接着して保護層を形成し、
比較の放射線画像変換パネルＦを製造した。
以上のようにして製造した本発明の放射線画像
変換パネルＡ、Ｂ、Ｃおよび比較の放射線画像変
換パネルＤ、Ｅ、Ｆを乾燥ボツクス内に２日間放
置したのち、放射線に対する感度を測定した。次
にこれらの放射線画像変換パネルを気温50℃、相
対湿度80％の恒温恒温槽内に350時間放置して強
制劣化させ、さらに再び乾燥ボツクス内に５時間
置き、この間の放射線感度の変化を最初に測定し
たそれぞれの放射線感度を１とした場合の相対感
度で表わした。その結果を第３図に示す。
変換パネルＡ、Ｂ、Ｃおよび比較の放射線画像変
換パネルＤ、Ｅ、Ｆを乾燥ボツクス内に２日間放
置したのち、放射線に対する感度を測定した。次
にこれらの放射線画像変換パネルを気温50℃、相
対湿度80％の恒温恒温槽内に350時間放置して強
制劣化させ、さらに再び乾燥ボツクス内に５時間
置き、この間の放射線感度の変化を最初に測定し
たそれぞれの放射線感度を１とした場合の相対感
度で表わした。その結果を第３図に示す。
第３図より明らかなように、本発明の放射線画
像Ａ、ＢおよびＣは比較の放射線画像変換パネル
Ｄ、ＥおよびＦに比べて輝尽性螢光体層の吸湿に
よる放射線感度の低下が小さい。特に本発明の放
射線画像変換パネルＡおよびＢは耐湿性に非常に
優れている。さらに本発明の放射線画像変換パネ
ルＡおよびＢは低湿度の外気に曝したときの感度
の回復が速い。
像Ａ、ＢおよびＣは比較の放射線画像変換パネル
Ｄ、ＥおよびＦに比べて輝尽性螢光体層の吸湿に
よる放射線感度の低下が小さい。特に本発明の放
射線画像変換パネルＡおよびＢは耐湿性に非常に
優れている。さらに本発明の放射線画像変換パネ
ルＡおよびＢは低湿度の外気に曝したときの感度
の回復が速い。
以上述べてきたように、本発明の放射線画像変
換パネルは、その保護層が互いに吸湿性の異なる
二つ以上の層からなる多層構造を有しているため
耐湿性に優れ、長期間にわたり良好な状態で使用
することができる。
換パネルは、その保護層が互いに吸湿性の異なる
二つ以上の層からなる多層構造を有しているため
耐湿性に優れ、長期間にわたり良好な状態で使用
することができる。
第１図は、本発明の放射線画像変換パネルの基
本的構造を示す断面図である。第２図は、本発明
において用いられる放射線画像変換方法の概略図
である。第３図は、本発明の放射線画像変換パネ
ルおよび従来の放射線画像変換パネルを恒温恒湿
槽内に放置し、その後乾燥ボツクスに入れた場合
の放射線感度の変化の様子を示した図である。 １１……支持体、１２……輝尽性螢光体層、１
３ａおよび１３ｂ……保護層。
本的構造を示す断面図である。第２図は、本発明
において用いられる放射線画像変換方法の概略図
である。第３図は、本発明の放射線画像変換パネ
ルおよび従来の放射線画像変換パネルを恒温恒湿
槽内に放置し、その後乾燥ボツクスに入れた場合
の放射線感度の変化の様子を示した図である。 １１……支持体、１２……輝尽性螢光体層、１
３ａおよび１３ｂ……保護層。
Claims (1)
- １ 支持体と、該支持体上に設けられた少くとも
一層の輝尽性螢光体層と、該輝尽性螢光体層上に
設けられた保護層とを有する放射線画像変換パネ
ルにおいて、前期保護層が吸湿性について相対的
に異る少くとも二層よりなり、該層の吸湿性の大
なる層が前記輝尽性螢光体層に近く、吸湿性の小
なる層が遠くに設けられていることを特徴とする
放射線画像変換パネル。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60156346A JPS6215500A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 放射線画像変換パネル |
| US06/883,596 US4741993A (en) | 1985-07-15 | 1986-07-09 | Radiation image storage panel |
| DE8686305438T DE3674494D1 (de) | 1985-07-15 | 1986-07-15 | Schirm zum speichern eines strahlungsbildes. |
| EP86305438A EP0209358B1 (en) | 1985-07-15 | 1986-07-15 | Radiation image storage panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60156346A JPS6215500A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 放射線画像変換パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6215500A JPS6215500A (ja) | 1987-01-23 |
| JPH0476440B2 true JPH0476440B2 (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=15625751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60156346A Granted JPS6215500A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 放射線画像変換パネル |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4741993A (ja) |
| EP (1) | EP0209358B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6215500A (ja) |
| DE (1) | DE3674494D1 (ja) |
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| US4830875A (en) * | 1985-10-10 | 1989-05-16 | Quantex Corporation | Photoluminescent materials and associated process and infrared sensing device |
| US4879186A (en) * | 1985-10-10 | 1989-11-07 | Quantex Corporation | Photoluminescent materials for outputting reddish-orange light and a process for making the same |
| US4915982A (en) * | 1985-10-10 | 1990-04-10 | Quantex Corporation | Method of making thin film photoluminescent articles |
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| EP1286363A3 (en) * | 2001-08-23 | 2005-10-05 | Agfa-Gevaert N.V. | A phosphor panel with good humidity resistance |
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-
1985
- 1985-07-15 JP JP60156346A patent/JPS6215500A/ja active Granted
-
1986
- 1986-07-09 US US06/883,596 patent/US4741993A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-07-15 EP EP86305438A patent/EP0209358B1/en not_active Expired
- 1986-07-15 DE DE8686305438T patent/DE3674494D1/de not_active Expired - Lifetime
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| EP0209358A2 (en) | 1987-01-21 |
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| EP0209358A3 (en) | 1987-10-07 |
| JPS6215500A (ja) | 1987-01-23 |
| US4741993A (en) | 1988-05-03 |
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|---|---|---|---|
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