JPH0477698B2 - - Google Patents
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- JPH0477698B2 JPH0477698B2 JP63090446A JP9044688A JPH0477698B2 JP H0477698 B2 JPH0477698 B2 JP H0477698B2 JP 63090446 A JP63090446 A JP 63090446A JP 9044688 A JP9044688 A JP 9044688A JP H0477698 B2 JPH0477698 B2 JP H0477698B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/50—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
〔発明の概要〕
誘電率(K)60〜140、誘電正接（DF）0.1％未満、
かつ温度係数特性（TCC）−20ppm〜−
1000ppm／℃を有するセラミツク誘電体組成物。 〔産業上の利用分野〕 本発明は、概して、60〜約140の誘電率と0.1パ
ーセント未満の誘電正接（DF）と約−20ppm〜
約−1000ppm／℃の温度係数特性（TCC）とを
有するセラミツク誘電体組成物に関する。この
TCC特性によりEIARS198C明細書の記載とは異
なる等級が実現される。 〔従来の技術〕 多層セラミツクコンデンサは、誘電体セラミツ
ク粉末の絶縁層を注型もしくは形成し、通常は金
属ペーストの形態のパラジウム／銀合金からなる
金属電極層をこの上に施し、その結果得られる素
子を重層して多層コンデンサを形成し、焼成して
材料を緻密化して多層セラミツクコンデンサを形
成することにより作成される。従来の技術による
多層セラミツクコンデンサは、低い誘電正接およ
び室温の値と比較すると度Ｃ温度変化（TCC）
特性当り予測可能な容量変化を示さないという欠
点を回避し得ない。この種の特性は、タイミング
回路、共鳴回路またはTVチユーナ回路のような
電気回路に応用する際に要求される。 前記したように応用する多層コンデンサに使用
する誘電体セラミツク組成物は広い温度範囲に渡
つて安定した誘電率を有することが望ましい。例
えば、誘電率は、その25℃（室温）での基本値か
ら度Ｃ温度変化（TCC）当り−1000ppm／℃以
下しか変化しないとすべきである。この変化はま
た直線的で予測可能であるべきである。多くの場
合この種の組成物の絶縁抵抗時間容量積
（insulation resistance times capacitance
produot）は25℃で1000オーム−フアラツドを越
え、最高動作温度125℃で100オーム−フアラツド
を越えるべきである。同じく誘電率(K)はできるだ
け高くすべきであり、誘電正接（DF）はできる
だけ低くすべきである。 〔発明が解決しようとする課題〕 よつて本発明は、高価な金属内部電極を用いて
デイスクセラミツクコンデンサおよび／または多
層セラミツクコンデンサを製造するのに適切なセ
ラミツク組成物を提供することを目的とする。 さらに本発明は、25℃で約60〜約40の誘電率と
約0.1％未満の誘電正接と約1000オーム−フアラ
ツドを越える絶縁抵抗時間容量積とを有するこの
種のセラミツク組成物を提供することを目的とす
る。 さらに本発明は、安定した温度特性（TC）を
有し25℃での対照値に対し℃当りの温度について
の誘電率またはキヤパシタンス変化が負の約
1000ppm（parts per million）を越えないこの種
のセラミツク組成物を提供することを目的とす
る。 さらに本発明は、25℃での対照値に対し℃当り
の温度についての誘電率または静電容量変化が線
形でかつ予測可能なこの種のセラミツク組成物を
提供することを目的とする。他の目的は一部は自
明であり、一部は特に後記する。 〔課題を解決するための手段〕 前記した目的に従い、主として酸化ネオジム、
酸化チタン、炭酸バリウム、酸化ジルコニウム、
二酸化ケイ素並びにチタン酸カルシウムよりなる
先駆体材料とチタン酸ストロンチウムと五酸化ニ
オビウムと酸化コバルトとからなる誘電体組成物
が提供される。 本発明によれば、約60〜約140の誘電率を有し、
線形TCおよびTCC特性を備え、かつ低い誘電正
接を備える新規な誘電体セラミツク組成物が提供
される。この種のセラミツク組成物は、成分酸化
物またはこれらの先駆体を約1260℃〜1340℃で焼
成することにより調製し得る。これらは誘電正接
が低く、かつTC挙動は線形であるため、本発明
のセラミツクスは、TVチユーナのように温度に
関し低い損失と予測可能な静電容量変化とを有す
るセラミツク円板もしくは多層コンデンサが必要
とされる電気装置に応用するのに適切である。 本発明の好適な態様によれば、主として約
48.49重量％Nd2O3、約33.71重量％TiO2、約
14.39重量％BaCO3、約1.42重量％ZrO2、約1.48
重量％SiO2並びに約0.51重量％CaTiO3よりなる
約40.2〜98.34重量％の先駆体材料と約0.0〜57.51
重量％SrTiO3と約1.27〜3.14重量％Nb2O5と約
0.23〜0.43重量％CoOとからなる誘電体組成物が
提供される。 他の態様では、セラミツク誘電体組成物は、約
48.49重量％Nd2O3、約33.71重量％TiO2、約
14.39重量％BaCO3、約1.42重量％ZrO2、約1.48
重量％SiO2並びに約0.51重量％CaTiO3からなる
約40.20重量％のセラミツク先駆体材料の混合物
から形成され、主として約56.40重量％のチタン
酸ストンロンチウム、SrTiO3、約3.14重量％の
五酸化ニオビウム、Nb2O5並びに約0.26重量％の
酸化コバルト、CoOよりなる誘電体組成物材料を
残部とする。 後者の態様では先駆体に対するSrTiO3の重量
比は約1.40であり、かつセラミツク組成物は負の
1000ppm／℃TC特性を有する。 他の態様では、誘電率組成物は、約48.49重量
％Nd2O3、約33.71重量％TiO2、約14.39重量％
BaCO3、約1.42重量％ZrO2、約1.48重量％SiO2並
びに約0.51重量％CaTiO3からなる約43.57重量％
のセラミツク先駆体材料の混合物から形成され、
主として約53.13重量％のチタン酸ストロンチウ
ム、SrTiO3、約3.04重量％の五酸化ニオビウム、
Nb2O5並びに約0.26重量％の酸化コバルト、CoO
よりなる誘電体組成物を残部とする。この態様で
は、先駆体に対するSrTiO3の重量比は1.22であ
り、かつセラミツク組成物は負の900ppm／℃TC
特性を有する。 他の態様では、誘電体組成物は、主として
48.49重量％Nd2O3、約33.71重量％TiO2、約
14.39重量％BaCO3、約1.42重量％ZrO2、約1.48
重量％SiO2並びに約0.51重量％CaTiO3よりなる
約60.49重量％のセラミツク先駆体材料からなる
混合物から形成され、主として約36.66重量％の
チタン酸ストロンチウム、SrTiO3、約2.58重量
％の五酸化ニオビウム、Nb2O5、約0.27重量％の
酸化コバルト、CoOよりなる誘電体組成物を残部
とする。この態様では、先駆体に対するSrTiO3
の重量比は約0.61であり、かつセラミツク組成物
は負の580ppm／℃TCC特性を有する。 本発明の他の態様では、誘電体組成物は、主と
して約48.49重量％Nd2O3、約33.71重量％TiO2、
約14.39重量％BaCO3、約1.42重量％ZrO2、約
1.48重量％SiO2並びに約0.51重量％CaTiO3より
なる約69.85重量％のセラミツ先駆体材料からな
る混合物から形成され、主として約27.64重量％
のチタン酸ストロンチウム、SrTiO3、約2.24重
量％の五酸化ニオビウム、Nb2O5、約0.27重量％
の酸化コバルト、CoOよりなる誘電体組成物を残
部とする。この態様では、先駆体に対する
SrTiO3の重量比は約0.40であり、かつセラミツ
ク組成物は負の430ppm／℃TCC特性を有する。 本発明の他の態様では、誘電体組成物は、主と
して48.49重量％Nd2O3、33.71重量％TiO2、
14.39重量％BaCO3、1.42重量％ZrO2、1.48重量
％SiO2並びに0.51重量％CaTiO3よりなる約78.63
重量％のセラミツク先駆体材料からなる混合物か
ら形成され、主として19.11重量％のチタン酸ス
トロンチウム、SrTiO3、1.98重量％の五酸化ニ
オビウム、Nb2O5、並びに0.28重量％の酸化コバ
ルト、CoOよりなる誘電体組成物を残部とする。
この態様では、先駆体に対するSrTiO3の重量比
は約0.24であり、かつセラミツク組成物は負の
275ppm／℃TCC特性を有する。 本発明の他の態様では、誘電体組成物は、主と
して約48.49重量％Nd2O3、約33.71重量％TiO2、
約14.39重量％BaCO3、約1.42重量％ZrO2、約
1.48重量％SiO2並びに約0.51重量％CaTiO3より
なる主として82.99重量％のセラミツク先駆体材
料よりなる混合物から形成され、約14.89重量％
のチタン酸ストロンチウム、SrTiO3、約1.87重
量％の五酸化ニオビウム、Nb2O5、並びに約0.28
重量％の酸化コバルト、CoOからなる誘電体組成
物を残部とする。この態様では、先駆体に対する
SrTiO3の重量比は約0.18であり、かつ誘電体組
成物は負の210ppm／℃TCC特性を有する。 本発明の他の態様では、誘電体組成物は、主と
して48.49重量％Nd2O3、約33.71重量％TiO2、約
14.39重量％BaCO3、約1.42重量％ZrO2、約1.48
重量％SiO2並びに約0.51重量％CaTiO3よりなる
約87.39重量％のセラミツク先駆体材料からなる
混合物から形成され、主として10.60重量％のチ
タン酸ストロンチウム、SrTiO3、約1.73重量％
の五酸化ニオビウム、Nb2O5、並びに約0.28重量
％の酸化コバルト、CoOよりなる誘電体組成物を
残部とする。この態様では、先駆体に対する
SrTiO3の重量比は約0.12であり、かつセラミツ
ク組成物は負の110ppm／℃TCC特性を有する。 本発明の他の態様では、誘電体組成物は、主と
して48.49重量％Nd2O3、約33.71重量％TiO2、約
14.39重量％BaCO3、約1.42重量％ZrO2、約1.48
重量％SiO2並びに約0.51重量％CaTiO3よりなる
約98.34重量％のセラミツク先駆体材料からなる
混合物から形成され、主として約1.37重量％の五
酸化ニオビウム、Nb2O5、および約0.29重量％の
酸化コバルト、CoOよりなる誘電体組成物を残部
とする。この態様では、先駆体に対するSrTiO3
の重量比は０であり、かつセラミツク組成物は負
の40ppm／℃TCC特性を有する。 本発明の焼成したセラミツク本体は、主として
酸化ネオジム、酸化チタン、炭酸バリウム、酸化
ジルコニウム、二酸化ケイ素、チタン酸カルシウ
ム、チタン酸ストロンチウム、五酸化ニオビウム
並びに酸化コバルトよりなるセラミツク先駆体を
含むセラミツク調製物の成分誘電体酸化物を燃焼
過程で反応させることにより製造する。 セラミツク組成物を調製するに際し、酸化ネオ
ジム、酸化チタン、炭酸バリウム、酸化ジルコニ
ウム、二酸化ケイ素並びにチタン酸カルシウムを
水中で一緒にスラリー化し、または一緒に物理的
にブレンドし焼成すると共に微粒子寸法に粉砕し
て先駆体材料を形成し得る。さらに先駆体材料
は、チタン酸ストロンチウム、五酸化ニオビウム
並びに酸化コバルトと共に水中でスラリー化し、
または物理的にブレンドする。セラミツク調製物
の混合物を標準的方法を用いてシートに注型し、
例えば70重量％パラジウム／30重量％銀のような
内部電極を用いて多層コンデンサ構造に形成する
ことができる。その後多層コンデンサ構造を1260
℃〜1340℃で約１〜２時間焼成する。本発明の焼
成した誘電体組成物は、誘電率(K)約60〜約140、
誘電正接（DF）約0.1％未満、線形温度係数特性
（TCC）約−20ppm〜約−1000ppmを有する。 〔実施例〕 以下の実施例により本発明をさらに説明する。 実施例 １ 約48.49重量％高純度酸化ネオジム（Nd2O3）、
約33.71重量％酸化チタン（TiO2）、約14.39重量
％炭酸バリウム（BaCO3）、約1.42重量％酸化ジ
ルコニウム（ZrO2）、約1.48重量％二酸化ケイ素
（SiO2）並びに約0.51重量％チタン酸カルシウム
（CaTiO3）を均一に混合することにより500Kgを
越える量のセラミツク先駆体組成物を作成した。
本発明に用いた酸化ネオジムは少なくとも99.5重
量％の純度を有し、残部は酸化ランタン
（La2O3）のような他の種類の希土類元素よりな
る。用いる他の全ての材料は99.9重量％を越える
純度を有した。 前記材料を均一に混合した後、スラリを乾燥
し、微粉砕すると共に1000℃〜1150℃の温度で約
１〜４時間焼成した。その後焼成したセラミツク
を粉砕して平均微粒子寸法約0.90ミクロン〜約
1.5ミクロンとした。 第１表に示す量に従い、高純度チタン酸ストロ
ンチウム（SrTiO3）、工業銘柄微粒子寸法五酸化
ニオビウム（Nb2O5）、並びに工業銘柄微粒子寸
法酸化コバルト（CoO）に前記セラミツク先駆体
材料を添加することにより約30グラムのセラミツ
ク組成物を調製した。好適量のチタン酸ストロン
チウムは約99重量％純粋、、好適な五酸化ニオビ
ウムも約99重量％純粋、好適な酸化コバルトは金
属コバルトについて約70〜74重量％純粋（市販の
CoOはCoOとCo2O3との混合物であるため）であ
つた。さらにセラミツク粉末を15〜25c.c.の蒸留水
とブレンドし、高速スペツクス800−２型ペイン
ト・ミキサ（スペツク工業社、ニユージヤージ、
製造）内で約10分間完全に混合した。湿つたスラ
リをその後乾燥してケークとし、モータと乳棒と
で磨砕した。26重量％水、26重量％プロピレング
リコール並びに48重量％コーンシラツプを含む約
2.4〜4.0c.c.のバインダ溶液をモータおよび乳棒を
用いてセラミツク粉末に混合し、その後40メツシ
ユのナイロンスクリーンを通して粒状化した。直
径1.27cmおよび厚さ0.1〜0.15cmを有するその結果
得られる混合物のデイスクをステンレス・スチー
ル・ダイにて１平方インチ当り約38000lbsの圧力
でプレスした。デイスクを安定化したジルコニ
ア・セツタに置き、1260℃〜1340℃の温度で１〜
４時間焼成した。冷却後、銀電極をデイスク上に
塗着し、その後これを815℃に焼成して電極上に
焼結させた。その後25℃での静電容量に対する温
度についての静電容量変化（TC）を約20℃の間
隔で−55℃から＋125℃まで1KHz測定周波数でモ
デルES12110Aキヤパシタンスブリツジを用いて
測定した。その後それぞれのサンプルの誘電率(K)
をキヤパシタンス基本式から計算した： Ｋ＝（5.66.C.T）／（D.D） …(1) 式中、Ｋ＝サンプルの誘電率、 Ｔ＝インチでのデイスクの厚さ、 Ｄ＝インチでのデイスクの直径、 および Ｃ＝ピコフアラツドでのデイスクの静電容
量。 それぞれのサンプルの温度特性（TC）は次の
式に従つて計算した： TC＝〔（CT−C25）／C25〕×100 …(2) 式中、TC＝パーセントでの温度度特性、 CT＝温度Ｔでのサンプルの静電容量、 および C25＝対照温度（25℃）でのサンプルの静
電容量。 それぞれのサンプルの温度係数特性（TCC）
は次の式に従いTCカードの傾きから計算した： TCC＝〔CCT−C25）／C25〕／（Ｔ−25） ×106 …(3) 式中、TCC＝ppm／℃での温度係数、 CT＝温度Ｔでのサンプルの静電容量、 C25＝対照温度（25℃）でのサンプルの静
電容量、 Ｔ＝TCCを測定する温度（℃）。 第２表にまとめたように、組成物１〜８のデイ
スクサンプルの誘電特性は、本発明のセラミツク
組成物が極めて低い誘電正接および線形TCC挙
動を有することを示す。これらのセラミツク組成
物は、例えばTVチユーナのように低い損失と温
度に対し予測可能な静電容量変化を備えるデイス
クコンデンサが必要とされる電気装置に応用する
のに適切である。 186ｇのジオクチルフタラート、約57ｇヌオス
タブ（Nuostab）Ｖ−1444（ヌオスタブＶ−1444
は、ヌオデツクス社、ニユージヤージより市販さ
れているアルカリイオンを含有しない有機溶剤分
散剤である）、約460mlのエタノール、約1843mlの
トルエン、並びに約315ｇブトバ（Butvar）Ｂ−
76ビニル樹脂（ブトバＢ−76は、モンサント社よ
り購入し得るポリビニルブチアル、ポリビニルア
ルコール並びにポリビニルアセタートの混合物か
らなるバインダである）を均一に混合し溶解する
ことにより作成した280ｇのバインダ溶液と共に
組成物１〜８につき前記した約400ｇのそれぞれ
のセラミツク組成物を1/2インチのアルミナ媒体
を用いてボールミル内に装填した。従来の全ゆる
バインダ組成物を本発明で使用することができ、
これは、溶剤を除去するに際し単にセラミツク粒
子を分散させそれらを一緒にして保持する運搬体
を供給するのみのバインダとして使用する他の材
料と混和性であると銘記されるべきである。適切
なバインダ組成物は、「焼成前のセラミツクプロ
セシング」第19章、ジー・ワイ・オノダ、ジユニ
アら、ジヨン・ウイレイ・アンド・ソンス
（1978）に記載されているが、このテキストを参
考としてここに取り入れる。水中のポリビニルア
ルコールおよびメチルエチルケトン／アルコール
中のポリビニルブチルが適切なバインダ組成物の
例である。 スラリを16時間混練し、排出して44ミクロンの
スクリーンを通してろ別した。このスラリは約
1500〜30000センチポアズの粘度を有し、これを
脱気注型し、標準技術によつて1.5ミリの厚さの
テープとした。当業界で公知の従来プロセスによ
りこのテープを70％パラジウム／30％銀を有する
多層セラミツクコンデンサに変換した。コンデン
サを260℃に48時間予備加熱し、安定化したジル
コニアセツタ上に置いて1260℃〜1340℃で１〜４
時間焼結した。焼結させたコンデンサは10の活性
な誘電体層を有し、誘電体の厚さは0.85〜1.10ミ
リの範囲であつた。銀とガラスフリツトとのバイ
ンダ中での混合物であるデユポン・シルバーペイ
ントNo.4822の端末電極を多層コンデンサの対抗す
る末端に適用して交番電極層を接続し、これらの
コンデンサをトンネル炉にて815℃で焼いた。ジ
エネラル・ラジオ1683オートマチツクRLCブリ
ツジ、ラジオメータIM6メガメータ並びに温度室
とコンピユータ制御マイクロプロセツサとを備え
るエレクトロ・サイアンテイフイツク・インダス
トリスZ110Aキヤパシタンスブリツジを用いて、
静電容量(C)、誘電正接（DF）、25℃および125℃
での絶縁抵抗(R)と静電容量積（RC）、25℃での静
電容量に対する温度についての静電容量変化
（TC）並びに25℃での静電容量に対する度Ｃ当り
の温度についての静電容量変化（TCC）を測定
した。静電容量および誘電正接は1KHz測定周波
数で測定した。絶縁抵抗はDC供給電圧で測定し、
RC積を計算した。DC降伏電圧も測定した。その
後それぞれのサンプルの誘電率(K)をキヤパシタン
ス基本式から計算した： Ｋ＝（C.T）／8.854×10-14.L.W.N） (4) 式中、Ｋ＝サンプル誘電率、 Ｔ＝それぞれの誘電体層の厚さ、 Ｃ＝フアラツドでの静電容量測定値、 Ｌ＝cmでの焼成電極長さ、 Ｗ＝cmでの焼成電極幅、および Ｎ＝活性誘電体層の数(10)。 第３表にまとめたように、組成物１〜８の多層
セラミツクコンデンサの誘電体特性は、本発明の
セラミツク組成物が極めて低い誘電正接および線
形のTCC挙動を有することを示す。これらのコ
ンデンサは、例えばTVチユーナのように低い損
失と温度に対し予測可能な静電容量変化とを備え
る多層セラミツクコンデンサが要求される電気装
置に適するのに適切である。
かつ温度係数特性（TCC）−20ppm〜−
1000ppm／℃を有するセラミツク誘電体組成物。 〔産業上の利用分野〕 本発明は、概して、60〜約140の誘電率と0.1パ
ーセント未満の誘電正接（DF）と約−20ppm〜
約−1000ppm／℃の温度係数特性（TCC）とを
有するセラミツク誘電体組成物に関する。この
TCC特性によりEIARS198C明細書の記載とは異
なる等級が実現される。 〔従来の技術〕 多層セラミツクコンデンサは、誘電体セラミツ
ク粉末の絶縁層を注型もしくは形成し、通常は金
属ペーストの形態のパラジウム／銀合金からなる
金属電極層をこの上に施し、その結果得られる素
子を重層して多層コンデンサを形成し、焼成して
材料を緻密化して多層セラミツクコンデンサを形
成することにより作成される。従来の技術による
多層セラミツクコンデンサは、低い誘電正接およ
び室温の値と比較すると度Ｃ温度変化（TCC）
特性当り予測可能な容量変化を示さないという欠
点を回避し得ない。この種の特性は、タイミング
回路、共鳴回路またはTVチユーナ回路のような
電気回路に応用する際に要求される。 前記したように応用する多層コンデンサに使用
する誘電体セラミツク組成物は広い温度範囲に渡
つて安定した誘電率を有することが望ましい。例
えば、誘電率は、その25℃（室温）での基本値か
ら度Ｃ温度変化（TCC）当り−1000ppm／℃以
下しか変化しないとすべきである。この変化はま
た直線的で予測可能であるべきである。多くの場
合この種の組成物の絶縁抵抗時間容量積
（insulation resistance times capacitance
produot）は25℃で1000オーム−フアラツドを越
え、最高動作温度125℃で100オーム−フアラツド
を越えるべきである。同じく誘電率(K)はできるだ
け高くすべきであり、誘電正接（DF）はできる
だけ低くすべきである。 〔発明が解決しようとする課題〕 よつて本発明は、高価な金属内部電極を用いて
デイスクセラミツクコンデンサおよび／または多
層セラミツクコンデンサを製造するのに適切なセ
ラミツク組成物を提供することを目的とする。 さらに本発明は、25℃で約60〜約40の誘電率と
約0.1％未満の誘電正接と約1000オーム−フアラ
ツドを越える絶縁抵抗時間容量積とを有するこの
種のセラミツク組成物を提供することを目的とす
る。 さらに本発明は、安定した温度特性（TC）を
有し25℃での対照値に対し℃当りの温度について
の誘電率またはキヤパシタンス変化が負の約
1000ppm（parts per million）を越えないこの種
のセラミツク組成物を提供することを目的とす
る。 さらに本発明は、25℃での対照値に対し℃当り
の温度についての誘電率または静電容量変化が線
形でかつ予測可能なこの種のセラミツク組成物を
提供することを目的とする。他の目的は一部は自
明であり、一部は特に後記する。 〔課題を解決するための手段〕 前記した目的に従い、主として酸化ネオジム、
酸化チタン、炭酸バリウム、酸化ジルコニウム、
二酸化ケイ素並びにチタン酸カルシウムよりなる
先駆体材料とチタン酸ストロンチウムと五酸化ニ
オビウムと酸化コバルトとからなる誘電体組成物
が提供される。 本発明によれば、約60〜約140の誘電率を有し、
線形TCおよびTCC特性を備え、かつ低い誘電正
接を備える新規な誘電体セラミツク組成物が提供
される。この種のセラミツク組成物は、成分酸化
物またはこれらの先駆体を約1260℃〜1340℃で焼
成することにより調製し得る。これらは誘電正接
が低く、かつTC挙動は線形であるため、本発明
のセラミツクスは、TVチユーナのように温度に
関し低い損失と予測可能な静電容量変化とを有す
るセラミツク円板もしくは多層コンデンサが必要
とされる電気装置に応用するのに適切である。 本発明の好適な態様によれば、主として約
48.49重量％Nd2O3、約33.71重量％TiO2、約
14.39重量％BaCO3、約1.42重量％ZrO2、約1.48
重量％SiO2並びに約0.51重量％CaTiO3よりなる
約40.2〜98.34重量％の先駆体材料と約0.0〜57.51
重量％SrTiO3と約1.27〜3.14重量％Nb2O5と約
0.23〜0.43重量％CoOとからなる誘電体組成物が
提供される。 他の態様では、セラミツク誘電体組成物は、約
48.49重量％Nd2O3、約33.71重量％TiO2、約
14.39重量％BaCO3、約1.42重量％ZrO2、約1.48
重量％SiO2並びに約0.51重量％CaTiO3からなる
約40.20重量％のセラミツク先駆体材料の混合物
から形成され、主として約56.40重量％のチタン
酸ストンロンチウム、SrTiO3、約3.14重量％の
五酸化ニオビウム、Nb2O5並びに約0.26重量％の
酸化コバルト、CoOよりなる誘電体組成物材料を
残部とする。 後者の態様では先駆体に対するSrTiO3の重量
比は約1.40であり、かつセラミツク組成物は負の
1000ppm／℃TC特性を有する。 他の態様では、誘電率組成物は、約48.49重量
％Nd2O3、約33.71重量％TiO2、約14.39重量％
BaCO3、約1.42重量％ZrO2、約1.48重量％SiO2並
びに約0.51重量％CaTiO3からなる約43.57重量％
のセラミツク先駆体材料の混合物から形成され、
主として約53.13重量％のチタン酸ストロンチウ
ム、SrTiO3、約3.04重量％の五酸化ニオビウム、
Nb2O5並びに約0.26重量％の酸化コバルト、CoO
よりなる誘電体組成物を残部とする。この態様で
は、先駆体に対するSrTiO3の重量比は1.22であ
り、かつセラミツク組成物は負の900ppm／℃TC
特性を有する。 他の態様では、誘電体組成物は、主として
48.49重量％Nd2O3、約33.71重量％TiO2、約
14.39重量％BaCO3、約1.42重量％ZrO2、約1.48
重量％SiO2並びに約0.51重量％CaTiO3よりなる
約60.49重量％のセラミツク先駆体材料からなる
混合物から形成され、主として約36.66重量％の
チタン酸ストロンチウム、SrTiO3、約2.58重量
％の五酸化ニオビウム、Nb2O5、約0.27重量％の
酸化コバルト、CoOよりなる誘電体組成物を残部
とする。この態様では、先駆体に対するSrTiO3
の重量比は約0.61であり、かつセラミツク組成物
は負の580ppm／℃TCC特性を有する。 本発明の他の態様では、誘電体組成物は、主と
して約48.49重量％Nd2O3、約33.71重量％TiO2、
約14.39重量％BaCO3、約1.42重量％ZrO2、約
1.48重量％SiO2並びに約0.51重量％CaTiO3より
なる約69.85重量％のセラミツ先駆体材料からな
る混合物から形成され、主として約27.64重量％
のチタン酸ストロンチウム、SrTiO3、約2.24重
量％の五酸化ニオビウム、Nb2O5、約0.27重量％
の酸化コバルト、CoOよりなる誘電体組成物を残
部とする。この態様では、先駆体に対する
SrTiO3の重量比は約0.40であり、かつセラミツ
ク組成物は負の430ppm／℃TCC特性を有する。 本発明の他の態様では、誘電体組成物は、主と
して48.49重量％Nd2O3、33.71重量％TiO2、
14.39重量％BaCO3、1.42重量％ZrO2、1.48重量
％SiO2並びに0.51重量％CaTiO3よりなる約78.63
重量％のセラミツク先駆体材料からなる混合物か
ら形成され、主として19.11重量％のチタン酸ス
トロンチウム、SrTiO3、1.98重量％の五酸化ニ
オビウム、Nb2O5、並びに0.28重量％の酸化コバ
ルト、CoOよりなる誘電体組成物を残部とする。
この態様では、先駆体に対するSrTiO3の重量比
は約0.24であり、かつセラミツク組成物は負の
275ppm／℃TCC特性を有する。 本発明の他の態様では、誘電体組成物は、主と
して約48.49重量％Nd2O3、約33.71重量％TiO2、
約14.39重量％BaCO3、約1.42重量％ZrO2、約
1.48重量％SiO2並びに約0.51重量％CaTiO3より
なる主として82.99重量％のセラミツク先駆体材
料よりなる混合物から形成され、約14.89重量％
のチタン酸ストロンチウム、SrTiO3、約1.87重
量％の五酸化ニオビウム、Nb2O5、並びに約0.28
重量％の酸化コバルト、CoOからなる誘電体組成
物を残部とする。この態様では、先駆体に対する
SrTiO3の重量比は約0.18であり、かつ誘電体組
成物は負の210ppm／℃TCC特性を有する。 本発明の他の態様では、誘電体組成物は、主と
して48.49重量％Nd2O3、約33.71重量％TiO2、約
14.39重量％BaCO3、約1.42重量％ZrO2、約1.48
重量％SiO2並びに約0.51重量％CaTiO3よりなる
約87.39重量％のセラミツク先駆体材料からなる
混合物から形成され、主として10.60重量％のチ
タン酸ストロンチウム、SrTiO3、約1.73重量％
の五酸化ニオビウム、Nb2O5、並びに約0.28重量
％の酸化コバルト、CoOよりなる誘電体組成物を
残部とする。この態様では、先駆体に対する
SrTiO3の重量比は約0.12であり、かつセラミツ
ク組成物は負の110ppm／℃TCC特性を有する。 本発明の他の態様では、誘電体組成物は、主と
して48.49重量％Nd2O3、約33.71重量％TiO2、約
14.39重量％BaCO3、約1.42重量％ZrO2、約1.48
重量％SiO2並びに約0.51重量％CaTiO3よりなる
約98.34重量％のセラミツク先駆体材料からなる
混合物から形成され、主として約1.37重量％の五
酸化ニオビウム、Nb2O5、および約0.29重量％の
酸化コバルト、CoOよりなる誘電体組成物を残部
とする。この態様では、先駆体に対するSrTiO3
の重量比は０であり、かつセラミツク組成物は負
の40ppm／℃TCC特性を有する。 本発明の焼成したセラミツク本体は、主として
酸化ネオジム、酸化チタン、炭酸バリウム、酸化
ジルコニウム、二酸化ケイ素、チタン酸カルシウ
ム、チタン酸ストロンチウム、五酸化ニオビウム
並びに酸化コバルトよりなるセラミツク先駆体を
含むセラミツク調製物の成分誘電体酸化物を燃焼
過程で反応させることにより製造する。 セラミツク組成物を調製するに際し、酸化ネオ
ジム、酸化チタン、炭酸バリウム、酸化ジルコニ
ウム、二酸化ケイ素並びにチタン酸カルシウムを
水中で一緒にスラリー化し、または一緒に物理的
にブレンドし焼成すると共に微粒子寸法に粉砕し
て先駆体材料を形成し得る。さらに先駆体材料
は、チタン酸ストロンチウム、五酸化ニオビウム
並びに酸化コバルトと共に水中でスラリー化し、
または物理的にブレンドする。セラミツク調製物
の混合物を標準的方法を用いてシートに注型し、
例えば70重量％パラジウム／30重量％銀のような
内部電極を用いて多層コンデンサ構造に形成する
ことができる。その後多層コンデンサ構造を1260
℃〜1340℃で約１〜２時間焼成する。本発明の焼
成した誘電体組成物は、誘電率(K)約60〜約140、
誘電正接（DF）約0.1％未満、線形温度係数特性
（TCC）約−20ppm〜約−1000ppmを有する。 〔実施例〕 以下の実施例により本発明をさらに説明する。 実施例 １ 約48.49重量％高純度酸化ネオジム（Nd2O3）、
約33.71重量％酸化チタン（TiO2）、約14.39重量
％炭酸バリウム（BaCO3）、約1.42重量％酸化ジ
ルコニウム（ZrO2）、約1.48重量％二酸化ケイ素
（SiO2）並びに約0.51重量％チタン酸カルシウム
（CaTiO3）を均一に混合することにより500Kgを
越える量のセラミツク先駆体組成物を作成した。
本発明に用いた酸化ネオジムは少なくとも99.5重
量％の純度を有し、残部は酸化ランタン
（La2O3）のような他の種類の希土類元素よりな
る。用いる他の全ての材料は99.9重量％を越える
純度を有した。 前記材料を均一に混合した後、スラリを乾燥
し、微粉砕すると共に1000℃〜1150℃の温度で約
１〜４時間焼成した。その後焼成したセラミツク
を粉砕して平均微粒子寸法約0.90ミクロン〜約
1.5ミクロンとした。 第１表に示す量に従い、高純度チタン酸ストロ
ンチウム（SrTiO3）、工業銘柄微粒子寸法五酸化
ニオビウム（Nb2O5）、並びに工業銘柄微粒子寸
法酸化コバルト（CoO）に前記セラミツク先駆体
材料を添加することにより約30グラムのセラミツ
ク組成物を調製した。好適量のチタン酸ストロン
チウムは約99重量％純粋、、好適な五酸化ニオビ
ウムも約99重量％純粋、好適な酸化コバルトは金
属コバルトについて約70〜74重量％純粋（市販の
CoOはCoOとCo2O3との混合物であるため）であ
つた。さらにセラミツク粉末を15〜25c.c.の蒸留水
とブレンドし、高速スペツクス800−２型ペイン
ト・ミキサ（スペツク工業社、ニユージヤージ、
製造）内で約10分間完全に混合した。湿つたスラ
リをその後乾燥してケークとし、モータと乳棒と
で磨砕した。26重量％水、26重量％プロピレング
リコール並びに48重量％コーンシラツプを含む約
2.4〜4.0c.c.のバインダ溶液をモータおよび乳棒を
用いてセラミツク粉末に混合し、その後40メツシ
ユのナイロンスクリーンを通して粒状化した。直
径1.27cmおよび厚さ0.1〜0.15cmを有するその結果
得られる混合物のデイスクをステンレス・スチー
ル・ダイにて１平方インチ当り約38000lbsの圧力
でプレスした。デイスクを安定化したジルコニ
ア・セツタに置き、1260℃〜1340℃の温度で１〜
４時間焼成した。冷却後、銀電極をデイスク上に
塗着し、その後これを815℃に焼成して電極上に
焼結させた。その後25℃での静電容量に対する温
度についての静電容量変化（TC）を約20℃の間
隔で−55℃から＋125℃まで1KHz測定周波数でモ
デルES12110Aキヤパシタンスブリツジを用いて
測定した。その後それぞれのサンプルの誘電率(K)
をキヤパシタンス基本式から計算した： Ｋ＝（5.66.C.T）／（D.D） …(1) 式中、Ｋ＝サンプルの誘電率、 Ｔ＝インチでのデイスクの厚さ、 Ｄ＝インチでのデイスクの直径、 および Ｃ＝ピコフアラツドでのデイスクの静電容
量。 それぞれのサンプルの温度特性（TC）は次の
式に従つて計算した： TC＝〔（CT−C25）／C25〕×100 …(2) 式中、TC＝パーセントでの温度度特性、 CT＝温度Ｔでのサンプルの静電容量、 および C25＝対照温度（25℃）でのサンプルの静
電容量。 それぞれのサンプルの温度係数特性（TCC）
は次の式に従いTCカードの傾きから計算した： TCC＝〔CCT−C25）／C25〕／（Ｔ−25） ×106 …(3) 式中、TCC＝ppm／℃での温度係数、 CT＝温度Ｔでのサンプルの静電容量、 C25＝対照温度（25℃）でのサンプルの静
電容量、 Ｔ＝TCCを測定する温度（℃）。 第２表にまとめたように、組成物１〜８のデイ
スクサンプルの誘電特性は、本発明のセラミツク
組成物が極めて低い誘電正接および線形TCC挙
動を有することを示す。これらのセラミツク組成
物は、例えばTVチユーナのように低い損失と温
度に対し予測可能な静電容量変化を備えるデイス
クコンデンサが必要とされる電気装置に応用する
のに適切である。 186ｇのジオクチルフタラート、約57ｇヌオス
タブ（Nuostab）Ｖ−1444（ヌオスタブＶ−1444
は、ヌオデツクス社、ニユージヤージより市販さ
れているアルカリイオンを含有しない有機溶剤分
散剤である）、約460mlのエタノール、約1843mlの
トルエン、並びに約315ｇブトバ（Butvar）Ｂ−
76ビニル樹脂（ブトバＢ−76は、モンサント社よ
り購入し得るポリビニルブチアル、ポリビニルア
ルコール並びにポリビニルアセタートの混合物か
らなるバインダである）を均一に混合し溶解する
ことにより作成した280ｇのバインダ溶液と共に
組成物１〜８につき前記した約400ｇのそれぞれ
のセラミツク組成物を1/2インチのアルミナ媒体
を用いてボールミル内に装填した。従来の全ゆる
バインダ組成物を本発明で使用することができ、
これは、溶剤を除去するに際し単にセラミツク粒
子を分散させそれらを一緒にして保持する運搬体
を供給するのみのバインダとして使用する他の材
料と混和性であると銘記されるべきである。適切
なバインダ組成物は、「焼成前のセラミツクプロ
セシング」第19章、ジー・ワイ・オノダ、ジユニ
アら、ジヨン・ウイレイ・アンド・ソンス
（1978）に記載されているが、このテキストを参
考としてここに取り入れる。水中のポリビニルア
ルコールおよびメチルエチルケトン／アルコール
中のポリビニルブチルが適切なバインダ組成物の
例である。 スラリを16時間混練し、排出して44ミクロンの
スクリーンを通してろ別した。このスラリは約
1500〜30000センチポアズの粘度を有し、これを
脱気注型し、標準技術によつて1.5ミリの厚さの
テープとした。当業界で公知の従来プロセスによ
りこのテープを70％パラジウム／30％銀を有する
多層セラミツクコンデンサに変換した。コンデン
サを260℃に48時間予備加熱し、安定化したジル
コニアセツタ上に置いて1260℃〜1340℃で１〜４
時間焼結した。焼結させたコンデンサは10の活性
な誘電体層を有し、誘電体の厚さは0.85〜1.10ミ
リの範囲であつた。銀とガラスフリツトとのバイ
ンダ中での混合物であるデユポン・シルバーペイ
ントNo.4822の端末電極を多層コンデンサの対抗す
る末端に適用して交番電極層を接続し、これらの
コンデンサをトンネル炉にて815℃で焼いた。ジ
エネラル・ラジオ1683オートマチツクRLCブリ
ツジ、ラジオメータIM6メガメータ並びに温度室
とコンピユータ制御マイクロプロセツサとを備え
るエレクトロ・サイアンテイフイツク・インダス
トリスZ110Aキヤパシタンスブリツジを用いて、
静電容量(C)、誘電正接（DF）、25℃および125℃
での絶縁抵抗(R)と静電容量積（RC）、25℃での静
電容量に対する温度についての静電容量変化
（TC）並びに25℃での静電容量に対する度Ｃ当り
の温度についての静電容量変化（TCC）を測定
した。静電容量および誘電正接は1KHz測定周波
数で測定した。絶縁抵抗はDC供給電圧で測定し、
RC積を計算した。DC降伏電圧も測定した。その
後それぞれのサンプルの誘電率(K)をキヤパシタン
ス基本式から計算した： Ｋ＝（C.T）／8.854×10-14.L.W.N） (4) 式中、Ｋ＝サンプル誘電率、 Ｔ＝それぞれの誘電体層の厚さ、 Ｃ＝フアラツドでの静電容量測定値、 Ｌ＝cmでの焼成電極長さ、 Ｗ＝cmでの焼成電極幅、および Ｎ＝活性誘電体層の数(10)。 第３表にまとめたように、組成物１〜８の多層
セラミツクコンデンサの誘電体特性は、本発明の
セラミツク組成物が極めて低い誘電正接および線
形のTCC挙動を有することを示す。これらのコ
ンデンサは、例えばTVチユーナのように低い損
失と温度に対し予測可能な静電容量変化とを備え
る多層セラミツクコンデンサが要求される電気装
置に適するのに適切である。
【表】
【表】
第１図
第１図
【表】
【表】
第
２図
６ 10000 350 1500
有 P2G
第
２図
７ 10000 500 1600
有 UIG
第
２図
８ 15000 15000 1500
有 SIG
第
２図
実施例 ２ 約48.49重量％の高純度酸化ネオジム
（Nd2O3）、約33.71重量％の酸化チタン（TiO2）、
約14.39重量％の炭酸バリウム（BaCO3）、約1.42
重量％の酸化ジルコニウム（ZrO2）、約1.48重量
％の二酸化ケイ素（SiO2）並びに約0.51重量％の
チタン酸カルシウム（CaTiO3）を均一に混合す
ることにより50Kgを越える量のセラミツク先駆体
組成物を作成した。実施例１に記載したようにス
ラリを混合、乾燥、微粉砕、焼成、並びに混練し
て微粒子寸法とした。第４表に示した重量％に従
い、セラミツク先駆体材料、高純度チタン酸スト
ロンチウム（SrTiO5）、工業銘柄微粒子寸法五酸
化ニオビウム（Nb2O5）、並びに工業銘柄微粒子
寸法酸化コバルト（CoO）を添加することにより
約30ｇのセラミツク組成物を調製した。その後セ
ラミツクデイスクサンプルを調製し、実施例１に
記載したのと同様の様式でこれらの電気的特性を
評価した。第５表にまとめたデイスクコンデンサ
の誘電体特性は、本発明のセラミツク組成物が極
めて低い誘電正接および線形TCC挙動を有する
ことを示す。 それぞれのセラミツク組成物９〜16の約400ｇ
を使用し、実施例１に記載したのと同様の様式で
多層セラミツクコンデンササンプルを作成した。
第６表にまとめた誘電体特性は、本発明のセラミ
ツク組成物が極めて低い誘電正接および線形
TCC挙動を有することを示す。
２図
６ 10000 350 1500
有 P2G
第
２図
７ 10000 500 1600
有 UIG
第
２図
８ 15000 15000 1500
有 SIG
第
２図
実施例 ２ 約48.49重量％の高純度酸化ネオジム
（Nd2O3）、約33.71重量％の酸化チタン（TiO2）、
約14.39重量％の炭酸バリウム（BaCO3）、約1.42
重量％の酸化ジルコニウム（ZrO2）、約1.48重量
％の二酸化ケイ素（SiO2）並びに約0.51重量％の
チタン酸カルシウム（CaTiO3）を均一に混合す
ることにより50Kgを越える量のセラミツク先駆体
組成物を作成した。実施例１に記載したようにス
ラリを混合、乾燥、微粉砕、焼成、並びに混練し
て微粒子寸法とした。第４表に示した重量％に従
い、セラミツク先駆体材料、高純度チタン酸スト
ロンチウム（SrTiO5）、工業銘柄微粒子寸法五酸
化ニオビウム（Nb2O5）、並びに工業銘柄微粒子
寸法酸化コバルト（CoO）を添加することにより
約30ｇのセラミツク組成物を調製した。その後セ
ラミツクデイスクサンプルを調製し、実施例１に
記載したのと同様の様式でこれらの電気的特性を
評価した。第５表にまとめたデイスクコンデンサ
の誘電体特性は、本発明のセラミツク組成物が極
めて低い誘電正接および線形TCC挙動を有する
ことを示す。 それぞれのセラミツク組成物９〜16の約400ｇ
を使用し、実施例１に記載したのと同様の様式で
多層セラミツクコンデンササンプルを作成した。
第６表にまとめた誘電体特性は、本発明のセラミ
ツク組成物が極めて低い誘電正接および線形
TCC挙動を有することを示す。
【表】
【表】
【表】
【表】
実施例 ３
第７表に記載したようにセラミツク組成物を実
施例１に記載したのと同様の様式で調製した。前
記組成物から作成したデイスクコンデンサの電気
的特性を評価して第８表にまとめた。組成物２の
特性も参照の目的で第８表にまとめた。これらの
特性は、組成物17および18のように先駆体に対す
るSrTiO3の重量比が1.22を越える際は、これら
のセラミツクスについてのTCC値が大きくなり
過ぎる（−1000ppm／℃を越える）ことを示す。
組成物19および23のようにNb2O5が含まれない場
合、または組成物22および23のようにCoOが含ま
れない場合は、セラミツクスは１もしくは複数の
次のような望ましくない特性を有する：比較的低
いＫ、高い誘電正接および／または大きいTCC
変化。組成物24〜26のように、Nb2O5濃度が1.06
重量％未満でかつCoO濃度が0.23重量％未満の場
合は、同様にセラミツクは１もしくは複数の次の
ような望ましくない特性、比較的低いＫ、高い誘
電正接、大きいTCC変化を有する。
施例１に記載したのと同様の様式で調製した。前
記組成物から作成したデイスクコンデンサの電気
的特性を評価して第８表にまとめた。組成物２の
特性も参照の目的で第８表にまとめた。これらの
特性は、組成物17および18のように先駆体に対す
るSrTiO3の重量比が1.22を越える際は、これら
のセラミツクスについてのTCC値が大きくなり
過ぎる（−1000ppm／℃を越える）ことを示す。
組成物19および23のようにNb2O5が含まれない場
合、または組成物22および23のようにCoOが含ま
れない場合は、セラミツクスは１もしくは複数の
次のような望ましくない特性を有する：比較的低
いＫ、高い誘電正接および／または大きいTCC
変化。組成物24〜26のように、Nb2O5濃度が1.06
重量％未満でかつCoO濃度が0.23重量％未満の場
合は、同様にセラミツクは１もしくは複数の次の
ような望ましくない特性、比較的低いＫ、高い誘
電正接、大きいTCC変化を有する。
【表】
【表】
【表】
ここで実施例から与えられた値に当業界で公知
の因子に基づき変化を施す。例えば、ここにおけ
る組成物１〜28について、微粉砕、混練、均一分
散、あるいは出発材料の他の低減を行なつて極め
て微細な粒子とすることにより誘電率を顕著に増
加させると共に誘電正接を顕著に減少させ得る。
セラミツクコンデンサを製造する過程で普通に実
施されるこの種の粒子は、組成物１〜28の調製で
は限界までは用いなかつた。さらに、焼く条件、
サンプル厚さおよび調製、並びに測定誤差は結果
的に同一の条件について観測された値に差異を与
え得る。よつて、製造技術により、ほとんど粒子
寸法には相関せず、組成物１〜28で与えられた比
率を用いて作成されたセラミツク組成物の特性
は、与えられた値から変動し得る。例えば、誘電
率は＋10.0％変動し得、誘電正接は＋0.02％変動
し得、また℃当り25℃での静電容量に対する温度
についての静電容量変化は＋10ppm変動し得る。
第１図および第２図は、本発明の組成物について
温度における与えられた変化に対する静電容量の
変化を示す。本発明はここに記載し示した説明に
限定されず、これらは単に本発明を実施する最適
の様式の説明のみを意図すると理解されるべきで
ある。本発明は、冒頭に記載した特許請求の範囲
に包含される全ゆる改変にも及ぶ。
の因子に基づき変化を施す。例えば、ここにおけ
る組成物１〜28について、微粉砕、混練、均一分
散、あるいは出発材料の他の低減を行なつて極め
て微細な粒子とすることにより誘電率を顕著に増
加させると共に誘電正接を顕著に減少させ得る。
セラミツクコンデンサを製造する過程で普通に実
施されるこの種の粒子は、組成物１〜28の調製で
は限界までは用いなかつた。さらに、焼く条件、
サンプル厚さおよび調製、並びに測定誤差は結果
的に同一の条件について観測された値に差異を与
え得る。よつて、製造技術により、ほとんど粒子
寸法には相関せず、組成物１〜28で与えられた比
率を用いて作成されたセラミツク組成物の特性
は、与えられた値から変動し得る。例えば、誘電
率は＋10.0％変動し得、誘電正接は＋0.02％変動
し得、また℃当り25℃での静電容量に対する温度
についての静電容量変化は＋10ppm変動し得る。
第１図および第２図は、本発明の組成物について
温度における与えられた変化に対する静電容量の
変化を示す。本発明はここに記載し示した説明に
限定されず、これらは単に本発明を実施する最適
の様式の説明のみを意図すると理解されるべきで
ある。本発明は、冒頭に記載した特許請求の範囲
に包含される全ゆる改変にも及ぶ。
第１図は、本発明の組成物について温度変化を
与えた際の静電容量変化を示す図である。第２図
は、同様に本発明の組成物について温度変化を与
えた際の静電容量変化を示す図である。
与えた際の静電容量変化を示す図である。第２図
は、同様に本発明の組成物について温度変化を与
えた際の静電容量変化を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 主として約40.2〜98.34重量％の先駆体材料
と第２材料とよりなり、前記先駆体材料が主とし
て約48.49重量％の酸化ネオジムと約33.71重量％
の酸化チタンと約14.39重量％の炭酸バリウムと
約1.42重量％の酸化ジルコニウムと約1.48重量％
の二酸化ケイ素と約0.51重量％のチタン酸カルシ
ウムとよりなり、前記第２材料が主として約０〜
57.51重量％のチタン酸ストロンチウムと約1.27
〜3.14重量％の五酸化ニオビウムと約0.23〜0.43
重量％の酸化コバルトとよりなることを特徴とす
る焼結性セラミツク組成物。 ２ 酸化ネオジムが99.5％を越える純度を有し、
酸化コバルトが70％〜74％の金属コバルトの純度
を有し、かつ成分の残部が少なくとも99％の純度
を有する請求項１記載のセラミツク組成物。 ３ 先駆体に対するチタン酸ストロンチウムの重
量比1.40と−1000ppm／℃TCC特性とを有し、主
として約40.21重量％のセラミツク先駆体材料と
約56.40重量％のチタン酸ストロンチウムと約
3.14重量％の五酸化ニオビウムと約0.26重量％の
酸化コバルトとよりなる請求項１または２記載の
セラミツク組成物。 ４ 先駆体に対するチタン酸ストロンチウムの重
量比1.22と−900ppm／℃TCC特性とを有し、主
として約43.57重量％のセラミツク先駆体材料と
約53.13重量％のチタン酸ストロンチウムと約
3.04重量％の五酸化ニオビウムと約0.26重量％の
五酸化コバルトとよりなる請求項１または２記載
のセラミツク組成物。 ５ 先駆体に対するチタン酸ストロンチウムの重
量比約0.61と−580ppm／℃TCC特性とを有し、
主として約60.49重量％のセラミツク先駆体材料
と約36.66重量％のチタン酸ストロンチウムと約
2.58重量％の五酸化ニオビウムと約0.27重量％の
酸化コバルトとよりなる請求項１または２記載の
セラミツク組成物。 ６ 先駆体に対するチタン酸ストロンチウムの重
量比約0.40と−430ppm／℃TCC特性とを有し、
主として約69.85重量％のセラミツク先駆体材料
と約27.64重量％のチタン酸ストロンチウムと約
2.24重量％の五酸化ニオビウムと約0.27重量％の
酸化コバルトとよりなる請求項１または２記載の
セラミツク組成物。 ７ 先駆体に対するチタン酸ストロンチウムの重
量比約0.24と−275ppm／℃TCC特性とを有し、
主として約78.63重量％のセラミツク先駆体材料
と約19.11重量％のチタン酸ストロンチウムと約
1.98重量％の五酸化ニオビウムと約0.28重量％の
酸化コバルトとよりなる請求項１または２記載の
セラミツク組成物。 ８ 先駆体に対するチタン酸ストロンチウムの重
量比約0.18と−210ppm／℃TCC特性とを有し、
主として約82.99重量％のセラミツク先駆体材料
と約14.89重量％のチタン酸ストロンチウムと約
1.84重量％の五酸化ニオビウムと約0.28重量％の
酸化コバルトとよりなる請求項１または２記載の
セラミツク組成物。 ９ 先駆体に対するチタン酸ストロンチウムの重
量比約0.12と−110ppm／℃TCC特性とを有し、
主として約87.39重量％のセラミツク先駆体材料
と約10.60重量％のチタン酸ストロンチウムと約
1.73重量％の五酸化ニオビウムと約0.28重量％の
酸化コバルトとよりなる請求項１または２記載の
セラミツク組成物。 １０ 先駆体に対するチタン酸ストロンチウムの
重量比０と−40ppm／℃TCC特性とを有し、主
として約98.34重量％のセラミツク先駆体材料と
約1.37重量％の五酸化ニオビウムと約0.29重量％
の酸化コバルトとよりなる請求項１または２記載
のセラミツク組成物。 １１ 銀、金、プラチナ並びにパラジウムよりな
る群から選択される少なくとも１つの金属からな
る電極と共に焼成された請求項１〜１０いずれか
に記載の組成物より主としてなる多層セラミツク
コンデンサ。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/038,865 US4780435A (en) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | Dielectric ceramic compositions with linear temperature coefficient characteristics and low dissipation factors |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6442363A JPS6442363A (en) | 1989-02-14 |
| JPH0477698B2 true JPH0477698B2 (ja) | 1992-12-09 |
Family
ID=21902350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63090446A Granted JPS6442363A (en) | 1987-04-15 | 1988-04-14 | Dielectric ceramic composition with linear temperature coeffecient properties and low dielectric tangent |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4780435A (ja) |
| JP (1) | JPS6442363A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4872086A (en) * | 1988-10-20 | 1989-10-03 | Motorola, Inc. | Dielectric RF devices suited for use with superconductors |
| US5213878A (en) * | 1990-03-23 | 1993-05-25 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Ceramic composite for electronic applications |
| US5108958A (en) * | 1990-03-23 | 1992-04-28 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Ceramic composite for electronic applications |
| JPH03276510A (ja) * | 1990-03-26 | 1991-12-06 | Murata Mfg Co Ltd | 温度補償用磁器誘電体 |
| US8923794B2 (en) * | 2011-11-02 | 2014-12-30 | Triquint Semiconductor, Inc. | Temperature compensation of acoustic resonators in the electrical domain |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS598922B2 (ja) * | 1976-11-30 | 1984-02-28 | セイコーエプソン株式会社 | 温度補償用磁器誘電体組成物 |
| JPS6035313B2 (ja) * | 1977-03-17 | 1985-08-14 | ニチコン株式会社 | 温度補償用磁器組成物 |
| US4338403A (en) * | 1980-05-23 | 1982-07-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramics |
| JPS6022451B2 (ja) * | 1981-12-17 | 1985-06-01 | 三菱鉱業セメント株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| US4500942A (en) * | 1982-11-12 | 1985-02-19 | Ferro Corporation | Temperature stable monolithic capacitors and ceramic compositions for producing same |
| US4506026A (en) * | 1982-12-22 | 1985-03-19 | Tam Ceramics, Inc. | Low firing ceramic dielectric for temperature compensating capacitors |
-
1987
- 1987-04-15 US US07/038,865 patent/US4780435A/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-04-14 JP JP63090446A patent/JPS6442363A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6442363A (en) | 1989-02-14 |
| US4780435A (en) | 1988-10-25 |
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