JPH0478030B2 - - Google Patents
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- JPH0478030B2 JPH0478030B2 JP59123984A JP12398484A JPH0478030B2 JP H0478030 B2 JPH0478030 B2 JP H0478030B2 JP 59123984 A JP59123984 A JP 59123984A JP 12398484 A JP12398484 A JP 12398484A JP H0478030 B2 JPH0478030 B2 JP H0478030B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal substrate
- thickness
- substrate material
- cold
- rolled
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
利用産業分野
この発明は、太陽電池用に使用される厚さ0.1
mm以下の薄膜よりなる太陽電池用金属基板材に関
する。
mm以下の薄膜よりなる太陽電池用金属基板材に関
する。
背景技術
太陽電池は、新しい規模のエネルギー源の一方
法として注目され、高効率・大容量化を目標に、
低エネルギー化、低コスト化による製造方法が
種々開発されている。
法として注目され、高効率・大容量化を目標に、
低エネルギー化、低コスト化による製造方法が
種々開発されている。
当初、太陽電池用基板には、シリコン単結晶が
使用され、PN接合を形成後その裏面に裏面電極
を、表面に透明電極及び反射防止膜を被着した電
池構造のものが開発されたが、シリコン単結晶は
製造コストが非常に高価なため、特殊用途に限定
されていた。
使用され、PN接合を形成後その裏面に裏面電極
を、表面に透明電極及び反射防止膜を被着した電
池構造のものが開発されたが、シリコン単結晶は
製造コストが非常に高価なため、特殊用途に限定
されていた。
太陽電池はその作動上、シリコン単結晶の活性
領域は、精々数μｍであり、またシリコン単結晶
の電池製造時の拡散における温度が1000℃〜1500
℃と高温を必要とする。
領域は、精々数μｍであり、またシリコン単結晶
の電池製造時の拡散における温度が1000℃〜1500
℃と高温を必要とする。
これに対して、アモルフアスシリコンは300℃
以下温度で基板上に気相成長により形成させるこ
とができ、さらに、太陽電池の基本構成のＰ形膜
−ｉ形膜−ｎ形膜接合を容易に形成できることか
ら、シリコン単結晶の代替材として着目され、ア
モルフアスシリコン薄膜を使用した太陽電池がそ
の製造工程の簡素化とともに製造コストの低減化
により、新しい展開がなされている。
以下温度で基板上に気相成長により形成させるこ
とができ、さらに、太陽電池の基本構成のＰ形膜
−ｉ形膜−ｎ形膜接合を容易に形成できることか
ら、シリコン単結晶の代替材として着目され、ア
モルフアスシリコン薄膜を使用した太陽電池がそ
の製造工程の簡素化とともに製造コストの低減化
により、新しい展開がなされている。
かかる太陽電池の基板としては、従来、ガラス
が多用されてきたが、ガラスは曲げ強度が低いた
め、曲げ加工を必要とする用途の太陽電池用基板
には不適であつた。
が多用されてきたが、ガラスは曲げ強度が低いた
め、曲げ加工を必要とする用途の太陽電池用基板
には不適であつた。
そこで、曲げ強度が高く、各種曲げ加工がで
き、曲げ加工を必要とする用途の太陽電池として
用いられると共に、その製造工程中において、従
来のバツチ処理に対して、曲げ加工ができるため
に帯状のままで連続的に処理できるステンレス鋼
板、冷延鋼板等の金属基板は、上記の電池製造工
程の合理化・生産能率向上に多大の利点を有して
いる。
き、曲げ加工を必要とする用途の太陽電池として
用いられると共に、その製造工程中において、従
来のバツチ処理に対して、曲げ加工ができるため
に帯状のままで連続的に処理できるステンレス鋼
板、冷延鋼板等の金属基板は、上記の電池製造工
程の合理化・生産能率向上に多大の利点を有して
いる。
この金属基板を使用した電池製造工程におい
て、該基板にアモルフアスシリコンを形成する方
法としては、気相成長による方法が採用されてい
る。
て、該基板にアモルフアスシリコンを形成する方
法としては、気相成長による方法が採用されてい
る。
一例として、グロー放電法により金属基板上に
アモルフアスシリコンを形成する方法を説明する
と、帯状金属基板が通過する減圧下の反応室に、
原料ガスのシランガスSiH4を導入し、反応室内
の電極間で高周波プラズマ放電し、高周波により
励起される高エネルギーの電子は上記原料ガスに
衝突し、該ガスの分解及び活性化されたガス間同
士の反応により、金属基板表面上にアモルフアス
シリコンが気相析出して成長する。
アモルフアスシリコンを形成する方法を説明する
と、帯状金属基板が通過する減圧下の反応室に、
原料ガスのシランガスSiH4を導入し、反応室内
の電極間で高周波プラズマ放電し、高周波により
励起される高エネルギーの電子は上記原料ガスに
衝突し、該ガスの分解及び活性化されたガス間同
士の反応により、金属基板表面上にアモルフアス
シリコンが気相析出して成長する。
ところが、従来の金属基板表面には、機械的表
面疵や基板材内の介在物等による内質疵があり、
これらの疵によつて気相析出成長したアモルフア
スシリコンは、該基板表面上に均一に形成され
ず、金属基板と最外面の透明電極が短絡し、太陽
電池の致命的欠陥となる。
面疵や基板材内の介在物等による内質疵があり、
これらの疵によつて気相析出成長したアモルフア
スシリコンは、該基板表面上に均一に形成され
ず、金属基板と最外面の透明電極が短絡し、太陽
電池の致命的欠陥となる。
かかる金属基板表面の表面疵を除去するため、
表面研削あるいは表面研摩方法が実施されている
が、上記機械的除去方法では介在物等による内質
疵は除去できず、金属基板内の介在物の減少に関
しては製鋼法にて種々検討されており、大きさが
50μｍ以上の大型介在物は除去されている。しか
し、太陽電池用金属基板として致命的欠陥を生じ
ないように、基板内の介在物の全てを1.0μｍ以下
にすることは困難で、かつ多大のコスト高を招来
する問題があつた。
表面研削あるいは表面研摩方法が実施されている
が、上記機械的除去方法では介在物等による内質
疵は除去できず、金属基板内の介在物の減少に関
しては製鋼法にて種々検討されており、大きさが
50μｍ以上の大型介在物は除去されている。しか
し、太陽電池用金属基板として致命的欠陥を生じ
ないように、基板内の介在物の全てを1.0μｍ以下
にすることは困難で、かつ多大のコスト高を招来
する問題があつた。
発明の目的
この発明は、従来の金属基板の問題点を解決
し、表面疵が皆無で安価な太陽電池用金属基板材
の提供を目的としている。
し、表面疵が皆無で安価な太陽電池用金属基板材
の提供を目的としている。
発明の開示
この発明は、ステンレス鋼板または冷延鋼板の
片面または両面に、非金属介在物の大きさが1.0μ
ｍ以下の内質良好なステンレス、Ni、Al、Agの
うち１種からなる厚さ200μｍ以下の圧着層を有
することを特徴とする太陽電池用金属基板材であ
る。
片面または両面に、非金属介在物の大きさが1.0μ
ｍ以下の内質良好なステンレス、Ni、Al、Agの
うち１種からなる厚さ200μｍ以下の圧着層を有
することを特徴とする太陽電池用金属基板材であ
る。
この発明は、金属基板表面に上記の圧着層を設
けることにより、金属基板表面の機械的疵及び非
金属介在物等による内質疵の表面露出が防止で
き、太陽電池製造時、金属基板材表面に均一な薄
膜を形成せしめ、平滑平面を有し、太陽電池用金
属基板材に最適となる。
けることにより、金属基板表面の機械的疵及び非
金属介在物等による内質疵の表面露出が防止で
き、太陽電池製造時、金属基板材表面に均一な薄
膜を形成せしめ、平滑平面を有し、太陽電池用金
属基板材に最適となる。
この発明において、金属基板には、強度、耐食
性においてすぐれたステンレス鋼板が好ましい
が、表面および内質が良好なステンレス、Ni、
Al、Agの圧着層を有することにより、耐食性が
付与されるため、冷延鋼板を使用することが可能
となる。
性においてすぐれたステンレス鋼板が好ましい
が、表面および内質が良好なステンレス、Ni、
Al、Agの圧着層を有することにより、耐食性が
付与されるため、冷延鋼板を使用することが可能
となる。
また、金属基板に圧着する金属層は、使用目的
等に応じてステンレス、Ni、Al、Agのいずれか
の材質を選定し、基板材の片面あるいは両面に圧
着するが、両面圧着の場合は同種金属を圧着する
ほか、異種金属を用いるのもよい。
等に応じてステンレス、Ni、Al、Agのいずれか
の材質を選定し、基板材の片面あるいは両面に圧
着するが、両面圧着の場合は同種金属を圧着する
ほか、異種金属を用いるのもよい。
この金属基板の厚みは、軽量化のため、0.5mm
以下が好ましい。
以下が好ましい。
また、この発明における圧着層厚みは、金属基
板表面に圧着したのち、その表面を鏡面加工した
とき、基板表面疵が露出しない程度の厚みとする
必要があるが、圧着層の厚みの上限は、経済性を
考慮して200μｍとする。
板表面に圧着したのち、その表面を鏡面加工した
とき、基板表面疵が露出しない程度の厚みとする
必要があるが、圧着層の厚みの上限は、経済性を
考慮して200μｍとする。
この発明における圧着は、熱間加工あるいは、
冷間加工のいずれでもよい。
冷間加工のいずれでもよい。
実施例
第１図ａ図は、Ni圧着層を有しない金属基板
材表面の疵大きさと表面欠陥数との関係図、同ｂ
図はNi圧着層を有する金属基板材表面の疵大き
さと表面欠陥数との関係図である。第２図ａ図、
ｂ図は、SUS304，SUS430表面上にNi圧着層を
有する金属基板材の板厚方向断面における表面欠
陥数と疵大きさとの関係を示す関係図である。
材表面の疵大きさと表面欠陥数との関係図、同ｂ
図はNi圧着層を有する金属基板材表面の疵大き
さと表面欠陥数との関係図である。第２図ａ図、
ｂ図は、SUS304，SUS430表面上にNi圧着層を
有する金属基板材の板厚方向断面における表面欠
陥数と疵大きさとの関係を示す関係図である。
実施例 １
金属基板として、板厚２mm×板幅200mm寸法か
らなる、市販のSUS304，SUS430の焼鈍した冷
延コイルを用いた。
らなる、市販のSUS304，SUS430の焼鈍した冷
延コイルを用いた。
圧着層の金属として、Ni板中の非金属介在物
の大きさが1.0μｍ以下となるように、真空高周波
溶解炉を用いて、炭素脱酸にて十分精錬した後、
真空中で造塊された250mm×200mm×高さ500mm寸
法の角柱状Ni鋳塊を熱間鍛造し、熱間圧延を経
て手入した後、冷間圧延により板厚0.22mm×板幅
200mmの冷延コイルに仕上げ、連続焼鈍炉で、水
素中、1000℃の条件で焼鈍したNi板を用いた。
の大きさが1.0μｍ以下となるように、真空高周波
溶解炉を用いて、炭素脱酸にて十分精錬した後、
真空中で造塊された250mm×200mm×高さ500mm寸
法の角柱状Ni鋳塊を熱間鍛造し、熱間圧延を経
て手入した後、冷間圧延により板厚0.22mm×板幅
200mmの冷延コイルに仕上げ、連続焼鈍炉で、水
素中、1000℃の条件で焼鈍したNi板を用いた。
上記金属基板の片面に、上記Ni板を冷間圧延
機を用いて冷間圧接したのち、再び水素雰囲気
で、800℃、１時間の焼鈍しを行ない、さらに、
冷間圧延して板厚0.20mmのこの発明による太陽電
池用基板材に仕上げた。得られた金属基板材の圧
着層厚みは20μｍであつた。
機を用いて冷間圧接したのち、再び水素雰囲気
で、800℃、１時間の焼鈍しを行ない、さらに、
冷間圧延して板厚0.20mmのこの発明による太陽電
池用基板材に仕上げた。得られた金属基板材の圧
着層厚みは20μｍであつた。
比較基板として、板厚２mm×板幅200mm寸法か
らなる、市販のSUS304，SUS430の焼鈍した冷
延コイルをそのまま板厚0.20mmまで冷間圧延した
ものを用いた。
らなる、市販のSUS304，SUS430の焼鈍した冷
延コイルをそのまま板厚0.20mmまで冷間圧延した
ものを用いた。
上記のこの発明による基板材コイルと比較材コ
イルについて、長手方向の10箇所より、長さ10mm
×幅200mmの試料を各２枚採取した。
イルについて、長手方向の10箇所より、長さ10mm
×幅200mmの試料を各２枚採取した。
上記10箇所より２枚ずつ採取したうちの１枚
は、光学顕微鏡（倍率600倍）で長さ５mm×幅200
mmの試料について表面疵の大きさ及びその数を測
定した。その測定結果は第１図に示す。
は、光学顕微鏡（倍率600倍）で長さ５mm×幅200
mmの試料について表面疵の大きさ及びその数を測
定した。その測定結果は第１図に示す。
また、採取試料のもう一方は、板幅方向に３等
分し、フエノール樹脂中に埋め込み、Al2O3粉末
にてバフ研摩した後、その断面の非金属介在物の
大きさ、数を測定し、板厚方向での欠陥の分布を
調べた。結果は第２図に示す。
分し、フエノール樹脂中に埋め込み、Al2O3粉末
にてバフ研摩した後、その断面の非金属介在物の
大きさ、数を測定し、板厚方向での欠陥の分布を
調べた。結果は第２図に示す。
第１図及び第２図より明らかな如く、Ni圧着
層の被着前の金属基板は、表面に多数の欠陥を有
しているが、この発明による金属基板材は、太陽
電池において特に問題となる1.0μｍより大きい表
面疵の露出が完全に防止されていることが分る。
層の被着前の金属基板は、表面に多数の欠陥を有
しているが、この発明による金属基板材は、太陽
電池において特に問題となる1.0μｍより大きい表
面疵の露出が完全に防止されていることが分る。
実施例 ２
金属基板として、板厚２mm×板幅200mm寸法か
らなる、市販のSUS304、SUS430の焼鈍した冷
延コイルを用いた。
らなる、市販のSUS304、SUS430の焼鈍した冷
延コイルを用いた。
圧着層の金属として、非金属介在物の大きさが
1.0μｍ以下となるように、真空高周波溶解炉を用
いて、溶解した母材をさらに消耗電極式真空アー
ク再溶解炉で再溶解し、造塊したSUS430鋳塊を
熱間鍛造し、熱間圧延を経て手入した後、冷間圧
延により板厚0.22mm×板幅200mmの冷延コイルに
仕上げ、連続焼鈍炉で、水素中、1000℃の条件で
焼鈍したSUS430板を用いた。
1.0μｍ以下となるように、真空高周波溶解炉を用
いて、溶解した母材をさらに消耗電極式真空アー
ク再溶解炉で再溶解し、造塊したSUS430鋳塊を
熱間鍛造し、熱間圧延を経て手入した後、冷間圧
延により板厚0.22mm×板幅200mmの冷延コイルに
仕上げ、連続焼鈍炉で、水素中、1000℃の条件で
焼鈍したSUS430板を用いた。
上記金属基板を片面に、上記SUS430板を冷間
圧延機を用いて冷間圧延したのち、再び水素雰囲
気で、900℃、１時間の焼鈍しを行ない、さらに、
冷間圧延して板厚0.10mmのこの発明による太陽電
池用基板材に仕上げた。得られた金属基板板材の
圧着層厚みは10μｍであつた。
圧延機を用いて冷間圧延したのち、再び水素雰囲
気で、900℃、１時間の焼鈍しを行ない、さらに、
冷間圧延して板厚0.10mmのこの発明による太陽電
池用基板材に仕上げた。得られた金属基板板材の
圧着層厚みは10μｍであつた。
上記のこの発明による基板材コイルについて長
手方向の10箇所より、長さ10mm×幅200mmの試料
を各２枚採取した。
手方向の10箇所より、長さ10mm×幅200mmの試料
を各２枚採取した。
上記10箇所より２枚ずつ採取したうちの１枚
は、光学顕微鏡（倍率600倍）で長さ５mm×幅200
mmの試料について表面疵の大きさ及びその数を測
定し、採取試料のもう一方は、板幅方向に３等分
し、フエノール樹脂中に埋め込み、Al2O3粉末に
てバフ研摩した後、その断面の非金属介在物の大
きさ、数を測定し、板厚方向での欠陥の分布を調
べた。
は、光学顕微鏡（倍率600倍）で長さ５mm×幅200
mmの試料について表面疵の大きさ及びその数を測
定し、採取試料のもう一方は、板幅方向に３等分
し、フエノール樹脂中に埋め込み、Al2O3粉末に
てバフ研摩した後、その断面の非金属介在物の大
きさ、数を測定し、板厚方向での欠陥の分布を調
べた。
実施例１と同様に結果が得られ、この発明によ
る金属基板材は、太陽電池において特に問題とな
る1.0μｍ以上の表面疵の露出が完全に防止されて
いる。
る金属基板材は、太陽電池において特に問題とな
る1.0μｍ以上の表面疵の露出が完全に防止されて
いる。
実施例 ３
金属基板として、市販のC0.1％の冷延鋼板で、
板厚1.80mm×板幅200mmの焼鈍された冷延コイル
を用いた。
板厚1.80mm×板幅200mmの焼鈍された冷延コイル
を用いた。
圧着層の金属として、非金属介在物の大きさが
1.0μｍ以下となるように、真空高周波溶解炉を用
いて、溶解した母材をさらに消耗電極式真空アー
ク再溶解炉で再溶解し、造塊したSUS430鋳塊を
熱間鍛造し、熱間圧延を経て手入した後、冷間圧
延により板厚0.22mm×板幅200mmの冷延コイルに
仕上げ、連続焼鈍炉で、水素中、1000℃の条件で
焼鈍したSUS430板を用いた。
1.0μｍ以下となるように、真空高周波溶解炉を用
いて、溶解した母材をさらに消耗電極式真空アー
ク再溶解炉で再溶解し、造塊したSUS430鋳塊を
熱間鍛造し、熱間圧延を経て手入した後、冷間圧
延により板厚0.22mm×板幅200mmの冷延コイルに
仕上げ、連続焼鈍炉で、水素中、1000℃の条件で
焼鈍したSUS430板を用いた。
上記金属基板の両面に、上記SUS430板を冷間
圧延機を用いて冷間圧接したのち、再び水素雰囲
気で、900℃、１時間の焼鈍を行ない、さらに、
冷間圧延して板厚0.10mmのこの発明による太陽電
池用基板材に仕上げた。得られた金属基板材の圧
着層厚みは10μｍであつた。
圧延機を用いて冷間圧接したのち、再び水素雰囲
気で、900℃、１時間の焼鈍を行ない、さらに、
冷間圧延して板厚0.10mmのこの発明による太陽電
池用基板材に仕上げた。得られた金属基板材の圧
着層厚みは10μｍであつた。
上記この発明による基板材コイルについて長手
方向の10箇所より、長さ10mm×幅200mmの試料を
各２枚採取した。
方向の10箇所より、長さ10mm×幅200mmの試料を
各２枚採取した。
上記10箇所より２枚ずつ採取したうちの１枚
は、光学顕微鏡（倍率600倍）で長さ５mm×幅200
mmの試料について表面疵の大きさ及びその数を測
定し、採取試料のもう一方は、板幅方向に３等分
し、フエノール樹脂中に埋め込み、Al2O3粉末に
てバフ研摩した後、その断面の非金属介在物の大
きさ、数を測定し、板厚方向での欠陥の分布を調
べた。
は、光学顕微鏡（倍率600倍）で長さ５mm×幅200
mmの試料について表面疵の大きさ及びその数を測
定し、採取試料のもう一方は、板幅方向に３等分
し、フエノール樹脂中に埋め込み、Al2O3粉末に
てバフ研摩した後、その断面の非金属介在物の大
きさ、数を測定し、板厚方向での欠陥の分布を調
べた。
実施例１と同様の結果が得られ、この発明によ
る金属基板材は、太陽電池において特に問題とな
る1.0μｍより大きい表面疵の露出が完全に防止さ
れている。
る金属基板材は、太陽電池において特に問題とな
る1.0μｍより大きい表面疵の露出が完全に防止さ
れている。
実施例 ４
金属基板として、板厚２mm×板幅200mm寸法か
らなる、市販のSUS304、SUS430の焼鈍した冷
延コイルを用いた。
らなる、市販のSUS304、SUS430の焼鈍した冷
延コイルを用いた。
圧着層の金属として、非金属介在物の大きさが
1.0μｍ以下となるように、真空高周波溶解炉を用
いて、真空下で溶解し、非金属介在物除去のため
セラミツクフイルターを通して鋳込み、造塊され
たAl鋳塊を、熱間圧延を経て手入した後、冷間
圧延により板厚0.04mm×板幅200mmの冷延コイル
に仕上げたAl板を用いた。
1.0μｍ以下となるように、真空高周波溶解炉を用
いて、真空下で溶解し、非金属介在物除去のため
セラミツクフイルターを通して鋳込み、造塊され
たAl鋳塊を、熱間圧延を経て手入した後、冷間
圧延により板厚0.04mm×板幅200mmの冷延コイル
に仕上げたAl板を用いた。
上記金属基板の片面に、上記Al板を冷間圧延
機を用いて冷間圧接し、板厚0.1mmのこの発明に
よる太陽電池用基板材に仕上げた。得られた金属
基板材の圧着層厚みは9μｍであつた。
機を用いて冷間圧接し、板厚0.1mmのこの発明に
よる太陽電池用基板材に仕上げた。得られた金属
基板材の圧着層厚みは9μｍであつた。
上記のこの発明による基板材コイルについて長
手方向の10箇所より、長さ10mm×幅200mmの試料
を各２枚採取した。
手方向の10箇所より、長さ10mm×幅200mmの試料
を各２枚採取した。
上記10箇所より２枚ずつ採取したうちの１枚
は、光学顕微鏡（倍率600倍）で長さ５mm×幅200
mmの試料について表面疵の大きさ及びその数を測
定し、採取試料のもう一方は、板幅方向に３等分
し、フエノール樹脂中に埋め込み、Al2O3粉末に
てバフ研摩した後、その断面の非金属介在物の大
きさ・数を測定し、板厚方向での欠陥の分布を調
べた。
は、光学顕微鏡（倍率600倍）で長さ５mm×幅200
mmの試料について表面疵の大きさ及びその数を測
定し、採取試料のもう一方は、板幅方向に３等分
し、フエノール樹脂中に埋め込み、Al2O3粉末に
てバフ研摩した後、その断面の非金属介在物の大
きさ・数を測定し、板厚方向での欠陥の分布を調
べた。
実施例１と同様の結果が得られ、この発明によ
る金属基板材は、太陽電池において特に問題とな
る1.0μｍより大きい表面疵の露出が完全に防止さ
れている。
る金属基板材は、太陽電池において特に問題とな
る1.0μｍより大きい表面疵の露出が完全に防止さ
れている。
実施例 ５
金属基板として、市販のSUS304の塊状のもの
を切削し、板厚95mm×幅200mm×長さ500mmに仕上
げたSUS304板を用いた。
を切削し、板厚95mm×幅200mm×長さ500mmに仕上
げたSUS304板を用いた。
圧着層の金属として、非金属介在物の大きさが
1.0μｍ以下となるように、真空高周波溶解炉を用
いて、溶解した母材をさらにエレクトロスラグ再
溶解炉で再溶解し、造塊したSUS304鋳塊を熱間
鍛造し、熱間圧延を経て手入した後、冷間圧延に
より板厚５mm×幅200mm×長さ500mmの板に仕上げ
たSUS304板を用いた。
1.0μｍ以下となるように、真空高周波溶解炉を用
いて、溶解した母材をさらにエレクトロスラグ再
溶解炉で再溶解し、造塊したSUS304鋳塊を熱間
鍛造し、熱間圧延を経て手入した後、冷間圧延に
より板厚５mm×幅200mm×長さ500mmの板に仕上げ
たSUS304板を用いた。
上記基板用SUS304板と内質のすぐれた圧着層
用SUS304板を密着させ、密着面が酸化しないよ
うに、端面部をアルゴンガス雰囲気で、電極ワイ
ヤにSUS304を用いたMIG溶接により完全に溶着
した。
用SUS304板を密着させ、密着面が酸化しないよ
うに、端面部をアルゴンガス雰囲気で、電極ワイ
ヤにSUS304を用いたMIG溶接により完全に溶着
した。
その後、一体化した上記の板を熱間圧延して表
面を手入し、冷間圧延機により、板厚0.50mmまで
冷間圧延してこの発明による太陽電池用基板材に
仕上げた。得られた基板材の圧着厚みは25μｍで
あつた。
面を手入し、冷間圧延機により、板厚0.50mmまで
冷間圧延してこの発明による太陽電池用基板材に
仕上げた。得られた基板材の圧着厚みは25μｍで
あつた。
上記のこの発明による基板材コイルについて長
手方向の10箇所より、長さ10mm×幅200mmの試料
を各２枚採取した。
手方向の10箇所より、長さ10mm×幅200mmの試料
を各２枚採取した。
上記10箇所より２枚ずつ採取したうちの１枚
は、光学顕微鏡（倍率600倍）で長さ５mm×幅200
mmの試料について表面疵の大きさ及びその数を測
定し、採取試料のもう一方は、板幅方向に３等分
し、フエノール樹脂中に埋め込み、Al2O3粉末に
てバフ研摩した後、その断面の非金属介在物の大
きさ、数を測定し、板厚方向での欠陥の分布を調
べた。
は、光学顕微鏡（倍率600倍）で長さ５mm×幅200
mmの試料について表面疵の大きさ及びその数を測
定し、採取試料のもう一方は、板幅方向に３等分
し、フエノール樹脂中に埋め込み、Al2O3粉末に
てバフ研摩した後、その断面の非金属介在物の大
きさ、数を測定し、板厚方向での欠陥の分布を調
べた。
実施例１と同様の結果が得られ、この発明によ
る金属基板材は、太陽電池において特に問題とな
る1.0μｍより大きい表面疵の露出が完全に防止さ
れている。
る金属基板材は、太陽電池において特に問題とな
る1.0μｍより大きい表面疵の露出が完全に防止さ
れている。
以上の実施例から明らかなように、この発明に
よる基板材は、表面欠陥がなく、安価に平滑平面
が得られるもので、アモルフアスシリコン太陽電
池用に最適の基板材を提供できる。
よる基板材は、表面欠陥がなく、安価に平滑平面
が得られるもので、アモルフアスシリコン太陽電
池用に最適の基板材を提供できる。
第１図ａ図は、Ni圧着層を有しない金属基板
材表面の疵大きさと表面欠陥数との関係図、同ｂ
図はNi圧着層を有する金属基板材表面の疵大き
さと表面欠陥数との関係図である。 第２図ａ図、ｂ図は、SUS304、SUS430表面
上にNi圧着層を有する金属基板材の板厚方向断
面における表面欠陥数と疵大きさとの関係を示す
関係図である。
材表面の疵大きさと表面欠陥数との関係図、同ｂ
図はNi圧着層を有する金属基板材表面の疵大き
さと表面欠陥数との関係図である。 第２図ａ図、ｂ図は、SUS304、SUS430表面
上にNi圧着層を有する金属基板材の板厚方向断
面における表面欠陥数と疵大きさとの関係を示す
関係図である。
Claims (1)
- １ ステンレス鋼板または冷延鋼板の片面または
両面に、非金属介在物の大きさが1.0μｍ以下の内
質良好なステンレス、Ni、Al、Agのうち１種か
らなる厚さ200μｍ以下の圧着層を有することを
特徴とする太陽電池用金属基板材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59123984A JPS613474A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 太陽電池用金属基板材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59123984A JPS613474A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 太陽電池用金属基板材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS613474A JPS613474A (ja) | 1986-01-09 |
| JPH0478030B2 true JPH0478030B2 (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=14874162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59123984A Granted JPS613474A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 太陽電池用金属基板材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS613474A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012095954A1 (ja) * | 2011-01-12 | 2012-07-19 | 株式会社Ｎｅｏｍａｘマテリアル | 太陽電池用金属基板および太陽電池用金属基板の製造方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4245394B2 (ja) | 2003-03-27 | 2009-03-25 | 新日鉄マテリアルズ株式会社 | 無機ポリマー膜で被覆されたステンレス箔 |
| JP5625765B2 (ja) * | 2010-11-05 | 2014-11-19 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 太陽電池基板用クロム含有フェライト系鋼板 |
| JP5589776B2 (ja) * | 2010-11-05 | 2014-09-17 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 太陽電池基板用クロム含有フェライト系鋼板 |
| JP5589777B2 (ja) * | 2010-11-05 | 2014-09-17 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 太陽電池基板用クロム含有フェライト系鋼板 |
-
1984
- 1984-06-15 JP JP59123984A patent/JPS613474A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012095954A1 (ja) * | 2011-01-12 | 2012-07-19 | 株式会社Ｎｅｏｍａｘマテリアル | 太陽電池用金属基板および太陽電池用金属基板の製造方法 |
| CN103299433A (zh) * | 2011-01-12 | 2013-09-11 | 株式会社新王材料 | 太阳能电池用金属基板和太阳能电池用金属基板的制造方法 |
| JPWO2012095954A1 (ja) * | 2011-01-12 | 2014-06-09 | 株式会社Ｎｅｏｍａｘマテリアル | 太陽電池用金属基板および太陽電池用金属基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS613474A (ja) | 1986-01-09 |
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