JPH0478122B2 - - Google Patents
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- JPH0478122B2 JPH0478122B2 JP60208544A JP20854485A JPH0478122B2 JP H0478122 B2 JPH0478122 B2 JP H0478122B2 JP 60208544 A JP60208544 A JP 60208544A JP 20854485 A JP20854485 A JP 20854485A JP H0478122 B2 JPH0478122 B2 JP H0478122B2
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- reference surface
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
- G01N21/211—Ellipsometry
Landscapes
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、試料の表面の物理的特性又は表面上
に存在する層若しくは薄膜の物理的特性を検査す
るためのエリプソメトリ装置に関する。この装置
は、一方向に変化する反射特性を有する基準表面
と試料表面とに偏光を指向させる偏光子と、検光
子とから成つており、これら基準表面と試料表面
とは、これら両表面への偏光の入射角が等しくて
且つこれら両入射面が互いに垂直となるように、
又はこれら両表面間で偏光方向が90度回転するよ
うに、排列されており、検光子は、偏光の進行方
向において2番目に位置した表面から反射された
偏光のうちの、第1回目の反射前の偏光状態と同
じ偏光状態を有する部分を消すようになつてい
る。
に存在する層若しくは薄膜の物理的特性を検査す
るためのエリプソメトリ装置に関する。この装置
は、一方向に変化する反射特性を有する基準表面
と試料表面とに偏光を指向させる偏光子と、検光
子とから成つており、これら基準表面と試料表面
とは、これら両表面への偏光の入射角が等しくて
且つこれら両入射面が互いに垂直となるように、
又はこれら両表面間で偏光方向が90度回転するよ
うに、排列されており、検光子は、偏光の進行方
向において2番目に位置した表面から反射された
偏光のうちの、第1回目の反射前の偏光状態と同
じ偏光状態を有する部分を消すようになつてい
る。
従来技術とその問題点
エリプソメトリ装置は欧州特許明細書第19088
号から既知である。既知の比較エリプソメータを
使用すれば、表面の物理的特性、とくに試料表面
の層厚を高価な電子測定装置を使用しなくても接
眼レンズ内に直接読取ることができる。ここでは
偏光子により偏光された光線は、既知の反射特性
を有する基準表面と、検査試料とに等しい入射角
で入射されて反射されるが、この場合基準表面と
試料表面との入射面は相互に直角であるか、又は
これら両表面間で光線の偏光方向が90度回転され
る。基準表面と試料表面との反射特性が相互に一
致したとき、例えば試料表面上に存在する層が基
準表面上に存在する層と同一の厚みを有したと
き、光線は検光子により消光される。くさび状層
厚とそれに付属の読取り目盛とを有する基準表面
を使用すれば、試料表面の層と基準表面上のくさ
び状層厚の或る位置との厚みが一致したとき、検
光子のうしろに配置された接眼レンズ内の読取り
目盛の特定の位置に暗い測定線条が現れる。この
ようにして大体±2%より良い精度で2nmない
し50μmの範囲の層厚をきわめて正確に測定可能
である。
号から既知である。既知の比較エリプソメータを
使用すれば、表面の物理的特性、とくに試料表面
の層厚を高価な電子測定装置を使用しなくても接
眼レンズ内に直接読取ることができる。ここでは
偏光子により偏光された光線は、既知の反射特性
を有する基準表面と、検査試料とに等しい入射角
で入射されて反射されるが、この場合基準表面と
試料表面との入射面は相互に直角であるか、又は
これら両表面間で光線の偏光方向が90度回転され
る。基準表面と試料表面との反射特性が相互に一
致したとき、例えば試料表面上に存在する層が基
準表面上に存在する層と同一の厚みを有したと
き、光線は検光子により消光される。くさび状層
厚とそれに付属の読取り目盛とを有する基準表面
を使用すれば、試料表面の層と基準表面上のくさ
び状層厚の或る位置との厚みが一致したとき、検
光子のうしろに配置された接眼レンズ内の読取り
目盛の特定の位置に暗い測定線条が現れる。この
ようにして大体±2%より良い精度で2nmない
し50μmの範囲の層厚をきわめて正確に測定可能
である。
従来既知の装置では、測定層厚の指示は接眼レ
ンズ内に暗い測定線条として現われて、目盛上の
ある範囲にまたがつてしまうので、測定精度を上
げるには限界がある。
ンズ内に暗い測定線条として現われて、目盛上の
ある範囲にまたがつてしまうので、測定精度を上
げるには限界がある。
発明の適要
したがつて、既知の比較エリプソメータにおい
て測定精度を実質的に高めることが本発明の目的
である。
て測定精度を実質的に高めることが本発明の目的
である。
この目的は本発明により、特許請求の範囲第1
項に記載の特徴により達成される。
項に記載の特徴により達成される。
従属特許請求の範囲は本発明の変更態様を示し
ている。
ている。
本発明により、試料表面上の層厚の測定におい
て、基準表面上になだらかに延在するくさび状基
準層厚、たとえば5nmないし500nmの範囲のも
のを設けることができる。このようになだらかに
延在するくさび状の基準層厚は通常かなり幅広の
消光線条すなわち測定線条をエリプソメータの接
眼レンズ内に形成し、したがつて測定精度は上が
ならい。この問題は本発明により、消光線条ない
し吸光線条の両側への強度分布の対称性を利用し
て、基準表面を2つの異なる反射特性を示す表面
部分に分割することで解決され、これらの反射特
性は一定方向に直線的に変化し、この場合基準表
面の2つの表面部分の反射特性の変化は等パーセ
ントであつて一定方向に移行している。この場合
層厚測定においては、基準表面の2つの表面部分
に対してくさび状の基準層厚を使用可能で、これ
らは相互に平行に移行している。2つの表面部分
は、これらが実質的に試料の反射特性に対し対称
となるようになつている。基準表面の2つの表面
部分における反射特性のくさび状移行によりある
一定範囲がカバーでき、その範囲内であれば、一
定の反射特性、たとえば試料表面上の層厚のよう
に表面のは反射性状に影響を与えるような数値を
測定可能である。
て、基準表面上になだらかに延在するくさび状基
準層厚、たとえば5nmないし500nmの範囲のも
のを設けることができる。このようになだらかに
延在するくさび状の基準層厚は通常かなり幅広の
消光線条すなわち測定線条をエリプソメータの接
眼レンズ内に形成し、したがつて測定精度は上が
ならい。この問題は本発明により、消光線条ない
し吸光線条の両側への強度分布の対称性を利用し
て、基準表面を2つの異なる反射特性を示す表面
部分に分割することで解決され、これらの反射特
性は一定方向に直線的に変化し、この場合基準表
面の2つの表面部分の反射特性の変化は等パーセ
ントであつて一定方向に移行している。この場合
層厚測定においては、基準表面の2つの表面部分
に対してくさび状の基準層厚を使用可能で、これ
らは相互に平行に移行している。2つの表面部分
は、これらが実質的に試料の反射特性に対し対称
となるようになつている。基準表面の2つの表面
部分における反射特性のくさび状移行によりある
一定範囲がカバーでき、その範囲内であれば、一
定の反射特性、たとえば試料表面上の層厚のよう
に表面のは反射性状に影響を与えるような数値を
測定可能である。
この場合検光子により2つの消光線条が得ら
れ、これらの重なり端縁領域ないしこれらの重な
り領域内の強度グレイ領域ないしグレイゾーン
は、試料の反射特性、とくに試料表面上に存在す
る層厚に対するシヤープな測定線を接眼レンズ内
に形成する。
れ、これらの重なり端縁領域ないしこれらの重な
り領域内の強度グレイ領域ないしグレイゾーン
は、試料の反射特性、とくに試料表面上に存在す
る層厚に対するシヤープな測定線を接眼レンズ内
に形成する。
実施例
添付図面により本発明の実施例をさらに詳細に
説明する。
説明する。
第8図からわかるように入射平行光線は偏光子
5により−45度に直線的に偏光される。この偏光
光線は基準表面2に入射し、これから反射され
る。基準表面2から反射された光は基準表面2の
種類に依存して楕円偏光される。この表面は反射
性状に影響を与える一定の特性を有し、第2図な
いし第6図に示す表面形状を有することができ
る。試料表面7は、光が試料表面に対し基準表面
2に対する入射角iと同一入射角iで入射するよ
うに配置されている。記載の実施例では、基準表
面2と試料表面7とは、その入射面が相互に直角
となるように配置されている。これにより光の偏
光方向は確実に90度回転される。すなわち試料表
面を離れる光は+45度に直線偏光されている。
5により−45度に直線的に偏光される。この偏光
光線は基準表面2に入射し、これから反射され
る。基準表面2から反射された光は基準表面2の
種類に依存して楕円偏光される。この表面は反射
性状に影響を与える一定の特性を有し、第2図な
いし第6図に示す表面形状を有することができ
る。試料表面7は、光が試料表面に対し基準表面
2に対する入射角iと同一入射角iで入射するよ
うに配置されている。記載の実施例では、基準表
面2と試料表面7とは、その入射面が相互に直角
となるように配置されている。これにより光の偏
光方向は確実に90度回転される。すなわち試料表
面を離れる光は+45度に直線偏光されている。
第8図に示すような基準表面2と試料表面7と
の配置の代りに、これら2つの表面の間で光の偏
光方向を90度回転させるような、例えばプリズム
のような光学要素を挿入することも可能である。
の配置の代りに、これら2つの表面の間で光の偏
光方向を90度回転させるような、例えばプリズム
のような光学要素を挿入することも可能である。
偏光子5と検光子6とは位置が固定され、それ
らの偏光方向は相互に直角をなしている。
らの偏光方向は相互に直角をなしている。
試料表面7の層厚測定のためにエリプソメータ
を使用するとき、基準表面2は実質的に同等の表
面部分3,4(第2図ないし第7図)を有し、こ
れらは、基盤本体1上にくさび状に延在する層を
設けたことにより、異なる反射特性を有してい
る。
を使用するとき、基準表面2は実質的に同等の表
面部分3,4(第2図ないし第7図)を有し、こ
れらは、基盤本体1上にくさび状に延在する層を
設けたことにより、異なる反射特性を有してい
る。
とくに第2図および第4図の実施例からわかる
ように、基盤本体1の表面上において(とくに第
2図からよくわかる)表面の半分の部分(表面部
分4)は層ないし薄膜で被覆され、その層厚はく
さび状に移行する。同様に表面部分3も層ないし
薄膜で被覆され、これらの層ないし薄膜も同様に
くさび状移行を示している。この2つの層厚の移
行は相互に平行であるが、表面部分3上の層は表
面部分4上の層より厚くしてある。層厚移行に沿
つての層厚差は、記載実施例においては5nmで
ある。記載実施例において表面部分4上では層厚
は15nmで始まる20nmで終る。表面部分3上で
は層厚は20nmで始まり25nmで終る。表面部分
3,4の2つの層は、同一屈折率を有する材料た
とえばSiO2、からなる。このように形成された
基準表面2が試料表面と共に比較エリプソメータ
内に挿入されると、試料表面の層厚が17.5nmと
27.5nmの範囲内であればこの層厚は正確に測定
される。この層厚範囲にあれば、基準表面2上の
この2つの表面部分3,4により、検光子6を介
して2つの消光線条ないし吸光線条が確実に形成
され、これらの端縁部分ないしグレイゾーンは重
なり合い、この重なり領域内に相当シヤープな測
定線が形成され、この線が指示目盛上に試料表面
7上の正確な層厚値を与える。
ように、基盤本体1の表面上において(とくに第
2図からよくわかる)表面の半分の部分(表面部
分4)は層ないし薄膜で被覆され、その層厚はく
さび状に移行する。同様に表面部分3も層ないし
薄膜で被覆され、これらの層ないし薄膜も同様に
くさび状移行を示している。この2つの層厚の移
行は相互に平行であるが、表面部分3上の層は表
面部分4上の層より厚くしてある。層厚移行に沿
つての層厚差は、記載実施例においては5nmで
ある。記載実施例において表面部分4上では層厚
は15nmで始まる20nmで終る。表面部分3上で
は層厚は20nmで始まり25nmで終る。表面部分
3,4の2つの層は、同一屈折率を有する材料た
とえばSiO2、からなる。このように形成された
基準表面2が試料表面と共に比較エリプソメータ
内に挿入されると、試料表面の層厚が17.5nmと
27.5nmの範囲内であればこの層厚は正確に測定
される。この層厚範囲にあれば、基準表面2上の
この2つの表面部分3,4により、検光子6を介
して2つの消光線条ないし吸光線条が確実に形成
され、これらの端縁部分ないしグレイゾーンは重
なり合い、この重なり領域内に相当シヤープな測
定線が形成され、この線が指示目盛上に試料表面
7上の正確な層厚値を与える。
第2図ないし第7図に示す実施例において、基
準表面2の表面部分3,4上の層において、表面
部分3上の層厚の大きい方の層の最小層厚値と表
面部分4上の層厚の小さい方の層の最大層厚値と
は等寸法を有している。たとえば第2図の実施例
では、表面部分3に存在する層の最小層厚値は
20nmを示し、一方この値は表面部分4上に存在
する最大層厚値(20nm)と等しい。表面部分
3,4上の平行に移行する2つの層厚の差は図示
の実施例では5nmに設定されている。これは、
図示の実施例において試料表面上の層厚が17.5n
mないし22.5nmの範囲にあればその層圧は正確
に測定可能であることを意味している。
準表面2の表面部分3,4上の層において、表面
部分3上の層厚の大きい方の層の最小層厚値と表
面部分4上の層厚の小さい方の層の最大層厚値と
は等寸法を有している。たとえば第2図の実施例
では、表面部分3に存在する層の最小層厚値は
20nmを示し、一方この値は表面部分4上に存在
する最大層厚値(20nm)と等しい。表面部分
3,4上の平行に移行する2つの層厚の差は図示
の実施例では5nmに設定されている。これは、
図示の実施例において試料表面上の層厚が17.5n
mないし22.5nmの範囲にあればその層圧は正確
に測定可能であることを意味している。
第1図からわかるように、消光線条ないし吸光
線条は放物線状の強度分布を有し、この分布は測
定層厚に対する利用測定値を示すdMにおける黒
度最大値の両側にほぼ対称的な移行を示してい
る。本発明においては、基準表面2上の基準層厚
は黒度最大値と両側に存在し、その全範囲にわた
つて△dという一定間隔を有するという薄膜層の
測定の際に現われる効果が利用されている。図示
の実施例においては△d=5nmである。
線条は放物線状の強度分布を有し、この分布は測
定層厚に対する利用測定値を示すdMにおける黒
度最大値の両側にほぼ対称的な移行を示してい
る。本発明においては、基準表面2上の基準層厚
は黒度最大値と両側に存在し、その全範囲にわた
つて△dという一定間隔を有するという薄膜層の
測定の際に現われる効果が利用されている。図示
の実施例においては△d=5nmである。
既述のとおり、第2図および第4図に示す実施
例では基準表面2はくさび状の平行層厚移行を有
する2つの表面部分3,4により形成され、これ
らの表面部分は5nmの差厚を有している。第3
図および第5図の実施例ではしま状ラスタが、第
6図の実施例では四角形状ラスタが、また第7図
の実施例では三角形状ラスタが設けられている。
基準表面の異なるくさび状層厚が設けられている
2つの表面部分3,4に対してはこれ以外のラス
タ形状の使用もまたもちろん可能である。
例では基準表面2はくさび状の平行層厚移行を有
する2つの表面部分3,4により形成され、これ
らの表面部分は5nmの差厚を有している。第3
図および第5図の実施例ではしま状ラスタが、第
6図の実施例では四角形状ラスタが、また第7図
の実施例では三角形状ラスタが設けられている。
基準表面の異なるくさび状層厚が設けられている
2つの表面部分3,4に対してはこれ以外のラス
タ形状の使用もまたもちろん可能である。
本発明においては単色光を使用するのが好まし
いが、これは得られる2つの測定線条が一色強度
分布となりその重なり領域にシヤープな輪郭を有
する測定線が形成されるからである。
いが、これは得られる2つの測定線条が一色強度
分布となりその重なり領域にシヤープな輪郭を有
する測定線が形成されるからである。
試料7が可動であることにより、試料表面の局
部的な厚肉部を確定可能である。このような厚肉
部はたとえば生物分子反応すなわち抗原−抗体反
応などで発生することがある。
部的な厚肉部を確定可能である。このような厚肉
部はたとえば生物分子反応すなわち抗原−抗体反
応などで発生することがある。
消光線条ないし吸光線条の強度分布のわずかな
非対称は、基準表面2の表面部分3,4のくさび
状層厚移行に関連して定められる読取り目盛を、
その非対称に対応させてずらすことによつて、補
償することができる。
非対称は、基準表面2の表面部分3,4のくさび
状層厚移行に関連して定められる読取り目盛を、
その非対称に対応させてずらすことによつて、補
償することができる。
本発明によりえられる測定精度は0.1nmのオー
ダである。
ダである。
記載実施例においては基準表面2の表面部分
3,4内の層厚移行はくさび状に形成されてい
る。しかしながら各表面部分3,4内の層厚移行
を直線的に形成しないで曲線状にすることもまた
可能であるが、この場合でも表面部分3,4の2
つの曲線状移行は相互に平行であり、すなわち2
つの表面部分3,4の層厚差は基準表面2全体に
わたり常に一定である。
3,4内の層厚移行はくさび状に形成されてい
る。しかしながら各表面部分3,4内の層厚移行
を直線的に形成しないで曲線状にすることもまた
可能であるが、この場合でも表面部分3,4の2
つの曲線状移行は相互に平行であり、すなわち2
つの表面部分3,4の層厚差は基準表面2全体に
わたり常に一定である。
さらに基準表面2上に2つの表面部分3,4を
多重配置とすることも可能である。この場合は、
試料において異なる反射特性、とくに異なる層厚
を有する対応する数だけの表面層を測定ないし求
めることが可能である。
多重配置とすることも可能である。この場合は、
試料において異なる反射特性、とくに異なる層厚
を有する対応する数だけの表面層を測定ないし求
めることが可能である。
第1図は比較エリプソメータの接眼レンズ内に
現れる測定線条の強度分布略図、第2図は基準表
面の実施例の断面略図、第3図は基準表面の他の
実施例の断面図、第4図は第2図の基準表面の平
面図、第5図は第3図の基準表面の平面図、第6
図は基準表面の他の実施例の平面図、第7図は基
準表面の他の実施例の平面図、第8図は比較エリ
プソメータの実施例の略図である。 1……基盤本体、2……基準表面、3,4……
表面部分、5……偏光子、6……検光子、7……
試料。
現れる測定線条の強度分布略図、第2図は基準表
面の実施例の断面略図、第3図は基準表面の他の
実施例の断面図、第4図は第2図の基準表面の平
面図、第5図は第3図の基準表面の平面図、第6
図は基準表面の他の実施例の平面図、第7図は基
準表面の他の実施例の平面図、第8図は比較エリ
プソメータの実施例の略図である。 1……基盤本体、2……基準表面、3,4……
表面部分、5……偏光子、6……検光子、7……
試料。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一方向に変化する反射特性を有する基準表面
2と試料表面とに偏光を指向させる偏光子5と、
検光子6とから成つており、これら基準表面と試
料表面とは、これら両表面への偏光の入射角が等
しくて且つこれら両入射面が互いに垂直となるよ
うに、又はこれら両表面間で偏光方向が90度回転
するように、排列されており、検光子6は、偏光
の進行方向において2番目に位置した表面から反
射された偏光のうちの、第1回目の反射前の偏光
状態と同じ偏光状態を有する部分を消すようにな
つている、試料7の表面の物理的特性又は表面上
に存在する層若しくは薄膜の物理的特性を検査す
るためのエリプソメトリ装置であつて、基準表面
2は反射特性の異なる2つの表面部分3,4を有
しており、これら表面部分の反射特性は、試料7
の測定すべき反射特性又は選択された反射特性に
対してほぼ対称的であり、これら表面部分に同時
に偏光が入射されることを特徴とするエリプソメ
トリ装置。 2 基準表面2の2つの表面部分3,4の反射特
性は、検光子6により消光線条のまわりに同一強
度分布を有する表面領域(グレイゾーン)を形成
するように調整されていることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の装置。 3 検光子6により2つの消光線条が形成され、
これらの消光線条の重なり端縁領域(グレイゾー
ン)はその重なり領域において試料7の反射特性
の測定線を形成することを特徴とする特許請求の
範囲第1項または第2項記載の装置。 4 試料表面の反射特性値は基準表面2の2つの
表面部分3,4の2つの反射特性値の間に存在す
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし
第3項のいずれかに記載の装置。 5 試料表面7の反射特性は基準表面2の2つの
表面部分3,4の反射特性の平均値にほぼ等しい
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第
4項のいずれかに記載の装置。 6 基準表面2の2つの表面部分3,4の反射特
性の差は変化方向にわたり同一に保たれることを
特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第5項の
いずれかに記載の装置。 7 基準表面2の2つの表面部分3,4の反射特
性の変化は直線的であることを特徴とする特許請
求の範囲第1項ないし第6項のいずれかに記載の
装置。 8 基準表面2の2つの表面部分3,4は相互に
平行に延在する厚みの異なる表面層を有すること
を特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第7項
のいずれかに記載の装置。 9 反射特性は2つの表面3,4に沿つて同一方
向に2つの表面部分3,4に対し等パーセント変
化を有することを特徴とする特許請求の範囲第1
項ないし第6項のいずれかに記載の装置。 10 2つの表面部分3,4は基準表面2の2つ
の半表面で形成されていることを特徴とする特許
請求の範囲第1項ないし第9項のいずれかに記載
の装置。 11 2つの表面部分3,4は2つの反射特性が
交互に交代するしま状ラスタ(第5図)で形成さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
ないし第9項のいずれかに記載の装置。 12 2つの表面部分3,4は四角形状(第6
図)または三角形状(第7図)のラスタで形成さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
ないし第9項のいずれかに記載の装置。 13 2つの表面部分3,4は実質的に同一表面
を有することを特徴とする特許請求の範囲第1項
ないし第12項のいずれかに記載の装置。 14 試料7は可動に配置されていることを特徴
とする特許請求の範囲第1項ないし第13項のい
ずれかに記載の装置。 15 消光線条まわりの光線強度分布の非対称を
調節するために読取り目盛をそれに応じて移動す
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし
第14項のいずれかに記載の装置。 16 消光線条のまわりの光線強度分布の非対称
を調節するため目盛部分の間隔はそれに応じて異
つていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
ないし第15項のいずれかに記載の装置。 17 基準表面2上で、層厚の大きい方の表面部
分3上のくさび状層の最小層厚値は、層厚の小さ
い方の表面部分4上の最大層厚値と等しいことを
特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第16項
のいずれかに記載の装置。 18 基準表面2上で2つの表面部分3,4の多
重配置が行われていることを特徴とする特許請求
の範囲第1項ないし、第17項のいずれかに記載
の装置。 19 2つの表面部分の2重配置が行われている
ことを特徴とする特許請求の範囲第13項に記載
の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3434575.2 | 1984-09-20 | ||
| DE3434575A DE3434575C1 (de) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | Ellipsometrische Vorrichtung zur Untersuchung der physikalischen Eigenschaften der Oberflaeche einer Probe |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61258104A JPS61258104A (ja) | 1986-11-15 |
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