JPH0478133A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH0478133A JPH0478133A JP2192465A JP19246590A JPH0478133A JP H0478133 A JPH0478133 A JP H0478133A JP 2192465 A JP2192465 A JP 2192465A JP 19246590 A JP19246590 A JP 19246590A JP H0478133 A JPH0478133 A JP H0478133A
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0418—Apparatus for fluid treatment for etching
- H10P72/0421—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
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- H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｕ発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、プラズマ処理装置に関する。
（従来の技術）
プラズマ処理装置例えばプラズマエツチング装置では、
真空下で被処理体であるウェハ等を載置固定するために
静電チャックを用いている。この静電チャックは、サセ
プター上に設置され、絶縁層間に導電体を介在させるこ
とで構成される。
真空下で被処理体であるウェハ等を載置固定するために
静電チャックを用いている。この静電チャックは、サセ
プター上に設置され、絶縁層間に導電体を介在させるこ
とで構成される。
そして、この導電体を一方の電極とし、他方の電極は上
記導電体と離れた位置にある例えばチャンバーを接地し
て構成する。そして、プラズマ生成時にはプラズマを通
してウェハを接地し、かつ、前記導電体に高電圧を印加
することで、上記絶縁層を介して設置されたウェハ、導
電体間にクーロン力を作用させ、静電チャック上にウェ
ハを吸着保持するものである。従って、この静電チャッ
クの前記導電体に接続する高圧ケーブルを要する。
記導電体と離れた位置にある例えばチャンバーを接地し
て構成する。そして、プラズマ生成時にはプラズマを通
してウェハを接地し、かつ、前記導電体に高電圧を印加
することで、上記絶縁層を介して設置されたウェハ、導
電体間にクーロン力を作用させ、静電チャック上にウェ
ハを吸着保持するものである。従って、この静電チャッ
クの前記導電体に接続する高圧ケーブルを要する。
一方、ウェハ面上に上記プラズマを生成するためには、
例えばＲＩＥ方式のプラズマ処理装置では、上記サセプ
ターにＲＦ電力を供給し、このサセプターの対向電極と
しての上記チャンバー等を接地している。従って、サセ
プターにＲＦパワーを給電するだめの給電棒を要する。
例えばＲＩＥ方式のプラズマ処理装置では、上記サセプ
ターにＲＦ電力を供給し、このサセプターの対向電極と
しての上記チャンバー等を接地している。従って、サセ
プターにＲＦパワーを給電するだめの給電棒を要する。
（発明が解決しようとする課題）
サセプターと前記静電チャックの導電体とは絶縁層を介
して対向配置されるので、面積の大きなコンデンサを形
成することになる。
して対向配置されるので、面積の大きなコンデンサを形
成することになる。
ここで、サセプターにＲＦを供給すると、このサセプタ
ーと導電体とで構成されるコンデンサは高周波を通過さ
せるため、サセプターに供給されたＲＦ主電流上記コン
デンサを介して静電チ＋ツタの導電体に流れ込んでしま
う。
ーと導電体とで構成されるコンデンサは高周波を通過さ
せるため、サセプターに供給されたＲＦ主電流上記コン
デンサを介して静電チ＋ツタの導電体に流れ込んでしま
う。
さらに、静電チャックの導電体に流れ込んたＲＦ主電流
、前記導電体に接続された高電圧印加用ケーブルに流れ
込んでしまう。このため、前記を一プルがアンテナとな
ってＲＦを徹き散らすという問題かあった。すなわち、
このケーブルの周囲に存在するアース部とケーブルとか
カップリンクして、コンデンサ作用によりＲＦの漏れを
生していた。
、前記導電体に接続された高電圧印加用ケーブルに流れ
込んでしまう。このため、前記を一プルがアンテナとな
ってＲＦを徹き散らすという問題かあった。すなわち、
このケーブルの周囲に存在するアース部とケーブルとか
カップリンクして、コンデンサ作用によりＲＦの漏れを
生していた。
また、静電チャックにＲＦが流れ込むことで、サセプタ
ーと静電チャックの導電体と間の絶縁層が破壊され、両
者間がショートしてしまうという問題があった。
ーと静電チャックの導電体と間の絶縁層が破壊され、両
者間がショートしてしまうという問題があった。
そこで、本発明の目的とするところは、ＲＦの漏れを低
減することができ、さらには静電チャックの絶縁層破壊
を防止できるプラズマ処理装置を提供することにある。
減することができ、さらには静電チャックの絶縁層破壊
を防止できるプラズマ処理装置を提供することにある。
［発明の目的］
（課題を解決するための手段）
を生成して上記被処理体を処理するプラズマ処理装置に
おいて、 上記サセプターに高周波電力を給電するＲＦＦ電棒を外
側が接地側、内側が高周波電力印加側の二重管構造とし
、その内側の管の内部に、上部サセプターに電気的に導
通するか、あるいは絶縁されているか上記サセプターと
浮遊容量を持つ様に配置されたケーブルを設置したこと
を特徴とする。
おいて、 上記サセプターに高周波電力を給電するＲＦＦ電棒を外
側が接地側、内側が高周波電力印加側の二重管構造とし
、その内側の管の内部に、上部サセプターに電気的に導
通するか、あるいは絶縁されているか上記サセプターと
浮遊容量を持つ様に配置されたケーブルを設置したこと
を特徴とする。
さらに、直流電源から高電圧を供給して被処理体を吸着
保持する静電チャックを上記サセプター上に設置し、上
記静電チャックへの高電圧印加ケーブルを上記高周波給
電棒のシールド部材の内部に設置するものが好ましい。
保持する静電チャックを上記サセプター上に設置し、上
記静電チャックへの高電圧印加ケーブルを上記高周波給
電棒のシールド部材の内部に設置するものが好ましい。
また、上記高周波給電棒の内部に設置された上記ケーブ
ルに、接地側に対してインピーダンスの高くなるような
フィルターを設置することともてきる。
ルに、接地側に対してインピーダンスの高くなるような
フィルターを設置することともてきる。
（作 用）
高電圧ケーブルからのＲＦの漏れを防止するには、この
高電圧ケーブルをＲＦと同電位のものでシールドすれば
よい。本発明では、二重管のＲＦＦ電棒の内管の内部に
ケーブル例えば高電圧印加用ケーブルを通している。従
って、例えば高電圧印加用ケーブルの周囲は、このケー
ブルを流れるＲＦと同電位であるＲＦ給給電下あるシー
ルド部材により覆われ、この高電圧ケーブルの近くにア
ース部なとのカップリングを生ずる異電位の部材が存在
しないため、高電圧ケーブルからのＲＦの漏れを十分低
減できる。
高電圧ケーブルをＲＦと同電位のものでシールドすれば
よい。本発明では、二重管のＲＦＦ電棒の内管の内部に
ケーブル例えば高電圧印加用ケーブルを通している。従
って、例えば高電圧印加用ケーブルの周囲は、このケー
ブルを流れるＲＦと同電位であるＲＦ給給電下あるシー
ルド部材により覆われ、この高電圧ケーブルの近くにア
ース部なとのカップリングを生ずる異電位の部材が存在
しないため、高電圧ケーブルからのＲＦの漏れを十分低
減できる。
また、この漏れを低減することで、高電圧ケーブルのＲ
Ｆに対する電気的抵抗を大きくてき、結果として高電圧
ケーブルに流れ込むＲＦ主電流少なくできる。
Ｆに対する電気的抵抗を大きくてき、結果として高電圧
ケーブルに流れ込むＲＦ主電流少なくできる。
また、請求項（３）に示すフィルタを設けることで、高
電圧ケーブルのＲＦに対する電気的抵抗を増大でき、ま
た、直流電源へのＲＦの流れ込みを防止できる。
電圧ケーブルのＲＦに対する電気的抵抗を増大でき、ま
た、直流電源へのＲＦの流れ込みを防止できる。
（実施例）
以下、本発明をプラズマエツチング装置に適用した一実
施例について、図面を参照して具体的に説明する。
施例について、図面を参照して具体的に説明する。
被処理体である半導体ウェハ１０は、静電チャック１２
上に載置される。この静電チャック１２は、例えばポリ
イミド等からなる２枚の絶縁層１６．１６間に、銅等か
らなる導電体１４を介在配置して構成される。この静電
チャック１２は、第１のサセプター２０上に固定される
。そして、この第１のサセプター２０の上面に固定され
る静電チャック１２の形状は、第１のサセプター２０と
同一の形状例えば円形形状に形成されている。
上に載置される。この静電チャック１２は、例えばポリ
イミド等からなる２枚の絶縁層１６．１６間に、銅等か
らなる導電体１４を介在配置して構成される。この静電
チャック１２は、第１のサセプター２０上に固定される
。そして、この第１のサセプター２０の上面に固定され
る静電チャック１２の形状は、第１のサセプター２０と
同一の形状例えば円形形状に形成されている。
また、この静電チャック１２の前記導電体１４に給電す
るために、帯状の給電部１２ａが、前記第１のサセプタ
ー２０の側壁を辿ってその裏面に引出されている。前記
第１のサセプター２０は、第２のサセプター２２の上面
に着脱自在に固定されている。この第２のサセプター２
２は、被処理体であるウェハ１０を冷却するだめの冷却
部（図示せず）を内蔵している。このように、サセプタ
ーを２つに分割している理由は、プラズマエツチング工
程によりサセプターが汚染された場合に、その上側の第
１のサセプター２０のみを交換し、メインテナンスを容
易とするためである。
るために、帯状の給電部１２ａが、前記第１のサセプタ
ー２０の側壁を辿ってその裏面に引出されている。前記
第１のサセプター２０は、第２のサセプター２２の上面
に着脱自在に固定されている。この第２のサセプター２
２は、被処理体であるウェハ１０を冷却するだめの冷却
部（図示せず）を内蔵している。このように、サセプタ
ーを２つに分割している理由は、プラズマエツチング工
程によりサセプターが汚染された場合に、その上側の第
１のサセプター２０のみを交換し、メインテナンスを容
易とするためである。
第１．第２のサセプター２０．２２の側面および底面は
、絶縁体２４によって覆われている。
、絶縁体２４によって覆われている。
反応室を形成するためのチャンバーは、下部チャンバー
２６と上部チャンバー２８とから構成される。前記下部
チャンバー２６は、第１のサセプター２０のウェハ載置
面側のみをチャンバー室内に露出し、他の部分を覆うよ
うな有底筒部を何し、その下端側が前記上部チャンバー
２８と連結されることで、気密容器を構成している。な
お、本実施ＮではＲＩＥ方式のプラズマエツチングを採
用しており、従って第１のサセプター２０の対向電極を
構成する前記上部チャンバー２８が接地され、前記第１
のサセプター２０かＲＦカソードとして機能することに
なる。また、上部チャンバー２８を接地することで、プ
ラスマ生成時にはウェハ１０を接地することができ、前
記静電チャック１２に高電圧を印加することで、いわゆ
るモノボール型の静電チャックを構成でき、ウニ１１１
０を静電チャック１２上に吸着てきる。さらに、第１゜
第２のサセプター２０．２２の内部は真空引きか可能で
あると共に、エツチングガスが導入可能である。本実施
例ではマグネトロンプラズマエツチングを採用し、前記
上部チャンバー２８の上方であって、前記ウェハ１０と
対向する位置に永久磁石を回転可能とし、ウェハ１０の
近傍にその面と平行な磁場を形成できるようにしている
。
２６と上部チャンバー２８とから構成される。前記下部
チャンバー２６は、第１のサセプター２０のウェハ載置
面側のみをチャンバー室内に露出し、他の部分を覆うよ
うな有底筒部を何し、その下端側が前記上部チャンバー
２８と連結されることで、気密容器を構成している。な
お、本実施ＮではＲＩＥ方式のプラズマエツチングを採
用しており、従って第１のサセプター２０の対向電極を
構成する前記上部チャンバー２８が接地され、前記第１
のサセプター２０かＲＦカソードとして機能することに
なる。また、上部チャンバー２８を接地することで、プ
ラスマ生成時にはウェハ１０を接地することができ、前
記静電チャック１２に高電圧を印加することで、いわゆ
るモノボール型の静電チャックを構成でき、ウニ１１１
０を静電チャック１２上に吸着てきる。さらに、第１゜
第２のサセプター２０．２２の内部は真空引きか可能で
あると共に、エツチングガスが導入可能である。本実施
例ではマグネトロンプラズマエツチングを採用し、前記
上部チャンバー２８の上方であって、前記ウェハ１０と
対向する位置に永久磁石を回転可能とし、ウェハ１０の
近傍にその面と平行な磁場を形成できるようにしている
。
次に、前記静電チャック１２およびサセプターへの給電
について説明する。
について説明する。
第１のサセプター２０にＲＦ電力を給電するために、第
２のサセプター２２を貫通するようにＲＦ給電棒３０が
配設されている。このＲＦ給電棒３０は、接地側の外側
管であるＲＦ給電棒３０ｂと、内側のＲＦ側のＲＦ給電
棒３０ａとから成る二重管として構成されている（第２
図をも参照）。
２のサセプター２２を貫通するようにＲＦ給電棒３０が
配設されている。このＲＦ給電棒３０は、接地側の外側
管であるＲＦ給電棒３０ｂと、内側のＲＦ側のＲＦ給電
棒３０ａとから成る二重管として構成されている（第２
図をも参照）。
そして、ＲＦ給電棒３０ａは、ＲＦシールドのためにそ
の周囲が図示しない接地側のＲＦ給電棒３０ｂによりシ
ールドされ、その上端側は、前記第１のサセプター２０
と電気的に接続され、その下端側にはケーブルを介して
ＲＦ電源３６が接続されている。また、このＲＦ給電棒
３０の上面と前記第１のサセプター２０の下面との間に
Ｏリング３４が配置され、その下側の給電ルートを常圧
下に設定している。このＲＦ給電棒３０ａの軸方向に沿
って中空部３２が形成され、この中空部３２内には前記
静電チャック１２に高電圧を印加するための高電圧印加
用ケーブル４０が同軸的に配設されている。この高電圧
印加用ケーブル４０の上端は、前記ＲＦ給電棒３０と絶
縁して固定された印加ヘッド４２と接続され、この印加
ヘッド４２は前記静電チャック１２の導電体１４と電気
的に接続されている。また、ＲＦ給電棒３０ａより取出
された下端側には直流電源４４か接続されている。さら
に、前記ＲＦ給電棒３０より外側に取出された前記高電
圧印加用ケーブル４０にはコイル４６が直列接続され、
このコイル４６とグランドとの間には前記直流電源４４
と並列的にコンデンサ４８が接続されている。前記コイ
ル４６は、■３．５６ＭｔｌｚのＲＦに対して大きなり
ダクタンスを有し、ＲＦに対して大きな電気的抵抗を有
するよう構成している。また、このコイル４６と前記コ
ンデンサ４８とてローパスフィルタ５０を構成している
。
の周囲が図示しない接地側のＲＦ給電棒３０ｂによりシ
ールドされ、その上端側は、前記第１のサセプター２０
と電気的に接続され、その下端側にはケーブルを介して
ＲＦ電源３６が接続されている。また、このＲＦ給電棒
３０の上面と前記第１のサセプター２０の下面との間に
Ｏリング３４が配置され、その下側の給電ルートを常圧
下に設定している。このＲＦ給電棒３０ａの軸方向に沿
って中空部３２が形成され、この中空部３２内には前記
静電チャック１２に高電圧を印加するための高電圧印加
用ケーブル４０が同軸的に配設されている。この高電圧
印加用ケーブル４０の上端は、前記ＲＦ給電棒３０と絶
縁して固定された印加ヘッド４２と接続され、この印加
ヘッド４２は前記静電チャック１２の導電体１４と電気
的に接続されている。また、ＲＦ給電棒３０ａより取出
された下端側には直流電源４４か接続されている。さら
に、前記ＲＦ給電棒３０より外側に取出された前記高電
圧印加用ケーブル４０にはコイル４６が直列接続され、
このコイル４６とグランドとの間には前記直流電源４４
と並列的にコンデンサ４８が接続されている。前記コイ
ル４６は、■３．５６ＭｔｌｚのＲＦに対して大きなり
ダクタンスを有し、ＲＦに対して大きな電気的抵抗を有
するよう構成している。また、このコイル４６と前記コ
ンデンサ４８とてローパスフィルタ５０を構成している
。
このローパスフィルタは、接地側に対してインピーダン
スが高くなっている。
スが高くなっている。
次に、作用について説明する。
下部チャンバー２６および上部チャンバー２８で構成さ
れるチャンバー内には、ゲートを介してウェハ１０が搬
入され、静電チャック１２上に載置される。また、チャ
ンバー内を所定真空度に真空引きした後、このチャンバ
ー内にエツチングガスが導入され、さらに前記第１のサ
セプター２０および上部チャンバー２８で構成される対
向電極間にＲＦパワーを供給し、この対向電極間にエツ
チングガスによるプラズマを形成する。その後、静電チ
ャック１２の給電ルート途中のスイッチ（図示せず）が
ＯＮされ、直流電源４４．高電圧印加用ケーブル４０お
よび印加ヘッド４２を介して、静電チャック１２の導電
体１４に例えば１〜２Ｋｖの高電圧が印加され、一方つ
エバ１０はプラズマを介して接地されるので、ウェハ１
０にクーロン力が作用し、前記ウェハ１０を静電チャッ
ク１２上に吸着固定できる。これと同時に、永久磁石（
図示せず）を回転駆動することて、前記静電チャック１
２に吸着保持されたウニｌ＼１０の近傍に水平磁場を形
成し、イオンの飛翔方向を９１７１１０表面に垂直とす
ることで、異方性の高いプラズマエツチングが行われる
ことになる。
れるチャンバー内には、ゲートを介してウェハ１０が搬
入され、静電チャック１２上に載置される。また、チャ
ンバー内を所定真空度に真空引きした後、このチャンバ
ー内にエツチングガスが導入され、さらに前記第１のサ
セプター２０および上部チャンバー２８で構成される対
向電極間にＲＦパワーを供給し、この対向電極間にエツ
チングガスによるプラズマを形成する。その後、静電チ
ャック１２の給電ルート途中のスイッチ（図示せず）が
ＯＮされ、直流電源４４．高電圧印加用ケーブル４０お
よび印加ヘッド４２を介して、静電チャック１２の導電
体１４に例えば１〜２Ｋｖの高電圧が印加され、一方つ
エバ１０はプラズマを介して接地されるので、ウェハ１
０にクーロン力が作用し、前記ウェハ１０を静電チャッ
ク１２上に吸着固定できる。これと同時に、永久磁石（
図示せず）を回転駆動することて、前記静電チャック１
２に吸着保持されたウニｌ＼１０の近傍に水平磁場を形
成し、イオンの飛翔方向を９１７１１０表面に垂直とす
ることで、異方性の高いプラズマエツチングが行われる
ことになる。
ここで、本実施例ではＲＦ電源３６．ＲＦ給電棒３０を
介して第１のサセプター２０にＲＦを供給しているが、
このＲＦが高電圧印加用ケーブル４０に流れ込むことを
大幅に低減している。
介して第１のサセプター２０にＲＦを供給しているが、
このＲＦが高電圧印加用ケーブル４０に流れ込むことを
大幅に低減している。
まず、ＲＦ給電棒３０と高電圧印加用ケーブル４０とを
同軸的に配設した作用について説明する。
同軸的に配設した作用について説明する。
第１のサセプター２０と前記静電チャック１２における
導電体１４とは面積の大きなコンデンサを形成し、この
コンデンサを介して前記第１のサセプター２０に供給さ
れるＲＦ雷電流通過可能となる。従って、このＲＦ雷電
流、第１のサセプター２０＝導電体１４−印加ヘッド４
２−高電圧印加用ケーブル４０のルートに沿って流れ込
むことになる。
導電体１４とは面積の大きなコンデンサを形成し、この
コンデンサを介して前記第１のサセプター２０に供給さ
れるＲＦ雷電流通過可能となる。従って、このＲＦ雷電
流、第１のサセプター２０＝導電体１４−印加ヘッド４
２−高電圧印加用ケーブル４０のルートに沿って流れ込
むことになる。
ところで、この高電圧印加用ケーブル４０が前記ＲＦ給
電棒３０ａの中空部３２に配設されている領域において
は、高電圧印加用ケーブル４０の周囲はＲＦ給電棒３０
ａに覆われていることになる。ここて、前記ＲＦ給電棒
３０ａを流れるＲＦ雷電流、前記高電圧印加用ケーブル
４０に流れ込むＲＦ雷電流は同位相２同電位の電流であ
る。従って、ＲＦ雷電流流れ込む高電圧印加用ケーブル
４０の周囲は、これと同電位のＲＦ給電棒３０ａに覆わ
れていることになる。換言すれば、ＲＦ雷電流流れ込む
高電圧印加用ケーブル４０の周囲には、異電位の部材例
えばグランド部等が存在しないため、このグランド部等
との間でカップリングが生じてＲＦ雷電流洩れることを
防止でき、この高電圧印加用ケーブル４０からＲＦを撒
き散す事態を防止するシールド効果を実現できる。この
ように、ＲＦ給電棒３０ａの中空部３２に高電圧印加用
ケーブル４０を同軸的に配設することで、ＲＦ給電棒３
０をＲＦのシールド部材として兼用でき、高電圧印加用
ケーブル４０か従来のようにアンテナとなってＲＦを撒
き散すという事態を大幅に低減できる。さらに、この反
射的効果として、高電圧印加用ケーブル４０より洩れる
ＲＦｉ流を低減することて、その分この高電圧印加用ケ
ーブル４０に流れ込むＲＦ雷電流少なくできる。
電棒３０ａの中空部３２に配設されている領域において
は、高電圧印加用ケーブル４０の周囲はＲＦ給電棒３０
ａに覆われていることになる。ここて、前記ＲＦ給電棒
３０ａを流れるＲＦ雷電流、前記高電圧印加用ケーブル
４０に流れ込むＲＦ雷電流は同位相２同電位の電流であ
る。従って、ＲＦ雷電流流れ込む高電圧印加用ケーブル
４０の周囲は、これと同電位のＲＦ給電棒３０ａに覆わ
れていることになる。換言すれば、ＲＦ雷電流流れ込む
高電圧印加用ケーブル４０の周囲には、異電位の部材例
えばグランド部等が存在しないため、このグランド部等
との間でカップリングが生じてＲＦ雷電流洩れることを
防止でき、この高電圧印加用ケーブル４０からＲＦを撒
き散す事態を防止するシールド効果を実現できる。この
ように、ＲＦ給電棒３０ａの中空部３２に高電圧印加用
ケーブル４０を同軸的に配設することで、ＲＦ給電棒３
０をＲＦのシールド部材として兼用でき、高電圧印加用
ケーブル４０か従来のようにアンテナとなってＲＦを撒
き散すという事態を大幅に低減できる。さらに、この反
射的効果として、高電圧印加用ケーブル４０より洩れる
ＲＦｉ流を低減することて、その分この高電圧印加用ケ
ーブル４０に流れ込むＲＦ雷電流少なくできる。
前記高電圧印加用ケーブル４０へのＲＦ雷電流流れ込み
を防止する点に関しては、前記フィルタ５０による作用
が効果的である。すなわち、高電圧印加用ケーブル４０
に直列接続されたコイル４６として、１３ 、５６ＭＩ
（ｚのＲＦに対してリダクタンスの大きいコイルを選択
しておけば、この高電圧印加用ケーブル４２に流れ込む
ＲＦ雷電流従来よりも１／１００〜１ ／ １０００に
大幅に低減することが確認できた。このように、上記の
構成と併せてコイル４６を高電圧印加用ケーブル４０に
直列接続することて、高電圧印加用ケーブル４０に流れ
込むＲＦ雷電流従来よりも大幅に低減でき、コンデンサ
を形成する前記第１のサセプター２０と導電体１４との
間の絶縁層１６が破壊されることを効果的に防止できる
。さらに、コイル４６とコンデンサ４８とてローパスフ
ィルタ５０を構成することて、前記コイル４６を流れる
微小なＲＦ電流はコンデンサ４８を介してグランドに落
されるため、直流電源４４側にＲＦ￥１流が流れ込むこ
とを防止できる。
を防止する点に関しては、前記フィルタ５０による作用
が効果的である。すなわち、高電圧印加用ケーブル４０
に直列接続されたコイル４６として、１３ 、５６ＭＩ
（ｚのＲＦに対してリダクタンスの大きいコイルを選択
しておけば、この高電圧印加用ケーブル４２に流れ込む
ＲＦ雷電流従来よりも１／１００〜１ ／ １０００に
大幅に低減することが確認できた。このように、上記の
構成と併せてコイル４６を高電圧印加用ケーブル４０に
直列接続することて、高電圧印加用ケーブル４０に流れ
込むＲＦ雷電流従来よりも大幅に低減でき、コンデンサ
を形成する前記第１のサセプター２０と導電体１４との
間の絶縁層１６が破壊されることを効果的に防止できる
。さらに、コイル４６とコンデンサ４８とてローパスフ
ィルタ５０を構成することて、前記コイル４６を流れる
微小なＲＦ電流はコンデンサ４８を介してグランドに落
されるため、直流電源４４側にＲＦ￥１流が流れ込むこ
とを防止できる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
例えば、高電圧印加用ケーブルは、ＲＦ給電棒の中空部
内部に設置するものに限らず、このＲＦ給電棒をシール
ドするシールド部材内部にて、ＲＦ給電棒と沿わせて配
設しても同様の効果を奏することができる。また、本発
明は必ずしもマグネトロンプラズマエツチングに適用す
るものに限らず、少なくとも静電チャックを有するプラ
ズマ処理装置であれば同様な効果を奏することができる
。
内部に設置するものに限らず、このＲＦ給電棒をシール
ドするシールド部材内部にて、ＲＦ給電棒と沿わせて配
設しても同様の効果を奏することができる。また、本発
明は必ずしもマグネトロンプラズマエツチングに適用す
るものに限らず、少なくとも静電チャックを有するプラ
ズマ処理装置であれば同様な効果を奏することができる
。
以上は静電チャックに高電圧を印加するケーブルに本発
明を適用したものについて述べたが、例えばＲＦが給電
されるサセプターの温度を計るために熱電対をサセプタ
ーに接触させ、そのケーブルに幻しても本発明を適用す
ることかできる。
明を適用したものについて述べたが、例えばＲＦが給電
されるサセプターの温度を計るために熱電対をサセプタ
ーに接触させ、そのケーブルに幻しても本発明を適用す
ることかできる。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、サセプターにＲＦ
電力を供給し、二のサセプターに固定される静電チャッ
クに高電圧を印加するプラズマ処理装置であっても、Ｒ
Ｆ電流が流れ込む高電圧印加用ケーブルをシールドする
ことて、高電圧印加用ケーブルからのＲＦの撒き散しを
大幅に低減できる。また、高電圧印加用ケーブルにＬＣ
フィルタを接続することで、この高電圧印加用ケーブル
に流れ込むＲＦ電流を大幅に低減できる。
電力を供給し、二のサセプターに固定される静電チャッ
クに高電圧を印加するプラズマ処理装置であっても、Ｒ
Ｆ電流が流れ込む高電圧印加用ケーブルをシールドする
ことて、高電圧印加用ケーブルからのＲＦの撒き散しを
大幅に低減できる。また、高電圧印加用ケーブルにＬＣ
フィルタを接続することで、この高電圧印加用ケーブル
に流れ込むＲＦ電流を大幅に低減できる。
以上は静電チャックに高電圧を印加するケーブルについ
て本発明の一実施例を述べたが、例えばＲＦが給電され
るサセプターの温度を測るため熱電対をサセプターに接
触させ、そのケーブルに対しても本発明が適用できる。
て本発明の一実施例を述べたが、例えばＲＦが給電され
るサセプターの温度を測るため熱電対をサセプターに接
触させ、そのケーブルに対しても本発明が適用できる。
第１図は、本発明を適用したプラズマエツチング装置の
概略断面図、 第２図は、ＲＦ給電棒の購断面図である。 １０・・・被処理体、１２・・・静電チャ・ンク、１４
・・・導電体、１６・・・絶縁層、２０．２２・・・サ
セプター ３０・・・ＲＦＭ電捧、３２・・・中空部、
３６・・・ＲＦ電源、４０・・・高電圧印加用ケーブル
、 ４４・・・直流電源、４６・・・コイル、４８・・・コ
ンデンサ、５０・・・フィルタ。 第１図 代理人 弁理士 井 上 −（他１名）１１Ｆ２
図 〈高圧印加用ケーブル （ＧＮＤ側）
概略断面図、 第２図は、ＲＦ給電棒の購断面図である。 １０・・・被処理体、１２・・・静電チャ・ンク、１４
・・・導電体、１６・・・絶縁層、２０．２２・・・サ
セプター ３０・・・ＲＦＭ電捧、３２・・・中空部、
３６・・・ＲＦ電源、４０・・・高電圧印加用ケーブル
、 ４４・・・直流電源、４６・・・コイル、４８・・・コ
ンデンサ、５０・・・フィルタ。 第１図 代理人 弁理士 井 上 −（他１名）１１Ｆ２
図 〈高圧印加用ケーブル （ＧＮＤ側）
Claims (3)
- （１）サセプターに高周波電力を給電し、上記サセプタ
ーとこの対向電極との間にプラズマを生成して上記被処
理体を処理するプラズマ処理装置において、 上記サセプターに高周波電力を給電するＲＦ給電棒を外
側が接地側、内側が高周波電力印加側の二重管構造とし
、その内側の管の内部に、上部サセプターに電気的に導
通するか、あるいは絶縁されているが上記サセプターと
浮遊容量を持つ様に配置されたケーブルを設置したこと
を特徴とするプラズマ処理装置。 - （２）請求項（１）において、 直流電源から高電圧を供給して被処理体を吸着保持する
静電チャックを上記サセプター上に設置し、上記静電チ
ャックへの高電圧印加ケーブルを上記高周波給電棒のシ
ールド部材の内部に設置したことを特徴とするプラズマ
処理装置。 - （３）請求項（１）または（２）において、上記高周波
給電棒の内部に設置された上記ケーブルに、接地側に対
してインピーダンスの高くなるようなフィルターを設置
したことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2192465A JPH0478133A (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | プラズマ処理装置 |
| US07/731,475 US5250137A (en) | 1990-07-20 | 1991-07-17 | Plasma treating apparatus |
| KR1019910012352A KR0155568B1 (ko) | 1990-07-20 | 1991-07-19 | 플라즈마 처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2192465A JPH0478133A (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0478133A true JPH0478133A (ja) | 1992-03-12 |
Family
ID=16291750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2192465A Pending JPH0478133A (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | プラズマ処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5250137A (ja) |
| JP (1) | JPH0478133A (ja) |
| KR (1) | KR0155568B1 (ja) |
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| CN112838040B (zh) * | 2019-11-25 | 2023-10-20 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种晶圆夹持装置和等离子体处理设备 |
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