JPH047816A - レジスト塗布方法 - Google Patents
レジスト塗布方法Info
- Publication number
- JPH047816A JPH047816A JP2108593A JP10859390A JPH047816A JP H047816 A JPH047816 A JP H047816A JP 2108593 A JP2108593 A JP 2108593A JP 10859390 A JP10859390 A JP 10859390A JP H047816 A JPH047816 A JP H047816A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- resist
- discharge port
- motor
- resist film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体製造工程のフォトリソグラフィ工程に
おいて、均一なレジスト膜厚を得るレジ（発明の概要〕 本発明は、半導体基板にレジストを塗布するに際し、半
導体基板を保持する保持台を回転させる機構、その角速
度を検出する機構、しシストを塗布するための吐出口を
半導体基板の半径方向に移動する機構とを有し、吐出口
を半導体基板の中心部から周縁部に移動する距離に対応
して、角速度を高速から低速に変化させる１／シスト塗
布方法である。この方法を用いれば、レジスト膜厚が半
導体基板の全面にわたって均一となり１．ピンホール等
の欠陥の少ないレジスト膜を得ることができる。
おいて、均一なレジスト膜厚を得るレジ（発明の概要〕 本発明は、半導体基板にレジストを塗布するに際し、半
導体基板を保持する保持台を回転させる機構、その角速
度を検出する機構、しシストを塗布するための吐出口を
半導体基板の半径方向に移動する機構とを有し、吐出口
を半導体基板の中心部から周縁部に移動する距離に対応
して、角速度を高速から低速に変化させる１／シスト塗
布方法である。この方法を用いれば、レジスト膜厚が半
導体基板の全面にわたって均一となり１．ピンホール等
の欠陥の少ないレジスト膜を得ることができる。
半導体装置のパターンを形成するには７、通常フォトリ
ソグラフィ工程を用いて選択的に加工ｔ７ている。この
フォトリソグラフィ工程においては、加工精度に応じて
、可視光線、紫外線、Ｘ線、電子線等に感応するフォト
レジスト（以下レジストという）を、半導体基板（以下
ウェハという）等の表面に塗布し、露光および現像処理
を行いパターンを形成することができる。
ソグラフィ工程を用いて選択的に加工ｔ７ている。この
フォトリソグラフィ工程においては、加工精度に応じて
、可視光線、紫外線、Ｘ線、電子線等に感応するフォト
レジスト（以下レジストという）を、半導体基板（以下
ウェハという）等の表面に塗布し、露光および現像処理
を行いパターンを形成することができる。
近年、ＬＳＩのような高集積半導体装置を実現するため
に、レジスト膜厚ができるだけ薄く、かつ均一であって
、しかも下地の膜との密着性が良好である必要があり、
これらの条件を満足させるための改善が種々なされてき
た。
に、レジスト膜厚ができるだけ薄く、かつ均一であって
、しかも下地の膜との密着性が良好である必要があり、
これらの条件を満足させるための改善が種々なされてき
た。
例えば、第４図に示すようなレジストの回転塗布の回転
数を２ステツプで行う方法が提案されていた（特開昭６
０−１１５２２４号公報）。まず、第４図ａに示すよう
に、ウェハ１を回転塗布装置の保持台２に保持し、初期
のレジスト３をウェハ中心部に吐出する。次に、第４図
すに示すように、保持箱を高速で回転すれば、第１ステ
ツプのレジスト４のようにウェハ全面に広がる。このと
きのレジストの膜厚は厚いので、次に、第４図Ｃに示す
ように、保持台を低速でやや長時間回転すれば膜厚が薄
く、かつ均一な膜厚が得られる。
数を２ステツプで行う方法が提案されていた（特開昭６
０−１１５２２４号公報）。まず、第４図ａに示すよう
に、ウェハ１を回転塗布装置の保持台２に保持し、初期
のレジスト３をウェハ中心部に吐出する。次に、第４図
すに示すように、保持箱を高速で回転すれば、第１ステ
ツプのレジスト４のようにウェハ全面に広がる。このと
きのレジストの膜厚は厚いので、次に、第４図Ｃに示す
ように、保持台を低速でやや長時間回転すれば膜厚が薄
く、かつ均一な膜厚が得られる。
１枚のウェハから多数の半導体チップを形成するために
、ウェハの直径をますます大型化する必要があり、この
ような大口径のウェハにレジストを塗布すれば、ウェハ
の中心部に比し、ウェハの周縁部のレジスト膜厚は遠心
力によって薄くなってしまう。そのために周縁部でのピ
ンホールが発生するおそれがあった。
、ウェハの直径をますます大型化する必要があり、この
ような大口径のウェハにレジストを塗布すれば、ウェハ
の中心部に比し、ウェハの周縁部のレジスト膜厚は遠心
力によって薄くなってしまう。そのために周縁部でのピ
ンホールが発生するおそれがあった。
本発明は、前記課題を解決するために、レジスト塗布に
際し、ウェハの中心部から周縁部に移動させながら塗布
するのに対応して、保持台の回転する角速度を高速から
低速に変化させることによって、均一なレジスト膜厚を
得ようとするものである。
際し、ウェハの中心部から周縁部に移動させながら塗布
するのに対応して、保持台の回転する角速度を高速から
低速に変化させることによって、均一なレジスト膜厚を
得ようとするものである。
回転スるウェハ上のレジストは、ウェハの半径に比例し
、角速度の二乗に比例する遠心力を受ける。レジストの
粘性の大小等によって分散が異なってくるので、レジス
トの種類に応じて、ウェハの中心部と周縁部での角速度
の変化する函数関係を求めておくことによって、レジス
ト膜厚の均一性を最良の状態に維持することができる。
、角速度の二乗に比例する遠心力を受ける。レジストの
粘性の大小等によって分散が異なってくるので、レジス
トの種類に応じて、ウェハの中心部と周縁部での角速度
の変化する函数関係を求めておくことによって、レジス
ト膜厚の均一性を最良の状態に維持することができる。
Ｃ実施例〕
本発明の実施例を第１図ないし第３図を用いて説明する
。
。
第１図は、本発明のレジスト塗布装置の斜視図である。
ウェハ１１を保持する保持台１２は、モータＡ１３によ
って回転する。一方、吐出口１４によってレジスト１５
をウェハ上に吐出する。このとき吐出口１４は、ウェハ
１１の半径方向に移動するようにモータＢ１６の回転に
応じて送り機構１７によって移動する。保持台１２の回
転する角速度を検出するために、エンコーダ１８の信号
を検出器１９によって検出して制御部２０に入力して制
御信号に変換する。この制御信号は、アンプＡ２１を介
してモータＡ１３の回転数を制御し、また、アンプＢ２
２を介してモータＢ１６の回転数を制御する。
って回転する。一方、吐出口１４によってレジスト１５
をウェハ上に吐出する。このとき吐出口１４は、ウェハ
１１の半径方向に移動するようにモータＢ１６の回転に
応じて送り機構１７によって移動する。保持台１２の回
転する角速度を検出するために、エンコーダ１８の信号
を検出器１９によって検出して制御部２０に入力して制
御信号に変換する。この制御信号は、アンプＡ２１を介
してモータＡ１３の回転数を制御し、また、アンプＢ２
２を介してモータＢ１６の回転数を制御する。
次に、このレジスト塗布装置を用いてレジストを塗布す
る方法について説明する。まず、ウェハ１１を保持台１
２に保持し、吐出口１４をウェハ１１の中心部に配置し
、モータＡ１３によって高速回転させる。吐出口１４か
らレジスト１５を少量ずつ吐出しながら吐出口１４をウ
ェハ１１の周縁部に向かってモータＢ１６の回転に従っ
て送り機構１７によって移動させる。このとき、モータ
Ａ１３の回転数はエンコーダ１８の信号を検出器１９を
介して制御器２０に入力されて変換された制御信号によ
って制御される。モータＡ１３の回転数は、ウェハ１１
の中心からの吐出口１４の距離に対応して、第２図に示
すようにウェハ１１の周縁部にいくに従って減少する。
る方法について説明する。まず、ウェハ１１を保持台１
２に保持し、吐出口１４をウェハ１１の中心部に配置し
、モータＡ１３によって高速回転させる。吐出口１４か
らレジスト１５を少量ずつ吐出しながら吐出口１４をウ
ェハ１１の周縁部に向かってモータＢ１６の回転に従っ
て送り機構１７によって移動させる。このとき、モータ
Ａ１３の回転数はエンコーダ１８の信号を検出器１９を
介して制御器２０に入力されて変換された制御信号によ
って制御される。モータＡ１３の回転数は、ウェハ１１
の中心からの吐出口１４の距離に対応して、第２図に示
すようにウェハ１１の周縁部にいくに従って減少する。
このような回転数の変化によって、ウェハ１１の中心部
から周縁部に至るすべての領域でレジスト膜厚を均一に
することができる。
から周縁部に至るすべての領域でレジスト膜厚を均一に
することができる。
本発明のレジスト塗布装置の吐出口１４の位置をウェハ
１１の中心部に固定してレジストを塗布した場合のレジ
スト膜厚は、第３図に示すように、周縁部で薄くなって
いた。このレジスト膜厚の変化は、レジストの粘性や表
面張力等の大小にも左右されるので、レジストの種類に
応じて、あらかじめ制御部の函数関係を算出しておくの
がよい。
１１の中心部に固定してレジストを塗布した場合のレジ
スト膜厚は、第３図に示すように、周縁部で薄くなって
いた。このレジスト膜厚の変化は、レジストの粘性や表
面張力等の大小にも左右されるので、レジストの種類に
応じて、あらかじめ制御部の函数関係を算出しておくの
がよい。
〔発明の効果］
本発明の実施例を用いてレジストを塗布すれば、ウェハ
の中心部から周縁部に至るすべての領域にわたってレジ
スト膜厚が均一になり、ひいてはピンホールの発生等が
少なく、高品質のレジスト膜を得ることができる。
の中心部から周縁部に至るすべての領域にわたってレジ
スト膜厚が均一になり、ひいてはピンホールの発生等が
少なく、高品質のレジスト膜を得ることができる。
第１図は本発明のレジスト塗布装置の斜視図、第２図は
本発明のレジスト塗布装置の角速度の変化を示す図、第
３図は本発明のレジスト塗布装置の吐出口を固定したと
きのレジスト膜厚を示す図、第４図ａないし第４図Ｃは
従来のレジスト塗布方法を示す図である。 １．１１−・−ウェハ ２．１２−−−−−−一保持台 ３−・−・−・−・・−・−初期のレジスト４−−−−
−−−−−一・−−−−一第１ステップのレジスト５−
−一−−・−・・・・・・−第２ステツプのレジスト１
３−・−・−・−−−−−一−モータＡ１、ｔ−−−−
−−−−−・−−−−一吐出口１５− ・−−−−−−
−一−・レジスト１６−・−・・−・−モータＢ １７・・・・・−・−−−−−−−一送り機構１８−・
・・・−・・・−エンコーダ １９−・−−一−−−・−・−検出器 ２０−−−−−−−−−−−−−・制御部２１−・・−
・−・−−−−−アンプＡ２２−−−−−−−−−−一
・−・アンプＢ第２図 ウェハ中ＩＭ／ｌ”らの吐出口の距離 本会明のレジスト至市装置の角速度の 変化と示す図 第１図 本冗明のレジスト塗布装置の／ｆ＋不地図第３図 ウニへ中間からの距離 本究明のレジスト塗布装置の吐出口を
本発明のレジスト塗布装置の角速度の変化を示す図、第
３図は本発明のレジスト塗布装置の吐出口を固定したと
きのレジスト膜厚を示す図、第４図ａないし第４図Ｃは
従来のレジスト塗布方法を示す図である。 １．１１−・−ウェハ ２．１２−−−−−−一保持台 ３−・−・−・−・・−・−初期のレジスト４−−−−
−−−−−一・−−−−一第１ステップのレジスト５−
−一−−・−・・・・・・−第２ステツプのレジスト１
３−・−・−・−−−−−一−モータＡ１、ｔ−−−−
−−−−−・−−−−一吐出口１５− ・−−−−−−
−一−・レジスト１６−・−・・−・−モータＢ １７・・・・・−・−−−−−−−一送り機構１８−・
・・・−・・・−エンコーダ １９−・−−一−−−・−・−検出器 ２０−−−−−−−−−−−−−・制御部２１−・・−
・−・−−−−−アンプＡ２２−−−−−−−−−−一
・−・アンプＢ第２図 ウェハ中ＩＭ／ｌ”らの吐出口の距離 本会明のレジスト至市装置の角速度の 変化と示す図 第１図 本冗明のレジスト塗布装置の／ｆ＋不地図第３図 ウニへ中間からの距離 本究明のレジスト塗布装置の吐出口を
Claims (1)
- 半導体基板にレジストを塗布する方法において、前記
半導体基板を保持した保持台を回転させる機構と、前記
保持台の回転する角速度を検出する機構と、前記半導体
基板にレジストを塗布するための吐出口を前記半導体基
板の半径方向に移動させる機構とを有し、前記吐出口が
前記半導体基板の中心部から周縁部に移動する距離に対
応して、前記保持台の角速度を高速から低速に変化させ
るレジスト塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2108593A JPH047816A (ja) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | レジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2108593A JPH047816A (ja) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | レジスト塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH047816A true JPH047816A (ja) | 1992-01-13 |
Family
ID=14488741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2108593A Pending JPH047816A (ja) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | レジスト塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH047816A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100271759B1 (ko) * | 1997-07-25 | 2000-12-01 | 윤종용 | 포토레지스트코팅장치및방법 |
| WO2001008814A1 (fr) * | 1999-07-29 | 2001-02-08 | Chugai Ro Co., Ltd. | Procede de formation d'une couche mince circulaire ou annulaire |
| JP2011171443A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理方法、その塗布処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び塗布処理装置 |
-
1990
- 1990-04-26 JP JP2108593A patent/JPH047816A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100271759B1 (ko) * | 1997-07-25 | 2000-12-01 | 윤종용 | 포토레지스트코팅장치및방법 |
| WO2001008814A1 (fr) * | 1999-07-29 | 2001-02-08 | Chugai Ro Co., Ltd. | Procede de formation d'une couche mince circulaire ou annulaire |
| JP2011171443A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理方法、その塗布処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び塗布処理装置 |
| KR101251748B1 (ko) * | 2010-02-17 | 2013-04-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 도포 처리 방법, 그 도포 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체, 및 도포 처리 장치 |
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