JPH047832A - エッチング剤 - Google Patents
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- JPH047832A JPH047832A JP10955890A JP10955890A JPH047832A JP H047832 A JPH047832 A JP H047832A JP 10955890 A JP10955890 A JP 10955890A JP 10955890 A JP10955890 A JP 10955890A JP H047832 A JPH047832 A JP H047832A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は各種表示素子や＊＊半導体素子形成時に堆積し
た窒化珪素膜、特にプラズマＣＶＤ法により堆積した窒
化珪素膜のパターンエツチングに適したエツチング剤に
関する。
た窒化珪素膜、特にプラズマＣＶＤ法により堆積した窒
化珪素膜のパターンエツチングに適したエツチング剤に
関する。
従来この種の膜をフッ化水素酸およびフン化アンモニウ
ムよりなる緩衝溶液によりエツチングすることは広く知
られているが、当該緩衝溶液は窒化珪素膜を選択的にエ
ツチングするには最適とはいえず、またエツチングに際
して気泡の発生、付着があり、該付着部のエツチングを
阻害して均一エツチング性に欠けるという問題がある。
ムよりなる緩衝溶液によりエツチングすることは広く知
られているが、当該緩衝溶液は窒化珪素膜を選択的にエ
ツチングするには最適とはいえず、またエツチングに際
して気泡の発生、付着があり、該付着部のエツチングを
阻害して均一エツチング性に欠けるという問題がある。
特開昭５６−２９３３２号にはフッ化水素酸と酢酸から
なるエツチング剤によりプラズマＣＶＤ法により形成し
た窒化珪素ＩＩＩ（以下ＰＣＶＤ窒化珪素膜という）を
選択的にエツチングすることが開示されているか、エン
チング速度、選択エツチング性においてなお不充分であ
る。
なるエツチング剤によりプラズマＣＶＤ法により形成し
た窒化珪素ＩＩＩ（以下ＰＣＶＤ窒化珪素膜という）を
選択的にエツチングすることが開示されているか、エン
チング速度、選択エツチング性においてなお不充分であ
る。
本発明は窒化珪素膜、特にｐｃｖｏ窒化珪素膜のエツチ
ングにきわめて優れた作用を呈し、かつ選択エツチング
性、特に酸化物導電膜との選択エツチング性に優れたエ
ツチング剤を提供するものである。
ングにきわめて優れた作用を呈し、かつ選択エツチング
性、特に酸化物導電膜との選択エツチング性に優れたエ
ツチング剤を提供するものである。
本発明は、窒化珪素膜をエツチングするための薬液にお
いて、その成分組成がフッ化水素酸５〜２０ｗｔ％、リ
ン酸５０〜７５ｗｔ％を含む水溶液であること、好適に
は前記窒化珪素膜がプラズマＣＶＤ法により形成した膜
（ＰＣＶＤ窒化珪素膜）であることからなる。
いて、その成分組成がフッ化水素酸５〜２０ｗｔ％、リ
ン酸５０〜７５ｗｔ％を含む水溶液であること、好適に
は前記窒化珪素膜がプラズマＣＶＤ法により形成した膜
（ＰＣＶＤ窒化珪素膜）であることからなる。
窒化珪素膜は５ｉＪａの組成（Ｓｉ／Ｎ ｋｋ、０．７
５）よりなり、広（熱ＣＶＤやＰＶＤ等の手段で形成さ
れるもので、その優れた耐熱性、化学的安定性、電気絶
縁性、高硬度等の特性により耐熱膜、絶縁膜その他多岐
に亘り利用される。
５）よりなり、広（熱ＣＶＤやＰＶＤ等の手段で形成さ
れるもので、その優れた耐熱性、化学的安定性、電気絶
縁性、高硬度等の特性により耐熱膜、絶縁膜その他多岐
に亘り利用される。
他方ＰＣＶＤ窒化珪素膜は５ｉＮｘ）組成（Ｓｉ／Ｎ比
０．８〜１程度、若干のＨ分を含む）であられされ、高
周波放電により発生した窒素プラズマと４水素化Ｉ！素
の反応により堆積膜を形成するもので、３００℃程度の
低温で膜形成でき、前記特性は勿論、下地に段差がある
場合の膜形成におけるステップカバレッジもよく、しか
も水分やナトリウムイオン等の不純物の侵入を抑制する
作用を有するので、前記以上に保護膜、絶縁膜等利用分
野は極めて広い。
０．８〜１程度、若干のＨ分を含む）であられされ、高
周波放電により発生した窒素プラズマと４水素化Ｉ！素
の反応により堆積膜を形成するもので、３００℃程度の
低温で膜形成でき、前記特性は勿論、下地に段差がある
場合の膜形成におけるステップカバレッジもよく、しか
も水分やナトリウムイオン等の不純物の侵入を抑制する
作用を有するので、前記以上に保護膜、絶縁膜等利用分
野は極めて広い。
本発明はこれら窒化珪Ｓ膜、就中ＰＣＶＤ窒化珪素膜の
バタ・−ンエッチング、選択エツチングに好適に採用で
きるものであり、エツチング液調製がきわめて容易であ
り、特に薄膜半導体素子、表示形成に際してガラス基板
にＩＴＯ等の酸化物導電膜を膜付は後、これに窒化珪素
膜を積層し、さらに該窒化珪素膜を所望パターンに整え
るべくエツチングするうえできわめて優れた作用を呈す
るものである。
バタ・−ンエッチング、選択エツチングに好適に採用で
きるものであり、エツチング液調製がきわめて容易であ
り、特に薄膜半導体素子、表示形成に際してガラス基板
にＩＴＯ等の酸化物導電膜を膜付は後、これに窒化珪素
膜を積層し、さらに該窒化珪素膜を所望パターンに整え
るべくエツチングするうえできわめて優れた作用を呈す
るものである。
本発明は、フッ化水素酸の濃度範囲を５ｗｔχ〜２０ｗ
ｔχとするものであり１．これより過少であると窒化
珪素膜のエツチング速度が極めて低いためエツチング剤
として不適当であり、又過多であると、相対的にリン酸
濃度を低減し、窒化珪素膜と他の成分膜、特に酸化物導
電膜との選択エツチング作用が減退するので不適当であ
る。
ｔχとするものであり１．これより過少であると窒化
珪素膜のエツチング速度が極めて低いためエツチング剤
として不適当であり、又過多であると、相対的にリン酸
濃度を低減し、窒化珪素膜と他の成分膜、特に酸化物導
電膜との選択エツチング作用が減退するので不適当であ
る。
リン酸の濃度範囲は５０ｗ ｔ％〜７５ｗｔ％とするも
のであり、これより過少であると前記の如く選択エツチ
ング作用を低減し、又過多であると、相対的にフン化水
素酸の濃度を低減し、エツチング速度を低下するため適
当でない。殊に前記濃度範囲においてこれら両酸の相剰
作用により、適度なエツチング速度と優れた選択エツチ
ング性を呈するものである。
のであり、これより過少であると前記の如く選択エツチ
ング作用を低減し、又過多であると、相対的にフン化水
素酸の濃度を低減し、エツチング速度を低下するため適
当でない。殊に前記濃度範囲においてこれら両酸の相剰
作用により、適度なエツチング速度と優れた選択エツチ
ング性を呈するものである。
エツチング剤として第１表に示すようなフッ化水素酸（
フッ酸）＋リン酸、フッ化水素酸（フッ酸）＋フッ化ア
ンモニウム、フッ化水素酸（フッ＠）十酢酸よりなる各
薬液を調製した。
フッ酸）＋リン酸、フッ化水素酸（フッ酸）＋フッ化ア
ンモニウム、フッ化水素酸（フッ＠）十酢酸よりなる各
薬液を調製した。
被エツチング試料として、同じく表示のごとく耐熱耐食
ガラス基板にＰＣＶＤ窒化珪素（ＳｉＮｘ）あるいは窒
化珪素（ＳｉＪｎ）を膜付けしたもの、対比被エツチン
グ試料として、耐熱耐食ガラス基板に酸物導電膜として
多用される酸化インジウム−錫（ＩＴＯ）を膜付けした
ものを準備した。
ガラス基板にＰＣＶＤ窒化珪素（ＳｉＮｘ）あるいは窒
化珪素（ＳｉＪｎ）を膜付けしたもの、対比被エツチン
グ試料として、耐熱耐食ガラス基板に酸物導電膜として
多用される酸化インジウム−錫（ＩＴＯ）を膜付けした
ものを準備した。
これらの膜の一部をレジスト被覆したうえで、前記各エ
ツチング剤に常温下で所定時間浸漬し、その後取出して
レジストを剥離し、エツチング部と非エツチング部の浸
食差を表面形状測定機で測定し２．エツチング速度を求
めた。
ツチング剤に常温下で所定時間浸漬し、その後取出して
レジストを剥離し、エツチング部と非エツチング部の浸
食差を表面形状測定機で測定し２．エツチング速度を求
めた。
結果は第１図のグラフに示すとおりであり、図中Ｙ軸に
は被エツチング試料のエツチング速度（入／分）を、Ｘ
軸には対比被エツチング試料のエツチング速度（人／分
）を、いずれも対数目盛で示した。
は被エツチング試料のエツチング速度（入／分）を、Ｘ
軸には対比被エツチング試料のエツチング速度（人／分
）を、いずれも対数目盛で示した。
図から明らかなように本発明においては窒化珪素膜、特
にｐｃｖｏ窒化珪素膜のエツチング速度が大きく、かつ
各窒化珪素ｖＡ＃ＴＯ１ｉエツチング比は５倍（Ｙ＝５
Ｘ）を超えるというきわめて選択エツチング性に優れた
ものであり、他方比較例はエツチング速度、選択上・ノ
チング性いずれも劣ることが明白である。
にｐｃｖｏ窒化珪素膜のエツチング速度が大きく、かつ
各窒化珪素ｖＡ＃ＴＯ１ｉエツチング比は５倍（Ｙ＝５
Ｘ）を超えるというきわめて選択エツチング性に優れた
ものであり、他方比較例はエツチング速度、選択上・ノ
チング性いずれも劣ることが明白である。
本発明によれば、エツチング薬液調製も容易で、窒化珪
素膜、特にＰＣＶＤ窒化珪素膜の選択エツチング性に極
めて優れるという効果を奏し、薄膜半導体素子、表示素
子等の形成における前記膜のパターンエツチングに好適
である。
素膜、特にＰＣＶＤ窒化珪素膜の選択エツチング性に極
めて優れるという効果を奏し、薄膜半導体素子、表示素
子等の形成における前記膜のパターンエツチングに好適
である。
第１図は本発明を含めた各種エツチング剤による窒化珪
素膜、ＰＣＶＤ窒化珪素膜（Ｙ軸）、ＩＴＯ膜（Ｘ軸）
のそれぞれエツチング速度を対数目盛で示したグラフで
ある。
素膜、ＰＣＶＤ窒化珪素膜（Ｙ軸）、ＩＴＯ膜（Ｘ軸）
のそれぞれエツチング速度を対数目盛で示したグラフで
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）窒化珪素膜をエッチングするための薬液において、
その成分組成がフッ化水素酸５〜２０ｗｔ％、リン酸５
０〜７５ｗｔ％を含む水溶液であることを特徴とするエ
ッチング剤。 ２）窒化珪素膜がプラズマＣＶＤ法により形成した膜で
あることを特徴とする請求項１記載のエッチング剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10955890A JP2725875B2 (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | エッチング剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10955890A JP2725875B2 (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | エッチング剤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH047832A true JPH047832A (ja) | 1992-01-13 |
| JP2725875B2 JP2725875B2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=14513281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10955890A Expired - Lifetime JP2725875B2 (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | エッチング剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2725875B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4950451A (en) * | 1988-03-23 | 1990-08-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Copper alloy for an electronic device and method of preparing the same |
| US5470421A (en) * | 1993-09-17 | 1995-11-28 | Nisso Engineering Co., Ltd. | Method for purification of etching solution |
| WO1998027579A1 (en) * | 1996-12-18 | 1998-06-25 | Stella Chemifa Kabushiki Kaisha | Etchants |
| US6001215A (en) * | 1996-04-03 | 1999-12-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor nitride film etching system |
| KR100252212B1 (ko) * | 1997-03-31 | 2000-04-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 질화규소막의 식각조성물과이를 이용한 식각방법 및 그에 의하여 제조되는 반도체장치 |
| JP2001156053A (ja) * | 1999-10-27 | 2001-06-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子製造用蝕刻組成物及びこれを用いた蝕刻方法 |
| JP2008047796A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Tosoh Corp | エッチング用組成物及びエッチング方法 |
| CN119286526A (zh) * | 2024-08-29 | 2025-01-10 | 湖北兴福电子材料股份有限公司 | 选择性蚀刻氮化硅及氮化钛的蚀刻液及其制备方法 |
-
1990
- 1990-04-25 JP JP10955890A patent/JP2725875B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4950451A (en) * | 1988-03-23 | 1990-08-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Copper alloy for an electronic device and method of preparing the same |
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| WO1998027579A1 (en) * | 1996-12-18 | 1998-06-25 | Stella Chemifa Kabushiki Kaisha | Etchants |
| US6585910B1 (en) | 1996-12-18 | 2003-07-01 | Stella Chemifa Kabushiki Kaisha | Etchant |
| US6821452B2 (en) | 1996-12-18 | 2004-11-23 | Hirohisa Kikuyama | Etchant |
| KR100252212B1 (ko) * | 1997-03-31 | 2000-04-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 질화규소막의 식각조성물과이를 이용한 식각방법 및 그에 의하여 제조되는 반도체장치 |
| JP2001156053A (ja) * | 1999-10-27 | 2001-06-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子製造用蝕刻組成物及びこれを用いた蝕刻方法 |
| JP2008047796A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Tosoh Corp | エッチング用組成物及びエッチング方法 |
| CN119286526A (zh) * | 2024-08-29 | 2025-01-10 | 湖北兴福电子材料股份有限公司 | 选择性蚀刻氮化硅及氮化钛的蚀刻液及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2725875B2 (ja) | 1998-03-11 |
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