JPH0478594B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0478594B2 JPH0478594B2 JP27908188A JP27908188A JPH0478594B2 JP H0478594 B2 JPH0478594 B2 JP H0478594B2 JP 27908188 A JP27908188 A JP 27908188A JP 27908188 A JP27908188 A JP 27908188A JP H0478594 B2 JPH0478594 B2 JP H0478594B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- garnet
- crystal
- gadolinium
- gallium
- crystals
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 30
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims description 17
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- OSGMVZPLTVJAFX-UHFFFAOYSA-N [Gd].[Lu] Chemical compound [Gd].[Lu] OSGMVZPLTVJAFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 5
- TVFHPXMGPBXBAE-UHFFFAOYSA-N [Sc].[Gd] Chemical compound [Sc].[Gd] TVFHPXMGPBXBAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZPDRQAVGXHVGTB-UHFFFAOYSA-N gallium;gadolinium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Gd+3] ZPDRQAVGXHVGTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical group [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910001938 gadolinium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003443 lutetium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気光学素子や光熱磁気記録媒体の
単結晶基板あるいは発光中心になる遷移金属元素
または希土類元素を添加するためのホスト結晶と
して利用し得る新組成のガーネツト結晶に関す
る。
単結晶基板あるいは発光中心になる遷移金属元素
または希土類元素を添加するためのホスト結晶と
して利用し得る新組成のガーネツト結晶に関す
る。
ガーネツト結晶は12面体8配位、8面体6配位
および4面体4配位の3つの異なる原子占有サイ
トを持つている。
および4面体4配位の3つの異なる原子占有サイ
トを持つている。
従来、12面体8配位サイトをガドリニウムが占
め、4面体4配位サイトをガリウムが占めるガー
ネツト結晶としては、ガドリニウムガリウムガー
ネツト結晶(Gd3Ga5O12)およびガドリウムスカ
ンジウムガリウムガーネツト結晶(Gd3Sc2Ga3
O12)が知られている。これら従来のガーネツト
結晶は、格子定数が12.38〜12.56Aの範囲にあり、
磁気光学素子や光熱磁気記録媒体の単結晶基板あ
るいは発光域を広くするためのホスト結晶として
用いた場合、格子定数が小さいために良好な磁気
光学素子等を得にくいと言う問題があつた。
め、4面体4配位サイトをガリウムが占めるガー
ネツト結晶としては、ガドリニウムガリウムガー
ネツト結晶(Gd3Ga5O12)およびガドリウムスカ
ンジウムガリウムガーネツト結晶(Gd3Sc2Ga3
O12)が知られている。これら従来のガーネツト
結晶は、格子定数が12.38〜12.56Aの範囲にあり、
磁気光学素子や光熱磁気記録媒体の単結晶基板あ
るいは発光域を広くするためのホスト結晶として
用いた場合、格子定数が小さいために良好な磁気
光学素子等を得にくいと言う問題があつた。
本発明は、上述の問題を解消するためになされ
たものであり、従来のガドリニウムガリウムガー
ネツト結晶やガドリニウムスカンジウムガリウム
ガーネツト結晶の格子定数よりも大きな格子定数
を持つガーネツト結晶の提供を目的とする。
たものであり、従来のガドリニウムガリウムガー
ネツト結晶やガドリニウムスカンジウムガリウム
ガーネツト結晶の格子定数よりも大きな格子定数
を持つガーネツト結晶の提供を目的とする。
本発明者らは、前記目的を達成すべく鋭意研究
の結果、従来のガドリニウムガリウムガーネツト
結晶におけるガリウムの一部あるいはガドリニウ
ムスカンジウムガリウムガーネツト結晶における
スカンジウムをルテチウムで置換したようなガー
ネツト結晶ができること、そしてその置換によつ
て格子定数が大きくなることを見出した。
の結果、従来のガドリニウムガリウムガーネツト
結晶におけるガリウムの一部あるいはガドリニウ
ムスカンジウムガリウムガーネツト結晶における
スカンジウムをルテチウムで置換したようなガー
ネツト結晶ができること、そしてその置換によつ
て格子定数が大きくなることを見出した。
本発明は、この知見に基いてなされたものであ
り、一般式(Gd1-xLux)3(GdyLuzGa1-y-z)2Ga3
O12(ただし、x,y,zはそれぞれ0≦x≦0.4、
0≦y≦0.05、0.6≦z≦1.0の範囲の数値を示す)
で表されるガドリニウムルテチウムガリウムガー
ネツト結晶にある。
り、一般式(Gd1-xLux)3(GdyLuzGa1-y-z)2Ga3
O12(ただし、x,y,zはそれぞれ0≦x≦0.4、
0≦y≦0.05、0.6≦z≦1.0の範囲の数値を示す)
で表されるガドリニウムルテチウムガリウムガー
ネツト結晶にある。
本発明のガーネツト結晶は、前記一般式のx,
y,zが所定の範囲にあることによつて単相とし
て格子定数が従来のガーネツト結晶の格子常数よ
りも大きい単結晶を得ることができる。これに対
して、x,y,zが所定の範囲から外れると、ペ
ロブスカイト相などの第二相が生成し単結晶を得
ることはできない。
y,zが所定の範囲にあることによつて単相とし
て格子定数が従来のガーネツト結晶の格子常数よ
りも大きい単結晶を得ることができる。これに対
して、x,y,zが所定の範囲から外れると、ペ
ロブスカイト相などの第二相が生成し単結晶を得
ることはできない。
実施例 1
ガドリニウム、ルテチウム、ガリウムの酸化物
をGd:Lu:Ga(原子比)=3.0:1.6:3.4になるよ
うに調整した混合物を従来公知の方法で固相反応
させることにより結晶に合成した。得られた結晶
は、X線回折によりガーネツト単相で、格子定数
aがa=12.64Aであることが確認された。
をGd:Lu:Ga(原子比)=3.0:1.6:3.4になるよ
うに調整した混合物を従来公知の方法で固相反応
させることにより結晶に合成した。得られた結晶
は、X線回折によりガーネツト単相で、格子定数
aがa=12.64Aであることが確認された。
実施例 2
ガドリニウム、ルテチウム、ガリウムの酸化物
Gd:Lu:Ga(原子比)=2.41:2.3:3.3になるよ
うに調整した混合物を従来公知の方法で溶融固化
させることにより結晶に合成した。これにより得
られた結晶も、X線回折によりガーネツト単相
で、格子定数aがa=12.60Aであることが確認
された。
Gd:Lu:Ga(原子比)=2.41:2.3:3.3になるよ
うに調整した混合物を従来公知の方法で溶融固化
させることにより結晶に合成した。これにより得
られた結晶も、X線回折によりガーネツト単相
で、格子定数aがa=12.60Aであることが確認
された。
本発明の新組成ガーネツト結晶は、従来のガド
リニウムガリウムガーネツト結晶あるいはガドリ
ニウムスカンジウムガリウムガーネツト結晶に較
べて格子定数が大きいから、磁気光学素子や光熱
磁気記録媒体の単結晶基板あるいは発光材料とし
てきわめて有用である。
リニウムガリウムガーネツト結晶あるいはガドリ
ニウムスカンジウムガリウムガーネツト結晶に較
べて格子定数が大きいから、磁気光学素子や光熱
磁気記録媒体の単結晶基板あるいは発光材料とし
てきわめて有用である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 (Gd1-xLux)3(GdyLuzGa1-y-z)2Ga3O12 (ただし、x,y,zはそれぞれ0≦x≦0.4、
0≦y≦0.05、0.6≦z≦1.0の範囲の数値を示す) で表されるガドリニウムルテチウムガリウムガー
ネツト結晶。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27908188A JPH02129096A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | ガドリニウムルテチウムガリウムガーネット結晶 |
| US07/429,455 US5043231A (en) | 1988-11-04 | 1989-10-31 | Gadolinium-lutetium-gallium garnet crystal, process for its production and substrate for magneto-optical device made thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27908188A JPH02129096A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | ガドリニウムルテチウムガリウムガーネット結晶 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02129096A JPH02129096A (ja) | 1990-05-17 |
| JPH0478594B2 true JPH0478594B2 (ja) | 1992-12-11 |
Family
ID=17606150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27908188A Granted JPH02129096A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | ガドリニウムルテチウムガリウムガーネット結晶 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02129096A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4860368B2 (ja) * | 2006-06-27 | 2012-01-25 | 富士フイルム株式会社 | ガーネット型化合物とその製造方法 |
-
1988
- 1988-11-04 JP JP27908188A patent/JPH02129096A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02129096A (ja) | 1990-05-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Shafer | Preparation and crystal chemistry of divalent europium compounds | |
| Kuroda et al. | The crystal structure of α-SrMnO3 | |
| Hibst | Hexagonal ferrites from melts and aqueous solutions, magnetic recording materials | |
| Vasylechko et al. | Crystal structure of LaGaO3 and (La, Gd) GaO3 solid solutions | |
| US4721547A (en) | Process for producing single crystal of garnet ferrite | |
| Matsushita et al. | Growth and structural refinement of orthorhombic SrCuO2 crystals | |
| Vaughey et al. | Synthesis, structure, and properties of LaSrCuGaO5 | |
| Toda et al. | Unusual concentration quenching of europium luminescence in new layered perovskite compound, RbLa1− xEuxTa2O7 (0≤ x≤ 1) | |
| JPH0478594B2 (ja) | ||
| GB1580848A (en) | Calcium-gallium-germanium garnet single crystal | |
| AU534871B2 (en) | Polycrystalline garnet | |
| US5043231A (en) | Gadolinium-lutetium-gallium garnet crystal, process for its production and substrate for magneto-optical device made thereof | |
| JPH0629134B2 (ja) | ガドリニウムインジウムガリウムガーネット | |
| Gaviko et al. | X-ray study of the crystal structure of La 1− x Ba x MnO 3 | |
| JPH04202095A (ja) | ガドリニウム・ルテチウム・スカンジウム・ガリウムガーネット | |
| JP2812915B2 (ja) | 無粒界型マンガン酸化物系結晶体及びそれを用いた磁気抵抗素子 | |
| SU1438921A1 (ru) | Способ получени магнитотвердых ферритовых материалов | |
| JP3190038B2 (ja) | 磁気光学結晶膜用ガーネット結晶及びその製造方法 | |
| Lefebvre et al. | Substituted lanthanum hexagallates as epitaxial growth substrates | |
| GB2034297A (en) | Garnet Film for a Magnetic Bubble Device | |
| JPH0513093B2 (ja) | ||
| JP2535781B2 (ja) | プリデライト型化合物及びその合成法 | |
| JP2931301B1 (ja) | 遷移金属酸化物単結晶の育成方法 | |
| Rykov et al. | Quadrupole Interactions and Vibrational Anisotropy of Tetrahedral Fe (Ill) in the" 123" Derivative LnSr, Cu, Ga, _, Fe, O,(Ln= Y, Ho) | |
| JPH08175820A (ja) | 高濃度ビスマス置換鉄ガーネット微粒子製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |