JPH0479192A - エレクトロルミネッセンス表示パネルの保護構造 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス表示パネルの保護構造Info
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- JPH0479192A JPH0479192A JP2194358A JP19435890A JPH0479192A JP H0479192 A JPH0479192 A JP H0479192A JP 2194358 A JP2194358 A JP 2194358A JP 19435890 A JP19435890 A JP 19435890A JP H0479192 A JPH0479192 A JP H0479192A
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- insulating film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はエレクトロルミネッセンス(以下ELという)
表示パネルに対する外気の侵入防止用の保護構造に関す
る。
表示パネルに対する外気の侵入防止用の保護構造に関す
る。
周知のようにEL表示パネルは液晶表示パネルと同様に
フラットな形状に形成でき、しかもそれと異なり発光性
である利点を有するが、最近ではその表示輝度が一層向
上され、可変画像の表示に適するマトリックス形が開発
されて、CRT装置よりも小形かつ軽量で自己発光性を
もつ計)Ell等の表示装置として注目されている。
フラットな形状に形成でき、しかもそれと異なり発光性
である利点を有するが、最近ではその表示輝度が一層向
上され、可変画像の表示に適するマトリックス形が開発
されて、CRT装置よりも小形かつ軽量で自己発光性を
もつ計)Ell等の表示装置として注目されている。
かかる用途に適するように多数個の画素を行列配列した
最近のマトリックス形のEL表示パネルでは、そのEL
発光層がZnS等からなる発光膜と絶縁膜を積層して構
成されるが、できるだけ低い表示電圧により高い表示輝
度を得るにはこの積層構造中の絶縁膜の膜厚を薄く9g
通は0.54以下にする必要がある。このため、使用中
に外気特に湿気が僅かでも侵入すると絶縁膜の性能が落
ちて表示性能が低下しやすく、従ってこれに対し充分な
保護を施して置く必要がある。以下、第3図と第4図を
参照して、EL表示パネルの概要とその保護構造の従来
例をそれぞれ説明する。
最近のマトリックス形のEL表示パネルでは、そのEL
発光層がZnS等からなる発光膜と絶縁膜を積層して構
成されるが、できるだけ低い表示電圧により高い表示輝
度を得るにはこの積層構造中の絶縁膜の膜厚を薄く9g
通は0.54以下にする必要がある。このため、使用中
に外気特に湿気が僅かでも侵入すると絶縁膜の性能が落
ちて表示性能が低下しやすく、従ってこれに対し充分な
保護を施して置く必要がある。以下、第3図と第4図を
参照して、EL表示パネルの概要とその保護構造の従来
例をそれぞれ説明する。
第3図はEL表示パネル10の要部の斜視図である。絶
縁基板1にはガラス等の透明なものが用いられ、その表
面上に例えばITO(インジューム錫酸化物)からなる
透明電極膜2がストライブ状のパターンで多数条並べて
形成される。この上に積層されるEL発光層5は例えば
図のように1対の絶縁膜3の間に発光膜4を挾んでなり
、この内の絶縁膜3は窒化シリコン等の1膜で、発光膜
4はMn等の遷移金属やTb等の稀土類を少量含むZn
S等の1119である。このEL発光層5の上にアルミ
等の裏面電極膜6が透明電極膜2と直交する方向のスト
ライブ状のパターンで多数条並べて配設される。なお、
EL発光層5中の2個の絶縁膜3の一方、特に透明電極
12側の絶縁膜3は適宜省略される場合がある。
縁基板1にはガラス等の透明なものが用いられ、その表
面上に例えばITO(インジューム錫酸化物)からなる
透明電極膜2がストライブ状のパターンで多数条並べて
形成される。この上に積層されるEL発光層5は例えば
図のように1対の絶縁膜3の間に発光膜4を挾んでなり
、この内の絶縁膜3は窒化シリコン等の1膜で、発光膜
4はMn等の遷移金属やTb等の稀土類を少量含むZn
S等の1119である。このEL発光層5の上にアルミ
等の裏面電極膜6が透明電極膜2と直交する方向のスト
ライブ状のパターンで多数条並べて配設される。なお、
EL発光層5中の2個の絶縁膜3の一方、特に透明電極
12側の絶縁膜3は適宜省略される場合がある。
かかるマトリックス構造のEL表示パネル10では、透
明電極1112と裏面電極膜6の各交点に対応する範囲
のEL発光層5が表示上の各画素を構成し、各画素から
出るEL光は透明な絶縁基板1側から図の下方に向けて
取り出される。
明電極1112と裏面電極膜6の各交点に対応する範囲
のEL発光層5が表示上の各画素を構成し、各画素から
出るEL光は透明な絶縁基板1側から図の下方に向けて
取り出される。
第4図に示す保護構造例では上述のようなEL表示パネ
ルlOの裏面側に封止ケース40を取り付ける (特開
昭52−72196号公報や特開昭52−127790
号公報を参照)。ケース本体41は枠状体で、これにガ
ラスの蓋42を被せ、それらの周囲を接着剤43により
封止しかつ絶縁基板1に接着した上、蓋42の封入孔4
2aからシリコーンオイル等の封止液44をケース40
内に封入した後、封入孔42aをガラスの閉鎖板45と
接着剤46により塞いで封止ケース40内の封止液44
を封じ切る。なお、接続線50を接続すべき透明電極1
12の外部接続用端部2aは例えば図のように左右交互
に封止ケース40の外側に導出され、裏面電極膜6の外
部接続用端部も同様に図の前後方向に導出される。
ルlOの裏面側に封止ケース40を取り付ける (特開
昭52−72196号公報や特開昭52−127790
号公報を参照)。ケース本体41は枠状体で、これにガ
ラスの蓋42を被せ、それらの周囲を接着剤43により
封止しかつ絶縁基板1に接着した上、蓋42の封入孔4
2aからシリコーンオイル等の封止液44をケース40
内に封入した後、封入孔42aをガラスの閉鎖板45と
接着剤46により塞いで封止ケース40内の封止液44
を封じ切る。なお、接続線50を接続すべき透明電極1
12の外部接続用端部2aは例えば図のように左右交互
に封止ケース40の外側に導出され、裏面電極膜6の外
部接続用端部も同様に図の前後方向に導出される。
〔発明が解決しようとする!Iff)
上述の従来の保護構造では、外気の侵入をほぼ完全に遮
断することができ、かつ絶縁耐力の高い封止液を用いる
ことにより裏面電極膜例の絶縁膜の絶縁性を高めること
もできるが、その反面次のような問題点がある。
断することができ、かつ絶縁耐力の高い封止液を用いる
ことにより裏面電極膜例の絶縁膜の絶縁性を高めること
もできるが、その反面次のような問題点がある。
(1)封止ケースを取り付けるので、EL表示パネルの
厚みが元の2〜3倍になってフラットパネルとしての特
長が減殺され、重量も2倍以上に増えて軽量パネルとし
ての特長も減殺される。
厚みが元の2〜3倍になってフラットパネルとしての特
長が減殺され、重量も2倍以上に増えて軽量パネルとし
ての特長も減殺される。
(2)表示パネルの面積のかなりの部分が封止ケースの
取り付は用に食われるので、パネルの総面積に対する有
効表示面積の比で表されるパネル面積の利用効率が低下
する。
取り付は用に食われるので、パネルの総面積に対する有
効表示面積の比で表されるパネル面積の利用効率が低下
する。
(3)蓋を無アルカリガラスとする必要がある等のため
に、封止ケース用の材料費が高価につく。
に、封止ケース用の材料費が高価につく。
(4)封止液の封入前に封止ケース内の水分やガスを除
去するため加熱や真空引きの前処理が必要で、そのため
にかなりの手間と費用を要する。また、封止ケースの本
体を表示パネルに接着する作業もかなり厄介で手間が掛
かり、かつ量産時に仕損じが発生しやすい。
去するため加熱や真空引きの前処理が必要で、そのため
にかなりの手間と費用を要する。また、封止ケースの本
体を表示パネルに接着する作業もかなり厄介で手間が掛
かり、かつ量産時に仕損じが発生しやすい。
本発明はかかる従来の問題点を解消して、EL表示パネ
ルがもつ小形軽量の特長を減殺することなく、経済性に
優れ、かつ量産に適する保護構造を得ることを目的とす
る。
ルがもつ小形軽量の特長を減殺することなく、経済性に
優れ、かつ量産に適する保護構造を得ることを目的とす
る。
〔課題を解決するための手段]
この目的は本発明によれば、上述のように透明な絶縁基
板上に透明電極膜と、発光膜と絶縁膜を含むEL発光層
と、裏面電極膜とを順次積層してなるEL表示パネルに
対して、透明電極膜および裏面電極膜の外部接続用端部
を除いてEL発光層の全面を含む範囲をEL表示パネル
の裏面側から覆う裏面絶縁膜と、この裏面絶縁膜のほぼ
全面を裏面側から覆う金属の保護膜とを備えてなる保護
構造を設けることによって達成される。
板上に透明電極膜と、発光膜と絶縁膜を含むEL発光層
と、裏面電極膜とを順次積層してなるEL表示パネルに
対して、透明電極膜および裏面電極膜の外部接続用端部
を除いてEL発光層の全面を含む範囲をEL表示パネル
の裏面側から覆う裏面絶縁膜と、この裏面絶縁膜のほぼ
全面を裏面側から覆う金属の保護膜とを備えてなる保護
構造を設けることによって達成される。
なお、上記構成中の裏面絶縁膜としては酸化シリコン、
燐シリケートガラス、窒化シリコン、アルミナ、酸化タ
リューム等の無機材料のばか有機絶縁材料も適宜用いる
ことができ、また保護膜用の金属にはアルミ、クローム
、タンタル、モリブデン、チタン等の単体金属のほかに
それらの合金材料を適宜に用いることができ、あるいは
これを複層構成の金属膜とすることもできる。さらに、
この保護膜の上を樹脂材料で覆って外傷や腐食等からこ
れを保護するのが有利である。
燐シリケートガラス、窒化シリコン、アルミナ、酸化タ
リューム等の無機材料のばか有機絶縁材料も適宜用いる
ことができ、また保護膜用の金属にはアルミ、クローム
、タンタル、モリブデン、チタン等の単体金属のほかに
それらの合金材料を適宜に用いることができ、あるいは
これを複層構成の金属膜とすることもできる。さらに、
この保護膜の上を樹脂材料で覆って外傷や腐食等からこ
れを保護するのが有利である。
(作用〕
本発明は金属の薄膜の外気、特に水分に対する気密性に
着目し、これを前項の構成にいう保護膜に利用すること
により、前述の課題の解決に成功したものである。
着目し、これを前項の構成にいう保護膜に利用すること
により、前述の課題の解決に成功したものである。
よく知られているように半導体装置では外気の侵入を遮
断するには絶縁膜、特に窒化シリコン膜を主に用いるが
、本件発明者の種々な実験の結果によれば、EL表示パ
ネルに関する限り窒化シリコン膜等の絶縁膜は不適、つ
まり外気の遮断性が不充分であり、恐らくは半導体技術
では保護対象が半導体層や金11:W!であるのに対し
て、EL表示パネルではEL発光層中の絶縁膜等が保護
対象である点が異なるためと考えられる。
断するには絶縁膜、特に窒化シリコン膜を主に用いるが
、本件発明者の種々な実験の結果によれば、EL表示パ
ネルに関する限り窒化シリコン膜等の絶縁膜は不適、つ
まり外気の遮断性が不充分であり、恐らくは半導体技術
では保護対象が半導体層や金11:W!であるのに対し
て、EL表示パネルではEL発光層中の絶縁膜等が保護
対象である点が異なるためと考えられる。
この実験結果によれば、金属膜1例えばアルミ膜は1虜
程度の厚みでもEL発光層中の絶縁膜や物性上は絶縁性
の発光膜への外気の侵入防止効果が非常に高く、窒化シ
リコン膜等の絶縁膜に普通は若干認められる微視的なり
ラックやピンホールの発生もほぼ皆無である。
程度の厚みでもEL発光層中の絶縁膜や物性上は絶縁性
の発光膜への外気の侵入防止効果が非常に高く、窒化シ
リコン膜等の絶縁膜に普通は若干認められる微視的なり
ラックやピンホールの発生もほぼ皆無である。
二のように金属の保IIW!、はEL発光層への外気の
侵入防止に適するが、導電性なので裏面電極麺と絶縁す
る必要があり、本発明では裏面絶縁膜により保filI
lを裏面電極膜から絶縁するとともに、これにEL発光
層の表面を不活性化しかつ保fIMの金属原子のEL発
光層へのマイグレーションを防止する役目を兼ねさせる
。
侵入防止に適するが、導電性なので裏面電極麺と絶縁す
る必要があり、本発明では裏面絶縁膜により保filI
lを裏面電極膜から絶縁するとともに、これにEL発光
層の表面を不活性化しかつ保fIMの金属原子のEL発
光層へのマイグレーションを防止する役目を兼ねさせる
。
この裏面絶縁膜と金属の保護膜との組み合わせにより、
EL発光層を水分等の外気の侵入のほか金属原子による
汚染からも保護できるが、本発明ではさらに透明電極膜
や裏面電極膜の外部接続用端部から外気が侵入すること
がないよう、これら電極膜の外部接続用端部を除いて、
EL発光層の全面を含むEL表示パぶルの全範囲を裏面
側から覆うように裏面絶縁膜を設けた上で保1膜をその
ほぼ全面を覆うように設ける。
EL発光層を水分等の外気の侵入のほか金属原子による
汚染からも保護できるが、本発明ではさらに透明電極膜
や裏面電極膜の外部接続用端部から外気が侵入すること
がないよう、これら電極膜の外部接続用端部を除いて、
EL発光層の全面を含むEL表示パぶルの全範囲を裏面
側から覆うように裏面絶縁膜を設けた上で保1膜をその
ほぼ全面を覆うように設ける。
本発明のかかる構成により、電極膜の外部接続用端部の
導出部を含めてEL発光層の外気の侵入や金属原子によ
る汚染に基づく発光特性の低下がほぼ完全に防止される
。
導出部を含めてEL発光層の外気の侵入や金属原子によ
る汚染に基づく発光特性の低下がほぼ完全に防止される
。
[実施例]
以下、図を参照して本発明のEL表示パネルの保護構造
の実施例を説明する。第1図と第2図はそれぞれ本発明
の第1と第2の実施例の要部拡大断面図である。
の実施例を説明する。第1図と第2図はそれぞれ本発明
の第1と第2の実施例の要部拡大断面図である。
第1図において、平坦で透明なガラス等の絶縁基板1の
上にITO等からなる0、2m程度の厚みの透明電極膜
2が第3図に示すようなストライプ状のパターンで数百
条並べて形成され、その外部接続用端部2aが絶縁基板
lの図の左右の両端部にこの実施例でも交互に形成され
る。
上にITO等からなる0、2m程度の厚みの透明電極膜
2が第3図に示すようなストライプ状のパターンで数百
条並べて形成され、その外部接続用端部2aが絶縁基板
lの図の左右の両端部にこの実施例でも交互に形成され
る。
EL発光層5はこの実施例でも1対の絶縁膜3とそれら
に挟まれた発光膜4により構成されているが、透明電極
膜2例の絶縁膜3は適宜省略することが可能である。こ
の内の絶縁膜3には例えば窒化シリコンが用いられ、ス
パッタ法等によって0.4虜程度の厚みに成膜される0
発光膜4としては例えば0.5〜0.6 wt%のMn
を含むZnSが用いられ、通例のように電子ビーム蒸着
法により 0.5−程度の厚みに成膜される。
に挟まれた発光膜4により構成されているが、透明電極
膜2例の絶縁膜3は適宜省略することが可能である。こ
の内の絶縁膜3には例えば窒化シリコンが用いられ、ス
パッタ法等によって0.4虜程度の厚みに成膜される0
発光膜4としては例えば0.5〜0.6 wt%のMn
を含むZnSが用いられ、通例のように電子ビーム蒸着
法により 0.5−程度の厚みに成膜される。
絶縁l113と発光#4をフォトエツチングによりパタ
ーンニングしてEL発光層5を図示のように形成した後
、例えばアルミを0.5虜程度の厚みにスパッタ法等に
よって全面被着し、これをフォトエツチングすることに
より数百条の裏面電極膜6を透明電極1l12と直交す
る方向に並ぶストライプ状パターンに形成し、これでE
L表示パネル10への表示部分の組み込みを終える。な
お、この裏面電極膜6の外部接続用端部は透明電極#2
の場合と同様に、絶縁基板1の図の前後方向の端部上に
普通は交互に形成される。
ーンニングしてEL発光層5を図示のように形成した後
、例えばアルミを0.5虜程度の厚みにスパッタ法等に
よって全面被着し、これをフォトエツチングすることに
より数百条の裏面電極膜6を透明電極1l12と直交す
る方向に並ぶストライプ状パターンに形成し、これでE
L表示パネル10への表示部分の組み込みを終える。な
お、この裏面電極膜6の外部接続用端部は透明電極#2
の場合と同様に、絶縁基板1の図の前後方向の端部上に
普通は交互に形成される。
この実施例では、本発明の保護構造を構成する裏面絶縁
膜20用にアルミナをスパッタ法等により0.5t1m
程度の膜厚に全面被着し、さらにその上に保護*30用
にアルミをスパッタ法等により0.5〜1虜の膜厚に全
面被着した後、まず保護膜30用のアルミを所望のパタ
ーンに化学エツチングし、次にこれをマスクとするドラ
イエツチングによって裏面絶縁膜20用のアルミナをこ
の例では保r1膜30と同しパターンに形成する。
膜20用にアルミナをスパッタ法等により0.5t1m
程度の膜厚に全面被着し、さらにその上に保護*30用
にアルミをスパッタ法等により0.5〜1虜の膜厚に全
面被着した後、まず保護膜30用のアルミを所望のパタ
ーンに化学エツチングし、次にこれをマスクとするドラ
イエツチングによって裏面絶縁膜20用のアルミナをこ
の例では保r1膜30と同しパターンに形成する。
この際、裏面絶縁膜20と保護膜30は図のように透明
電極WA2の外部接続用端部2aと裏面電極膜6の図示
しない外部接続用端部がある絶縁基板1の周縁部のみを
露出させ、EL表示パネル10のEL発光層5の全面を
含む残余の全範囲を裏面側から覆うパターンに形成され
る。なお、裏面絶縁wI20と保護11130のかかる
パターンの周縁は図のようにシリコーン樹脂等をご<薄
<塗布しかつ硬化させた封止膜35によって念のため完
全に封止して置くのが最も望ましい。
電極WA2の外部接続用端部2aと裏面電極膜6の図示
しない外部接続用端部がある絶縁基板1の周縁部のみを
露出させ、EL表示パネル10のEL発光層5の全面を
含む残余の全範囲を裏面側から覆うパターンに形成され
る。なお、裏面絶縁wI20と保護11130のかかる
パターンの周縁は図のようにシリコーン樹脂等をご<薄
<塗布しかつ硬化させた封止膜35によって念のため完
全に封止して置くのが最も望ましい。
以上によってEL表示パネルIOへの保護構造の組み込
みが終わり、以後は画電極膜2および6の外部接続用端
部2a等を接続線50等の手段で外部の表示駆動回路と
接続できる。
みが終わり、以後は画電極膜2および6の外部接続用端
部2a等を接続線50等の手段で外部の表示駆動回路と
接続できる。
なお、この実施例における保11130をアルミに例え
ばクロームを組み合わせた2層構成とするのが、金属薄
膜のピンホールの発生確率を減少させ外気に対する封止
効果を高める上で有利である。
ばクロームを組み合わせた2層構成とするのが、金属薄
膜のピンホールの発生確率を減少させ外気に対する封止
効果を高める上で有利である。
この場合0.5a以下の膜厚でも保rI膜30に非常に
高い封止効果を持たせることができる。
高い封止効果を持たせることができる。
しかし保護1I130の膜厚があまり薄いと外傷により
封止が破れやすいから、接続線50の接続前や後に保護
[130やEL表示パネル10の背面を樹脂膜で保護す
るのがよい、この樹脂膜は保護膜30の金属の腐食や発
錆を防止する上でも有用である。
封止が破れやすいから、接続線50の接続前や後に保護
[130やEL表示パネル10の背面を樹脂膜で保護す
るのがよい、この樹脂膜は保護膜30の金属の腐食や発
錆を防止する上でも有用である。
第・2図に示す本発明の第2実施例では保護構造が2重
に設けられる。絶縁基板1上に表示部分を組み込むまで
は前の実施例と同じであるが、その上に裏面絶縁膜21
用に酸化シリコンを0.34程度の厚みに5次に保護膜
31用金属としてタンタルを0.2−程度の厚みにそれ
ぞれスパッタ法によって順次被着した上で、1回目のフ
ォトエツチングにより両膜を前実施例と同様なパターン
に形成して1層目の保護構造とする。
に設けられる。絶縁基板1上に表示部分を組み込むまで
は前の実施例と同じであるが、その上に裏面絶縁膜21
用に酸化シリコンを0.34程度の厚みに5次に保護膜
31用金属としてタンタルを0.2−程度の厚みにそれ
ぞれスパッタ法によって順次被着した上で、1回目のフ
ォトエツチングにより両膜を前実施例と同様なパターン
に形成して1層目の保護構造とする。
さらに、この実施例では上述と同一構成の裏面絶縁1l
N22と保護膜32からなる2層目の保護構造を図のよ
うに1層目よりやや小さなパターンで形成する。なお、
この実施例においてもこれら2層の保護構造のパターン
の周縁を共通に覆うよう樹脂の封止膜35を設けるのが
望ましい。
N22と保護膜32からなる2層目の保護構造を図のよ
うに1層目よりやや小さなパターンで形成する。なお、
この実施例においてもこれら2層の保護構造のパターン
の周縁を共通に覆うよう樹脂の封止膜35を設けるのが
望ましい。
この第2実施例では、裏面絶縁11121と22および
保護膜31と32のいずれも*aが第1実施例のほぼ半
分に、従って2層の保護構造の全体の厚みが前実施例の
保護構造と同程度とされるが、2重保護構造とすること
により、製作の手間は2倍掛かるものの、EL発光層5
に対する外気の遮断効果を一層高めることができる。な
お、この第2実施例の保護11231と32に用いるタ
ンタルは上述のような薄膜でも外気、特に湿気の遮断効
果が高いことが認められている。
保護膜31と32のいずれも*aが第1実施例のほぼ半
分に、従って2層の保護構造の全体の厚みが前実施例の
保護構造と同程度とされるが、2重保護構造とすること
により、製作の手間は2倍掛かるものの、EL発光層5
に対する外気の遮断効果を一層高めることができる。な
お、この第2実施例の保護11231と32に用いるタ
ンタルは上述のような薄膜でも外気、特に湿気の遮断効
果が高いことが認められている。
以上説明した実施例に限らず、本発明は種々の態様で実
施することができる。例えば裏面絶縁膜には上述のアル
ミナや酸化シリコンのほか、窒化シリコン、燐シリケー
トガラス、酸化タンタル等の無機材料およびフォトプロ
セスによるパターンニングが可能なエポキシ樹脂、フェ
ノール樹脂等の有機高分子材料を適宜に利用できる。さ
らに、この裏面絶縁膜を酸化シリコンと窒化シリコンの
組み合わせのような複合膜として、外気に対する遮断性
能を一層高めることも可能である。
施することができる。例えば裏面絶縁膜には上述のアル
ミナや酸化シリコンのほか、窒化シリコン、燐シリケー
トガラス、酸化タンタル等の無機材料およびフォトプロ
セスによるパターンニングが可能なエポキシ樹脂、フェ
ノール樹脂等の有機高分子材料を適宜に利用できる。さ
らに、この裏面絶縁膜を酸化シリコンと窒化シリコンの
組み合わせのような複合膜として、外気に対する遮断性
能を一層高めることも可能である。
また保護膜用の金属については、上述のアルミやタンタ
ルのほか、クローム、モリブデン、チタン等の単体材料
やAl−5t、 Al−5t−J+Mo−3i+Cr−
5i等の合金材料を用いることができ、あるいは必要に
応じて上述のアルミとクロームの組み合わせのような複
合膜を用いて外気に対する遮断効果を一層高めることが
できる。これら金属の成膜や保護膜へのパターンニング
の手段についても、実施例中の記載に限らず各材料にそ
れぞれ最も適した方法を採用すべきことはもちろんであ
る。
ルのほか、クローム、モリブデン、チタン等の単体材料
やAl−5t、 Al−5t−J+Mo−3i+Cr−
5i等の合金材料を用いることができ、あるいは必要に
応じて上述のアルミとクロームの組み合わせのような複
合膜を用いて外気に対する遮断効果を一層高めることが
できる。これら金属の成膜や保護膜へのパターンニング
の手段についても、実施例中の記載に限らず各材料にそ
れぞれ最も適した方法を採用すべきことはもちろんであ
る。
以上の記載のとおり本発明では、絶縁基板上に透明電極
膜と、発光膜と絶縁膜を含むEL発光層と、裏面電極膜
とを順次積層したEL表示パネルに対して、透明電極膜
と裏面電極膜の外部接続用端部を除きEL発光層全体を
含むEL表示パネルの範囲を裏面側から覆う裏面絶縁膜
と、この裏面絶縁膜のほぼ全面を裏面側から覆う金属か
らなる保@膜とを備える保護構造を設けることにより、
次の効果を得ることができる。
膜と、発光膜と絶縁膜を含むEL発光層と、裏面電極膜
とを順次積層したEL表示パネルに対して、透明電極膜
と裏面電極膜の外部接続用端部を除きEL発光層全体を
含むEL表示パネルの範囲を裏面側から覆う裏面絶縁膜
と、この裏面絶縁膜のほぼ全面を裏面側から覆う金属か
らなる保@膜とを備える保護構造を設けることにより、
次の効果を得ることができる。
(a)金属薄膜の外気特に水分に対する優れた気密性に
着目してこれを保Il!Iに利用することにより、EL
発光層への外気の侵入をほぼ完全に防止することができ
る。また、裏面絶縁膜によりEL発光層表面を不活性化
し、かつ金属原子のマイグレーションを防止して、EL
表示パネルの使用期間中の発光輝度の低下を最低にでき
る。
着目してこれを保Il!Iに利用することにより、EL
発光層への外気の侵入をほぼ完全に防止することができ
る。また、裏面絶縁膜によりEL発光層表面を不活性化
し、かつ金属原子のマイグレーションを防止して、EL
表示パネルの使用期間中の発光輝度の低下を最低にでき
る。
(b)裏面絶縁膜と保護膜のいずれも一オーダの薄膜な
ので、保護構造のためEL表示パネルの厚みがほどんど
増すことがなく、フラットパネルとしての特長がそのま
ま生かされる。また、重量増加もほとんどないので、非
常に軽量なEL表示パネルを提供できる。
ので、保護構造のためEL表示パネルの厚みがほどんど
増すことがなく、フラットパネルとしての特長がそのま
ま生かされる。また、重量増加もほとんどないので、非
常に軽量なEL表示パネルを提供できる。
(C)従来構造のような封止ケース、従ってその取り付
はスペースが不要なので、絶縁基板の面積利用効率が向
上して従来よりも小形のEL表示パネルを提供できる。
はスペースが不要なので、絶縁基板の面積利用効率が向
上して従来よりも小形のEL表示パネルを提供できる。
(d)従来の封止ケースに比べて保護構造用の材料費が
大幅に減少するので、EL表示パネルの経済性を向上で
きる。
大幅に減少するので、EL表示パネルの経済性を向上で
きる。
(e)従来のように封止ケースの取り付けや封止液の封
入のために人手を煩わす必要がなくなるので、EL表示
パネルの量産性が向上する。
入のために人手を煩わす必要がなくなるので、EL表示
パネルの量産性が向上する。
かかる特長を備える本発明は、EL表示パネルの性能と
経済性の向上を通じてその一層の普及に貢献することが
期待される。
経済性の向上を通じてその一層の普及に貢献することが
期待される。
第1図から第3図までが本発明に関し、第1図は本発明
によるEL表示パネルの保ml構造の第1実施例を示す
その要部拡大断面図、第2図はその第2実施例の要部拡
大断面図、第3図はEL表示パネルの要部の斜視図であ
る。第4図は従来技術によるEL表示パネルの保護構造
の要部拡大断面図である。図において、 1:絶縁基板、2;透明電極膜、2a;透明電極膜の外
部接続用端部、3:EL発光層の絶縁膜、IEL発光層
の発光膜、5:EL発光層、6゜裏面電極膜、10:E
L表示パネル、20〜22:裏面絶縁膜、30〜32:
保iJ膜、である。
によるEL表示パネルの保ml構造の第1実施例を示す
その要部拡大断面図、第2図はその第2実施例の要部拡
大断面図、第3図はEL表示パネルの要部の斜視図であ
る。第4図は従来技術によるEL表示パネルの保護構造
の要部拡大断面図である。図において、 1:絶縁基板、2;透明電極膜、2a;透明電極膜の外
部接続用端部、3:EL発光層の絶縁膜、IEL発光層
の発光膜、5:EL発光層、6゜裏面電極膜、10:E
L表示パネル、20〜22:裏面絶縁膜、30〜32:
保iJ膜、である。
Claims (1)
- 透明な絶縁基板上に透明電極膜と、発光膜および絶縁
膜を含むエレクトロルミネッセンス発光層と、裏面電極
膜とを順次積層してなるエレクトロルミネッセンス表示
パネルに対する外気の侵入防止用の保護構造であって、
透明電極膜と裏面電極膜の外部接続用端部を除きエレク
トロルミネッセンス発光層の全面を含む範囲をエレクト
ロルミネッセンス表示パネルの裏面側から覆う裏面絶縁
膜と、この裏面絶縁膜のほぼ全面を裏面側から覆う金属
からなる保護膜とを備えてなるエレクトロルミネッセン
ス表示パネルの保護構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2194358A JPH0479192A (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | エレクトロルミネッセンス表示パネルの保護構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2194358A JPH0479192A (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | エレクトロルミネッセンス表示パネルの保護構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0479192A true JPH0479192A (ja) | 1992-03-12 |
Family
ID=16323253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2194358A Pending JPH0479192A (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | エレクトロルミネッセンス表示パネルの保護構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0479192A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100407487B1 (ko) * | 1996-09-25 | 2004-03-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계효과전자방출소자및그봉착방법 |
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| JPS6396895A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-27 | 株式会社小松製作所 | 薄膜el素子 |
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-
1990
- 1990-07-23 JP JP2194358A patent/JPH0479192A/ja active Pending
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| US9536468B2 (en) | 2000-05-12 | 2017-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US10354589B2 (en) | 2000-05-12 | 2019-07-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US10867557B2 (en) | 2000-05-12 | 2020-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
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