JPH0480530B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0480530B2 JPH0480530B2 JP63188433A JP18843388A JPH0480530B2 JP H0480530 B2 JPH0480530 B2 JP H0480530B2 JP 63188433 A JP63188433 A JP 63188433A JP 18843388 A JP18843388 A JP 18843388A JP H0480530 B2 JPH0480530 B2 JP H0480530B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light source
- exposure
- pulse laser
- laser light
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、IC、LSIを製造するために、レチク
ル上の微細な回路パターンを投影レンズにより基
板上に投影焼付する投影式露光装置に関するもの
である。
ル上の微細な回路パターンを投影レンズにより基
板上に投影焼付する投影式露光装置に関するもの
である。
第１図は従来より使用されているフオトリピー
タの構成図である。光源部分１の下に使用パター
ンの例えば10倍の像を記録したレチクルプレート
を固定するレチクル保持部２がある。この下にカ
メラ胴部３があつて、その最下部に露光レンズ４
が取付けられている。露光の際はレチクルプレー
トは光源部分からくる光に照明され、その像は露
光レンズ４でプレートホルダー６に固定された被
露光プレート５の面上に結像し、露光が行われ
る。１回露光が終るとXYステージ７が自動的に
被露光プレートを次の露光部分まで移動して停止
し、次の露光が行われる。このように必要な部分
に次々と自動的に露光が行われ、一枚の被露光プ
レートへの露光が完了する。上記光源部分１の詳
細を第２図に示す。反射集光器８の上部に取付け
られた光源ランプ９から出た集光束１０はシヤツ
ター１１を経て、光の強度分布を一様にする光イ
ンテグレーター１２を経て一様分布の強度の拡散
光となつてコリメータレンズ１４に入り、平行光
１５となつて第１図のレチクル保持部２に入射す
る。また、特開昭48−30875号公報に露光用の光
源としてパルスレーザ光を用いることが知られて
いた。
タの構成図である。光源部分１の下に使用パター
ンの例えば10倍の像を記録したレチクルプレート
を固定するレチクル保持部２がある。この下にカ
メラ胴部３があつて、その最下部に露光レンズ４
が取付けられている。露光の際はレチクルプレー
トは光源部分からくる光に照明され、その像は露
光レンズ４でプレートホルダー６に固定された被
露光プレート５の面上に結像し、露光が行われ
る。１回露光が終るとXYステージ７が自動的に
被露光プレートを次の露光部分まで移動して停止
し、次の露光が行われる。このように必要な部分
に次々と自動的に露光が行われ、一枚の被露光プ
レートへの露光が完了する。上記光源部分１の詳
細を第２図に示す。反射集光器８の上部に取付け
られた光源ランプ９から出た集光束１０はシヤツ
ター１１を経て、光の強度分布を一様にする光イ
ンテグレーター１２を経て一様分布の強度の拡散
光となつてコリメータレンズ１４に入り、平行光
１５となつて第１図のレチクル保持部２に入射す
る。また、特開昭48−30875号公報に露光用の光
源としてパルスレーザ光を用いることが知られて
いた。
しかしながら、前者の従来技術の投影式露光装
置の光源として、後者の従来技術のパルスレーザ
光源を用いた場合、レーザ光源は一般的にスペク
トルバンド幅が狭いことに起因し、いわゆるスペ
ツクルノイズが発生し、微細な回路パターンを高
い分解能で転写することができないという課題を
有していた。
置の光源として、後者の従来技術のパルスレーザ
光源を用いた場合、レーザ光源は一般的にスペク
トルバンド幅が狭いことに起因し、いわゆるスペ
ツクルノイズが発生し、微細な回路パターンを高
い分解能で転写することができないという課題を
有していた。
本発明の目的は、上記課題を解決すべく、高出
力で短い波長の紫外パルスレーザ光を用いてスペ
ツクル模様を発生させることなく、微細な回路パ
ターンを投影レンズにより基板上に高い分解能で
転写することができるようにした投影式露光装置
を提供することにある。
力で短い波長の紫外パルスレーザ光を用いてスペ
ツクル模様を発生させることなく、微細な回路パ
ターンを投影レンズにより基板上に高い分解能で
転写することができるようにした投影式露光装置
を提供することにある。
即ち本発明は、上記目的を達成するために、紫
外パルスレーザ光を照射する紫外パルスレーザ光
源と、該紫外パルスレーザ光源から照射された紫
外パルスレーザ光を光変調させる光変調光学部材
を一体にして光軸と所望の角度をなす方向に運動
させて光変調状態を変化させてスペツクルを抑制
して空間内で波面が異なるように拡散照明する照
明光学系と、該照明光学系により光変調状態を変
化させて空間内で波面が異なるように拡散照明さ
れた紫外パルス拡散照明光を集める集光レンズ
と、該集光レンズにより集められた紫外パルス拡
散照明光によりレチクル上の微細な回路パターン
を基板上に正確に結像させて投影露光する投影レ
ンズとを備えたことを特徴とする投影式露光装置
である。
外パルスレーザ光を照射する紫外パルスレーザ光
源と、該紫外パルスレーザ光源から照射された紫
外パルスレーザ光を光変調させる光変調光学部材
を一体にして光軸と所望の角度をなす方向に運動
させて光変調状態を変化させてスペツクルを抑制
して空間内で波面が異なるように拡散照明する照
明光学系と、該照明光学系により光変調状態を変
化させて空間内で波面が異なるように拡散照明さ
れた紫外パルス拡散照明光を集める集光レンズ
と、該集光レンズにより集められた紫外パルス拡
散照明光によりレチクル上の微細な回路パターン
を基板上に正確に結像させて投影露光する投影レ
ンズとを備えたことを特徴とする投影式露光装置
である。
上記構成により、高出力で短い波長の紫外パル
スレーザ光を用いてスペツクル模様を発生させる
ことなく、微細な回路パターンを投影レンズによ
り基板上に高い分解能で転写することができる。
スレーザ光を用いてスペツクル模様を発生させる
ことなく、微細な回路パターンを投影レンズによ
り基板上に高い分解能で転写することができる。
以下本発明を図に示す実施例にもとづいて具体
的に説明する。第３図は本発明の露光装置である
フオトリピータの一実施例の概略構成を示した
図、第４図は第３図に示す光源部分１６を詳細に
示した構成図である。
的に説明する。第３図は本発明の露光装置である
フオトリピータの一実施例の概略構成を示した
図、第４図は第３図に示す光源部分１６を詳細に
示した構成図である。
１６は高出力の平行なレーザ光を出力する光源
部分である。即ちパルス巾の十分短いパルス光を
出すレーザ発信器１７から出た露光用のレーザ光
１８は、ミラー１９で下方に屈げられ、シヤツタ
ー２０を通つて光インテグレーター２１に入つて
光の分布が一様な拡散光２２となつてコリメータ
ーレンズ２３に入り、平行光束２４となつてレチ
クル保持部２に進む。そしてXYステージ７を連
続的に移動させ、所定位置でパルスレーザを出力
することによりレチクル像は被露光プレート（基
板）５に転写される。
部分である。即ちパルス巾の十分短いパルス光を
出すレーザ発信器１７から出た露光用のレーザ光
１８は、ミラー１９で下方に屈げられ、シヤツタ
ー２０を通つて光インテグレーター２１に入つて
光の分布が一様な拡散光２２となつてコリメータ
ーレンズ２３に入り、平行光束２４となつてレチ
クル保持部２に進む。そしてXYステージ７を連
続的に移動させ、所定位置でパルスレーザを出力
することによりレチクル像は被露光プレート（基
板）５に転写される。
フオトリピータの送りは通常早くても100mm／
ｓのままであるが、送りをかけたまま露光を行う
ためには、移動による像のずれがパターンに影響
を与えないだけ短い時間の露光にしなければなら
ない。例えば、1μｍパターンの場合、0.1μｍ以下
の像のずれにおさえるためには、1μs以下の短い
パルス巾のレーザである必要がある。また露光波
長3000〜4000Åで通常フオトレジストの露光には
10ｍＪ／cm3以上のエネルギー密度が必要である。
途中の光学系での透過率を1/3とすると、最大10
mm角のチツプで必要なレーザ出力は30ｍＪであ
る。
ｓのままであるが、送りをかけたまま露光を行う
ためには、移動による像のずれがパターンに影響
を与えないだけ短い時間の露光にしなければなら
ない。例えば、1μｍパターンの場合、0.1μｍ以下
の像のずれにおさえるためには、1μs以下の短い
パルス巾のレーザである必要がある。また露光波
長3000〜4000Åで通常フオトレジストの露光には
10ｍＪ／cm3以上のエネルギー密度が必要である。
途中の光学系での透過率を1/3とすると、最大10
mm角のチツプで必要なレーザ出力は30ｍＪであ
る。
以上述べた如く、露光波長3000〜4000Åでパル
ス巾1μs以下、レーザ出力30ｍＪ以上のレーザを
用いれば、フオトリピーターはレチクル保持部
（マスターレチクル）２と被露光プレート５を相
対的に100mm／ｓ以下の速度で移動させながら所
定の位置に来たことを示すトリガー信号で連続的
に露光を行うことができ、露光時間は大巾に短縮
することができる。
ス巾1μs以下、レーザ出力30ｍＪ以上のレーザを
用いれば、フオトリピーターはレチクル保持部
（マスターレチクル）２と被露光プレート５を相
対的に100mm／ｓ以下の速度で移動させながら所
定の位置に来たことを示すトリガー信号で連続的
に露光を行うことができ、露光時間は大巾に短縮
することができる。
なお、従来技術に述べてあるように、XYステ
ージ７を間欠的に移動させ、所定位置でパルスレ
ーザを出力することによりレチクル像は、被露光
プレート５に転写することもできることは明らか
である。
ージ７を間欠的に移動させ、所定位置でパルスレ
ーザを出力することによりレチクル像は、被露光
プレート５に転写することもできることは明らか
である。
第４図は光源部分１６の他の一実施例の構成を
示すものである。パルス巾の十分短いパルス光を
出すレーザ発信器１７から出たレーザ光１８はミ
ラー１９で下方に屈げられ、シヤツター２０を通
つて光インテグレーター２１に入り、光の強度分
布の一様な拡散光２２となつてコリメーターレン
ズ（集光レンズ）２３に入り、該コリメータレン
ズ２３により光インテグレータ２１の出射端の拡
散光像を露光レンズ４の入射瞳に結像させるべく
平行光束２４となつてレチクル保持部２に送られ
る。そしてこの光で照明されたレチクルの像は、
露光レンズ４により移動しながら被露光プレート
５に転写される。
示すものである。パルス巾の十分短いパルス光を
出すレーザ発信器１７から出たレーザ光１８はミ
ラー１９で下方に屈げられ、シヤツター２０を通
つて光インテグレーター２１に入り、光の強度分
布の一様な拡散光２２となつてコリメーターレン
ズ（集光レンズ）２３に入り、該コリメータレン
ズ２３により光インテグレータ２１の出射端の拡
散光像を露光レンズ４の入射瞳に結像させるべく
平行光束２４となつてレチクル保持部２に送られ
る。そしてこの光で照明されたレチクルの像は、
露光レンズ４により移動しながら被露光プレート
５に転写される。
本実施例の特徴は、第４図に示す投影式露光装
置の照明光学系にスペツクルの発生を抑制するス
ペツクル抑制光学系２５を備えた点にある。露光
光源にレーザを用いた場合レーザ光は可干渉性が
強いため、転写パターンにスペツクル模様が生じ
る。第４図及び第５図の中に示されている光イン
テグレータ２１がかなりのスペツクル抑制効果を
もつが、微細なパターンの場合、高い分解能が要
求されるため、これだけでは高精度の転写は困難
である。そこで第５図に示すようにスペツクル抑
制光学系２５を用いてはじめて微細なパターンを
正確にしかも高速で転写することを得る。
置の照明光学系にスペツクルの発生を抑制するス
ペツクル抑制光学系２５を備えた点にある。露光
光源にレーザを用いた場合レーザ光は可干渉性が
強いため、転写パターンにスペツクル模様が生じ
る。第４図及び第５図の中に示されている光イン
テグレータ２１がかなりのスペツクル抑制効果を
もつが、微細なパターンの場合、高い分解能が要
求されるため、これだけでは高精度の転写は困難
である。そこで第５図に示すようにスペツクル抑
制光学系２５を用いてはじめて微細なパターンを
正確にしかも高速で転写することを得る。
第６図は本発明に直接関係しないスペツクル抑
制光学系の一例を示すものである。可干渉性の高
いレーザ光１８はセル２６に入射し、中の液体２
７を通過することにより、光のバンド巾が広が
り、可干渉性が低減された低干渉性レーザ光２８
として出てくる。液体２７には牛乳を水で薄めた
液や、二硫化炭素など色々なものが利用できる。
制光学系の一例を示すものである。可干渉性の高
いレーザ光１８はセル２６に入射し、中の液体２
７を通過することにより、光のバンド巾が広が
り、可干渉性が低減された低干渉性レーザ光２８
として出てくる。液体２７には牛乳を水で薄めた
液や、二硫化炭素など色々なものが利用できる。
第７図は本発明中に直接関係しないスペツクル
抑制光学系の他の一例を示したものである。可干
渉性の高いレーザ光１８は可干渉長を越えるよう
な長さの不均一さをもつた光フアイバ束２９に入
り、低干渉性の光３０として出てくるため、スペ
ツクルの発生を抑制することができる。
抑制光学系の他の一例を示したものである。可干
渉性の高いレーザ光１８は可干渉長を越えるよう
な長さの不均一さをもつた光フアイバ束２９に入
り、低干渉性の光３０として出てくるため、スペ
ツクルの発生を抑制することができる。
第８図は本発明に直接関係しないスペツクル抑
制光学系２５の他の一例を示したものである。可
干渉性の高いレーザ光１８はセル２６に入り、中
の液体２８を通ることにより、光のバンド巾が広
がり、可干渉性が低減され、低干渉性のレーザ光
２８として出てくる。次にこの光は、この光のも
つ可干渉長より長い、長さの不均一さをもつた光
フアイバー束２９に入り、さらに低干渉性のレー
ザ光３０となつて出ていく。この光で露光を行う
ことにより、短パルスのレーザ光でも十分露光の
際のスペツクルの発生を抑制することができる。
制光学系２５の他の一例を示したものである。可
干渉性の高いレーザ光１８はセル２６に入り、中
の液体２８を通ることにより、光のバンド巾が広
がり、可干渉性が低減され、低干渉性のレーザ光
２８として出てくる。次にこの光は、この光のも
つ可干渉長より長い、長さの不均一さをもつた光
フアイバー束２９に入り、さらに低干渉性のレー
ザ光３０となつて出ていく。この光で露光を行う
ことにより、短パルスのレーザ光でも十分露光の
際のスペツクルの発生を抑制することができる。
第９図は本発明中に用いたスペツクル抑制光学
系２５の他の一例を示したものである。可干渉性
の高いレーザ光１８はモーター３１によつて回転
させられているスリガラス３２に当り、ランダム
な光変調を受け、空間内で波面が異なり、可干渉
性が低減された拡散光３３となり、次に静止した
スリガラス３４に入射して再び光の方向をランダ
ムに変えられ、可干渉性が低減された拡散光３５
となつて出てくる。従つてこの光を使うことによ
りスペツクルの発生をおさえることができる。
系２５の他の一例を示したものである。可干渉性
の高いレーザ光１８はモーター３１によつて回転
させられているスリガラス３２に当り、ランダム
な光変調を受け、空間内で波面が異なり、可干渉
性が低減された拡散光３３となり、次に静止した
スリガラス３４に入射して再び光の方向をランダ
ムに変えられ、可干渉性が低減された拡散光３５
となつて出てくる。従つてこの光を使うことによ
りスペツクルの発生をおさえることができる。
この回転スリガラスを２個以上通過させればス
ペツクルの抑制効果はそれだけ高くなる。しか
し、レーザ光の透過率は低下するため、一定の限
度がある。またスリガラスは必ずしも回転である
必要はなく、振動や一方向への移動など任意の運
動でよい。静止スリガラスだけでもある程度効果
はあるが運動スリガラスを加えることにより、そ
の効果は飛躍する。
ペツクルの抑制効果はそれだけ高くなる。しか
し、レーザ光の透過率は低下するため、一定の限
度がある。またスリガラスは必ずしも回転である
必要はなく、振動や一方向への移動など任意の運
動でよい。静止スリガラスだけでもある程度効果
はあるが運動スリガラスを加えることにより、そ
の効果は飛躍する。
以上のような各種のスペツクル抑制光学系を単
独または複数個光源部分の光路中に設けることに
より、微細なパターンを高い分解能で転写するこ
とができる。
独または複数個光源部分の光路中に設けることに
より、微細なパターンを高い分解能で転写するこ
とができる。
以上説明したように本発明によれば、投影式露
光装置の光源として高出力の紫外パルスレーザ光
源を使用することを可能にし、高出力で短い波長
の紫外パルスレーザ光を用いてスペツクル模様を
発生させることなく、微細な回路パターンを投影
レンズにより基板上に高い分解能で投影露光する
ことができる効果を奏する。
光装置の光源として高出力の紫外パルスレーザ光
源を使用することを可能にし、高出力で短い波長
の紫外パルスレーザ光を用いてスペツクル模様を
発生させることなく、微細な回路パターンを投影
レンズにより基板上に高い分解能で投影露光する
ことができる効果を奏する。
第１図は従来より使用されている露光装置であ
るフオトリピータを示す概略構成図、第２図は第
１図に示す光源部分を詳細に示す構成図、第３図
は本発明の露光装置であるフオト．リピータの一
実施例を示す概略構成図、第４図は第３図に示す
光源部分の一例を示す構成図、第５図は光源部分
の他の例を示す構成図、第６図乃至第８図は第４
図及び第５図に用いた本発明に直接関係しないス
ペツクル抑制光学系の各例を示した構成図、第９
図は第４図及び第５図に用いた本発明に係るスペ
ツクル抑制光学系の一例を示した構成図である。 符号の説明、２……レチクル保持部、３……カ
メラ胴部、４……露光レンズ、５…被露光プレー
ト、６……プレートホルダー、７……XYステー
ジ、１６……光源部分、１７……レーザ発振器、
２０……シヤツター、２１……光インテグレータ
ー、２３……コリメートレンズ、２５……スペツ
クル抑制光学系。
るフオトリピータを示す概略構成図、第２図は第
１図に示す光源部分を詳細に示す構成図、第３図
は本発明の露光装置であるフオト．リピータの一
実施例を示す概略構成図、第４図は第３図に示す
光源部分の一例を示す構成図、第５図は光源部分
の他の例を示す構成図、第６図乃至第８図は第４
図及び第５図に用いた本発明に直接関係しないス
ペツクル抑制光学系の各例を示した構成図、第９
図は第４図及び第５図に用いた本発明に係るスペ
ツクル抑制光学系の一例を示した構成図である。 符号の説明、２……レチクル保持部、３……カ
メラ胴部、４……露光レンズ、５…被露光プレー
ト、６……プレートホルダー、７……XYステー
ジ、１６……光源部分、１７……レーザ発振器、
２０……シヤツター、２１……光インテグレータ
ー、２３……コリメートレンズ、２５……スペツ
クル抑制光学系。
Claims (1)
- １ 紫外パルスレーザ光を照射する紫外パルスレ
ーザ光源と、該紫外パルスレーザ光源から照射さ
れた紫外パルスレーザ光を光変調させる光変調光
学部材を一体にして光軸と所望の角度をなす方向
に運動させて光変調状態を変化させてスペツクル
を抑制して空間内で波面が異なるように拡散照明
する照明光学系と、該照明光学系により光変調状
態を変化させて空間内で波面が異なるように拡散
照明された紫外パルス拡散照明光を集める集光レ
ンズと、該集光レンズにより集められた紫外パル
ス拡散照明光によりレチクル上の微細な回路パタ
ーンを基板上に正確に結像させて投影露光する投
影レンズとを備えたことを特徴とする投影式露光
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63188433A JPS6477124A (en) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | Projection type exposure device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63188433A JPS6477124A (en) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | Projection type exposure device |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3257457A Division JP2501053B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 紫外パルスレ―ザによる投影式露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6477124A JPS6477124A (en) | 1989-03-23 |
| JPH0480530B2 true JPH0480530B2 (ja) | 1992-12-18 |
Family
ID=16223589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63188433A Granted JPS6477124A (en) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | Projection type exposure device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6477124A (ja) |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4830875A (ja) * | 1971-08-25 | 1973-04-23 | ||
| JPS4831969A (ja) * | 1971-08-27 | 1973-04-26 | ||
| JPS5144660B2 (ja) * | 1971-10-18 | 1976-11-30 | ||
| JPS555081B2 (ja) * | 1973-01-24 | 1980-02-04 | ||
| JPS505040A (ja) * | 1973-02-19 | 1975-01-20 | ||
| JPS5038378A (ja) * | 1973-08-08 | 1975-04-09 | ||
| JPS5721801B2 (ja) * | 1973-08-08 | 1982-05-10 | ||
| FR2406236A1 (fr) * | 1976-12-10 | 1979-05-11 | Thomson Csf | Dispositif optique a source coherente pour le transfert rapide de motifs sur substrats, applique a la realisation de composants et circuits a microstructures |
-
1988
- 1988-07-29 JP JP63188433A patent/JPS6477124A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6477124A (en) | 1989-03-23 |
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