JPH0480849B2 - - Google Patents
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- JPH0480849B2 JPH0480849B2 JP17566384A JP17566384A JPH0480849B2 JP H0480849 B2 JPH0480849 B2 JP H0480849B2 JP 17566384 A JP17566384 A JP 17566384A JP 17566384 A JP17566384 A JP 17566384A JP H0480849 B2 JPH0480849 B2 JP H0480849B2
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- formula
- silicon
- sih
- diethyl ether
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Description
〔技術分野〕
本発明は、分子中に少なくとも1個のSi−H結
合あるいはSi−Si結合を有する一般式SixHyOz
(ただしxは1以上の正の整数、yおよびzはそ
れぞれ2x+2、2xを越えない正の整数でありど
ちらか一方は0ではなくまたx=1の場合はzは
0ではない)で表わされるケイ素化合物から、一
般式SilH2l+2(lはxより小さい正の整数)で表わ
される水素化ケイ素を製造する方法に関する。
〔背景技術〕
近年、エレクトロニクス工業の発展に伴い、多
結晶シリコンあるいはアモルフアスシリコン等の
半導体用シリコンの需要が急激に増大している。
水素化ケイ素はかかる半導体用シリコンの製造原
料として最近その重要性を増しており、特にシラ
ン(SiH4)、ジシラン(Si2H6)は太陽電池用半
導体の原料として、今後大幅な需要増加が期待さ
れている。
従来、水素化ケイ素の製造方法はいくつか知ら
れているが、それらの中でケイ化マグネシウムと
酸との反応により製造する方法は、特に実施容易
で経済的な方法として古くから公知である。
Mg2Si+4HClin H2O or lig NH3
――――――――――――――――→
2MgCl2+1/n SioH2o+2+(1−1/n)H2
しかしながらこの方法においては、利用価値の
高いSiH4、Si2H6以外にも高級シランが相当量生
成し、例えば、水を溶媒に用いた場合には、常温
常圧で反応が実施できるものの、Mg2Si中のSiの
約半分がSipHqOr(pは3以上の正の整数、qお
よびrはそれぞれ2p+2、2pを越えない正の整
数で、どちらか一方は0でない)で表わされるケ
イ素化合物となるため経済性に乏しい。
また、この他ケイ素のハロゲン化物を還元して
水素化ケイ素を製造する場合においても高級シラ
ンが副生することが知られており、例えば、
2Si2Cl6+3lAlH4in ether
――――――――→
3LiCl+AlCl3+2Si2H6
の反応によつてSi2H6を製造する場合においては
Si3H8などの高級シランが相当量生成する。
一方、高級シランSinH2n+2(mは2以上の正の
整数)は、加熱分解あるいは無声放電等によりそ
の一部をSiH4やSi2H6に変え得ることが報告され
ているが、そのSiH4、Si2H6への転化率は低く未
だ不充分である。
本発明者らは、上記の点にかんがみ、鋭意検討
したところ従来法において副生する種々のケイ素
化合物は大部分SixHyOzなる一般式で表現される
ものであり、またこれらのほとんどが分子中に少
なくとも1個のSi−H結合、あるいはSi−Si結合
なる活性部立を有していて、特定の物質との反応
処理を施すことによつて、高収率で所望のSiH4
やSi2H6等の水素化ケイ素に転化しうることを見
い出した。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、上記のごとき従来法において
副生する種々のケイ素化合物(これらは分子中に
少なくとも一個のSi−H結合あるいはSi−Si結合
を有する一般式SixHyOzで表わされるものであ
る)を、SiH4、Si2H6の経済的に価値のある水素
化ケイ素に高収率で変換する方法を提供すること
である。
〔発明の開示〕
本発明に従つて分子中に少なくとも1個のSi−
HあるいはSi−Si結合を有する一般式SixHyOz
(ただしxは1以上の正の整数、yおよびzはそ
れぞれ2x+2、2xを越えない正の整数であり、
どちらか一方は0でなく、またx=1の場合はz
=0ではない)で表わされるケイ素化合物と、一
般式
[Technical field] The present invention relates to a compound having the general formula Si x H y O z having at least one Si-H bond or Si-Si bond in the molecule.
(However, x is a positive integer greater than or equal to 1, y and z are positive integers not exceeding 2x+2 and 2x, respectively, and one of them is not 0, and if x=1, z is not 0). The present invention relates to a method for producing silicon hydride represented by the general formula Si l H 2l+2 (l is a positive integer smaller than x) from a silicon compound. [Background Art] In recent years, with the development of the electronics industry, the demand for silicon for semiconductors such as polycrystalline silicon or amorphous silicon has increased rapidly.
Silicon hydride has recently become more important as a raw material for manufacturing silicon for semiconductors, and demand for silane (SiH 4 ) and disilane (Si 2 H 6 ) in particular is expected to increase significantly in the future as raw materials for semiconductors for solar cells. It is expected. Several methods for producing silicon hydride have been known, among which a method for producing silicon hydride by reacting magnesium silicide with an acid has been known for a long time as a particularly easy and economical method. Mg 2 Si+4HClin H 2 O or lig NH 3 ――――――――――――――――→ 2MgCl 2 +1/n Si o H 2o+2 + (1-1/n) H 2However , this In this method, in addition to SiH 4 and Si 2 H 6 , which have high utility value, a considerable amount of higher silane is produced. For example, when water is used as a solvent, the reaction can be carried out at room temperature and pressure, but Mg 2 Approximately half of the Si in Si is represented by Si p H q O r (p is a positive integer of 3 or more, q and r are positive integers not exceeding 2p+2 and 2p, respectively, and one of them is not 0). Since it is a silicon compound, it is not economical. Furthermore, it is known that higher silane is produced as a by-product when silicon hydride is produced by reducing silicon halides, for example, 2Si 2 Cl 6 +3lAlH 4 in ether. ---→ When producing Si 2 H 6 by the reaction of 3LiCl + AlCl 3 + 2Si 2 H 6 ,
Significant amounts of higher silanes such as Si 3 H 8 are produced. On the other hand, it has been reported that high-grade silane Si n H 2n+2 (m is a positive integer of 2 or more) can be partially converted into SiH 4 or Si 2 H 6 by thermal decomposition or silent discharge. , its conversion to SiH 4 and Si 2 H 6 is low and still insufficient. In view of the above points, the present inventors have conducted extensive studies and found that most of the various silicon compounds produced as by-products in conventional methods are expressed by the general formula Si x H y O z ; has at least one Si-H bond or Si-Si bond in its molecule, and by performing a reaction treatment with a specific substance, the desired SiH 4 can be produced in high yield.
We discovered that it can be converted into silicon hydrides such as Si 2 H 6 and Si 2 H 6 . [Objective of the Invention] The object of the present invention is to solve various silicon compounds (these have the general formula Si The object of the present invention is to provide a method for converting O z ) into economically valuable silicon hydrides such as SiH 4 and Si 2 H 6 in high yields. [Disclosure of the Invention] According to the present invention, at least one Si-
General formula Si x H y O z with H or Si-Si bond
(However, x is a positive integer greater than or equal to 1, y and z are positive integers not exceeding 2x+2 and 2x, respectively,
If either one is not 0 and x=1, then z
= not 0) and the general formula
【式】R8=N− R9、[Formula] R 8 =N- R 9 ,
【式】【formula】
【式】【formula】
【式】【formula】
【式】
R24−C≡N、R25−N≡N−R26あるいはR27−
N=N(式中R1乃至R27は炭素数1乃至20の炭化
水素基あるいは水素である)で表わされる群より
選択される鎖状もしくは環状の含チツ素有機化合
物の少なくとも1種とを接触反応させることによ
り、一般式SilH2l+2(ただしlはx以下の1以上の
正の整数で表わされる水素化ケイ素を製造する方
法が提供される。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明において原料として用いられるケイ素化
合物とは、一般式SixHyOz(ただしxは1以上の
正の整数、yおよびzはそれぞれ2x+2、2xを
越えない正の整数であり、どちらか一方は0でな
い)で表わされるものであり、分子中に少なくと
も一個のSi−H結合あるいはSi−Si結合を含む。
具体的には例えば、ジシラン(Si2H6)、トリシ
ラン(Si3H8)、n−テトラシラン(Si4H10)、イ
ソテトラシラン(Si4H10)、シクロヘキサシラン
(Si6H12)、ポリシレン((―SiH2)―o、ジシロキサ
ン(Si2H6O)、トリシロキサン(Si3H8O2)、テ
トラシロキサン(Si4H10O3)、シロキセン
((Si2H2O)o)などがあげられる。これらは2種
以上混合してもしくは混合したものを用いること
も可能である。またこれらは後述するようにエー
テル、炭化水素あるいはハロゲン化炭化水素など
の希釈剤もしくは有機溶媒に溶解あるいは懸濁し
て使用することも可能であり、気相、液相、固相
のいずれにおいても用い得る。
また鎖状または環状の含チツ素有機化合物と
は、一般式[Formula] R 24 −C≡N, R 25 −N≡N−R 26 or R 27 −
At least one type of chain or cyclic nitrogen-containing organic compound selected from the group represented by N=N (wherein R 1 to R 27 are a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms or hydrogen) By carrying out a catalytic reaction, a method for producing silicon hydride having the general formula Si l H 2l+2 (where l is a positive integer of 1 or more less than or equal to x) is provided.Hereinafter, the present invention will be explained in detail. The silicon compound used as a raw material in the present invention has the general formula Si x H y O z (where x is a positive integer of 1 or more, y and z are positive integers not exceeding 2x+2 and 2x, respectively, one of which is not 0), and contains at least one Si--H bond or Si--Si bond in the molecule.
Specifically, for example, disilane (Si 2 H 6 ), trisilane (Si 3 H 8 ), n-tetrasilane (Si 4 H 10 ), isotetrasilane (Si 4 H 10 ), cyclohexasilane (Si 6 H 12 ), polysilene ((-SiH 2 )- o , disiloxane (Si 2 H 6 O), trisiloxane (Si 3 H 8 O 2 ), tetrasiloxane (Si 4 H 10 O 3 ), siloxene ((Si 2 H 2 O) o ) etc. It is also possible to use a mixture of two or more of these, or a mixture thereof. Also, these can be used with a diluent such as ether, hydrocarbon or halogenated hydrocarbon, as described below. Alternatively, it can be used by dissolving or suspending it in an organic solvent, and can be used in any of the gas phase, liquid phase, and solid phase.Also, chain or cyclic nitrogen-containing organic compounds are defined by the general formula
【式】R8=N− R9、[Formula] R 8 =N- R 9 ,
【式】【formula】
【式】【formula】
【式】【formula】
以下、本発明を実施例によつてより具体的に説
明する。
実施例 1
容量4のセパラブルフラスコに、濃度20wt
%の塩酸水溶液2、ジエチルエーテル300gを
装入した。水素ガス雰囲気中、上記混合液が還流
している条件下(反応濃度35℃)で更にケイ化マ
グネシウム60gを(粒度100乃至200メツシユ、
782mmol−Si)撹拌しながら200分かけて、0.3
g/minの一定速度で加え続けた。反応終了後
(ケイ化マグネシウム投入終了後)、反応後を0℃
に冷却し、静置後、ジエチルエーテル層約0.4
を分離した。反応器中の酸性水溶液は80℃にまで
昇温し、溶解している少量のジエチルエーテルを
追出し、上記二層分離したジエチルエーテル層と
混合した。反応中、二層分離および酸性水溶液の
加熱処理の操作の間に生成したガスは、初め−70
℃に冷却したジエチルエーテルの入つたトラツプ
(トラツプ())にて、次に液体チツ素温度で冷
却したトラツプ(トラツプ())にて捕集した。
次に二層分離後のジエチルエーテル層およびト
ラツプ()中のエーテルを混合したものを、実
段数約3段の蒸留塔にて蒸留し、SiH4、Si2H6を
蒸留分離し、SiH4(bp−112℃)、Si2H6(bp−14.5
℃)を液体チツ素温度で冷却したトラツプ()
中に追加、捕集した。トラツプ()および蒸留
後のジエチルエーテル層に残つたSiH4、Si2H6、
Si3H8、Si4H10の量は、ガスクロマトグラフによ
り分析、定量した。
トラツプ()およびジエチルエーテル層中の
シラン類の量は以下に示す値であつた。
Hereinafter, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples. Example 1 Concentration 20wt in a separable flask with a capacity of 4
% aqueous hydrochloric acid solution and 300 g of diethyl ether were charged. In a hydrogen gas atmosphere, under conditions where the above mixture was refluxing (reaction concentration 35°C), 60 g of magnesium silicide (particle size 100 to 200 mesh,
782mmol-Si) over 200 minutes with stirring, 0.3
Addition continued at a constant rate of g/min. After the reaction is completed (after the addition of magnesium silicide), the temperature after the reaction is 0°C.
After cooling and standing still, a diethyl ether layer of approximately 0.4
was separated. The acidic aqueous solution in the reactor was heated to 80°C, and a small amount of dissolved diethyl ether was expelled and mixed with the diethyl ether layer separated into two layers. During the reaction, the gas generated during the two-layer separation and heating treatment operations of the acidic aqueous solution was initially −70
It was collected in a trap (trap ()) containing diethyl ether cooled to 0.degree. C., and then in a trap (trap ()) cooled at the temperature of liquid nitrogen. Next, the mixture of the diethyl ether layer after the two-layer separation and the ether in the trap () is distilled in a distillation column with about 3 plates to distill and separate SiH 4 and Si 2 H 6 . (bp−112℃), Si 2 H 6 (bp−14.5
Trap (℃) cooled at liquid nitrogen temperature
Added and collected inside. SiH 4 , Si 2 H 6 , which remained in the trap () and the diethyl ether layer after distillation.
The amounts of Si 3 H 8 and Si 4 H 10 were analyzed and quantified by gas chromatography. The amounts of silanes in the trap () and diethyl ether layers were as shown below.
【表】
またジエチルエーテル層中のSi量を比色分析し
たところ含有量324mmolであつた。またIRスペ
クトルにより、該ケイ素化合物中にはSi−Si結
合、Si−H結合の他にSi−O−Si結合が相当量存
在することが認められた。これに更にジエチルエ
ーテルを追加し、ジエチルエーテル溶液()
0.5を得た。この溶液()中のSi濃度は0.653
mmolSiatm/mlsolm、またSi3H8、Si4H10の濃
度はそれぞれ0.032mmol/mlsolm.、0.020m
mol/mlsolmであつた。
−15℃に設定した還流コンデンサーを取り付け
た内容積約50mlの反応器に、ジメチルホルミアミ
ド5.0mlを入れ、さらに上記のジエチルエーテル
溶液()を10ml装入し25℃にて反応を行なつ
た。反応は撹拌しながら行ない、また雰囲気ガス
は水素とし、生成したガスは液体チツ素温度で冷
却したトラツプ中に捕集した。2時間後反応を停
止し、トラツプ中のSiH4、Si2H4、Si2H6の量を
ガスクロマトグラフにより分析、定量した。
SiH4、Si2H6の量は、それぞれ2.04mmol、
0.22mmolで、これは反応液として用いたジエチ
ルエーテル中のエイ素の37.9%に相当する。また
SiH4とSi2H6の生成割合はケイ素アトムベースで
(SiH4/Si2H6=4.64)であつた。
実施例 2乃至11
実施例1において、ジメチルホルミアミドのか
わりにジエチルアミン、トリエチルアミン、トリ
ブチルアミン、アニリン、N−メチルアニリン、
ピリジン、α−ピコリン、エチレンジアミン、
N,N−ジメチルアセトアミド、アンモニア水
(濃度28wt%)をそれぞれ5ml用いた以外は実施
例1と同様に実験を行なつた。
結果を第1表に示す。
実施例 12.13.14
実施例1において、ケイ化マグネシウムと塩酸
との反応をジエチルエーテルのかわりに、テトラ
ヒドロピラン、ジオキサン、四フツ化二塩化エタ
ンを用いて行ない、それぞれ下記に示すケイ素化
合物の溶液を得た。[Table] Furthermore, colorimetric analysis of the amount of Si in the diethyl ether layer revealed that the content was 324 mmol. In addition, the IR spectrum revealed that the silicon compound contained a considerable amount of Si-O-Si bonds in addition to Si-Si bonds and Si-H bonds. Add diethyl ether to this and diethyl ether solution ()
Got 0.5. The Si concentration in this solution () is 0.653
mmolSiatm/mlsolm, and the concentrations of Si 3 H 8 and Si 4 H 10 are 0.032 mmol/mlsolm. and 0.020 m, respectively.
It was mol/mlsolm. Pour 5.0 ml of dimethylformamide into a reactor with an internal volume of about 50 ml and equipped with a reflux condenser set at -15°C, and then add 10 ml of the above diethyl ether solution () and conduct the reaction at 25°C. Ta. The reaction was carried out with stirring, the atmospheric gas was hydrogen, and the gas produced was collected in a trap cooled at the temperature of liquid nitrogen. After 2 hours, the reaction was stopped, and the amounts of SiH 4 , Si 2 H 4 and Si 2 H 6 in the trap were analyzed and quantified by gas chromatography. The amounts of SiH 4 and Si 2 H 6 are 2.04 mmol and 2.04 mmol, respectively.
It was 0.22 mmol, which corresponds to 37.9% of the eigen in diethyl ether used as the reaction solution. Also
The generation ratio of SiH 4 and Si 2 H 6 was (SiH 4 /Si 2 H 6 = 4.64) based on silicon atoms. Examples 2 to 11 In Example 1, diethylamine, triethylamine, tributylamine, aniline, N-methylaniline,
Pyridine, α-picoline, ethylenediamine,
An experiment was carried out in the same manner as in Example 1, except that 5 ml each of N,N-dimethylacetamide and aqueous ammonia (concentration 28 wt%) were used. The results are shown in Table 1. Example 12.13.14 In Example 1, the reaction between magnesium silicide and hydrochloric acid was carried out using tetrahydropyran, dioxane, and tetrafluorodichloride ethane instead of diethyl ether, and solutions of the silicon compounds shown below were respectively prepared. Obtained.
【表】
実施例1において、ジエチルエーテル溶液
()のかわりにそれぞれ上記の溶液10mlとジメ
チルホルムアミド5mlと反応させた以外は実施例
1と同様に実験を行なつた。
結果を第1表に示す。
実施例 15.16
実施例1において、ジエチルエーテル溶液
()のかわりにSi3H8およびSiH3OSiH2OSiH3
をそれぞれ0.224mmol/mlsolm、含むジエチル
エーテル溶液を用いた以外は実施例1と同様に実
験を行なつた。
結果を第1表に示す。
実施例 17
−15℃に設定した還流コンデンサーを取付けた
内容積約50mlの円筒型の反応器に、ジメチルホル
ムデヒドを10ml装入し、これに水素ガスで希釈し
たSi3H8のガス(濃度5.5vol%)を1mmol/hr
の一定速度で、室温下にて6時間吹込んだ。生成
ガスは液体チツ素で冷却したトラツプ中に捕集
し、反応終了後ガスクロマトグラフによりSiH4、
Si2H6の量を定量した。
結果を第1表に示す。[Table] An experiment was carried out in the same manner as in Example 1, except that 10 ml of the above solution and 5 ml of dimethylformamide were used instead of the diethyl ether solution (2). The results are shown in Table 1. Example 15.16 In Example 1, Si 3 H 8 and SiH 3 OSiH 2 OSiH 3 were used instead of the diethyl ether solution ().
The experiment was conducted in the same manner as in Example 1, except that a diethyl ether solution containing 0.224 mmol/mlsolm of each was used. The results are shown in Table 1. Example 17 A cylindrical reactor with an internal volume of approximately 50 ml and equipped with a reflux condenser set at −15°C was charged with 10 ml of dimethylformdehyde, and Si 3 H 8 gas diluted with hydrogen gas (concentration 5.5vol%) to 1mmol/hr
The air was blown at a constant rate of 6 hours at room temperature. The generated gas is collected in a trap cooled with liquid nitrogen, and after the reaction is completed, SiH 4 ,
The amount of Si2H6 was quantified. The results are shown in Table 1.
【表】【table】
以上のごとく、本発明は種々の方法により、例
えばSiH4、Si2H6などの水素化ケイ素を製造する
場合において副生する一般式SixHyOzで表わされ
るケイ素化合物の一部を、含チツ素化合物と接触
させることにより、きわめて容易にかつ収率良く
有用なSiH4、Si2H6等に変え得るもので、その産
業上の利用可能性はきわめて高いといわねばなら
ない。なお、本発明の方法を従来のSiH4、Si2H6
等の水素化ケイ素の製造プロセスにおいて適用す
ることにより、該プロセス自体の経済性が大幅に
向上することはいうまでもない。
As described above, the present invention uses various methods to convert a part of the silicon compound represented by the general formula Si x H y O z that is produced as a by-product in the production of silicon hydride such as SiH 4 and Si 2 H 6. By contacting with a nitrogen-containing compound, it can be converted into useful SiH 4 , Si 2 H 6 , etc. very easily and with good yield, and it must be said that its industrial applicability is extremely high. Note that the method of the present invention can be applied to conventional SiH 4 , Si 2 H 6
It goes without saying that by applying the present invention to a silicon hydride production process such as the above, the economic efficiency of the process itself is greatly improved.
Claims (1)
はSi−Si結合を有する一般式SixHyOz(ただしx
は1以上の正の整数、yおよびzはそれぞれ2x
+2、2xを越えない正の整数でありどちらか一
方は0ではなく、またx=1の場合はzは0では
ない)で表わされるケイ素化合物と、一般式 【式】【式】R8=N− R9、 【式】【式】 【式】【式】 【式】【式】R24− C≡N、 R25−N=N−R26あるいはR27−N≡N(式中
R1乃至R27は炭素数1乃至20の炭化水素基、水酸
基あるいは水素である)で表わされる群より選択
される鎖状もしくは環状の含チツ素有機化合物の
少なくとも1種とを接触反応させることにより、
一般式SilH2l+2(ただしlはxより小さい正の整
数)で表わされる水素化ケイ素を製造する方法。 2 ケイ素化合物(SixHyOz)が一般式SixH2x+2
(xは2以上の正の整数)で表わされる特許請求
の範囲第1項に記載の方法。 3 水素化ケイ素SilH2l+2がSiH4あるいはSi2H6
である特許請求の範囲第1項に記載の方法。 4 ケイ素化合物が有機溶媒に溶解している特許
請求の範囲第1項に記載の方法。[Claims] 1. General formula Si x H y O z (where x
is a positive integer greater than or equal to 1, and y and z are each 2x
+2, a positive integer not exceeding 2x, one of which is not 0, and if x = 1, z is not 0) and the general formula [Formula] [Formula] R 8 = N- R 9 , [Formula] [Formula] [Formula] [Formula] [Formula] [Formula] R 24 − C≡N, R 25 −N=N−R 26 or R 27 −N≡N (in the formula
R 1 to R 27 are a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a hydroxyl group, or hydrogen. According to
A method for producing silicon hydride represented by the general formula Si l H 2l+2 (where l is a positive integer smaller than x). 2 Silicon compounds (Si x H y O z ) have the general formula Si x H 2x+2
(x is a positive integer of 2 or more). 3 Silicon hydride Si l H 2l+2 is SiH 4 or Si 2 H 6
The method according to claim 1. 4. The method according to claim 1, wherein the silicon compound is dissolved in an organic solvent.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17566384A JPS6153110A (en) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | Production of silicon hydride |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17566384A JPS6153110A (en) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | Production of silicon hydride |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6153110A JPS6153110A (en) | 1986-03-17 |
| JPH0480849B2 true JPH0480849B2 (en) | 1992-12-21 |
Family
ID=16000043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17566384A Granted JPS6153110A (en) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | Production of silicon hydride |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6153110A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6153825B2 (en) * | 2013-09-04 | 2017-06-28 | 株式会社日本触媒 | Storage method of hydrogenated silane compounds |
-
1984
- 1984-08-23 JP JP17566384A patent/JPS6153110A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6153110A (en) | 1986-03-17 |
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