JPH0480976A - 基板結晶材料及びその製造方法 - Google Patents
基板結晶材料及びその製造方法Info
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- JPH0480976A JPH0480976A JP2195769A JP19576990A JPH0480976A JP H0480976 A JPH0480976 A JP H0480976A JP 2195769 A JP2195769 A JP 2195769A JP 19576990 A JP19576990 A JP 19576990A JP H0480976 A JPH0480976 A JP H0480976A
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- Japan
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- crystal
- lanthanide
- oxide
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- single crystal
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ０発明の目的
〔産業上の利用分野〕
本発明は、酸化物超伝導デバイスに於ける超電導薄膜を
形成する基板に使用する酸化物超伝導薄膜用の基板結晶
材料及びその製造方法に関する。
形成する基板に使用する酸化物超伝導薄膜用の基板結晶
材料及びその製造方法に関する。
最近、酸化物高温超伝導材料の実用化を目的とした開発
が進められており、その一つとして高速記憶素子として
のジョセフソン素子や超伝導トランジスタの開発が進め
られている。又、実装基板の配線用としても期待されて
いる。このような酸化物超伝導体の製造方法としては、
スパッタリング法や、蒸着法、ＣＶＤ法等があり、いず
れも良質の基板材料が必要とされている。酸化物超伝導
体の薄膜形成時の基板温度は６００℃以上の高温にする
必要があるために、基板材料としては、酸化物超伝導体
に対し、反応性が無く、薄膜形成温度以下で相転移のな
いものが望まれている。
が進められており、その一つとして高速記憶素子として
のジョセフソン素子や超伝導トランジスタの開発が進め
られている。又、実装基板の配線用としても期待されて
いる。このような酸化物超伝導体の製造方法としては、
スパッタリング法や、蒸着法、ＣＶＤ法等があり、いず
れも良質の基板材料が必要とされている。酸化物超伝導
体の薄膜形成時の基板温度は６００℃以上の高温にする
必要があるために、基板材料としては、酸化物超伝導体
に対し、反応性が無く、薄膜形成温度以下で相転移のな
いものが望まれている。
酸化物超伝導体の特性は、結晶の方位によって大きく変
化することが知られており、基板上に（００１）方向に
配向させて形成される必要がある。そのためには少なく
とも双晶のない基板が必要である。又、方位が良質の酸
化物超伝導体薄膜を形成するには、格子定数不整合の値
が小さい結晶基板が必要である。
化することが知られており、基板上に（００１）方向に
配向させて形成される必要がある。そのためには少なく
とも双晶のない基板が必要である。又、方位が良質の酸
化物超伝導体薄膜を形成するには、格子定数不整合の値
が小さい結晶基板が必要である。
このような基板材料としては、従来ストロンチウム・チ
タン酸化物（ＳｒＴｉ０３）、ランタン・アルミニウム
酸化物（ＬａＡＩＯ：＋）、ランタン・ガリウム酸化物
（ＬａＧａ０３）、ネオジウム・ガリウム酸化物（Ｎｄ
ＧａＯ３）、マグネシウム酸化物（ＭｇＯ）、イツトリ
ウム・ジルコニウム酸化物（ＹＳＺ）等の酸化物単結晶
が用いられていた。しかしながら、ＬａＡｌＯ３、Ｌａ
Ｇａ０３、ＮｄＧａＯ３においては双晶、相転移の問題
があり、ＭｇＯ，ＹＳＺでは格子定数不整合が大きく不
十分であり、５ｒＴｉ０３は誘電率が大きいため、高速
スイッチング素子には適していない等、全ての条件を満
足した基板結晶材料がなかった。
タン酸化物（ＳｒＴｉ０３）、ランタン・アルミニウム
酸化物（ＬａＡＩＯ：＋）、ランタン・ガリウム酸化物
（ＬａＧａ０３）、ネオジウム・ガリウム酸化物（Ｎｄ
ＧａＯ３）、マグネシウム酸化物（ＭｇＯ）、イツトリ
ウム・ジルコニウム酸化物（ＹＳＺ）等の酸化物単結晶
が用いられていた。しかしながら、ＬａＡｌＯ３、Ｌａ
Ｇａ０３、ＮｄＧａＯ３においては双晶、相転移の問題
があり、ＭｇＯ，ＹＳＺでは格子定数不整合が大きく不
十分であり、５ｒＴｉ０３は誘電率が大きいため、高速
スイッチング素子には適していない等、全ての条件を満
足した基板結晶材料がなかった。
本考案は、ランタニド系（Ｌｎ）元素［イツトリウム（
Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、サマリウム（Ｓ閣）、プラセ
オジウム（Ｐｒ）、ガドリウム（Ｇｄ）、ディスプロシ
ウム（Ｄｙ）］と、アルミニウム酸化物であるＬｎＡｌ
ｏ、が占めるランタニド系元素を、セリウム（Ｃｅ）、
又はネオジウム（Ｎｄ）、又はユウロピウム（Ｅｕ）に
より０．０１ａｔ％ないし１００ａｔ％置換したＣｅＬ
ｎＡＩＯ３、又はＮｄＬｎＡＩＯａ、又はＥｕＬｎＡＩ
Ｏ：＋からなる双晶のない、酸化物超伝導材料と、格子
定数不整合の少ない良質の酸化物超伝導体薄膜を形成す
る基板結晶材料を提供するにある。
Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、サマリウム（Ｓ閣）、プラセ
オジウム（Ｐｒ）、ガドリウム（Ｇｄ）、ディスプロシ
ウム（Ｄｙ）］と、アルミニウム酸化物であるＬｎＡｌ
ｏ、が占めるランタニド系元素を、セリウム（Ｃｅ）、
又はネオジウム（Ｎｄ）、又はユウロピウム（Ｅｕ）に
より０．０１ａｔ％ないし１００ａｔ％置換したＣｅＬ
ｎＡＩＯ３、又はＮｄＬｎＡＩＯａ、又はＥｕＬｎＡＩ
Ｏ：＋からなる双晶のない、酸化物超伝導材料と、格子
定数不整合の少ない良質の酸化物超伝導体薄膜を形成す
る基板結晶材料を提供するにある。
ロ６発明の構成
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、前述の課題を解決するために、ランタニド系
アルミニウム酸化物に、セリウム（Ｃｅ）イオン、ネオ
ジウム（Ｎｄ）イオン、又はユウロピウム（Ｅｕ）イオ
ンのいずれかをＯ，０１ａｔ％以上ドープしてランタニ
ド系元素を最大１００％置換したＬｎＡｌｏ３（Ｌｎは
Ｙ、 Ｌａ、 Ｓｍ、 Ｐｒ、 Ｇｄ、 Ｄｙ）単結晶
を製造することを特徴とする。
アルミニウム酸化物に、セリウム（Ｃｅ）イオン、ネオ
ジウム（Ｎｄ）イオン、又はユウロピウム（Ｅｕ）イオ
ンのいずれかをＯ，０１ａｔ％以上ドープしてランタニ
ド系元素を最大１００％置換したＬｎＡｌｏ３（Ｌｎは
Ｙ、 Ｌａ、 Ｓｍ、 Ｐｒ、 Ｇｄ、 Ｄｙ）単結晶
を製造することを特徴とする。
即ち本発明は、
１、ランタニド（Ｌｎ）系元素［Ｌｎはイツトリウム（
Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、サマリウム（Ｓｍ）、プラセ
オジウム（Ｐｒ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ディスプロ
シウム（Ｄｙ）］と、アルミニウム酸化物とのランタニ
ド・アルミニウム酸化物（ＬｎＡｌＯ３）単結晶からな
る基板結晶材料において、該単結晶のランタニド系元素
に対して、セリウム（Ｃｅ）、ネオジウム（Ｎｄ）、又
はユウロピウム（Ｅｕ）の、一種、又は２種、又は３種
により、ランタニド系元素をＯ，０１ａｔ％ないし１０
０ａｔ％置換し形成したことを特徴とする基板結晶材料
である。
Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、サマリウム（Ｓｍ）、プラセ
オジウム（Ｐｒ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ディスプロ
シウム（Ｄｙ）］と、アルミニウム酸化物とのランタニ
ド・アルミニウム酸化物（ＬｎＡｌＯ３）単結晶からな
る基板結晶材料において、該単結晶のランタニド系元素
に対して、セリウム（Ｃｅ）、ネオジウム（Ｎｄ）、又
はユウロピウム（Ｅｕ）の、一種、又は２種、又は３種
により、ランタニド系元素をＯ，０１ａｔ％ないし１０
０ａｔ％置換し形成したことを特徴とする基板結晶材料
である。
２、ランタニド（Ｌｎ）系元素［Ｌｎはイツトリウム（
Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、サマリウム（Ｓｍ）、プラセ
オジウム（Ｐｒ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ディスプロ
シウム（Ｄｙ）］と、アルミニウム酸化物とからなるラ
ンタニド・アルミニウム酸化物（ＬｎＡｌＯ３）の単結
晶に、セリウム（Ｃｅ）、ネオジウム（Ｎｄ）、又はユ
ウロピウム（Ｅｕ）の一種、又は２種、又は３種により
ランタニド系元素を０．０１ａｔ％ないし１００ａｔ％
ドープしてなる基板結晶材料の製造方法において、使用
酸化物の純度を９９．９９％以上の純度のものとし、単
結晶育成時の溶融液の液面上の温度分布を、長さが１ｃ
ｍ当たりの温度勾配を３０℃ないし４０℃の範囲に保持
することを特徴とする基板結晶材料の製造方法である。
Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、サマリウム（Ｓｍ）、プラセ
オジウム（Ｐｒ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ディスプロ
シウム（Ｄｙ）］と、アルミニウム酸化物とからなるラ
ンタニド・アルミニウム酸化物（ＬｎＡｌＯ３）の単結
晶に、セリウム（Ｃｅ）、ネオジウム（Ｎｄ）、又はユ
ウロピウム（Ｅｕ）の一種、又は２種、又は３種により
ランタニド系元素を０．０１ａｔ％ないし１００ａｔ％
ドープしてなる基板結晶材料の製造方法において、使用
酸化物の純度を９９．９９％以上の純度のものとし、単
結晶育成時の溶融液の液面上の温度分布を、長さが１ｃ
ｍ当たりの温度勾配を３０℃ないし４０℃の範囲に保持
することを特徴とする基板結晶材料の製造方法である。
ランタニド系元素とアルミニウム酸化物（ＬｎＡｌＯ３
）は誘電率が小さく、格子定数不整合も小さいが、斜方
晶ペロブスカイト型結晶であるため、ａ軸、ｂ軸、ａ軸
の熱膨張係数が多少異なる。そのため、双晶クラック等
が発生し易く、大面積の良質の結晶が得られなかった。
）は誘電率が小さく、格子定数不整合も小さいが、斜方
晶ペロブスカイト型結晶であるため、ａ軸、ｂ軸、ａ軸
の熱膨張係数が多少異なる。そのため、双晶クラック等
が発生し易く、大面積の良質の結晶が得られなかった。
ＮｄＡｌＯ３、ＥｕＡｌＯ３、ＣｅＡｌＯ３等は、正方
晶、あるいはそれに近い結晶であり、ａ軸、ｂ軸の熱膨
張数が同程度になるため、特にＣ軸方向に切断した結晶
面では、双晶、クラック等が発生しにくくなる。従って
、ＬｎＡＩＯ３結晶にＮｄイオン、Ｅｕイオン、Ｃｅイ
オンをドープすることによって双晶やクラックのない単
結晶材料が得られたものと考えられる。
晶、あるいはそれに近い結晶であり、ａ軸、ｂ軸の熱膨
張数が同程度になるため、特にＣ軸方向に切断した結晶
面では、双晶、クラック等が発生しにくくなる。従って
、ＬｎＡＩＯ３結晶にＮｄイオン、Ｅｕイオン、Ｃｅイ
オンをドープすることによって双晶やクラックのない単
結晶材料が得られたものと考えられる。
第１図は、本発明の基板結晶材料の製造方法に用いた結
晶育成炉を示す断面図である。イリジウム坩堝１０には
所望の組成を得る様配合され、２０００℃程の温度で溶
かされた原料溶融液４があり、液面には種結晶保持棒１
に連なる種結晶２、及び育成中の単結晶３が、種結晶保
持棒によりゆるやかな−様な回転と引上げにより欠陥の
ない単結晶が作られる。尚、育成炉全体はペルジャーに
収められ、窒素ガス中に封入されている。
晶育成炉を示す断面図である。イリジウム坩堝１０には
所望の組成を得る様配合され、２０００℃程の温度で溶
かされた原料溶融液４があり、液面には種結晶保持棒１
に連なる種結晶２、及び育成中の単結晶３が、種結晶保
持棒によりゆるやかな−様な回転と引上げにより欠陥の
ない単結晶が作られる。尚、育成炉全体はペルジャーに
収められ、窒素ガス中に封入されている。
尚、イリジウム坩堝１０、及び坩堝１１、及び保温筒７
，８の外周には、イリジウム坩堝を加熱するための高周
波誘導加熱コイル９が巻回されており、高周波誘導加熱
コイルによりイリジウム坩堝を誘導加熱し、原料溶融液
４を作る。
，８の外周には、イリジウム坩堝を加熱するための高周
波誘導加熱コイル９が巻回されており、高周波誘導加熱
コイルによりイリジウム坩堝を誘導加熱し、原料溶融液
４を作る。
（実施例１）
次に本発明の実施例について説明する。結晶育成時の最
適の偏析係数を約０．２５とすることを考慮して、純度
９９．９９％以上の酸化セリウム（Ｃｅ２０４）、酸化
ネオジウム（Ｎｄ２０３）、酸化イツトリウム（Ｙ２Ｏ
３）、酸化アルミニウム（Ａ１２０３）の原料粉末を、
各々Ｃｅ２Ｏ４を２．６１ ｇ 、 Ｎｄ２Ｏ：＋を３
．０２ｇ、 Ｙ２Ｏ３を２０．１３ ｇ、Ａｌ２Ｏ３を
９２．７ｇを秤量し、これらの原料酸化物を混合し、密
閉されたペルジャー内に設置された直径５０ｍｍ、肉厚
１．５ｍ−のイリジウム（Ｉｒ）坩堝に装入した。
適の偏析係数を約０．２５とすることを考慮して、純度
９９．９９％以上の酸化セリウム（Ｃｅ２０４）、酸化
ネオジウム（Ｎｄ２０３）、酸化イツトリウム（Ｙ２Ｏ
３）、酸化アルミニウム（Ａ１２０３）の原料粉末を、
各々Ｃｅ２Ｏ４を２．６１ ｇ 、 Ｎｄ２Ｏ：＋を３
．０２ｇ、 Ｙ２Ｏ３を２０．１３ ｇ、Ａｌ２Ｏ３を
９２．７ｇを秤量し、これらの原料酸化物を混合し、密
閉されたペルジャー内に設置された直径５０ｍｍ、肉厚
１．５ｍ−のイリジウム（Ｉｒ）坩堝に装入した。
窒素ガスを雰囲気として高周波誘導加熱コイルでイリジ
ウム坩堝を約２０００℃まで加熱し、原料酸化物を溶融
した後、ネオジウムをドープしたイツトリウム・アルミ
ニウム酸化物（Ｎｄ ： ＹＡＩＯ３）種結晶を溶融液
につけて２Ｏｒｐｍの速さで回転しながら１時間当たり
３■の速さで引き上げて、直径２０ｍｍ、長さ７０＋ｕ
のネオジウム・セリウムをドープしたイツトリウム・ア
ルミニウム酸化物（ＮｄＣｅ：ＹＡＩＯ：＋）単結晶棒
を得た。尚、この時育成する結晶の温度は溶融液面上ｌ
ＣＩ当たり温度勾配が３０℃〜４０℃の間に保持するよ
う制御した。尚この単結晶を分析し、ＹをＣｅがｌａｔ
％置換していることを確認した。Ｎｄは、約０．９ａｔ
％程度であった。Ｎｄイオン、Ｃｅイオン等を添加しな
い従来のＹＡｌＯ３結晶の場合、直交ニコル像を用いた
双晶、及びクラックの観察において、不良品は９０％以
上の割合で発生するが、本発明の実施例で作った場合の
、双晶、クラック等の発生確率は、育成本数１０本当た
り１本捏度、即ち１０％以下であった。
ウム坩堝を約２０００℃まで加熱し、原料酸化物を溶融
した後、ネオジウムをドープしたイツトリウム・アルミ
ニウム酸化物（Ｎｄ ： ＹＡＩＯ３）種結晶を溶融液
につけて２Ｏｒｐｍの速さで回転しながら１時間当たり
３■の速さで引き上げて、直径２０ｍｍ、長さ７０＋ｕ
のネオジウム・セリウムをドープしたイツトリウム・ア
ルミニウム酸化物（ＮｄＣｅ：ＹＡＩＯ：＋）単結晶棒
を得た。尚、この時育成する結晶の温度は溶融液面上ｌ
ＣＩ当たり温度勾配が３０℃〜４０℃の間に保持するよ
う制御した。尚この単結晶を分析し、ＹをＣｅがｌａｔ
％置換していることを確認した。Ｎｄは、約０．９ａｔ
％程度であった。Ｎｄイオン、Ｃｅイオン等を添加しな
い従来のＹＡｌＯ３結晶の場合、直交ニコル像を用いた
双晶、及びクラックの観察において、不良品は９０％以
上の割合で発生するが、本発明の実施例で作った場合の
、双晶、クラック等の発生確率は、育成本数１０本当た
り１本捏度、即ち１０％以下であった。
（実施例２）
ＹＡ１０３結晶育成において、予めＥｕイオンがＹイオ
ンに対して３０ａｔ％だけ置換されるように考慮して秤
量されたＹ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ：＋酸化物粉
末原料を混合した後、密閉されたペルジャー内に置かれ
た直径５０■飄、肉厚１．５閣■のイリジウム坩堝に装
入した。
ンに対して３０ａｔ％だけ置換されるように考慮して秤
量されたＹ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ：＋酸化物粉
末原料を混合した後、密閉されたペルジャー内に置かれ
た直径５０■飄、肉厚１．５閣■のイリジウム坩堝に装
入した。
窒素ガスを雰囲気として高周波誘導加熱コイルでイリジ
ウム坩堝を２０００℃まで加熱し、原料酸化物を溶融し
た後、ＹＡｌＯ３種結晶を溶融液につけて、２０ｒｐ層
の回転速度で回転しながら１時間３履腸の速さで引き上
げて、直径２０ｍ層、長さ５０ｍｍの結晶を得た。
ウム坩堝を２０００℃まで加熱し、原料酸化物を溶融し
た後、ＹＡｌＯ３種結晶を溶融液につけて、２０ｒｐ層
の回転速度で回転しながら１時間３履腸の速さで引き上
げて、直径２０ｍ層、長さ５０ｍｍの結晶を得た。
この時溶融液面上の育成結晶の際の温度勾配は、育成結
晶の長さ方向の育成結晶の長さ方向の１ ｃｍ当たり３
０℃〜４０℃の間に制御された。この結晶を輪切りにし
て切断面を鏡面研磨してから、直交ニコル像を観察した
ところ、双晶及びクラックの無い良質の結晶が本実施例
によって得られることを確認した。尚、この場合の良品
率は７０％であった。
晶の長さ方向の育成結晶の長さ方向の１ ｃｍ当たり３
０℃〜４０℃の間に制御された。この結晶を輪切りにし
て切断面を鏡面研磨してから、直交ニコル像を観察した
ところ、双晶及びクラックの無い良質の結晶が本実施例
によって得られることを確認した。尚、この場合の良品
率は７０％であった。
（実施例３）
ＹＡＩＯ３結晶育成において、予めＮｄイオンがＹイオ
ンに対してｌａｔ％だけ置換されるように考慮して秤量
されたＹ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ：＋酸化物粉末
原料を混合し、密閉されたペルジャー内に置かれた直径
５０■璽、肉厚１．５鵬璽のイリジウム坩堝に装入した
。窒素ガスを雰囲気として、高周波誘導加熱コイルでイ
リジウム坩堝を約２０００℃まで加熱し、原料酸化物を
溶融した後、ＹＡｌＯ３種結晶を溶融液につけて、２０
ｒｐ厘の回転速度で回転しながら１時間３■脂の速さで
、直径２０園園、長さ５０ｍｍの結晶を得た。尚、この
時の育成単結晶の溶融液面上の温度勾配は１ｃ■当たり
３０℃〜４０℃に制御された。この結晶を細切りにして
、切断面を鏡面研磨してから直交ニコル像を観察したと
ころ、双晶及びクラックの無い良質の結晶が得られた。
ンに対してｌａｔ％だけ置換されるように考慮して秤量
されたＹ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ：＋酸化物粉末
原料を混合し、密閉されたペルジャー内に置かれた直径
５０■璽、肉厚１．５鵬璽のイリジウム坩堝に装入した
。窒素ガスを雰囲気として、高周波誘導加熱コイルでイ
リジウム坩堝を約２０００℃まで加熱し、原料酸化物を
溶融した後、ＹＡｌＯ３種結晶を溶融液につけて、２０
ｒｐ厘の回転速度で回転しながら１時間３■脂の速さで
、直径２０園園、長さ５０ｍｍの結晶を得た。尚、この
時の育成単結晶の溶融液面上の温度勾配は１ｃ■当たり
３０℃〜４０℃に制御された。この結晶を細切りにして
、切断面を鏡面研磨してから直交ニコル像を観察したと
ころ、双晶及びクラックの無い良質の結晶が得られた。
本実施例における良品率は８０％以上であった。
尚、本発明の実施例においては、ランタニド系アルミニ
ウム酸化物にドープされる元素は、セリウム（Ｃｅ）、
ネオジウム（Ｎｄ）、ユウロピウム（Ｅｕ）を夫々添加
した例で示したが、Ｃｅ、 Ｎｄ、 Ｅｕは、同一単結
晶に１種又は２種の組合せ、又は３種の組合せで同時に
ドープされても本発明の実施例と同一の効果が得られる
ことは当然である。
ウム酸化物にドープされる元素は、セリウム（Ｃｅ）、
ネオジウム（Ｎｄ）、ユウロピウム（Ｅｕ）を夫々添加
した例で示したが、Ｃｅ、 Ｎｄ、 Ｅｕは、同一単結
晶に１種又は２種の組合せ、又は３種の組合せで同時に
ドープされても本発明の実施例と同一の効果が得られる
ことは当然である。
ハ１発明の効果
〔発明の効果〕
以上述べたごとく本発明によるランタニド系元素とアル
ミニウムとの酸化物を、セリウム（Ｃｅ）、又はネオジ
ウム（Ｎｄ）、又はユウロピウム（Ｅｕ）によりＯ，０
１ｍｍ％ないし１００ａｔ％置換した単結晶とすること
により酸化物超伝導膜用基板として双晶及びクラックの
ない良質の基板結晶の提供が可能となった。
ミニウムとの酸化物を、セリウム（Ｃｅ）、又はネオジ
ウム（Ｎｄ）、又はユウロピウム（Ｅｕ）によりＯ，０
１ｍｍ％ないし１００ａｔ％置換した単結晶とすること
により酸化物超伝導膜用基板として双晶及びクラックの
ない良質の基板結晶の提供が可能となった。
第１図は、本発明の酸化物超伝導体薄膜用の基板結晶材
料の育成に用いる単結晶育成炉の正面断面図。 １・・・種結晶保持棒、２・・・種結晶、３・・・単結
晶、４・・・原料溶融液、６・・・ＺｒＯ２粉末、７．
８・・・保温筒、９・・・高周波誘導加熱コイル、１０
・・・イリジウム坩堝、１１・・・坩堝。 特許出願人 株式会社トーキン
料の育成に用いる単結晶育成炉の正面断面図。 １・・・種結晶保持棒、２・・・種結晶、３・・・単結
晶、４・・・原料溶融液、６・・・ＺｒＯ２粉末、７．
８・・・保温筒、９・・・高周波誘導加熱コイル、１０
・・・イリジウム坩堝、１１・・・坩堝。 特許出願人 株式会社トーキン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ランタニド（Ｌｎ）系元素［Ｌｎはイットリウム（
Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、サマリウム（Ｓｍ）、プラセ
オジウム（Ｐｒ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、デイスプロ
シウム（Ｄｙ）］と、アルミニウム酸化物とのランタニ
ド・アルミニウム酸化物（ＬｎＡｌＯ＿３）単結晶から
なる基板結晶材料において、該単結晶のランタニド系元
素に対して、セリウム（Ｃｅ）、ネオジウム（Ｎｄ）、
又はユウロピウム（Ｅｕ）の、一種、又は２種、又は３
種により、ランタニド系元素を０．０１ａｔ％ないし１
００ａｔ％置換し形成したことを特徴とする基板結晶材
料。 ２、ランタニド（Ｌｎ）系元素［Ｌｎはイットリウム（
Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、サマリウム（Ｓｍ）、プラセ
オジウム（Ｐｒ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、デイスプロ
シウム（Ｄｙ）］と、アルミニウム酸化物とからなるラ
ンタニド・アルミニウム酸化物 （ＬｎＡｌＯ＿３）の単結晶に、セリウム（Ｃｅ）、ネ
オジウム（Ｎｄ）、又はユウロピウム（Ｅｕ）の一種、
又は２種、又は３種によりランタニド系元素を０．０１
ａｔ％ないし１００ａｔ％ドープしてなる基板結晶材料
の製造方法において、使用酸化物の純度を９９．９９％
以上の純度のものとし、単結晶育成時の溶融液の液面上
の温度分布を、長さが１ｃｍ当たりの温度勾配を３０℃
ないし４０℃の範囲に保持することを特徴とする基板結
晶材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2195769A JPH0480976A (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | 基板結晶材料及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2195769A JPH0480976A (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | 基板結晶材料及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0480976A true JPH0480976A (ja) | 1992-03-13 |
Family
ID=16346655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2195769A Pending JPH0480976A (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | 基板結晶材料及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0480976A (ja) |
-
1990
- 1990-07-23 JP JP2195769A patent/JPH0480976A/ja active Pending
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