JPH0481868B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0481868B2 JPH0481868B2 JP58244784A JP24478483A JPH0481868B2 JP H0481868 B2 JPH0481868 B2 JP H0481868B2 JP 58244784 A JP58244784 A JP 58244784A JP 24478483 A JP24478483 A JP 24478483A JP H0481868 B2 JPH0481868 B2 JP H0481868B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- metal layer
- opening
- metal
- diaphragm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明は、測定すべき圧力変化を静電容量的
に検出する半導体センサ、特にその電極部の構造
に関する。
に検出する半導体センサ、特にその電極部の構造
に関する。
第１図はかかる半導体センサの従来例を示す構
成図で、イはその上面図、ロは断面図である。同
図において、１は金属層、２，９は絶縁層、３は
開口、４は金属電極リード、５はSiエピタキシヤ
ル層、６は低抵抗埋込み層、７はP+層、８はSi
単結晶基板、１０は表面安定化層、１１はダイア
フラム部、１２は空洞である。
成図で、イはその上面図、ロは断面図である。同
図において、１は金属層、２，９は絶縁層、３は
開口、４は金属電極リード、５はSiエピタキシヤ
ル層、６は低抵抗埋込み層、７はP+層、８はSi
単結晶基板、１０は表面安定化層、１１はダイア
フラム部、１２は空洞である。
Si単結晶基板８は主表面が（100）面であり、
これにP+拡散層（１cm3当たりの濃度が1020程度）
７が形成されていて、ダイアフラム部１１および
空洞１２を形成する際のストツプ層となる。基板
８の一方の面には窒化シリコン（Si3N4）等の絶
縁層９が形成され、この絶縁層９と基板８の薄肉
部の表面には、ガラス等の表面安定化層１０が形
成される。基板８の他面にはエピタキシヤル層５
が形成され、その一部はくりぬかれて空洞１２に
なつており、さらに他の部分には、P+拡散層７
と金属電極部４との接触を図るための低抵抗埋込
み層６が形成されている。また、Siエピタキシヤ
ル層５上には、絶縁層９と同様にSi3N4等よりな
る絶縁層２が形成され、さらにその上には金属層
１が形成される。金属層１と絶縁層２とを貫通し
て形成される開口（穴）３は、空洞部１２を異方
性エツチングにて形成するときに、これを通して
エツチング液を供給するために明けられる。この
開口３の形状は、例えば同図イに示されるような
細長い溝であつて、それが「ハ」の字型に複数個
配列され、最終的には破線の如き形状にくりぬか
れて空洞１２が形成される。これは、主表面が
（100）面で、横方向が（011）面であるようなSi
単結晶基板８上に任意の形の閉じたパターンのマ
スクで、KOH系がエチレンジアミン・ピロカテ
コール系のエツチング剤を用いて異方性化学エツ
チングを行なうと、最終的に出来上がるパターン
は、（111）面と等価な面によつて４面が囲まれた
ピラミツド状となり、しかもそのパターンはマス
タパターンに内接するという性質を利用して、行
なわれる。こうして、金属層１とダイアフラム部
１１との間にキヤパシタンスが形成され、測定圧
力にてダイアフラム部１１が変位すると、これに
応じてキヤパシタンスが変化するので、圧力を容
量の関数として測定することができる。
これにP+拡散層（１cm3当たりの濃度が1020程度）
７が形成されていて、ダイアフラム部１１および
空洞１２を形成する際のストツプ層となる。基板
８の一方の面には窒化シリコン（Si3N4）等の絶
縁層９が形成され、この絶縁層９と基板８の薄肉
部の表面には、ガラス等の表面安定化層１０が形
成される。基板８の他面にはエピタキシヤル層５
が形成され、その一部はくりぬかれて空洞１２に
なつており、さらに他の部分には、P+拡散層７
と金属電極部４との接触を図るための低抵抗埋込
み層６が形成されている。また、Siエピタキシヤ
ル層５上には、絶縁層９と同様にSi3N4等よりな
る絶縁層２が形成され、さらにその上には金属層
１が形成される。金属層１と絶縁層２とを貫通し
て形成される開口（穴）３は、空洞部１２を異方
性エツチングにて形成するときに、これを通して
エツチング液を供給するために明けられる。この
開口３の形状は、例えば同図イに示されるような
細長い溝であつて、それが「ハ」の字型に複数個
配列され、最終的には破線の如き形状にくりぬか
れて空洞１２が形成される。これは、主表面が
（100）面で、横方向が（011）面であるようなSi
単結晶基板８上に任意の形の閉じたパターンのマ
スクで、KOH系がエチレンジアミン・ピロカテ
コール系のエツチング剤を用いて異方性化学エツ
チングを行なうと、最終的に出来上がるパターン
は、（111）面と等価な面によつて４面が囲まれた
ピラミツド状となり、しかもそのパターンはマス
タパターンに内接するという性質を利用して、行
なわれる。こうして、金属層１とダイアフラム部
１１との間にキヤパシタンスが形成され、測定圧
力にてダイアフラム部１１が変位すると、これに
応じてキヤパシタンスが変化するので、圧力を容
量の関数として測定することができる。
しかしながら、かかる構造の半導体センサに
は、下記の如き欠点がある。
は、下記の如き欠点がある。
(イ) 開口３が細い溝から形成されているため、エ
ツチング液が入り難く、したがつて、空洞形成
に時間が掛かる。なお、溝を大きくすると、電
極部の実効面積が小さくなる。つまり、検出の
ためのキヤパシタンスが小さくなるので、溝を
広げるにも限度がある。
ツチング液が入り難く、したがつて、空洞形成
に時間が掛かる。なお、溝を大きくすると、電
極部の実効面積が小さくなる。つまり、検出の
ためのキヤパシタンスが小さくなるので、溝を
広げるにも限度がある。
(ロ) ダイアフラム部と対向する全面に電極部が形
成されているため、圧力変化に応答する検出容
量に付随するストレイ容量が大きく、したがつ
て、測定誤差が大きくなるばかりでなく、測定
感度が低下する。
成されているため、圧力変化に応答する検出容
量に付随するストレイ容量が大きく、したがつ
て、測定誤差が大きくなるばかりでなく、測定
感度が低下する。
この発明はかかる欠点を除去すべくなされたも
ので、測定感度を向上させるとともにストレイ容
量を小さくすることにより、測定誤差が小さな高
精度の半導体形静電容量式圧力センサを提供する
ことを目的とする。
ので、測定感度を向上させるとともにストレイ容
量を小さくすることにより、測定誤差が小さな高
精度の半導体形静電容量式圧力センサを提供する
ことを目的とする。
その要点は、半導体形式の圧力センサにおいて
ダイアフラム部とともに測定キヤパシタンスを構
成する電極部の面積を、少なくともダイアフラム
部のそれよりも小さくし、これを複数の腕部にて
支持する如く構成することにより、エツチング時
間の短縮化、検出感度の向上およびストレイ容量
の低下を図るようにした点にある。
ダイアフラム部とともに測定キヤパシタンスを構
成する電極部の面積を、少なくともダイアフラム
部のそれよりも小さくし、これを複数の腕部にて
支持する如く構成することにより、エツチング時
間の短縮化、検出感度の向上およびストレイ容量
の低下を図るようにした点にある。
第２Ａ図はこの発明の実施例を示す上面図、第
２Ｂ図は同じくその断面図である。
２Ｂ図は同じくその断面図である。
表面の結晶学的方向が（100）面であるＮまた
はＰ型のSi単結晶基板８に、イオン打ち込み法や
熱拡散法等によつてP+層７をダイアフラムの厚
さにした後、CVD（Chemical Vapor
Deposition；化学反応を利用した薄膜の形成方
法）等によつてエピタキシヤル層５をキヤパシタ
ンスの空隙に相当する厚さまで成長させ（この層
は低抵抗にせず、異方性化学エツチングを受け易
くしておく。）、次にP+層７と導通を図るように
低抵抗の埋込み層６を形成し、こうして作られる
集積体を挾むようにしてSi3N4やSiO2（酸化シリ
コン）等の絶縁層を0.5〜1μｍ程度形成した後、
金属電極リード４を作るために絶縁層の開口を行
なつてから金属層１を形成するところ迄は、従来
と同様である。
はＰ型のSi単結晶基板８に、イオン打ち込み法や
熱拡散法等によつてP+層７をダイアフラムの厚
さにした後、CVD（Chemical Vapor
Deposition；化学反応を利用した薄膜の形成方
法）等によつてエピタキシヤル層５をキヤパシタ
ンスの空隙に相当する厚さまで成長させ（この層
は低抵抗にせず、異方性化学エツチングを受け易
くしておく。）、次にP+層７と導通を図るように
低抵抗の埋込み層６を形成し、こうして作られる
集積体を挾むようにしてSi3N4やSiO2（酸化シリ
コン）等の絶縁層を0.5〜1μｍ程度形成した後、
金属電極リード４を作るために絶縁層の開口を行
なつてから金属層１を形成するところ迄は、従来
と同様である。
つまり、この発明は、第２Ａ図からも明らかな
ようにその電極部およびダイアフラム部の形状に
特徴を有するもので、これらがどのようにして形
成されるかについて、以下に説明する。
ようにその電極部およびダイアフラム部の形状に
特徴を有するもので、これらがどのようにして形
成されるかについて、以下に説明する。
いま、正方形のダイアフラムを作る場合は、第
２Ａ図に示される如く４個の台形（第２Ａ図では
開口３として示されている。）を結晶学的（011）
面と等価なSi基板面に対して、２個は互いに平行
に、また他の２個は直角にし、しかも、それぞれ
の台形に外接する長方形（一点鎖線で囲まれる部
分Ｃ）が僅かずつ重なるように、金属層のエツチ
ングを行なう。次に、この金属層の開口３をマス
クとして絶縁層２のエツチングを行なうが、この
とき、金属の付いていない側の絶縁層９も正方形
のダイアフラム部が形成されるように開口し、エ
ツチングを行なう。その後、こうして形成される
正方形に腕１４が付いた形状に金属を残し、他の
部分の金属をエツチング除去する。このようにす
ると、開口部には単結晶Siが露出することになる
ので、これをKOH系がエチレンジアミン・ピロ
カテコール系等の異方性化学エツチング液中に浸
すと、開口部から異方性エツチングが進む。台形
の開口３によるエツチングがまず進行するが、そ
の横方向は（111）面と等価な面で囲まれる、第
２Ａ図に一点鎖線で囲まれる部分Ｃにエツチング
が進む。ところで、異方性化学エツチングのシリ
コンに対する性質の１つとして、「２つの（111）
面が凹型に交わる部分のエツチングは、それ以外
の部分よりも遅い」という性質があり、これによ
り、２つの長方形の重なり合つた部分から再びエ
ツチングが進行し、内側の正方形の下がくり抜か
れて空洞１２（第２Ｂ図参照）となる。一方、こ
の空洞と反対側の面も同様にしてエツチングが行
なわれ、４面が（111）面で囲まれたくぼみが形
成され、薄肉部は第２Ｂ図に符号１１で示される
如くダイアフラム部となる。なお、異方性化学エ
ツチングに対する第２の性質である「１cm2当たり
の濃度が1020程度のP+層はエツチングされ難い」
という性質によつて、縦方向のエツチングはP+
層７によつてストツプされる。したがつて、Siエ
ピタキシヤル層５の厚さにて空洞１２の厚みは制
限され、これにより正確にギヤツプを形成するこ
とができる。なお、ダイアフラム部１１の厚さ
は、拡散層７によつて決まることは云う迄もな
い。また、金属層（電極部）１とダイアフラム部
１１とで形成される内、外の正方形の辺の長さの
比γ（＝ae／ａ）は、１よりも小さくなるように
選ばれるが、これは、検出容量を小さくせずに、
感度を上げるためである。すなわち、ダイアフラ
ム部に対応する部分全面を電極にすると感度が下
がり、また、電極をダイアフラムの中央部に作れ
ば、感度は向上するが検出容量が小さくなつてス
トレイ容量の影響を受け易くなるので、これらの
兼ね合いで決まる適宜な比γに選ばれる。
２Ａ図に示される如く４個の台形（第２Ａ図では
開口３として示されている。）を結晶学的（011）
面と等価なSi基板面に対して、２個は互いに平行
に、また他の２個は直角にし、しかも、それぞれ
の台形に外接する長方形（一点鎖線で囲まれる部
分Ｃ）が僅かずつ重なるように、金属層のエツチ
ングを行なう。次に、この金属層の開口３をマス
クとして絶縁層２のエツチングを行なうが、この
とき、金属の付いていない側の絶縁層９も正方形
のダイアフラム部が形成されるように開口し、エ
ツチングを行なう。その後、こうして形成される
正方形に腕１４が付いた形状に金属を残し、他の
部分の金属をエツチング除去する。このようにす
ると、開口部には単結晶Siが露出することになる
ので、これをKOH系がエチレンジアミン・ピロ
カテコール系等の異方性化学エツチング液中に浸
すと、開口部から異方性エツチングが進む。台形
の開口３によるエツチングがまず進行するが、そ
の横方向は（111）面と等価な面で囲まれる、第
２Ａ図に一点鎖線で囲まれる部分Ｃにエツチング
が進む。ところで、異方性化学エツチングのシリ
コンに対する性質の１つとして、「２つの（111）
面が凹型に交わる部分のエツチングは、それ以外
の部分よりも遅い」という性質があり、これによ
り、２つの長方形の重なり合つた部分から再びエ
ツチングが進行し、内側の正方形の下がくり抜か
れて空洞１２（第２Ｂ図参照）となる。一方、こ
の空洞と反対側の面も同様にしてエツチングが行
なわれ、４面が（111）面で囲まれたくぼみが形
成され、薄肉部は第２Ｂ図に符号１１で示される
如くダイアフラム部となる。なお、異方性化学エ
ツチングに対する第２の性質である「１cm2当たり
の濃度が1020程度のP+層はエツチングされ難い」
という性質によつて、縦方向のエツチングはP+
層７によつてストツプされる。したがつて、Siエ
ピタキシヤル層５の厚さにて空洞１２の厚みは制
限され、これにより正確にギヤツプを形成するこ
とができる。なお、ダイアフラム部１１の厚さ
は、拡散層７によつて決まることは云う迄もな
い。また、金属層（電極部）１とダイアフラム部
１１とで形成される内、外の正方形の辺の長さの
比γ（＝ae／ａ）は、１よりも小さくなるように
選ばれるが、これは、検出容量を小さくせずに、
感度を上げるためである。すなわち、ダイアフラ
ム部に対応する部分全面を電極にすると感度が下
がり、また、電極をダイアフラムの中央部に作れ
ば、感度は向上するが検出容量が小さくなつてス
トレイ容量の影響を受け易くなるので、これらの
兼ね合いで決まる適宜な比γに選ばれる。
第３図はこの発明の他の実施例を示す上面図で
ある。
ある。
金属層１、すなわち電極部を、第２Ａ図では
（011）面方向に対して45゜傾斜した腕１４によつ
て支えるようにしているのに対し、この実施例は
（011）面に平行な腕と垂直な腕とによつて支持す
るようにした例である。なお、１３は開口であつ
て、腕部１４の下側の空洞を形成するための補助
開口である。つまり、Ｌ字形の開口３に外接する
正方形のうち、互いに斜めに配置された少なくと
も２つに対して細溝形の補助開口が重なり合つて
いることであり、これによつて、腕部１４の下に
空洞部を形成するための時間を短くすることがで
きる。なお、同図からも明らかなように、開口１
３の長さは、腕の幅の√２倍よりも大きく形成さ
れる。また、開口１３の幅を広げると空洞形成の
ための時間は短縮されるが、検出容量が小さくな
るので、これらを考慮して適宜に形成することが
望ましい。
（011）面方向に対して45゜傾斜した腕１４によつ
て支えるようにしているのに対し、この実施例は
（011）面に平行な腕と垂直な腕とによつて支持す
るようにした例である。なお、１３は開口であつ
て、腕部１４の下側の空洞を形成するための補助
開口である。つまり、Ｌ字形の開口３に外接する
正方形のうち、互いに斜めに配置された少なくと
も２つに対して細溝形の補助開口が重なり合つて
いることであり、これによつて、腕部１４の下に
空洞部を形成するための時間を短くすることがで
きる。なお、同図からも明らかなように、開口１
３の長さは、腕の幅の√２倍よりも大きく形成さ
れる。また、開口１３の幅を広げると空洞形成の
ための時間は短縮されるが、検出容量が小さくな
るので、これらを考慮して適宜に形成することが
望ましい。
第４図はこの発明のさらに他の実施例を示す上
面図である。つまり、第２Ａ図の如くするかわり
に、電極部をダイアフラム部に対して45゜だけ傾
けて配置することによつても、上記と同様の効果
を期待することができる。
面図である。つまり、第２Ａ図の如くするかわり
に、電極部をダイアフラム部に対して45゜だけ傾
けて配置することによつても、上記と同様の効果
を期待することができる。
なお、以上はダイアフラム部および電極部の形
状が正方形の場合であるが、これを長方形のもの
とすることも可能である。
状が正方形の場合であるが、これを長方形のもの
とすることも可能である。
この発明によれば、ダイアフラム部とともに測
定キヤパシタンスを構成する電極部の面積をダイ
アフラム部より小さくし、これを複数の腕により
支える如く構成したので、空洞部形成のための開
口部を検出容量を小さくすることなく大きくする
ことが可能となり、したがつて、エツチング時間
が短縮されるばかりでなく、検出感度を向上させ
ることができる利点をもたらすものである。ま
た、電極部を支えるための腕を、ダイアフラム部
以外の部分に僅かに掛かるようにしているため、
検出容量に付随するストレイ容量を小さくするこ
とができる利点を有するものである。
定キヤパシタンスを構成する電極部の面積をダイ
アフラム部より小さくし、これを複数の腕により
支える如く構成したので、空洞部形成のための開
口部を検出容量を小さくすることなく大きくする
ことが可能となり、したがつて、エツチング時間
が短縮されるばかりでなく、検出感度を向上させ
ることができる利点をもたらすものである。ま
た、電極部を支えるための腕を、ダイアフラム部
以外の部分に僅かに掛かるようにしているため、
検出容量に付随するストレイ容量を小さくするこ
とができる利点を有するものである。
第１図は半導体形静電容量式センサの従来例を
示す構成図、第２Ａ図はこの発明の実施例を示す
上面図、第２Ｂ図は同じくその断面構造を示す断
面図、第３図はこの発明の他の実施例を示す上面
図、第４図はこの発明のさらに他の実施例を示す
上面図である。 符号説明、１……金属層、２，９……絶縁層、
３……開口、４……金属電極リード、５……Siエ
ピタキシヤル層、６……低抵抗埋込み層、７……
P+層、８……Si単結晶基板、１０……表面安定
化層、１１……ダイアフラム部、１２……空洞、
１３……補助開口、１４……腕。
示す構成図、第２Ａ図はこの発明の実施例を示す
上面図、第２Ｂ図は同じくその断面構造を示す断
面図、第３図はこの発明の他の実施例を示す上面
図、第４図はこの発明のさらに他の実施例を示す
上面図である。 符号説明、１……金属層、２，９……絶縁層、
３……開口、４……金属電極リード、５……Siエ
ピタキシヤル層、６……低抵抗埋込み層、７……
P+層、８……Si単結晶基板、１０……表面安定
化層、１１……ダイアフラム部、１２……空洞、
１３……補助開口、１４……腕。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Si単結晶基板と、該基板上に形成されたP+
拡散層と、該拡散層上に形成されたSiエピタキシ
ヤル層と、該エピタキシヤル層の一部に形成され
前記P+拡散層と電気的につながる低抵抗埋込み
層と、前記エピタキシヤル層上および前記Si基板
のエピタキシヤル層とは反対の面にそれぞれ形成
された第１、第２の絶縁層と、該第１絶縁層上に
形成された金属層と、該金属層および絶縁層を貫
通する開口と前記第２絶縁層側の開口とを介して
異方性のエツチング処理を行なうことにより形成
されるダイアフラム部とからなり、該ダイアフラ
ム部と前記金属層との間に測定用キヤパシタンス
を形成してなる半導体形静電容量式圧力センサに
おいて、 前記金属層およびダイアフラム部の形状を方形
にするとともに、金属層の面積をダイアフラム部
のそれよりも若干小さくし、かつ金属層とダイア
フラム部の各辺が互いに平行となるように配置す
る一方、方形金属層の各角にそれぞれ腕部を設け
てなることを特徴とする半導体形静電容量式圧力
センサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24478483A JPS60138977A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 半導体形静電容量式圧力センサ |
| DE19843445775 DE3445775C2 (de) | 1983-12-27 | 1984-12-12 | Kapazitiver Halbleiterdruckaufnehmer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24478483A JPS60138977A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 半導体形静電容量式圧力センサ |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18650692A Division JPH0697699B2 (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 半導体形静電容量式圧力センサ |
| JP18650592A Division JP2501722B2 (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 半導体形静電容量式圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60138977A JPS60138977A (ja) | 1985-07-23 |
| JPH0481868B2 true JPH0481868B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=17123869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24478483A Granted JPS60138977A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 半導体形静電容量式圧力センサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60138977A (ja) |
| DE (1) | DE3445775C2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI75426C (fi) * | 1984-10-11 | 1988-06-09 | Vaisala Oy | Absoluttryckgivare. |
| DE3635462A1 (de) * | 1985-10-21 | 1987-04-23 | Sharp Kk | Feldeffekt-drucksensor |
| JPS62156879A (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-11 | Nec Corp | 半導体圧力検知装置の製造方法 |
| JPH0750789B2 (ja) * | 1986-07-18 | 1995-05-31 | 日産自動車株式会社 | 半導体圧力変換装置の製造方法 |
| JP2811768B2 (ja) * | 1989-07-17 | 1998-10-15 | 株式会社デンソー | 半導体式加速度センサおよびその製造方法 |
| JP2822486B2 (ja) * | 1989-09-27 | 1998-11-11 | 株式会社デンソー | 感歪センサおよびその製造方法 |
| JP2517467B2 (ja) * | 1990-10-05 | 1996-07-24 | 山武ハネウエル株式会社 | 静電容量式圧力センサ |
| FI115487B (fi) | 2004-05-03 | 2005-05-13 | Vti Technologies Oy | Menetelmä kapasitiivisen paineanturin valmistamiseksi ja kapasitiivinen paineanturi |
| JP4930258B2 (ja) * | 2007-08-06 | 2012-05-16 | トヨタ車体株式会社 | スライドドア装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55115370A (en) * | 1979-02-27 | 1980-09-05 | Fujitsu Ltd | Electrostatic type converter |
| US4332000A (en) * | 1980-10-03 | 1982-05-25 | International Business Machines Corporation | Capacitive pressure transducer |
-
1983
- 1983-12-27 JP JP24478483A patent/JPS60138977A/ja active Granted
-
1984
- 1984-12-12 DE DE19843445775 patent/DE3445775C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3445775C2 (de) | 1994-02-03 |
| DE3445775A1 (de) | 1985-07-04 |
| JPS60138977A (ja) | 1985-07-23 |
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