JPH0482313A

JPH0482313A - 弾性表面波デバイス

Info

Publication number: JPH0482313A
Application number: JP19483690A
Authority: JP
Inventors: Shoichi Kishi; 正一岸
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1990-07-25
Filing date: 1990-07-25
Publication date: 1992-03-16

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】概要伝送装置のタイミング波抽出用フィルタ等に用いられる
弾性表面波デバイスに関し、水酸化鉛による電極の劣化を防止することによって、適
正な特性を得ることができる弾性表面波デバイスの提供
を目的とし、圧電結晶からなるチップ上にトランスデユーサ及び端部
に金によるボンディングランドを接続した引き出し電極
を形成し、該チップのトランスデユーサ及び引き出し電
極が形成された面に上記チップと同一素材からなるキャ
ップを密封剤を用いて封着した弾性表面波デバイスにお
いて、前記ボンディングランドを前記引き出し電極上に
内側に伸長して形成し、前記キャップを封着したとき前
記密封剤の外周部が前記ボンディングランドに当接し、
内周部が前記引き出し電極に当接するように構成する。

産業上の利用分野本発明は伝送装置のタイミング波抽出用フィルタ等に用
いられる弾性表面波デバイスに関する。

弾性表面波デバイスは、例えば高速伝送装置におけるタ
イミング波抽出用フィルタやバンドパスフィルタを実現
するために使用される。この種の弾性表面波デバイスは
、弾性表面波を伝搬する圧電結晶からなるチップと、こ
のチップ上に形成され、電気−弾性表面波のエネルギー
変換を行うためのトランスデユーサとを具備して構成さ
れている。導体からなるトランスデユーサが空気中に露
出していると、汚れにより特性が変化したり、酸化によ
る質量変化に伴う周波数変化が生ずるため、弾性表面波
デバイスは、通常、キャップを用いて密封して構成され
ており、その構成の最適化が模索されている。

なお、トランスデユーサとしては、製造性が良好でエネ
ルギー変換効率が高い正規型インターディジタルトラン
スデユーサ（以下ｒ　Ｉ　ＤＴ、という。）が最も一般
的であるので、トランスデユーサがＩＤＴであるとして
、以下、従来の技術並びに発明の構成、作用及び実施例
を説明する。

従来の技術第３図は従来の弾性表面波デバイス（ＳＡＷデバイス）
の分解斜視図、第４図はそのｒＤＴ長手方向に沿った断
面図である。

１は水晶等の圧電結晶を平板状に形成してなるチップで
あり、２はチップ１と同一の素材をチップｌよりも−回
り小さく平板状に形成してなるキャップである。チップ
１上には、人力用のＩＤＴ３と出力用のＩＤＴ４とが形
成されると共に、ＩＤＴ３の引き出し電極５．６及びＩ
ＤＴ４の引き８し電極７．８がチップ１の縁部近傍まて
延びる様に形成されている。ＩＤＴ３及び４、引き出し
電極５〜８はスパッタリング等によりアルミニウム膜を
形成し、フォトリソグラフィによって櫛歯状パターン或
いはＬ字状パターンに形成したものである。また、９は
ＩＤＴ２３．２４間のクロストークを防止するたｔのシ
ールド部である。

１０．１１，１２．１３は引き出し電極５〜８の各端部
に金材料によって形成されたボンディングランド部であ
り、１４．１５はシールド部９の両端に金材料によって
形成されたボンディングランド部である。

一方、キャップ２の下面側には、その外周部に密封剤１
６として低融点ガラス微粉末をバインダに混合してなる
ガラスフリットがスクリーン印刷等により塗布されてい
る。

このキャップ２をチップ１に封着する場合は、キャップ
２の密封剤１６が塗布された面をチップｌのＩＤＴ３．
４等が形成された面に対向させて第４図に示すように重
ね合わせる。そして、加熱して密封剤１６を溶融させ、
チップｌにキャップ２を封着する。画成した空間にはＮ
２　等の不活性ガスを封入しておいてもよい。

この様に構成された弾性表面波デバイスにあっては、圧
電結晶チップ１のＩＤＴ３．４を形成した面を、チップ
１と同一素材のキャップ２で密封しているので、両者の
線熱膨張係数の違いによる歪みが生じることがない。ま
た、ＩＤＴ３．４の引き出し電極５〜８を圧電結晶チッ
プ１に直接形成しているので、浮遊インダクタンスや浮
遊容量を減少させることができ、この結果、高周波にお
いても特性が劣化することがなく、しかも、気密封止さ
れているので経時変化も少ない。更に、小型化が容易で
ある。

発明が解決しようとする課題上述した弾性表面波デバイスにおいては、密封剤１６と
なるガラスフリットに鉛が含まれているため、例えば水
分が鉛に付着した場合には、鉛（Ｐｂ）と水分（Ｈ２Ｏ
）とが反応して水酸化鉛〔Ｐ　ｂ　（ＯＨ）　２　Ｅを
形成することがある。ところで、この弾性表面波デバイ
スは、第４図から分かるように、矢印Ｙ、Ｙで示す密封
剤１Ｇの側部と引き出し電極５〜８及びシールド８９の
一部とが外気にさらされている。この弾性表面波デバイ
スを例えば高温・高温のもとで使用した場合、その外気
にさらされた密封剤１６　（ガラスフリット）に、水分
（Ｈ２０）が付着し、鉛（Ｐｂ）と水分（Ｈ２０）とが
反応して水酸化ｍ［’ｂ（ＯＨ）２〕が形成されること
になる。この水酸化鉛（水溶液）は、アルカリイオンを
含むので、引き出し電極５〜８及びシールド部９を形成
するアルミニュウムを侵すことになる。このように電極
５〜９が侵されて劣化した場合には、適正な信号が取り
出せなくなる。即ち、適正な特性を得ることができない
といった問題が生じる。

本発明はこの様な点に鑑みて創作されたものであり、水
酸化鉛による電極の劣化を防止することによって、適正
な特性を得ることができる弾性表面波デバイスの提供を
目的としている。

課題を解決するための手段圧電結晶からなるチップ上にトランスデユーサ及び端部
に金によるボンディングランドを接続した引き出し電極
を形成し、該チップのトランスデユーサ及び引き出し電
極が形成された面に上記チップと同一素材からなるキャ
ップを密封剤を用いて封着した弾性表面波デバイスにふ
いて、前記ボンディングランドを前記引き出し電極上に
内側に伸長して形成し、前記キャップを封着したとき前
記密封剤の外周部が前記ボンディングランドに当接し、
内周部が前記引き出し電極に当接するように構成する。

作　　　用本発明によれば、引き出し電極が金によるボンディング
ランドで被覆されることによって外気にさらされないよ
うに構成されている。このような構成によれば、例えば
、引き出し電極がアルミニュウムによって形成されてお
り、また、キャップとチップとを密封する密封剤に１．
鉛を含むガラスフリットが用いられている場合に、ガラ
スフリットの外気にさらされた部分に水分が付着するこ
とによって、鉛と水との反応による水酸化鉛が発生した
としても、水酸化鉛に侵されやすいアルミニニウムによ
る引き出し電極が水酸化鉛に侵されて劣化することはな
い。

従って、例えば高温・高湿の悪条件下においても、適正
な特性を維持することができる。

実　　施　　例以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。

第１図は本発明の一実施例による弾性表面波デバイスの
分解斜視図、第２図はそのＩＤＴ長手方向に沿った断面
図である。また、これらの図において第３図及び第４図
に示す従来例の各部に対応する部分には同一の符号を付
し、その説明を省略する。

本発明の弾性表面波デバイスが、第３図及び第４図に示
す従来の弾性表面波デバイスと異なる点は、引き出し電
極５〜８及びシールド部９が外気にさらされないように
構成し、従来例で説明した水酸化鉛による電極の劣化を
防止したことである。

これを詳細に説明すると、第１図に示すように、各ボン
ディングランド１０ａ〜１５ａを圧電結晶チップ１の中
心方向に従来よりも長く形成する。

また、その長さは第２図に示すように、キャップ２でチ
ップ１を封止した際に、各ボンディングランド１Ｑａ−
１５ａの端部が密封剤１６のほぼ中央位置となるように
する。これによって、アルミニコウムによる引き出し電
極５〜８及びシールド部９が各ボンディングランド１０
ａ〜１５ａで被覆されるたｔに外気にさらされないよう
になる。

また、各ボンディングランド１０ａ−１５ａは金である
ために、従来のように水酸化鉛が付着したとしても侵さ
れることはない。

また、第２図に示すように、密封剤１６のほぼ半分がア
ルミニュウム部分に密着するように構成した理由は、密
封剤１６であるガラスフリットの接着が、その接触する
表面を酸化させて行うため、被接着面の材質が金に比ベ
アルミニニウムの方が密着性が非常に高いといったこと
からである。

つまり、密封剤１６の外気にさらされない内側部分は密
着性の高いアルミニニウムに接触するようにし、外気に
さらされる外側部分は水酸化鉛に侵されない金に接触す
るようにした。

以上説明したように、本発明の弾性表面波デバイスによ
れば、この弾性表面波デバイスを例えば高温・高湿のも
とで使用し、その外気にさらされた密封剤１６（ガラス
フリフト）に、水分が付着して水酸化鉛が形成されたと
しても、その部分は金によって被覆されているので１、
引き出し電極５〜８及びシールド部９が侵されて劣化す
ることはない。また、キャップ２の密封剤１６のほぼ半
分が、密着性の高いアルミニニウムに接触するようにな
っているので、チップ１の封止面における問題はない。

従って、このような弾性表面波デバイスによれば、高温
・高湿のもとにおいても、適正な特性を維持することが
できる。

発明の詳細な説明した様に、本発明によれば、水酸化鉛による電極
の劣化を防止することによって、適正な特性を得ること
ができる効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による弾性表面波デバイスの
分解斜視図、第２図は第１図のＩＤＴ長手方向に沿った断面図、第３図は従来の弾性表面波デバイスの分解斜視図、第４図は第３図のＩＤＴ長手方向に沿った断面図である
。１・・・チップ、２・・・キャップ、３．２４・・・ＩＤＴ（）ランステ°二−サ）、５〜８
・・・引き出し電極、１０ａ〜１５ａ・・・ボンディングランド、１６・・・
密封剤。

Claims

【特許請求の範囲】　圧電結晶からなるチップ（１）上にトランスデューサ
（３、４）及び端部に金によるボンディングランドを接
続した引き出し電極（５〜８）を形成し、該チップ（１
）のトランスデューサ（３，４）及び引き出し電極（５
〜８）が形成された面に上記チップ（１）と同一素材か
らなるキャップ（２）を密封剤（１６）を用いて封着し
た弾性表面波デバイスにおいて、前記ボンディングランド（１０ａ〜１５ａ）を前記引き
出し電極（５〜８）上に内側に伸長して形成し、前記キ
ャップ（２）を封着したとき前記密封剤（１６）の外周
部が前記ボンディングランド（１０ａ〜１５ａ）に当接
し、内周部が前記引き出し電極（５〜８）に当接するよ
うにしたことを特徴とする弾性表面波デバイス。