JPH0482422A - 同調回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は同調回路に関する。特に、テレビジョン受像機
のＶＨＦチューナの同調回路に関する。

（ロ）従来の技術 ＶＨＦチューナに於いて、ＶＨＦローバンド（低バンド
、１〜３チヤンネル）のチャンネル（中心周波数ｆ、）
を受信している場合、該チャンネルの中心周波数（ｆ、
）に対してチューナの局部発振周波数（ｆｏ）はｆ＠−
ｆ、＝５６．５ＭＨＺ　（中間周波数）を満足する値に
設定され、その結果所望の信号の中間周波数信号がテレ
ビジョン受像機の映像中間周波回路に供給される。

この時、ＶＨＦハイバンド（高バンド、４〜１３チヤン
ネル）内の放送チャンネル信号のうち、前記局部発振周
波数（ｆｏ）よりも中間周波数（５６，５ＭＨｚ）だけ
高い信号（ｆ！　＝　５６．５Ｍ　ＨＺ　＋　ｆｏ）が
、入力同調回路を通って周波数変換回路に供給されると
該高バンドのチャンネルの信号にもとづく中間周波数信
号も前記映像中間周波数回路に与えられることになる。

つまり、この高バンドの周波数信号による妨害が生じる
。

この妨害は、イメージ妨害と呼ばれ、具体的には、チャ
ンネルにより、１−６ビート、２−８ビート、３−１０
ビートと呼ばれるものであり、ＩＣＨ〜３ＣＨ受信時に
６ＣＨ〜１２ＣＨの信号が与える妨害でる。例えば、１
−６ビートの場合、ＩＣＨ受信時の局部発振周波数から
６ＣＨの映像搬送波とＩＣＨの映像搬送波との差を引い
たものが略中間周波数の値となり、この中間周波数が妨
害信号となる。従って、上記周波数（ｆ、）に相当する
高チャンネル放送の信号を入力同調回路においてトラッ
プするようにしなければならない。

そこで、従来においては、例えば特公昭５４−３８０１
２号公報（９６（７）Ｃ〕に記載されている如きチュー
ナ回路で妨害対策を行っていた。

第５図はそのような従来のＶＨＦチューナの要部回路図
を示している。

第５図において、（１）はアンテナ入力回路（図示せず
）が接続される入力端子である。

（Ｌｍ１）は第１　？　ッチンダコイル、（Ｌｍ２）は
第２マツチングコイル、（Ｌ１）（Ｒ２）は夫々低バン
ド用同調コイル、（Ｒ３）（Ｒ４）は夫々高バンド用同
調コイルである。

（ＤＶ）は可変容量ダイオード、（Ｄ２）はバンド切換
え用スイッチングダイオード、（Ｒ２）は選局用同調電
圧供給用抵抗、（Ｒ３）（Ｒ４）は低バンド受信時にス
イッチングダイオード（Ｄ２）に逆バイアスを与えるた
めの抵抗、（Ｒ１）は高バンド受信時にスイッチングダ
イオード（Ｄ２）に順方向バイアスを与えるための抵抗
である。

（Ｃ２）（ＣＰ）（Ｃ３）は直流阻止コンデンサ、（Ｃ
１）は高周波接地用コンデンサ、（Ｃｔ１）（Ｃｔ２）
はマツチング回路を構成するコンデンサである。

（Ｔ）は選局用同調電圧供給端子、（Ｓ）（Ｕ）は第１
、第２バンド切換え電圧供給端子、（ＴＲ）は高周波増
幅用トランジスタである。

斯かる第５図のチューナ回路において、低バンド受信時
は第１バンド切換え電圧供給端子（Ｓ）が開放され、第
２バンド切換え電圧供給端子（Ｕ）に正電圧が印加され
るので、スイッチングダイオード（Ｄ２）は非導通とな
り、このときの等価回路は第６図（イ）の如くなる。

尚、コンデンサ（Ｃ１）は、コンデンサ（Ｃｔ２）に比
べて大きな値となっているので、トラップ周波数にはほ
とんど影響は与えない。

一方、高バンド受信時には第１バンド切換え電圧供給端
子（Ｓ）に正電圧が印加され、第２バンド切換え電圧供
給端子（Ｕ）が開放されるのでスイッチングダイオード
（Ｄ２）が導通し、このときの等価回路は第６図（ロ）
の如くなる。

そして第６図（イ）の低バンド受信時は第１マツチング
コイル（Ｌｍ１）とコンデンサ（Ｃｔ１）の並列回路と
、第２のマツチングコイル（Ｌｍ２）とコンデンサ（Ｃ
ｔ２）と高バンド用コイル（Ｒ４）よりなる直列回路と
が夫々イメージ妨害周波数のトラップ回路になるように
している。

しかしながら、このような２つの固定トラップを最適値
に選んだとしても、ＩＣＨ〜３ＣＨ受信時のイメージ妨
害比及び１−６ビート、２−８ビート、３−１０ビート
等のビート妨害の全てを満足な値まで除去することは困
難である。

このため、トラップ周波数を可変する電子同調チューナ
が特開平１−１６２４３０号（ＨＯ４Ｂ　１／１８）で
提案されている。

この従来例を第７図乃至第１０図を参照しつつ、説明す
る。

第７図はＶＨＦチューナの要部回路図を示しており、第
５図と同一部分には同一符号を付してその説明は省略す
るが、第５図の回路と異なるところは、第１マツチング
コイル（Ｌｍ１）と並列接続されるコンデンサ（Ｃｔ１
）はなく、コンデンサ（Ｃｔ２）の代わりに可変容量ダ
イオード（ＤＶ’）と補正容量（ＣＶ）の並列回路（２
）と直流阻止コンデンサ（Ｃ’Ｐ）が第２マツチングコ
イル（Ｌ［０２）と直列に接続されており、選局用同調
電圧供給端子（Ｔ）を選局電圧供給用抵抗（Ｒ５）を介
して前記並列回路（２）と直流阻止コンデンサ（Ｃ’Ｐ
）との接続点に接続している点である。

斯かる第７図のチューナ回路において、高バンド受信時
は第１バンド切換え電圧供給端子（Ｓ）に正電圧が印加
され、第２バンド切換え電圧供給端子（Ｕ）が開放とな
る。よって、スイッチングダイオード（Ｄ２）は導通し
、且つコイル（Ｌ１）（Ｒ２）がコイル（Ｒ３）（Ｒ４
）の値に比較して大きく選ばれているからこのときの等
価回路は第８図（イ）に示すようになる。この第８図（
イ）において（ｃｖ’）は可変容量ダイオード（ＤＶ’
）と補正容量（ＣＶ）との合成容量からなる可変容量を
示している。つまり、高バント受信時においては端子（
１）と入力同調回路との間に第２マツチングコイル（Ｌ
ｍ２　）と可変容量（ＣＶ’）との直列共振回路が入る
ことになり、この直列共振回路の共振点は高バンドにお
いて、端子（Ｔ）から与えられる各チャンネルの選局用
同調電圧の増加に応じて第９図の矢印の如く移動する。

第９図において、実線の曲線は高バンド内の最低チャン
ネル受信時の直列共振状態を示し、破線の曲線は高バン
ド内の最高チャンネル受信時の直列共振状態水している
。このように高バンド内の受信チャンネル周波数に上記
直列共振回路の共振が一致するようにしているので、共
振点でのインピーダンスが最小となって当該受信チャン
ネルでのインピーダンス整合が良好となり、この共振点
以外の周波数の信号に対してはインピーダンスが大きく
なるので、不所望な妨害波の影響を受けにくくなる。

次に、低バンド受信時は第１バンド切換え電圧供給端子
（Ｓ）が開放され、第２バンド切換え電圧供給端子（Ｕ
）に正電圧が供給されるので、スイッチングダイオード
（Ｄ２）は非導通となり、このときの等価回路は第８図
（ロ）に示すようになる。

すなわち、低バンド受信時は第８図（ロ）に示す如く、
入力端子（１）とアース間に、第２マツチングコイル（
Ｌｍ２）と可変容量（ｃｖ’）とコイル（Ｒ４）とから
なる直列トラップ回路が構成される。このトラップ回路
のトラップ周波数は、選局用同調電圧供給端子（Ｔ）か
ら与えられる同調電圧が可変容量ダイオードに逆バイア
ス電圧として与えられることにより、同調電圧に応じて
変化する。よって、低バンド内の各チャンネル受信時に
、この各チャンネルに対するイメージ周波数及び妨害と
なる高バンド放送チャンネル周波数にトラップ周波数を
合致させて妨害信号を排除するようにしている。

第１０図は上記第２マツチングコイル（Ｌｍ２）、可変
容量（ＣＶ’）及びコイル（Ｒ４）からなるトラップ回
路の特性を示しており、例えば低バンド内の低チャンネ
ル受信時としてＩＣＨを受信しているとすると実線で示
す曲線の特性となり、不所望な６Ｃ）Ｉの信号を減にせ
しめることができる。また低バンド内の高チャンネル受
信時として３ＣＨを受信しているとすると破線で示す曲
線特性となり、不所望なｌ０ＣＨの信号を減衰せしめる
ことができる。同様に２ＣＨ受信時には８ＣＨの妨害を
受けることがなくなる。従って、１−６ビート、２−８
ビート、３−１０ビートと呼ばれるビート妨害を好適に
除去できる。

また、低バンドの１．２．３ＣＨのそれぞれに対応する
イメージ周波数も高バンドの６．８．１０ＣＨの夫々の
チャンネル周波数の近傍にあるのでイメージ周波数も充
分に減衰できる。

（ハ）発明が解決しようとする課題 このように、低バンド受信時は、各チャンネルでのイメ
ージ妨害比を改善していたが、高７（ノド受信時につい
ては、イメージ妨害に対する抑圧は低バンド受信時のよ
うにトラッキングイメージトラップがないため不十分で
あった。

本発明は、トラッキングイメージトラ・ンプの一例を提
供するものである。

更に、本発明は、低バンド受信時、高／くノド受信時共
にトラッキングイメージトラップが形成される入力同調
回路を提供する。

（ニ）課題を解決するための手段 本発明は、アンテナ入力端子（１）と入力同調回路（Ｒ
３）（Ｒ４）との間にマツチング用コイル（Ｌｍ１１）
（Ｌｍ２）と、可変容量ダイオード（ＤＳ）とコイル（
Ｉ＋ｎ１２）との並列回路とを設け、この可変容量ダイ
オード（ＯＳ）の容量値をチューニング電圧で可変制御
して、前記並列回路により、受信チャンネル周波数に妨
害を与える不所望な周波数をトラップすることを特徴と
する、 又、本発明は、アンテナ入力端子（１）に直列に接続さ
れた低バンド受信用の第１、第２マツチングコイル（Ｌ
ｍ１１）（Ｌｍ１２）と、前記入力端子（１）と前記第
１マツチングコイル（Ｌｍ）間の中点とアース間に設け
られた高バンド受信用の第３マツチングコイル（Ｌｍ２
　）と可変容量ダイオード（ＤＳ　’）と第４コイル（
Ｒ４）との直列回路（Ｌ＋ｎ２、　　ＤＳ、　　Ｒ４）
と、 高バンド受信時に、前記第１マツチングコイル（Ｌｍ１
１）と第２マツチングコイル（Ｌｍ１２）との中点（ｉ
）と、前記第３マツチングコイル（Ｌｍ２）と前記可変
容量ダイオード（ＤＳ）との中点（ｈ）とを、接続する
第１スイッチングダイオード（第１スイッチング素子、
　ＤＩ）と、 高バンド受信時に、前記第２マツチングコイル（Ｌｍ１
２）の出力側（ａ）と、前記可変容量ダイオード（ＤＳ
）と前記第４コイル（Ｒ４）との中点（ｄ）とを、接続
する第２スイッチングダイオード（第２スイッチング素
子、Ｃ２）と、 高バンド受信時に、前記第１．第２スイツチンダイオー
ド（ＤＩ）（Ｃ２）をオンさせて、前記可変容量ダイオ
ード（ＤＳ）と前記第２マツチングコイル（Ｌｍ１２）
との並列回路（ＤＳ、　Ｌｍ１２）を形成させる第１バ
ンド切換電圧供給端子（制御手段、Ｓ）と、低バンド受
信時には前記直列回路（ＬｍＳ、　ＤＳ。

Ｒ４）が不所望な周波数をトラップする可変トラップ回
路となり、高バンド受信時には前記並列回路（Ｌｍ１２
．　ＤＳ）が不所望な周波数をトラップする可変トラッ
プ回路となるべく、前記可変容量ダイオード（ＤＳ）に
チューニング電圧を供給する選局用同調電圧供給端子（
トラップ周波数可変制御手段、Ｔ）と、 とを備えることを特徴とする。

（ホ）作用 本発明では、可変容量ダイオード（ＯＳ）とコイル（Ｌ
ｍ１２）との並列回路でトラップを行う。

又、本発明では高バンド受信時に可変容量ダイオード（
ＤＳ）とマツチングコイル（Ｌｍ１２）の並列回路を形
成してイメージ周波数をトラップする。

（へ）実施例 第１図乃至第３図を参照しつつ、本発明の一実施例を説
明する。

（Ｌｍ１１）（Ｌｍ１２）は低バンド用マツチングコイ
ル、（Ｌ１）（Ｒ２）は低バンド用同調コイル、（Ｌｍ
２　）は高バンド用マツチングコイル、（Ｒ３）（Ｒ４
）は高バンド用同調コイルである。

（旧）（Ｃ２）（Ｃ３）は高周波用スイッチングダイオ
ード、（ＴＲ）は高周波増幅用トランジスタ、（Ｃ２）
（Ｃ３）（Ｃ５）は直流阻止コンデンサである。

（Ｒ２）（Ｒ５）は選局電圧供給用の抵抗である。（Ｒ
６）（Ｒ１）は高バンド受信時にダイオード（旧）（Ｃ
２）（Ｃ３）に順方向バイアスを与えるための抵抗であ
る。

（Ｒ３）（Ｒ４）は低バンド受信時にダイオード（ＤＩ
）（Ｃ２）（Ｃ３）に逆方向バイアスを与えるための抵
抗である。尚、この抵抗（Ｒ３）はダイオード（Ｄｉ）
（Ｃ２）（Ｃ３）の帰路抵抗も兼ねる。（Ｒ７）は可変
容量ダイオード（ＤＳ）のアノードをＯＶｔ位に保つた
めの抵抗（数＋にΩ）である。

（ＣＰ）（ＣＰ）は１０００ｐＦ〜１００００ｐＦ程度
の直流阻止用コンデンサ、（Ｃ１）は高周波接地用コン
デンサである。尚、コンデンサ（ＣＩ）（Ｃ２）の容量
は数百ｐＦ〜１００００ｐＦ程度である。

この第１図の回路では、高周波増幅トランジスタ（ＴＲ
）の入力電極と、アース間に同調用可変容量ダイオード
（ＤＶ）とインダクタンスコイル（Ｌ１）（Ｌ２）（Ｌ
３）（Ｌ４）を並列に接続している。

このインダクタンスコイル（Ｌ１）（Ｌ２）（Ｌ３）（
Ｌ４）は、直列接続された３つのコイル（Ｌ１）（Ｌ２
）（Ｌ３）と、コイル（Ｌ２）（Ｌ３）の接続の中点（
ｂ）とアース間に挿入された高バンド用コイル（Ｌ４）
と、からなる。

中点（ｂ）とコイル（Ｌ４）の間に挿入された高周波用
スイッチングダイオード（Ｃ３）と、コイル（Ｌ１）と
コイル（Ｌ２）の接続の中点（ａ）とダイオード（Ｃ３
）とコイル（Ｌ４）の接続の中点（ｄ）との間に挿入さ
れた高周波スイッチングダイオード（Ｃ２）は、電圧供
給端子（Ｓ）により、オン／オフ制御される。

この入力同調回路のコイル（Ｌ１）（Ｌ２）の接続の中
点（ａ）と入力端子（１）との間にマツチングコイル（
Ｌｍ１１）（Ｌｍｌ２）が挿入されている。

高バント用コイル（Ｌ４）とダイオード（Ｃ２）の接続
中点（ｄ）と入力端子（１）との間に、高バンド用のマ
ツチングコイル（Ｌｍ２）と可変容量ダイオード（ＤＳ
）との直列回路を挿入している。マツチングコイル（Ｌ
ｍ２）と、直流阻止用コンデンサ（ＣＰ）の接続中点（
ｈ）と、マツチングコイル（Ｌｍｌ、１）（Ｌｍｌ２）
の接続中点（ｉ）との間に高周波用スイッチングダイオ
ード（Ｄ１）を挿入している。

この回路の動作を説明する。

高バンド受信時には、端子（Ｓ）に正に直流電圧が印加
され、スイッチングダイオードＣＤＩ　）（Ｃ２）（Ｃ
３）が導通し且つもともとコイル（Ｌ１）（Ｌ２）の値
がコイル（Ｌ３）（Ｌ４）の値に比し大きく選ばれてい
ることから、等価回路は第２図（ロ）の如くなる。

尚、（ＣＶ’）はコンデンサ（ＣＰ）（ＣＰ）、可変容
量ダイオード（ＤＳ）により形成される合成可変容量値
を示している。尚、前述の如く、コンデサ（ＣＰ）（Ｃ
Ｐ）の値は大きく、この合成容量（ＣＶ’）は可変容量
ダイオード（ＤＳ）の値により左右される。

つまり、高バンド受信時には、コイルと容量（Ｌｍ１２
／　ＣＶ’　）により並列共振を行い、イメージトラッ
プを形成し、トラップ周波数は受信チャンネルのイメー
ジ周波数に同調させている。つまり、第３図の破線の特
性となる。

第２図（ロ）の回路を、説明する。

コイル（Ｌｍ１１）（Ｌｍ２）の並列回路がアンテナ回
路とのマツチングコイルとなる。

又、前述したコイル（Ｌｍｌ２）と容量（ＣＶ’）が信
号ラインに直列に挿入される。このコイル（Ｌｍｌ２）
と容量（ＣＶ’）の並列共振周波数は次式で表わされる
。

ｆａｎ　＝　１　／　ｌ　２πＩ　（Ｌｍ１２Ｘ　ＣＶ
’月ｆＯＲの信号は、上記並列回路の並列共振周波数で
あるからインピーダンスは無限大となりｆ。Ｒの信号は
伝送されない。

よってｆ。Ｒを高バンド時受信チャンネル（同調周波数
）のイメージ周波帯に設計すると、高バンド受信特番チ
ャンネルに於いてイメージ妨害比を改善する事が出来る
。

ちなみに高バンド受信時の同調周波数は次式となる。

ｆ、Ｉ＝　１　／　＋２π７　（（Ｌ４＋Ｌ３）ＣＶ）
１上記の様に、本実施例では、高バンド受信時に、スイ
ッチングダイオード（ＤＩ）（Ｃ２）（Ｃ３）が導通し
、コイル（Ｌｍ１２）と、合成容量（ＣＶ’）とが並列
共振を行いイメージトラップを形成する。

次に低バンド受信時には、第１図の端子（Ｓ）が開放状
態となり端子（Ｕ）に正の直流電圧が印加されスイッチ
ングダイオード（ＤＩ　）（Ｃ２）（Ｃ３）がオフ状態
となることから第２図（イ）のような等価回路となる。

尚、第２図（イ）の（ｃｖ’）は、第１図の主に可変容
量ダイオード（ＤＳ）より形成される可変容量である。

この場合、コイル（Ｌ４）と、コイル（Ｌｍ２）と、容
量（ｃｖ’）からなる直列回路が直列共振トラップとし
て作用し、受信チャンネル周波数に対するイメージ周波
数と直列共振周波数とを合わせている。

この第２図（イ）の回路を説明する。

直列共振周波数は次式で表わされる。

ｆｏＬ＝　１　／　ｌ　２ｙｒ　（（（Ｌｍ２＋Ｌ４）
ＣＶ’月ｆＯＬの周波数の信号は、上記直列回路（Ｌｍ
２゜ＤＶ’、　Ｌ４）のインピーダンスが０となるため
アースに短絡されることとなりｆ。Ｌを低バンド受信時
の受信周波数（同調周波数）に対するイメージ周波帯に
設計する事で、低バンド受信時の各チャンネルに於いて
、イメージ妨害比を改善することができる。

低バンド時の同調周波数は、次式となる。

ｆ、、＝　１　／　＋２πＩ　（（Ｌ１＋Ｌ２＋Ｌ３）
ＣＶＩ上記の様に本実施例では、低バンド受信時に、ダ
イオード（Ｄｉ）（Ｄ２）（０３）はオフ状態とな’＞
　（Ｌｍ２）と可変容量ダイオード（ＤＳ）を主とした
合成容量（ＣＶ’）とで直列共振を行い、共振周波数を
受信周波数に対してイメージ周波数帯に設定しているの
で、トラッキングイメージトラップとして作用する。

第４図に本発明の第２実施例を示す。尚、従来例及び第
１実施例と同一部分には、同一符号を付した。

この第２実施例は、受信周波数帯域幅を拡大するために
チューニング電圧で容量が可変される可変容量ダイオー
ド（ＤＶＩ）を信号路に挿入している。尚、本実施例で
は、高バンド受信時にダイオード（Ｄ３）（Ｄ４）をオ
ンとしてコイル（Ｌ３）を回路に挿入接続している。尚
、低バンド受信時、高バンド受信時のイメージトラッキ
ングトラップの形成は第１実施例と同様である。

（ト）発明の効果 本発明に依れば、受信周波数に応じてトラップするイメ
ージ周波数を可変することが出来る。

更に、高バンド受信時、低バンド受信時共にトラッキン
グイメージトラップを行うことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例を示す図である。 第２図はその動作を説明するための図である。第３図は
その特性を示す図である。 第４図は本発明の第２実施例を示す図である。 第５図、第６図は従来例を説明するための図である。 第７図、第８図、第９図、第１０図は他の従来例を説明
するための図である。 （１）・・・入力端子（アンテナ入力端子）、（Ｌ３）
（Ｌ４）・・・高バンド用同調コイル、（Ｌｍ１１）（
Ｌｍ１２）（Ｌｍ２）・・マツチング用コイル、（ＤＳ
）・・・可変容量ダイオード、 （ＤＩ）（Ｄ２）・・・スイッチングダイオード（スイ
ッチング素子）、 （Ｓ）・・・第１バンド切換え電圧供給端子（制御手段
）、 （Ｔ）・・・選局用同調電圧供給端子（トラップ周波数
可変制御手段）。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）アンテナ入力端子（１）と入力同調回路（Ｌ３）
   （Ｌ４）との間にマッチング用コイル（Ｌｍ１１）（Ｌ
   ｍ２）と、可変容量ダイオード（ＤＳ）とコイル（Ｌｍ
   １２）との並列回路とを設け、この可変容量ダイオード
   （ＤＳ）の容量値をチューニング電圧で可変制御して、
   前記並列回路により、受信チャンネル周波数に妨害を与
   える不所望な周波数をトラップすることを特徴とする同
   調回路。
2. （２）アンテナ入力端子（１）に直列に接続された低バ
   ンド受信用の第１、第２マッチングコイル（Ｌｍ１１）
   （Ｌｍ１２）と、 前記入力端子（１）と前記第１マッチングコイル（Ｌｍ
   ）間の中点とアース間に設けられた高バンド受信用の第
   ３マッチングコイル（Ｌｍ２）と可変容量ダイオード（
   ＤＳ）と第４コイル（Ｌ４）との直列回路（Ｌｍ２，Ｄ
   Ｓ，Ｌ４）と、 高バンド受信時に、前記第１マッチングコイル（Ｌｍ１
   １）と第２マッチングコイル（Ｌｍ１２）との中点（ｉ
   ）と、前記第３マッチングコイル（Ｌｍ２）と前記可変
   容量ダイオード（ＤＳ）との中点（ｈ）とを、接続する
   第１スイッチング素子（Ｄ１）と、 高バンド受信時に、前記第２マッチングコイル（Ｌｍ１
   ２）の出力側（ａ）と、前記可変容量ダイオード（ＤＳ
   ）と前記第４コイル（Ｌ４）との中点（ｄ）とを、接続
   する第２スイッチング素子（Ｄ２）と、 高バンド受信時に、前記第１、第２スイッチング素子（
   Ｄ１）（Ｄ２）をオンさせて、前記可変容量ダイオード
   （ＤＳ）と前記第２マッチングコイル（Ｌｍ１２）との
   並列回路（ＤＳ，Ｌｍ１２）を形成させる制御手段（Ｓ
   ）と、 低バンド受信時には前記直列回路（ＬｍＳ，ＤＳ，Ｌ４
   ）が不所望な周波数をトラップする可変トラップ回路と
   なり、高バンド受信時には前記並列回路（Ｌｍ１２，Ｄ
   Ｓ）が不所望な周波数をトラップする可変トラップ回路
   となるべく、前記可変容量ダイオード（ＤＳ）にチュー
   ニング電圧を供給するトラップ周波数可変制御手段（Ｔ
   ）と、 を備えることを特徴とする同調回路。