JPH0483368A - セラミック放熱基板及びその製造方法 - Google Patents
セラミック放熱基板及びその製造方法Info
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- JPH0483368A JPH0483368A JP19823390A JP19823390A JPH0483368A JP H0483368 A JPH0483368 A JP H0483368A JP 19823390 A JP19823390 A JP 19823390A JP 19823390 A JP19823390 A JP 19823390A JP H0483368 A JPH0483368 A JP H0483368A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明はアルミナを主成分としグリーンシ一ト多層積層
法により製造される半導体基板材料に関する。更に詳し
くは電子部品の発熱を放散させるセラミック放熱基板及
びその製造方法に関するものである。
法により製造される半導体基板材料に関する。更に詳し
くは電子部品の発熱を放散させるセラミック放熱基板及
びその製造方法に関するものである。
[従来の技術]
従来、この種のセラミック放熱基板は、放熱性を向上さ
せるために、熱伝導率の高いCu金属やCu−W系焼結
合金を緻密化したアルミナ基板の表面に接合している。
せるために、熱伝導率の高いCu金属やCu−W系焼結
合金を緻密化したアルミナ基板の表面に接合している。
しかし上記焼結合金を接合したアルミナ基板にコンデン
サ、抵抗チップ等の電子部品を高密度に実装した場合に
は、これらの電子部品より発生する熱の放散が十分でな
く、更に効率良く熱を除去する方法が切望されていた。
サ、抵抗チップ等の電子部品を高密度に実装した場合に
は、これらの電子部品より発生する熱の放散が十分でな
く、更に効率良く熱を除去する方法が切望されていた。
この点を改善するため、セラミック基板の表面に多孔質
金属層を接合し、この多孔質金属層に冷媒を通して電子
部品の発熱を除去している。
金属層を接合し、この多孔質金属層に冷媒を通して電子
部品の発熱を除去している。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、多孔質金属層が接合されるセラミック基板は製
造上、200μm以上の厚みを要するため、多孔質金属
層に流した冷媒のセラミック基板を介しての電子部品の
放熱効果が十分でない不具合があった。また多孔質金属
層付きのセラミック放熱基板は比較的肉厚となるうえ重
量が大きくなり、電子部品の実装スペースを狭め、高密
度に電子部品を実装できない問題点があった。
造上、200μm以上の厚みを要するため、多孔質金属
層に流した冷媒のセラミック基板を介しての電子部品の
放熱効果が十分でない不具合があった。また多孔質金属
層付きのセラミック放熱基板は比較的肉厚となるうえ重
量が大きくなり、電子部品の実装スペースを狭め、高密
度に電子部品を実装できない問題点があった。
本発明の目的は、基板厚を薄く、かつ基板を軽量にでき
るセラミック放熱基板及びその製造方法を提供すること
にある。
るセラミック放熱基板及びその製造方法を提供すること
にある。
本発明の別の目的は、電子部品の放熱効果が高く、しか
も高密度に電子部品を実装することができるセラミック
放熱基板及びその製造方法を提供することにある。
も高密度に電子部品を実装することができるセラミック
放熱基板及びその製造方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するために、本発明の放熱基板は、アル
ミナ含有量90〜99.5%の多孔質セラミック層の両
面又は片面にアルミナ含有量90〜99.5%の緻密質
セラミック層が積層されて一体的に焼結され前記多孔質
セラミック層に冷媒を流して前記緻密質セラミック層に
搭載された電子部品の発熱を放散させるセラミック放熱
基板であって、前記多孔質セラミック層の気孔率が20
〜60%の範囲にあり、前記緻密質セラミック層の気孔
率が0.01〜5%の範囲にあることを特徴とする。
ミナ含有量90〜99.5%の多孔質セラミック層の両
面又は片面にアルミナ含有量90〜99.5%の緻密質
セラミック層が積層されて一体的に焼結され前記多孔質
セラミック層に冷媒を流して前記緻密質セラミック層に
搭載された電子部品の発熱を放散させるセラミック放熱
基板であって、前記多孔質セラミック層の気孔率が20
〜60%の範囲にあり、前記緻密質セラミック層の気孔
率が0.01〜5%の範囲にあることを特徴とする。
また本発明のセラミック放熱基板の製造方法では、先ず
水を分散媒としたアルミナゾルに焼結助剤と水溶性バイ
ンダを添加混合して緻密質層用スラリーを調製し、この
緻密質層用スラリーを成膜乾燥して緻密質層用グリーン
シートを成形する。
水を分散媒としたアルミナゾルに焼結助剤と水溶性バイ
ンダを添加混合して緻密質層用スラリーを調製し、この
緻密質層用スラリーを成膜乾燥して緻密質層用グリーン
シートを成形する。
次いで水を分散媒としたアルミナゾルに焼結助剤を添加
せずに水溶性バインダを添加混合して多孔質層用スラリ
ーを調製し、この多孔質層用スラリーを成膜乾燥して多
孔質層用グリーンシートを成形する。次に前記多孔質層
用グリーンシートの両面又は片面に前記緻密質層用グリ
ーンシートを接着剤により接着し、前記接着したグリー
ンシートを1200〜1600℃で焼成して積層焼結体
を得る。
せずに水溶性バインダを添加混合して多孔質層用スラリ
ーを調製し、この多孔質層用スラリーを成膜乾燥して多
孔質層用グリーンシートを成形する。次に前記多孔質層
用グリーンシートの両面又は片面に前記緻密質層用グリ
ーンシートを接着剤により接着し、前記接着したグリー
ンシートを1200〜1600℃で焼成して積層焼結体
を得る。
本発明の多孔質セラミック層及び緻密質セラミック層を
構成するセラミック原料は、ともにアルミナ含有量が9
0〜99゜5%の純度の高いアルミナである。緻密質層
用スラリー及び多孔質層用スラリーはともに水を分散媒
としたアルミナゾルを主成分とする。このアルミナゾル
はアルミニウムアルコキシドを加水分解し、解膠処理し
て得られる、いわゆるゾル−ゲル法において調製される
微細なコロイド粒子のアルミナゾルが好ましい。
構成するセラミック原料は、ともにアルミナ含有量が9
0〜99゜5%の純度の高いアルミナである。緻密質層
用スラリー及び多孔質層用スラリーはともに水を分散媒
としたアルミナゾルを主成分とする。このアルミナゾル
はアルミニウムアルコキシドを加水分解し、解膠処理し
て得られる、いわゆるゾル−ゲル法において調製される
微細なコロイド粒子のアルミナゾルが好ましい。
緻密質層用スラリーと多孔質層用スラリーの調製方法の
相違点は、前者に焼結助剤がアルミナゾル100重量%
に対して05〜10重量%含まれるのに対して、後者に
はセラミック層の気孔率を増大させるために焼結助剤が
全く含まれないか或いは0,1重量%以下しか含まれな
いところにある。アルミナの焼結助剤としては、二酸化
けい素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酢酸マグ
ネシウム、二酸化チタン等が挙げられる。
相違点は、前者に焼結助剤がアルミナゾル100重量%
に対して05〜10重量%含まれるのに対して、後者に
はセラミック層の気孔率を増大させるために焼結助剤が
全く含まれないか或いは0,1重量%以下しか含まれな
いところにある。アルミナの焼結助剤としては、二酸化
けい素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酢酸マグ
ネシウム、二酸化チタン等が挙げられる。
水溶性バインダは緻密質層用スラリー及び多孔質層用ス
ラリーにおいて、ともにアルミナゾルの固形分に対して
10〜80重量%添加される。このバインダは焼結時の
脱バインダによりセラミ・ツク層に気孔を生じ易いため
、気孔率を減少させる場合には上記範囲で少なめにアル
ミナゾルに添加される。水溶性バインダとしてはポリビ
ニルアルコール、水溶性アクリル等が挙げられる。緻密
質層用スラリーに含まれるバインダは多孔質層用スラリ
ーに含まれるバイレダと異なってもよい。
ラリーにおいて、ともにアルミナゾルの固形分に対して
10〜80重量%添加される。このバインダは焼結時の
脱バインダによりセラミ・ツク層に気孔を生じ易いため
、気孔率を減少させる場合には上記範囲で少なめにアル
ミナゾルに添加される。水溶性バインダとしてはポリビ
ニルアルコール、水溶性アクリル等が挙げられる。緻密
質層用スラリーに含まれるバインダは多孔質層用スラリ
ーに含まれるバイレダと異なってもよい。
緻密質層用スラリー及び多孔質層用スラリーを成膜する
方法としては、ドクターブレード法、押出し成形法、ロ
ール圧延法、泥しよう鋳込み法等があるが、成形歪が少
なく成形体の平滑度が良好なドクターブレード法が好ま
しい。多孔質層用スラリーを成膜するときに、このスラ
リーにアンモニア、或いはアミン類のアルカリ物質を添
加してスラリー中にゲルを生成させ、気孔率を増大させ
ることもできる。
方法としては、ドクターブレード法、押出し成形法、ロ
ール圧延法、泥しよう鋳込み法等があるが、成形歪が少
なく成形体の平滑度が良好なドクターブレード法が好ま
しい。多孔質層用スラリーを成膜するときに、このスラ
リーにアンモニア、或いはアミン類のアルカリ物質を添
加してスラリー中にゲルを生成させ、気孔率を増大させ
ることもできる。
緻密質層用のスラリー及び多孔質層用のスラリーを成膜
後、30〜95℃でそれぞれ乾燥して緻密質層用グリー
ンシート及び多孔質層用グリーンシートを成形する。最
下層となる緻密質層用グリーンシートには冷媒が通る通
孔を設けてもよい。
後、30〜95℃でそれぞれ乾燥して緻密質層用グリー
ンシート及び多孔質層用グリーンシートを成形する。最
下層となる緻密質層用グリーンシートには冷媒が通る通
孔を設けてもよい。
また放熱効果を高めるために、多孔質層用グリーンシー
トをNiめつき等によりメタライズ処理を施してもよい
。
トをNiめつき等によりメタライズ処理を施してもよい
。
次いで多孔質層用グリーンシートの両面又は片面に接着
剤を塗布し、20〜70℃の温度で10〜100 kg
/cm”の圧力で多孔質層用グリーンシートに緻密質層
用グリーンシートを接着し積層する。
剤を塗布し、20〜70℃の温度で10〜100 kg
/cm”の圧力で多孔質層用グリーンシートに緻密質層
用グリーンシートを接着し積層する。
この接着剤としては、セルロース誘導体、アクリル系エ
マルジョン、酢酸ビニルエマルジョン等の水系接着剤又
はアクリル系樹脂、ブチラール系樹脂、ビニール系樹脂
等の非水系接着剤を用いることができる。
マルジョン、酢酸ビニルエマルジョン等の水系接着剤又
はアクリル系樹脂、ブチラール系樹脂、ビニール系樹脂
等の非水系接着剤を用いることができる。
これらの積層数は多孔質層用グリーンシートの両面に緻
密質層用グリーンシートを重ね合わせて積層した3層以
外に、セラミック基板の用途に応じて緻密質層と多孔質
層とを交互に重ね合わせた多数層にすることもできる。
密質層用グリーンシートを重ね合わせて積層した3層以
外に、セラミック基板の用途に応じて緻密質層と多孔質
層とを交互に重ね合わせた多数層にすることもできる。
グリーンシートを積層した後、所定の寸法に切断し、焼
成炉に入れて焼成する。焼成は目的とする気孔率を得る
ために1200〜1600℃の温度範囲で、1〜2時間
、大気圧下で行われる。焼成温度が高まる程、また焼成
時間が長くなる程、気孔率は減少する。1200℃未満
であると緻密質セラミック層の気孔率が5%を越え、1
600℃を越えると多孔質セラミック層の気孔率が20
%未満となり易い。即ち、本発明の多層セラミック基板
は多、孔質セラミック層の気孔率が20〜60%の範囲
に、また緻密質セラミック層の気孔率が0.01〜5%
の範囲に制御されて作られる。
成炉に入れて焼成する。焼成は目的とする気孔率を得る
ために1200〜1600℃の温度範囲で、1〜2時間
、大気圧下で行われる。焼成温度が高まる程、また焼成
時間が長くなる程、気孔率は減少する。1200℃未満
であると緻密質セラミック層の気孔率が5%を越え、1
600℃を越えると多孔質セラミック層の気孔率が20
%未満となり易い。即ち、本発明の多層セラミック基板
は多、孔質セラミック層の気孔率が20〜60%の範囲
に、また緻密質セラミック層の気孔率が0.01〜5%
の範囲に制御されて作られる。
また本発明のセラミック放熱基板は、放熱効果を高める
ため、その基板厚は10〜200μmの極薄の基板であ
ることが好ましい。
ため、その基板厚は10〜200μmの極薄の基板であ
ることが好ましい。
積層焼結体であるセラミック放熱基板の最上層の緻密質
セラミック層にコンデンサ、抵抗チップ等の電子部品を
搭載し、多孔質セラミック層に冷媒を通すことにより、
電子部品の発熱を放散させることができる。
セラミック層にコンデンサ、抵抗チップ等の電子部品を
搭載し、多孔質セラミック層に冷媒を通すことにより、
電子部品の発熱を放散させることができる。
冷媒の通し方は第1図〜第4図に示すように、セラミッ
ク放熱基板10の前後両端に金属管11及び12を接続
し、基板10の多孔質セラミック層10aに冷媒13を
通して最上層の緻密質セラミック層10bに搭載された
電子部品14及び15の発熱を除去する方法と、第5図
及び第6図に示すように、セラミック放熱基板20の最
下層の緻密質セラミック層20bに管径4〜6mm程度
の通孔27を穿設した後、通孔27に金属管21及び2
2を層20bに垂直に挿着して、基板20の多孔質セラ
ミック層20aに冷媒23を通して最上層の緻密質セラ
ミック層20bに搭載された電子部品24及び25の発
熱を除去する方法がある。
ク放熱基板10の前後両端に金属管11及び12を接続
し、基板10の多孔質セラミック層10aに冷媒13を
通して最上層の緻密質セラミック層10bに搭載された
電子部品14及び15の発熱を除去する方法と、第5図
及び第6図に示すように、セラミック放熱基板20の最
下層の緻密質セラミック層20bに管径4〜6mm程度
の通孔27を穿設した後、通孔27に金属管21及び2
2を層20bに垂直に挿着して、基板20の多孔質セラ
ミック層20aに冷媒23を通して最上層の緻密質セラ
ミック層20bに搭載された電子部品24及び25の発
熱を除去する方法がある。
これらの金属管11,12.21及び22はアルミナの
セラミック基板と熱膨張係数がほぼ等しい金属材料、例
えばコバール合金等で構成される。
セラミック基板と熱膨張係数がほぼ等しい金属材料、例
えばコバール合金等で構成される。
これらの金属管は硬ろう16、゛例えば銀ろう、黄銅ろ
う、銅ろう等によりろう付けされ、基板10又は20と
一体化される。第1図及び第2図の3層積層のセラミッ
ク放熱基板10は金属管11及び12に挿着され、第3
図及び第4図の5層積層のセラミック放熱基板10は金
属管11及び12の端面に接着される。第1図及び第2
図の基板10の最下層の緻密質セラミック層10bには
この[10bの厚さに応じて孔径100〜900μmの
通孔17が穿設される。通孔17及び前述した通孔27
は焼成前のグリーンシートの状態で穿設される。
う、銅ろう等によりろう付けされ、基板10又は20と
一体化される。第1図及び第2図の3層積層のセラミッ
ク放熱基板10は金属管11及び12に挿着され、第3
図及び第4図の5層積層のセラミック放熱基板10は金
属管11及び12の端面に接着される。第1図及び第2
図の基板10の最下層の緻密質セラミック層10bには
この[10bの厚さに応じて孔径100〜900μmの
通孔17が穿設される。通孔17及び前述した通孔27
は焼成前のグリーンシートの状態で穿設される。
また金属管11.12が接続されないセラミック放熱基
板10の両側面及びセラミック放熱基板20の周側面に
は、それぞれ冷媒13又は23が漏洩しないように封止
層10c又は20cが形成される。この封止はグリーン
シートの積層状態で緻密質層用のスラリーでコーティン
グして焼成することにより行われる。
板10の両側面及びセラミック放熱基板20の周側面に
は、それぞれ冷媒13又は23が漏洩しないように封止
層10c又は20cが形成される。この封止はグリーン
シートの積層状態で緻密質層用のスラリーでコーティン
グして焼成することにより行われる。
第1図及び第2図の基板10には、金属管11及び12
の双方から冷媒ガス、例えばフレオンガスを吹込み、多
孔質セラミック層10aを通して通孔17から排出させ
る。
の双方から冷媒ガス、例えばフレオンガスを吹込み、多
孔質セラミック層10aを通して通孔17から排出させ
る。
第3図及び第4図の基板10には、金属管11から冷媒
ガス又は冷却水を流込み、多孔質セラミック層10aを
通して金属管12から排出させる。
ガス又は冷却水を流込み、多孔質セラミック層10aを
通して金属管12から排出させる。
第5図及び第6図の基板20には、金属管21から冷媒
ガス又は冷却水を流込み、多孔質セラミック層20aを
通して金属管22から排出させる。
ガス又は冷却水を流込み、多孔質セラミック層20aを
通して金属管22から排出させる。
[発明の効果]
以上述べたように、本発明のセラミック放熱基板は、グ
リーンシート多層積層法により多孔質アルミナ層の両面
又は片面に緻密質アルミナ層を積層して焼結したため、
所定の強度を保有しつつ基板厚を薄くでき、基板を軽量
にすることができる。
リーンシート多層積層法により多孔質アルミナ層の両面
又は片面に緻密質アルミナ層を積層して焼結したため、
所定の強度を保有しつつ基板厚を薄くでき、基板を軽量
にすることができる。
これにより、電子部品の放熱効果が高くなり、しかも高
密度に電子部品を実装することができる。
密度に電子部品を実装することができる。
[実施例]
次に本発明の実施例を図面に基づいて詳しく説明する。
〈実施例1〉
アルミニウムイソプロポキシド[AI (C3H?O)
8]を加水分解してベーマイト[AQOOH]を生成さ
せ、これにpH2〜4に調整した水を加えて解膠し、ア
ルミナ濃度5重量%の安定な擬ベーマイトゾルを得た。
8]を加水分解してベーマイト[AQOOH]を生成さ
せ、これにpH2〜4に調整した水を加えて解膠し、ア
ルミナ濃度5重量%の安定な擬ベーマイトゾルを得た。
緻密質層用スラリーを調製するために、このゾルに焼結
助剤としてシリカコロイド、酢酸マグネシウム、酢酸カ
ルシウムを、更に水溶性バインダとしてポリビニルアル
コールを添加した。これらの焼結助剤は緻密質セラミッ
ク層に焼結したときの組成比が AFL、0*: 5in2: MgO: Ca0=92
: 7: 2: 1になるようにそれぞれ添加した。ま
たバインダはこの固形分に対して40重量%添加混合し
た。これにより固形分が10重量%のスラリーを調製し
た。
助剤としてシリカコロイド、酢酸マグネシウム、酢酸カ
ルシウムを、更に水溶性バインダとしてポリビニルアル
コールを添加した。これらの焼結助剤は緻密質セラミッ
ク層に焼結したときの組成比が AFL、0*: 5in2: MgO: Ca0=92
: 7: 2: 1になるようにそれぞれ添加した。ま
たバインダはこの固形分に対して40重量%添加混合し
た。これにより固形分が10重量%のスラリーを調製し
た。
このスラリーを移動担体である高密度ポリエチレンテー
プ上にドクターブレード法により厚さ1.2mmになる
ようにコーティングした後、乾燥し、スラリーの分散媒
である水を脱離させて厚さ約60μmの緻密層用グリー
ンシートを得た。
プ上にドクターブレード法により厚さ1.2mmになる
ようにコーティングした後、乾燥し、スラリーの分散媒
である水を脱離させて厚さ約60μmの緻密層用グリー
ンシートを得た。
一方、多孔化し易くするために焼結助剤を添加しない以
外は上記と同様にして厚さ約60μmの多孔質層用グリ
ーンシートを得た。最下層となる緻密層用グリーンシー
トに直径100μmの9個の通孔を穿設した。次いで多
孔質層用グリーンシートの両面に接着剤として1%濃度
のポリビニルブチラールのイソプロピルアルコール溶液
を塗工し、このシートの両面に上記緻密質層用グリーン
シートを重ね合わせて接着し、3層に積層された厚さ約
180μmのグリーン成形体を得た。このグリーン成形
体を80 X 80 mmの正方形に切断した後、両側
面に緻密質層用スラリーをコーティングし、多孔質用グ
リーンシートを被覆した。
外は上記と同様にして厚さ約60μmの多孔質層用グリ
ーンシートを得た。最下層となる緻密層用グリーンシー
トに直径100μmの9個の通孔を穿設した。次いで多
孔質層用グリーンシートの両面に接着剤として1%濃度
のポリビニルブチラールのイソプロピルアルコール溶液
を塗工し、このシートの両面に上記緻密質層用グリーン
シートを重ね合わせて接着し、3層に積層された厚さ約
180μmのグリーン成形体を得た。このグリーン成形
体を80 X 80 mmの正方形に切断した後、両側
面に緻密質層用スラリーをコーティングし、多孔質用グ
リーンシートを被覆した。
次にこのグリーン成形体を焼成炉に入れた。同時に気孔
率の生成状況を調べるために上記多孔質層用グリーンシ
ートと同じ多孔質層用グリーンシートと、上記緻密質層
用グリーンシートと同じ緻密質層用グリーンシートを焼
成炉に入れ、これらのグリーンシートを1000℃、1
200℃、1300℃、1400℃、1500℃でそれ
ぞれ1時間、大気圧下で焼成した。3層アルミナ基板の
緻密質アルミナ層及び多孔質アルミナ層はそれぞれアル
ミナ含有量が92%及び995%のアルミナ焼結体層で
あった。この3層アルミナ基板の曲げ強度は焼成温度1
000℃、1200℃、1300℃、1400℃、15
00℃でそれぞれ20.40.50.50.50kgf
/mm”であった。
率の生成状況を調べるために上記多孔質層用グリーンシ
ートと同じ多孔質層用グリーンシートと、上記緻密質層
用グリーンシートと同じ緻密質層用グリーンシートを焼
成炉に入れ、これらのグリーンシートを1000℃、1
200℃、1300℃、1400℃、1500℃でそれ
ぞれ1時間、大気圧下で焼成した。3層アルミナ基板の
緻密質アルミナ層及び多孔質アルミナ層はそれぞれアル
ミナ含有量が92%及び995%のアルミナ焼結体層で
あった。この3層アルミナ基板の曲げ強度は焼成温度1
000℃、1200℃、1300℃、1400℃、15
00℃でそれぞれ20.40.50.50.50kgf
/mm”であった。
第7図に単層の多孔質アルミナ焼結シート及び単層の緻
密質アルミナ焼結シートの焼成温度による気孔率の変化
をそれぞれ示す。第7図により、緻密質層用グリーンシ
ート単独を焼成して得られた焼結シートの気孔率が0〜
1%の範囲にあることから3層アルミナ基板のうち緻密
質アルミナ層の気孔率も0〜1%の範囲にあると類推さ
れる。
密質アルミナ焼結シートの焼成温度による気孔率の変化
をそれぞれ示す。第7図により、緻密質層用グリーンシ
ート単独を焼成して得られた焼結シートの気孔率が0〜
1%の範囲にあることから3層アルミナ基板のうち緻密
質アルミナ層の気孔率も0〜1%の範囲にあると類推さ
れる。
また多孔質層用グリーンシート単独を焼成して得られた
焼結シートの気孔率が40〜60%であることから3層
アルミナ基板のうち多孔質アルミナ層の気孔率も40〜
60%と類推される。また第8図に3層アルミナ基板の
焼成温度による基板全体の気孔率の変化を示す。
焼結シートの気孔率が40〜60%であることから3層
アルミナ基板のうち多孔質アルミナ層の気孔率も40〜
60%と類推される。また第8図に3層アルミナ基板の
焼成温度による基板全体の気孔率の変化を示す。
第1図及び第2図に示すように、この積層焼結した厚さ
100μmセラミック放熱基板10の緻密質層用スラリ
ーをコーティングしない前後両端をコバール合金(Fe
40%、Ni40%、Co20%)からなる金属管11
及び12に挿入して銀ろう16でろう付けした後、金属
管11及び12の双方からフレオンガスを吹込み、多孔
質セラミック層10aを通して通孔17から排出させた
ところ、最上層の緻密質セラミック層10bは極めて高
い放熱効果を示した。
100μmセラミック放熱基板10の緻密質層用スラリ
ーをコーティングしない前後両端をコバール合金(Fe
40%、Ni40%、Co20%)からなる金属管11
及び12に挿入して銀ろう16でろう付けした後、金属
管11及び12の双方からフレオンガスを吹込み、多孔
質セラミック層10aを通して通孔17から排出させた
ところ、最上層の緻密質セラミック層10bは極めて高
い放熱効果を示した。
〈実施例2〉
市販のアルミナ含有量990%の高純度アルミナ粉を分
散相とし、水を分散媒としたアルミナ濃度6重量%のア
ルミナゾルを調製した。このアルミナゾル100重量%
に焼結助剤として酢酸マグネシウムをMgO換算で0.
05重量%添加した。更に水溶性バインダとしてポリビ
ニルアルコールをゾル固形分に対して40重量%添加混
合した。
散相とし、水を分散媒としたアルミナ濃度6重量%のア
ルミナゾルを調製した。このアルミナゾル100重量%
に焼結助剤として酢酸マグネシウムをMgO換算で0.
05重量%添加した。更に水溶性バインダとしてポリビ
ニルアルコールをゾル固形分に対して40重量%添加混
合した。
以下、最下層となる緻密層用グリーンシートに直径4m
tnの2個の通孔を穿設した以外は実施例1と同様にし
て3層アルミナグリーンシート成形体を製造した。この
グリーン成形体を80X80mmの正方形に切断した後
、両側面に緻密質層用スラリーをコーティングし、多孔
質用グリーンシートを被覆した。
tnの2個の通孔を穿設した以外は実施例1と同様にし
て3層アルミナグリーンシート成形体を製造した。この
グリーン成形体を80X80mmの正方形に切断した後
、両側面に緻密質層用スラリーをコーティングし、多孔
質用グリーンシートを被覆した。
以下、実施例1と同様にこの成形体を焼成した。
第5図及び第6図に示すように、この積層焼結した厚さ
30μmセラミック放熱基板20の最下層の緻密質セラ
ミック層10bの通孔27にコバール合金(Fe40%
、Ni40%、Co20%)からなる金属管21及び2
.2に挿入して銀ろう26でろう付けした後、金属管2
1から冷却水を流込み、多孔質セラミック層20aを通
して金属管22から排出させたところ、最上層の緻密質
セラミック層20bは極めて高い放熱効果を示した。
30μmセラミック放熱基板20の最下層の緻密質セラ
ミック層10bの通孔27にコバール合金(Fe40%
、Ni40%、Co20%)からなる金属管21及び2
.2に挿入して銀ろう26でろう付けした後、金属管2
1から冷却水を流込み、多孔質セラミック層20aを通
して金属管22から排出させたところ、最上層の緻密質
セラミック層20bは極めて高い放熱効果を示した。
第1図は本発明セラミック放熱基板の断面図。
第2図はその斜視図。
第3図は本発明の別のセラミック放熱基板の断面図。
第4図はその斜視図。
第5図は本発明の更に別のセラミック放熱基板の断面図
。 第6図はその斜視図。 第7図は単層の多孔質アルミナ焼結シート及び単層の緻
密質アルミナ焼結シートの焼成温度による気孔率の変化
をそれぞれ示す図。 第8図は本発明実施例の3層アルミナ基板の焼成温度に
よる基板全体の気孔率の変化を示す図。 10.20:セラミック放熱基板、 10a、20a:多孔質セラミック層、10b、20b
:緻密質セラミック層、13.23:冷媒。 0b 第 図 第 図 第 図 第 図 第4 図 第 図 第8 図
。 第6図はその斜視図。 第7図は単層の多孔質アルミナ焼結シート及び単層の緻
密質アルミナ焼結シートの焼成温度による気孔率の変化
をそれぞれ示す図。 第8図は本発明実施例の3層アルミナ基板の焼成温度に
よる基板全体の気孔率の変化を示す図。 10.20:セラミック放熱基板、 10a、20a:多孔質セラミック層、10b、20b
:緻密質セラミック層、13.23:冷媒。 0b 第 図 第 図 第 図 第 図 第4 図 第 図 第8 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)アルミナ含有量90〜99.5%の多孔質セラミッ
ク層の両面又は片面にアルミナ含有量90〜99.5%
の緻密質セラミック層が積層されて一体的に焼結され前
記多孔質セラミック層に冷媒を流して前記緻密質セラミ
ック層に搭載された電子部品の発熱を放散させるセラミ
ック放熱基板であって、 前記多孔質セラミック層の気孔率が20〜60%の範囲
にあり、前記緻密質セラミック層の気孔率が0.01〜
5%の範囲にあることを特徴とするセラミック放熱基板
。 2)基板厚が10〜200μmである請求項1記載のセ
ラミック放熱基板。 3)水を分散媒としたアルミナゾルに焼結助剤と水溶性
バインダを添加混合して緻密質層用スラリーを調製し、 この緻密質層用スラリーを成膜乾燥して緻密質層用グリ
ーンシートを成形し、 水を分散媒としたアルミナゾルに焼結助剤を添加せずに
水溶性バインダを添加混合して多孔質層用スラリーを調
製し、 この多孔質層用スラリーを成膜乾燥して多孔質層用グリ
ーンシートを成形し、 前記多孔質層用グリーンシートの両面又は片面に前記緻
密質層用グリーンシートを接着剤により接着し、 前記接着したグリーンシートを1200〜 1600℃で焼成して積層焼結体を得るセラミック放熱
基板の製造方法。 4)アルミナゾルがアルミニウムアルコキシドを加水分
解した後、解膠処理して得られるアルミナコロイドであ
る請求項3記載のセラミック放熱基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19823390A JPH0483368A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | セラミック放熱基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19823390A JPH0483368A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | セラミック放熱基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0483368A true JPH0483368A (ja) | 1992-03-17 |
Family
ID=16387722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19823390A Pending JPH0483368A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | セラミック放熱基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0483368A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020158739A1 (ja) * | 2019-01-30 | 2020-08-06 | 京セラ株式会社 | 放熱部材およびこれを備える電子装置 |
-
1990
- 1990-07-26 JP JP19823390A patent/JPH0483368A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020158739A1 (ja) * | 2019-01-30 | 2020-08-06 | 京セラ株式会社 | 放熱部材およびこれを備える電子装置 |
| KR20210105972A (ko) * | 2019-01-30 | 2021-08-27 | 교세라 가부시키가이샤 | 방열 부재 및 이것을 구비하는 전자 장치 |
| JPWO2020158739A1 (ja) * | 2019-01-30 | 2021-11-25 | 京セラ株式会社 | 放熱部材およびこれを備える電子装置 |
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