JPH0483781A - セラミック用メタライズ組成物 - Google Patents

セラミック用メタライズ組成物

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JPH0483781A
JPH0483781A JP19873390A JP19873390A JPH0483781A JP H0483781 A JPH0483781 A JP H0483781A JP 19873390 A JP19873390 A JP 19873390A JP 19873390 A JP19873390 A JP 19873390A JP H0483781 A JPH0483781 A JP H0483781A
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cuo
mixture
metallized layer
bi2o3
ceramics
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Asao Morikawa
森川 朝男
Kazuo Kondo
和夫 近藤
Kazunori Miura
三浦 一則
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NGK Spark Plug Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明(唄低温焼成セラミックに金属面を形成すること
によって、高密度多層配線基板、  IC又はトランジ
スタパッケージ、電気絶縁用電子部品等に利用できるセ
ラミック用メタライズ組成物に関するものである。
[従来の技術] 従来、低温焼成セラミックに用いられるメタライズ組成
物(表 セラミックと同時焼成することによって、セラ
ミック上に金属面を形成するものであり、この低温焼成
セラミック用メタライズ組成物として、各種のものが提
案されている。
例えば、低温焼成セラミック用Cuメタライズ組成物と
してli  CuOCu粉末の混合割合や粒度配合を工
夫したり、TlO2,MnO2,Pt。
Au、Ag2O等の添加によって、Cuメタライズ層の
導通や気密性等の特性の向上が図られている(特開昭6
3−295491号公報参照)。
また、この様なメタライズ組成物を使用し、同時焼成に
よって例えばCuメタライズ層を形成する場合に(表次
の様な工程で行われている。即ち、大気中にて脱バイン
ダーを行う工程(脱バインダー程)、H2又は分解ガス
中でCuOをCuに還元する工程(還元焼成工程)、非
酸化ガス中でセラミックとCuを一体に焼結する工程(
本焼成工程)等である。
[発明が解決しようとする課題] ところが、従来のメタライズ層の形成方法で(表上述し
た焼成工程を必要とするために、下記の様な問題が生ず
ることがあった。
つまり、上記脱バインダー工程や焼成還元工程で[iC
u粉の酸化と還元とを避けることが不可能であり、それ
によって、Cuの酸化による体積増加や還元による体積
減少等の体積変動が生じていた。この体積変動によって
、メタライズに粗密部を生じ易くなり、この粗部がら第
2図に示す様な蜂の巣状のひび割れPlを生じて、ブロ
ックP2に分離してしまうことがあった。その結果、後
の本焼成工程で、ブロックP2に局部焼結現象が発生し
てしまい、導通が取れなくなったり気密性が損なわれる
という問題があった。
本発明(友上記課題を解決し、局部焼結現象を防止して
優れた特性のメタライズ層を形成するセラミック用メタ
ライズ組成物を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 上記課題を解決する本発明は 主成分のCuO,Cu0−Cu混合物又はCuOCu2
O混合物に対し、B1゜o3を1重量%以上8重量%未
満の範囲で添加したことを特徴とするセラミック用メタ
ライズ組成物を要旨とする。
二こで、主成分としてはCuO単体を用いることができ
、或はCuO−Cu混合物としては、CuO粉末粉末3
置 粉末70重量部以下からなるものが望ましく、またCu
0−CLJ20混合物としてit,CuO10重量部以
重量部以上1部0 下からなるものが望ましい。
更に、使用するCuO粉末の粒径が、0.  5〜5μ
mの範囲のものが好ましく、特にその範囲で異なる平均
粒径のCuO粉末を組み合わせてもよい。またC Ll
 2 0粉末の粒径が、0.  5〜10μmの範囲の
ものが好ましく、その範囲で異なる平均粒径のC U 
2 0粉末を組み合わせてもよい。或はCu粉末の粒径
が、0.  5〜20μmの範囲のものが好ましく、そ
の範囲で異なる平均粒径のCu粉末を組み合わせてもよ
い。
また、前記Bi2O3の添加量に比例して、メタライズ
の局部焼結現象抑制作用の効果があるが、添加量に対応
してメタライズの導通抵抗は大きくなる傾向にあるので
、Bi20aの添加量は 3〜5重量%の範囲が好適で
ある。尚、B1□03の粒径(−L  0.3〜1. 
 0μmの範囲のものが望ましい。
[作用] 本発明(上セラミック用メタライズ組成物として、その
成分にBi2O3を1重量%以上8重量%以下の範囲で
含有していることが特徴であり、このBi20aが下記
の様に作用して、局部焼結現象を抑制する。
メタライズペーストが形成されたセラミックのグリーン
シート(友 大気中で焼成されて、バインダーが除去さ
れるが、このときCuは酸化してCuOとなり体積膨張
を引き起こす。そして、次の還元焼成でCuOが還元し
てCuになるが、この時に体積収縮してメタライズに粗
密を生じ、ひび割れを起こし易くなる。ところがメタラ
イズの組成中にBi25:、が含まれていると、B12
o3も還元されてBiとなり、このBiがCu同士を結
合させる働きをすると考えられるので、メタライズが粗
密となることが防止される。その結果、ひび割れが生じ
にくくなるので、メタライズが多くのブロックに分離す
ることが防止される。よって、後の本焼成の際に、ブロ
ックに局部焼結現象が発生することが抑止されるので、
メタライズの導通や気密性が損なわれることが防止され
る。
[実施例] 次1:,本発明の実施例を、セラミックパッケージを例
にとって、第1図の工程図に基づいて説明する。
本実施例のセラミックパッケージは以下の様にして製造
される。
(グリーンシート製造工程)・・・1 グリーンシートの原料となる、ZnO,MgCO3、A
Q  (OH)a,S i 02,H2SO4,HaP
○4を所定量秤量し、ライカイ機にて混合し、白金ルツ
ボ又はアルミナ質ルツボにて1400〜1500℃の適
当な温度で溶融する。この融液を水中に投入し、急冷し
てガラス化し、その後アルミナ製ボールミルで粉砕して
、粒径が2〜3μmのフリット(ガラス粉末)を形成す
る。
この粉末とポリビニルブチラールと可塑剤(ジエチレン
グリコール)とを用いて、常法に従って、ドクターブレ
ード法により厚さ約0. 6mmのグリーンシートを作
成する。
(パンチング工程)・・・11 この様にして形成したグリーンシートを使用し、各シー
トの所定位置にパンチングで孔をあけて、スルーホール
を形成する。
(メタライズペースト充填及び印刷工程)・・・111
次に、各グリーンシートのスルーホール内に、下記の組
成のペースト状のCuメタライズ組成物(メタライズペ
ースト)を充填する。また、グリーンシート表面(二 
Cuメタライズペーストを用い、スクリーン印刷によっ
て焼結後の導体層となるCuメタライズ層を形成する。
前記Cuメタライズペーストの組成及び原料粉末径とし
て(よ種々のものを採用できるが、例えば下記の様であ
る。
Cub: 60重量部(以下部と称す、粉末粒径Iμm
)、Cu: 10部(1μm)、CulO部(3,2μ
m)、Cu; 20部(15μm)、B2O3;3部(
0,77部m)、樹脂(バインダー):5訊溶剤;適量
部。
(シート積層工程)・・・1v 印刷の終了した各層のグリーンシートを所定の順序で重
ねて加熱し、加圧して一体化する。そして所定の形状に
切断して、外形寸法を揃えて製品形状とする。
尚、本工程ではグリーンシートを積層して一体化したが
、これ以外にも、絶縁層や導電層を印刷によって順次積
層して形成してもよい。
(脱バインダー工程)・・・■ その後、大気中で約300℃にて約5時間かけて仮焼成
し、グリーンシート及び各メタライズ層等に含まれる樹
脂等の有機質成分を飛散、除去させる。そして仮焼成後
、大気中で600〜750°Cにて約1時間焼成し、残
存カーボンを消失させる。
(還元焼成工程)・・・vl 次に、アンモニア分解ガス雰囲気中にて、35O〜75
0℃に保って、CuOをCuに還元する。
尚、この時、アンモニア分解ガスに代えて水素ガスを使
用してもよい。
(本焼成工程)・・・■1 次いで、非酸化ガスの中性雰囲気中にて、900〜]]
]0°C1約1時間で本焼成を行う。即ち、メタライズ
及びセラミックを同時に一体的に焼結して、所定のシー
ル用のCuメタライズ層をもつベースを製作し、同様に
所定形状のキャップを形成し、このベース及びキャップ
を用いてセラミックパッケージが完成する。
この様(ミ本実施例で(よ セラミック用Cuメタライ
ズ組成物として、その成分中に81203を適量添加し
ている。従って、還元焼成の際にCuOからCuへの体
積変化が生じても、メタライズ層にひび割れが生じるこ
とを防止できる。それによって、本焼成の際に局部焼結
現象が生ずることが抑止されるので、メタライズ層は好
適な導通を有し、また高い気密性を達成できる。
次に、本発明の効果を確認するために行った実験例につ
いて説明する。
(実験例) 実験は、上記の様な製造工程を経て、メタライズ層を備
えたセラミックを製造して行った そして、メタライズ
層の体積抵抗、気密性 クラック発生状況を調べた。
その際のメタライズ組成物中の成分を下記表1に示す。
ここで81203の量(友主成分のCuO単体、Cu0
−Cu混合物又はCu OCU 20混合物に対する重
量%である。尚、気密性(飄1O−8std、cc/ 
sec以下のものを○で示し、それを上回るものを×で
示した。更に、クラック発生状況(表10μm幅程度の
大きなりラックが連続して連なっているものを×で示し
、部分的にそのクラックが発生しているものを△で示し
、はとんどクラックが見られないものを○で示した。ま
た、比較例(試料NCLAI、 Bl、  CI、  
DI、  Fl)としてBi2O,を添加しないメタラ
イズ層も製造した 表1から明かなように、Bi2O3を添加したものでは
、断線が生じることがない(試料N[LA2〜A3)。
また、一般に81203を添加したものは体積抵抗が少
ないという傾向がある(試料NαB2〜B4.  F2
〜F4)。更にクラック発生が少ないという特長があり
(試料NctF2及び比較例以外の全試料)、気密性に
も改善が見られる(試料N(lA2.  C2,C2,
E 1〜E3.  F2〜F4.  G2−G3)。
それに対して、比較例のBi2O3を添加しないもの(
友断線が生じたり(試料N(IAI)、気密性が損なわ
れたり(試料N(181,CI)、クラックの発生が多
い(試料NcD1.  Fl)という問題があった。
尚、試料NctF2のものは、クラックの発生が多いが
、81203を添加しであるので比較例の試料NαF1
と比べて体積抵抗が小さいという利点がある。
[発明の効果] 上述した様に、本発明のセラミック用メタライズ組成物
は、その成分中にBi20aを所定量含有している。従
って、還元焼成の際にメタライズ層に粗密が生じること
を防ぎ、それによって、ひび割れが生じることを防止で
きるので、本焼成の際に局部焼結現象が生ずることがな
い。その結果、緻密で優れたメタライズ層を形成できる
ので、微細配線が可能になり、配線密度の高い多層配線
基板や各種のパッケージを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本実施例のメタライズ層を形成する手順を示す
工程医 第2図は従来技術の問題点を示す説明図である
。 第1図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 主成分のCuO,CuO−Cu混合物又はCuO−
    Cu_2O混合物に対し、Bi_2O_3を1重量%以
    上8重量%以下の範囲で添加したことを特徴とするセラ
    ミック用メタライズ組成物。
JP19873390A 1990-07-26 1990-07-26 セラミック用メタライズ組成物 Expired - Fee Related JP2664274B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001247371A (ja) * 2000-03-03 2001-09-11 Murata Mfg Co Ltd 多層セラミック基板の製造方法

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