JPH048387Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH048387Y2 JPH048387Y2 JP1986042585U JP4258586U JPH048387Y2 JP H048387 Y2 JPH048387 Y2 JP H048387Y2 JP 1986042585 U JP1986042585 U JP 1986042585U JP 4258586 U JP4258586 U JP 4258586U JP H048387 Y2 JPH048387 Y2 JP H048387Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- capacitor
- transmission
- pulse
- period
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- Measurement Of Velocity Or Position Using Acoustic Or Ultrasonic Waves (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この考案は電波や音波のような波動のパルスを
送波して、その反射波を受波することにより物体
の探知、或いは距離測定などを行なう波動探知装
置、特にその波動パルスの送波周期を変更するこ
とができるようにされた波動探知装置に関する。
送波して、その反射波を受波することにより物体
の探知、或いは距離測定などを行なう波動探知装
置、特にその波動パルスの送波周期を変更するこ
とができるようにされた波動探知装置に関する。
「従来の技術」
この種の波動探知装置においては遠距離を探知
する場合にはその波動パルスの送波周期を長く
し、かつ送信パワー(電力)を大きくし、つまり
パルス幅を長くして十分なレベルの探知信号を得
るようにし、一方短い距離を探知する場合におい
ては波動パルスの送波周期を短くし、探知信号を
速く得、かつパルス幅を狭くして送信電力が大き
くならないようにしていた。
する場合にはその波動パルスの送波周期を長く
し、かつ送信パワー(電力)を大きくし、つまり
パルス幅を長くして十分なレベルの探知信号を得
るようにし、一方短い距離を探知する場合におい
ては波動パルスの送波周期を短くし、探知信号を
速く得、かつパルス幅を狭くして送信電力が大き
くならないようにしていた。
また従来において波動パルスの送波周期に応じ
て送信電力を変更するため、パルス幅の制御を行
う他に、従来においてパルスの振幅を制御し、つ
まり周期が長くなる程振幅を大とすることも提案
されている。
て送信電力を変更するため、パルス幅の制御を行
う他に、従来においてパルスの振幅を制御し、つ
まり周期が長くなる程振幅を大とすることも提案
されている。
「考案が解決しようとする問題点」
しかし超音波探知装置においては、その超音波
送受波器の特性からパルス幅を短くするには限度
があり、又規格からもパルス幅がある値以上に制
限されていた。しかし短い距離を探知する要望が
増えてきており、かつその短い距離の探知におい
て得られた情報を次から次へと速く知りたい場合
があり、そのような場合においてはパルス幅を短
くすることができず、かつ送信波繰り返し周期を
短くするため、送信電力が大きくなり、送信回路
の電源回路の負担が大きくなり、又送信トランジ
スタなどを破壊する恐れもあつた。同様にパルス
振幅を制御する場合も過渡的にその振幅制御が過
大になり、送信回路の回路素子が破壊することが
あつた。
送受波器の特性からパルス幅を短くするには限度
があり、又規格からもパルス幅がある値以上に制
限されていた。しかし短い距離を探知する要望が
増えてきており、かつその短い距離の探知におい
て得られた情報を次から次へと速く知りたい場合
があり、そのような場合においてはパルス幅を短
くすることができず、かつ送信波繰り返し周期を
短くするため、送信電力が大きくなり、送信回路
の電源回路の負担が大きくなり、又送信トランジ
スタなどを破壊する恐れもあつた。同様にパルス
振幅を制御する場合も過渡的にその振幅制御が過
大になり、送信回路の回路素子が破壊することが
あつた。
この考案は送波繰り返し周期が短くなると自動
的にその送信パワーを減少し、送信回路及びその
電源回路の負担を軽減することができる波動探知
装置を提供することにある。
的にその送信パワーを減少し、送信回路及びその
電源回路の負担を軽減することができる波動探知
装置を提供することにある。
「問題点を解決するための手段」
この考案によれば送波パルスの周期が短くなる
ほど低い電圧を発生する周期対応電圧発生手段が
設けられ、その周期対応電圧発生手段の出力電圧
と送信高圧用コンデンサの電圧とが比較回路で比
較され、送信高圧用コンデンサの方の電圧の方が
高くなると上記送信高圧用コンデンサに対する充
電を停止し、又はその充電を十分遅くするような
充電抑圧手段が設けられている。
ほど低い電圧を発生する周期対応電圧発生手段が
設けられ、その周期対応電圧発生手段の出力電圧
と送信高圧用コンデンサの電圧とが比較回路で比
較され、送信高圧用コンデンサの方の電圧の方が
高くなると上記送信高圧用コンデンサに対する充
電を停止し、又はその充電を十分遅くするような
充電抑圧手段が設けられている。
「実施例」
以下この考案による波動探知装置の実施例を超
音波探知装置に適用した場合について説明する。
第1図においてクロツク発生器11からのクロツ
クは分周器12において分周され、各種送信周期
のパルス信号が作られてセレクタ13に供給され
る。セレクタ13にはレンジ設定器14から設定
された探知レンジを示す信号が入力されて、これ
と対応した周期の信号を持つ周期パルスがセレク
タ13から選択される。その周期パルスは送信パ
ルス幅発生回路15へ供給される。送信パルス幅
発生回路15は時定数が異なる複数の単安定マル
チバイブレーターよりなり、これら単安定マルチ
バイブレーターは入力パルスにより駆動され、そ
の入力周期パルスと同一繰り返し周期で各種パル
ス幅を持つたパルスを出力する。
音波探知装置に適用した場合について説明する。
第1図においてクロツク発生器11からのクロツ
クは分周器12において分周され、各種送信周期
のパルス信号が作られてセレクタ13に供給され
る。セレクタ13にはレンジ設定器14から設定
された探知レンジを示す信号が入力されて、これ
と対応した周期の信号を持つ周期パルスがセレク
タ13から選択される。その周期パルスは送信パ
ルス幅発生回路15へ供給される。送信パルス幅
発生回路15は時定数が異なる複数の単安定マル
チバイブレーターよりなり、これら単安定マルチ
バイブレーターは入力パルスにより駆動され、そ
の入力周期パルスと同一繰り返し周期で各種パル
ス幅を持つたパルスを出力する。
これら複数のパルス幅のパルスはセレクタ16
において設定されたレンジに対応したものが選び
出される。つまりセレクタ16からはその設定し
たレンジと対応してこれが長ければ周期が長く、
かつパルス幅の広い送信パルスとが選択されて変
調回路17に入力され、そのパルスによつて超音
波周波数がキーイング変調され、その変調出力は
送信増幅器18で増幅されて超音波送受波器19
に供給され、超音波パルスが送波される。その送
波された超音波パルスの反射波は送受波器19よ
り受信機21に導かれ増幅検波されて処理表示装
置22に供給され、その必要な処理が行なわれて
探知情報が所望な状態で表示される。
において設定されたレンジに対応したものが選び
出される。つまりセレクタ16からはその設定し
たレンジと対応してこれが長ければ周期が長く、
かつパルス幅の広い送信パルスとが選択されて変
調回路17に入力され、そのパルスによつて超音
波周波数がキーイング変調され、その変調出力は
送信増幅器18で増幅されて超音波送受波器19
に供給され、超音波パルスが送波される。その送
波された超音波パルスの反射波は送受波器19よ
り受信機21に導かれ増幅検波されて処理表示装
置22に供給され、その必要な処理が行なわれて
探知情報が所望な状態で表示される。
この考案においては送信パルス周期と対応して
その周期が短くなるほど低い電圧を発生する周期
対応電圧発生手段23が設けられる。周期対応電
圧発生手段23は例えばセレクタ13からの周期
パルスが入力されてパルス発生回路24において
一定幅のパルスとされ、その一定幅のパルスは積
分制御回路25に入力され、入力パルスの周期が
短いほど積分が遅く出力電圧が低くなるように、
つまり周期が短いほど低い電圧を発生するもので
ある。
その周期が短くなるほど低い電圧を発生する周期
対応電圧発生手段23が設けられる。周期対応電
圧発生手段23は例えばセレクタ13からの周期
パルスが入力されてパルス発生回路24において
一定幅のパルスとされ、その一定幅のパルスは積
分制御回路25に入力され、入力パルスの周期が
短いほど積分が遅く出力電圧が低くなるように、
つまり周期が短いほど低い電圧を発生するもので
ある。
この周期対応電圧発生手段23の出力は比較回
路26に供給され送信増幅器18内の図に示して
ないが送信高圧用コンデンサの電圧と比較化さ
れ、その送信高圧用コンデンサの電圧の方が高く
なると比較回路26の出力により送信高圧用コン
デンサに対する充電が停止され又は抑圧される。
路26に供給され送信増幅器18内の図に示して
ないが送信高圧用コンデンサの電圧と比較化さ
れ、その送信高圧用コンデンサの電圧の方が高く
なると比較回路26の出力により送信高圧用コン
デンサに対する充電が停止され又は抑圧される。
第2図は周期対応電圧発生手段23及び充電抑
圧手段の具体例を示す。即ち例えば200Vの高圧
電源端子31は抵抗器32を通じ、更にトランジ
スタ33を通じて出力端子34に接続され、出力
端子34は送受波器を含む負荷30に接続されて
いる。又この出力端子34は送信高圧用コンデン
サ35を通じて接地され、送信出力端子34は更
に抵抗器36,37の直列回路を通じて接地さ
れ、抵抗器36,37の分圧点は比較回路26の
非反転入力端に接続されている。
圧手段の具体例を示す。即ち例えば200Vの高圧
電源端子31は抵抗器32を通じ、更にトランジ
スタ33を通じて出力端子34に接続され、出力
端子34は送受波器を含む負荷30に接続されて
いる。又この出力端子34は送信高圧用コンデン
サ35を通じて接地され、送信出力端子34は更
に抵抗器36,37の直列回路を通じて接地さ
れ、抵抗器36,37の分圧点は比較回路26の
非反転入力端に接続されている。
パルス発生回路24よりの一定幅のパルスは端
子38から積分制御回路25のトランジスタ39
のベースに抵抗器41を通じて供給され、トラン
ジスタ39はエミツタに接地され、コレクタは必
要に応じてツエナダイオード42を通じ、更に抵
抗器43を通じて比較回路26の非反転入力端に
接続される。又例えばプラス12Vの低圧電源端子
44はFET45を通じ、更に抵抗器46を通じ
てコンデンサ47の一端に接続され、コンデンサ
47の他端は接地される。この抵抗器43、コン
デンサ47の接続点55は比較回路26の非反転
入力端に接続される。その接続点55にFET4
5のゲートが接続されている。比較回路26の出
力側はトランジスタ48のベースに接続され、ト
ランジスタ48のコレクタは抵抗器49を通じて
トランジスタ33のベースに接続される。高圧電
源端子31はダイオード51、抵抗器52を通じ
てトランジスタ33のベースに接続される。更に
トランジスタ33のベースは抵抗器53を通じて
接地されている。
子38から積分制御回路25のトランジスタ39
のベースに抵抗器41を通じて供給され、トラン
ジスタ39はエミツタに接地され、コレクタは必
要に応じてツエナダイオード42を通じ、更に抵
抗器43を通じて比較回路26の非反転入力端に
接続される。又例えばプラス12Vの低圧電源端子
44はFET45を通じ、更に抵抗器46を通じ
てコンデンサ47の一端に接続され、コンデンサ
47の他端は接地される。この抵抗器43、コン
デンサ47の接続点55は比較回路26の非反転
入力端に接続される。その接続点55にFET4
5のゲートが接続されている。比較回路26の出
力側はトランジスタ48のベースに接続され、ト
ランジスタ48のコレクタは抵抗器49を通じて
トランジスタ33のベースに接続される。高圧電
源端子31はダイオード51、抵抗器52を通じ
てトランジスタ33のベースに接続される。更に
トランジスタ33のベースは抵抗器53を通じて
接地されている。
第1図のセレクタ13で選択された第3図Aに
示す周期T0の周期パルスはパルス発生回路24
において第3図Bに示すように周期パルスの立上
りと一致し、これよりパルス幅が広い一定幅1で
送信パルスと同一周期のパルスが出力される。積
分制御回路25においてFET45を通じて一定
電流でコンデンサ47に対する充電が行なわれて
おり、この第3図Bに示したパルスが端子38よ
りトランジスタ39に与えられると、そのパルス
の幅の間トランジスタ39が導通してコンデンサ
47の電荷を一定量放電する。その放電が終ると
FET45を通じてコンデンサ47に対する充電
が定電流で行なわれ、従つて比較回路26の非反
転入力端の電圧は第3図Cに示すようにパルス幅
T1の間電圧が下り、その後一定速度の充電で
徐々に高くなつていく。
示す周期T0の周期パルスはパルス発生回路24
において第3図Bに示すように周期パルスの立上
りと一致し、これよりパルス幅が広い一定幅1で
送信パルスと同一周期のパルスが出力される。積
分制御回路25においてFET45を通じて一定
電流でコンデンサ47に対する充電が行なわれて
おり、この第3図Bに示したパルスが端子38よ
りトランジスタ39に与えられると、そのパルス
の幅の間トランジスタ39が導通してコンデンサ
47の電荷を一定量放電する。その放電が終ると
FET45を通じてコンデンサ47に対する充電
が定電流で行なわれ、従つて比較回路26の非反
転入力端の電圧は第3図Cに示すようにパルス幅
T1の間電圧が下り、その後一定速度の充電で
徐々に高くなつていく。
一方送信パルスによつて送信高圧用コンデンサ
35の電荷を放電して第3図Dに示すようにパル
スが送波され、送信高圧用コンデンサ35の電圧
は第3図Eに示すように放電により下り、比較回
路26の反転入力端の電圧が低下して非反転入力
端の電圧が高くなり、比較回路26の出力は第3
図Fに示すように高レベルとなり、従つてトラン
ジスタ48がONとなつてトランジスタ33のベ
ース電位が低下し、トランジスタ33がONとな
つて送信高圧用コンデンサ35に対し一定電流で
充電が行なわれる。この充電により第3図Eに示
すように送信高圧用コンデンサ35の電圧が徐々
に上昇する。このコンデンサ35の電圧の上昇に
よつて、その電圧を分圧した電圧が比較回路26
の非反転入力端の電圧より高くなると比較回路2
6の出力は第3図Fに示すように低レベルに反転
する。従つてトランジスタ48がOFFとなり、
従つてトランジスタ33はOFFとなるかごくわ
ずかな電流が流れるのみとなり、送信高圧用コン
デンサ35の電圧は一定電圧V1に保持される。
35の電荷を放電して第3図Dに示すようにパル
スが送波され、送信高圧用コンデンサ35の電圧
は第3図Eに示すように放電により下り、比較回
路26の反転入力端の電圧が低下して非反転入力
端の電圧が高くなり、比較回路26の出力は第3
図Fに示すように高レベルとなり、従つてトラン
ジスタ48がONとなつてトランジスタ33のベ
ース電位が低下し、トランジスタ33がONとな
つて送信高圧用コンデンサ35に対し一定電流で
充電が行なわれる。この充電により第3図Eに示
すように送信高圧用コンデンサ35の電圧が徐々
に上昇する。このコンデンサ35の電圧の上昇に
よつて、その電圧を分圧した電圧が比較回路26
の非反転入力端の電圧より高くなると比較回路2
6の出力は第3図Fに示すように低レベルに反転
する。従つてトランジスタ48がOFFとなり、
従つてトランジスタ33はOFFとなるかごくわ
ずかな電流が流れるのみとなり、送信高圧用コン
デンサ35の電圧は一定電圧V1に保持される。
このように動作するため、送信周期T0が短く
なるとトランジスタ39がONとなる周期が短く
なり、従つてコンデンサ47の一定量の放電が速
くなり、このコンデンサ47の充電電圧が高くな
る速度が低下し、コンデンサ47の平均電圧は送
信周期T0が短いほど低い電圧となる。従つて送
信高圧用コンデンサ35の電圧が低い状態で比較
回路26の出力が低レベルとなり、パルス送波
後、早い時期にトランジスタ48がOFFとなつ
て送信高圧用コンデンサ35に対する充電が停止
又は抑圧される期間が長くもなり、つまり送信高
圧用コンデンサ35に対する充電期間が短くな
り、このコンデンサ35の電圧は低い状態に抑え
られる。このため送信パルスの幅をそれ程狭くし
なくても送信パワーは小さいものとなる。
なるとトランジスタ39がONとなる周期が短く
なり、従つてコンデンサ47の一定量の放電が速
くなり、このコンデンサ47の充電電圧が高くな
る速度が低下し、コンデンサ47の平均電圧は送
信周期T0が短いほど低い電圧となる。従つて送
信高圧用コンデンサ35の電圧が低い状態で比較
回路26の出力が低レベルとなり、パルス送波
後、早い時期にトランジスタ48がOFFとなつ
て送信高圧用コンデンサ35に対する充電が停止
又は抑圧される期間が長くもなり、つまり送信高
圧用コンデンサ35に対する充電期間が短くな
り、このコンデンサ35の電圧は低い状態に抑え
られる。このため送信パルスの幅をそれ程狭くし
なくても送信パワーは小さいものとなる。
一方送信周期T0が長い場合は送信高圧用コン
デンサ35に対する充電が十分行なわれ、従つて
送信パワーが大きくなる。この場合送信パワーが
大きくとも、その繰り返し周期T0が長いため送
信電源回路や送信トランジスタの負担はそれ程大
きくならない。送信周期T0が短くなれば短くな
つただけで送信パワーが小さくなり、しかもパル
ス幅を所定値以上とすることができ、電源回路の
負担がなく送信回路に対する負担も少ない。
デンサ35に対する充電が十分行なわれ、従つて
送信パワーが大きくなる。この場合送信パワーが
大きくとも、その繰り返し周期T0が長いため送
信電源回路や送信トランジスタの負担はそれ程大
きくならない。送信周期T0が短くなれば短くな
つただけで送信パワーが小さくなり、しかもパル
ス幅を所定値以上とすることができ、電源回路の
負担がなく送信回路に対する負担も少ない。
なおツエナダイオード42はコンデンサ48の
電圧が所定値以下に低下するのを防ぐものであ
る。周期対応電圧発生手段としては第4図に示す
ようにレンジ設定器14からの設定レンジで
ROM61を読み出し、そのROM61の読み出
し出力をDA変換器62でアナログ信号に変換さ
れてそのアナログ信号が比較回路26に供給され
るようにしてもよい。この考案は超音波探知装置
のみならずレーダーなどにも適用することができ
る。
電圧が所定値以下に低下するのを防ぐものであ
る。周期対応電圧発生手段としては第4図に示す
ようにレンジ設定器14からの設定レンジで
ROM61を読み出し、そのROM61の読み出
し出力をDA変換器62でアナログ信号に変換さ
れてそのアナログ信号が比較回路26に供給され
るようにしてもよい。この考案は超音波探知装置
のみならずレーダーなどにも適用することができ
る。
「考案の効果」
以上述べたようにこの考案による波動探知装置
によればその送信波動パルス幅を所定値よりも小
さくすることなく、その送信電力を送信周期が短
くなるほど小さくすることができ、従つて平均送
信パワーを下げることができ電源回路の負担が少
なく又送信回路の負担も小さくすることができ、
短い探知距離に対して速く情報を得るようにする
ことが可能である。
によればその送信波動パルス幅を所定値よりも小
さくすることなく、その送信電力を送信周期が短
くなるほど小さくすることができ、従つて平均送
信パワーを下げることができ電源回路の負担が少
なく又送信回路の負担も小さくすることができ、
短い探知距離に対して速く情報を得るようにする
ことが可能である。
第1図はこの考案を超音波探知装置に適用した
例を示すブロツク図、第2図はその要部の具体例
を示す接続図、第3図はその動作の説明に供する
ためのタイムチヤート、第4図は周期対応電圧発
生手段の他の例を示すブロツク図である。
例を示すブロツク図、第2図はその要部の具体例
を示す接続図、第3図はその動作の説明に供する
ためのタイムチヤート、第4図は周期対応電圧発
生手段の他の例を示すブロツク図である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 繰り返し波動パルスを送波し、その反射波を
受波して探知信号を得、上記波動パルスの送波
周期を変更することができ、かつ送信高圧用コ
ンデンサに充電回路を通じて充電し、波動パル
スの送波ごとに、その送信高圧用コンデンサの
充電電荷を放電させて波動パルスを送波し、上
記波動パルスの送波周期が短かい程、上記波動
パルスの振幅を小さくするようにされた波動探
知装置において、 上記波動パルスの送波周期が短いほど低い電
圧を発生する周期対応電圧発生手段と、 その周期対応電圧発生手段の発生電圧と上記
送信高圧用コンデンサの電圧とを比較する比較
回路と、 上記送信高圧用コンデンサの電圧の方が高く
なると上記比較回路の出力により上記送信高圧
用コンデンサに充電する電流の供給を停止し、
又は充電電流を十分小さな値とする充電抑圧手
段とを具備する波動探知装置。 (2) 上記周期対応電圧発生手段は、上記波動パル
スの送波周期と同一周期の一定幅の定幅パルス
を発生するパルス発生回路と、第2コンデンサ
と、その第2コンデンサを定電流で充電する定
電流回路と、上記第2コンデンサと並列に接続
され、上記定幅パルスでオンとされ、一定量ず
つ上記第2コンデンサの電荷を放電するスイツ
チ素子とからなり、上記第2コンデンサの両端
間の電圧を上記周期対応電圧発生手段の出力電
圧とする実用新案登録請求の範囲第1項記載の
波動探知装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986042585U JPH048387Y2 (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986042585U JPH048387Y2 (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62153583U JPS62153583U (ja) | 1987-09-29 |
| JPH048387Y2 true JPH048387Y2 (ja) | 1992-03-03 |
Family
ID=30858634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986042585U Expired JPH048387Y2 (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH048387Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4955345B2 (ja) * | 2006-08-29 | 2012-06-20 | 古野電気株式会社 | 水中探知装置、および水中探知方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2090484A (en) * | 1980-12-31 | 1982-07-07 | Mars Ltd | Microwave equipment |
| JPS57131085A (en) * | 1981-02-05 | 1982-08-13 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Ultrasonic wave measuring system |
-
1986
- 1986-03-24 JP JP1986042585U patent/JPH048387Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62153583U (ja) | 1987-09-29 |
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