JPH0484408A - 積層形フィルムコンデンサの製造方法 - Google Patents
積層形フィルムコンデンサの製造方法Info
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- JPH0484408A JPH0484408A JP2199438A JP19943890A JPH0484408A JP H0484408 A JPH0484408 A JP H0484408A JP 2199438 A JP2199438 A JP 2199438A JP 19943890 A JP19943890 A JP 19943890A JP H0484408 A JPH0484408 A JP H0484408A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、積層形フィルムコンデンサ（以下、単にコン
デンサと称する）の製造方歩に関する。
デンサと称する）の製造方歩に関する。
従来の技術
従来のコンデンサは第６図〜第８図のように製造されて
いる。
いる。
まず、誘電体フィルム１の片面の一方の縁面にマージン
２を設は残部に蒸着金属電極＋３を設けた金属化フィル
ムを用意し、静電容量が発生するように金属化フィルム
を必要枚数積層し、補強層４を設けたのち、蒸着金属電
極３に接して外部電極を形成するために金属を溶射して
一対の電極５を付与し、第６図に示すような母体コンデ
ンサ素子６を得る。
２を設は残部に蒸着金属電極＋３を設けた金属化フィル
ムを用意し、静電容量が発生するように金属化フィルム
を必要枚数積層し、補強層４を設けたのち、蒸着金属電
極３に接して外部電極を形成するために金属を溶射して
一対の電極５を付与し、第６図に示すような母体コンデ
ンサ素子６を得る。
Ｈ
次にこの母体コンデンサ素子６を単位長さに切断して第
７図に示すように単位コンデンサ素子７を得る。
７図に示すように単位コンデンサ素子７を得る。
第７図に示す単位コンデンサ素子７を一般的に積層形フ
ィルムコンデンサと称する。近年、このコンデンサはそ
の高い生産性、積層構造による特性上の優位性、従来の
巻回形に比較し小型化の可能性があるなどの観点から注
目されておシ、その生産量は年々増加している。
ィルムコンデンサと称する。近年、このコンデンサはそ
の高い生産性、積層構造による特性上の優位性、従来の
巻回形に比較し小型化の可能性があるなどの観点から注
目されておシ、その生産量は年々増加している。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、このコンデンサは、第７図にも示される
ように構造上、切断面８を必ず有する。
ように構造上、切断面８を必ず有する。
そしてこの切断面８の表面には、必ず蒸着金属電極３の
破片９が点在する。第６図に示されるよう乙 な母体コンデンサ紫外鋸刃で切断して得られた単位コン
デンサ素子７の断面（第７図中のＡ−Ａ’線に沿った断
面）の概略図を第８図に示す。同図に示すように、切断
面８に蒸着金属電極３の破片９が点在するためこの部分
で電流のリークが発生シテコンデンサ素子の絶縁抵抗が
低下したシ、極端な場合は短絡状態になる。特に中高電
圧領域でこのコンデンサを使用する場合、蒸着金属電極
３の破片９を通して切断面８で沿面放電が起こシ、コン
デンサ自体に必要な電圧が印加出来なかったり、コンデ
ンサの特性を失なうこととなる。
破片９が点在する。第６図に示されるよう乙 な母体コンデンサ紫外鋸刃で切断して得られた単位コン
デンサ素子７の断面（第７図中のＡ−Ａ’線に沿った断
面）の概略図を第８図に示す。同図に示すように、切断
面８に蒸着金属電極３の破片９が点在するためこの部分
で電流のリークが発生シテコンデンサ素子の絶縁抵抗が
低下したシ、極端な場合は短絡状態になる。特に中高電
圧領域でこのコンデンサを使用する場合、蒸着金属電極
３の破片９を通して切断面８で沿面放電が起こシ、コン
デンサ自体に必要な電圧が印加出来なかったり、コンデ
ンサの特性を失なうこととなる。
そこで、この切断面上の蒸着金属電極の破片９を少なく
したシ、また取シ除く方法として、切断方法の検討や切
断条件の最適化などをはじめ、化学的、物理的方法によ
る蒸着金属電極の除去が検討されているが、切断面に悪
影響を与えずに簡便に、しかも完全に蒸着金属電極の破
片を除去することは極めて困難であった。
したシ、また取シ除く方法として、切断方法の検討や切
断条件の最適化などをはじめ、化学的、物理的方法によ
る蒸着金属電極の除去が検討されているが、切断面に悪
影響を与えずに簡便に、しかも完全に蒸着金属電極の破
片を除去することは極めて困難であった。
この中で化学的エツチング方法は、その簡便さから種々
検討されているが未だ完成されていない。
検討されているが未だ完成されていない。
その大きな理由は、切断面を一般的な無機系の化学エツ
チング液に浸漬した時、切断面上の蒸着金７２ｉ吏 属電極の磐片を溶解したあと新たな金属塩を発生したシ
、化学的エツチング後においてもその化学エツチング液
が残留液としてその切断面付近に残ることによる。すな
わち、化学的エツチング後の切断面近傍に存在する金属
塩と、残留液による絶縁抵抗の低下からまぬがれること
が出来ない。この現象は、化学的エツチング後に充分な
水洗をしても絶縁抵抗値で１０７〜１０８０以上を得る
ことは困難で、例えば、金属化フィルムの蒸着金属電極
としてアルミニウムを用い、化学エツチング液として塩
酸や硫酸または水酸化ナトリウムなどを用いた場合、絶
縁抵抗値で１０６Ω以上を得ることは非常に難しかった
。コンデンサは少なくとも絶縁抵抗値で１０９Ω以上を
得ることが必要不可欠であり、これらの課題を解決しな
ければ、実用に供し得えない−コンデンサとなってしま
う。
チング液に浸漬した時、切断面上の蒸着金７２ｉ吏 属電極の磐片を溶解したあと新たな金属塩を発生したシ
、化学的エツチング後においてもその化学エツチング液
が残留液としてその切断面付近に残ることによる。すな
わち、化学的エツチング後の切断面近傍に存在する金属
塩と、残留液による絶縁抵抗の低下からまぬがれること
が出来ない。この現象は、化学的エツチング後に充分な
水洗をしても絶縁抵抗値で１０７〜１０８０以上を得る
ことは困難で、例えば、金属化フィルムの蒸着金属電極
としてアルミニウムを用い、化学エツチング液として塩
酸や硫酸または水酸化ナトリウムなどを用いた場合、絶
縁抵抗値で１０６Ω以上を得ることは非常に難しかった
。コンデンサは少なくとも絶縁抵抗値で１０９Ω以上を
得ることが必要不可欠であり、これらの課題を解決しな
ければ、実用に供し得えない−コンデンサとなってしま
う。
本発明はこのような従来の課題を解決するもので、蒸着
金属電極の破片を完全に除去できるコンデンサの製造方
法の提供を目的とする。
金属電極の破片を完全に除去できるコンデンサの製造方
法の提供を目的とする。
課題を解決するだめの手段
上記の目的を達成するために本発明の積層形フィルムコ
ンデンサの製造方法は、切断面をカルボン酸、エーテル
、アルコール、水を含む有機系化学エツチング液で処理
を行い、切断面の蒸着金属電極の破片を除去する。
ンデンサの製造方法は、切断面をカルボン酸、エーテル
、アルコール、水を含む有機系化学エツチング液で処理
を行い、切断面の蒸着金属電極の破片を除去する。
作 用
本発明は上記した構成により、コンデンサの切断面に悪
影響を与えることなく、蒸着金属電極が除去出来、エツ
チング液も残留しない。
影響を与えることなく、蒸着金属電極が除去出来、エツ
チング液も残留しない。
実施例
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１
第１図は本発明のコンデンサの製造方法の工程図である
。
。
同図において、まず、誘電体フィルムとして、２．７μ
ｍのポリエチレンテレフタレート（以下ＰＥＴと略す）
フィルムを用い、そのＰＥＴフィルムの両面に蒸着金属
電極として３００人のアルミニウムを設けた金属化フィ
ルムを積層し、蒸着金属電極に接して一対の電極を付与
して母体コンデンサ素子を製造した。次にこの母体コン
デンサ素子を鋸刃によシ単位長に切断して単位コンデン
サ素子を製造した。
ｍのポリエチレンテレフタレート（以下ＰＥＴと略す）
フィルムを用い、そのＰＥＴフィルムの両面に蒸着金属
電極として３００人のアルミニウムを設けた金属化フィ
ルムを積層し、蒸着金属電極に接して一対の電極を付与
して母体コンデンサ素子を製造した。次にこの母体コン
デンサ素子を鋸刃によシ単位長に切断して単位コンデン
サ素子を製造した。
以上の工程は従来例と同じである。
次にエツチング液として、下記の表に示す組成例の水溶
液Ｘを用いて切断面の蒸着金属電極を除去してコンデン
サを製造した。
液Ｘを用いて切断面の蒸着金属電極を除去してコンデン
サを製造した。
表
比較例Ａとして実施例１の工程において鋸刃による切断
後に化学的エツチング工程をせずに製造したコンデンサ
を用意した。
後に化学的エツチング工程をせずに製造したコンデンサ
を用意した。
壕だ比較例Ｂとして実施例１の工程において鋸刃による
切断後に化学エツチング液として０．１規定の塩酸水溶
液を用い、切断面の蒸着金属電極の破片を除去したコン
デンサを用意した。
切断後に化学エツチング液として０．１規定の塩酸水溶
液を用い、切断面の蒸着金属電極の破片を除去したコン
デンサを用意した。
第２図に実施例１．比較例Ａと比較例Ｂのコンデンサの
絶縁抵抗の初期分布図を示す。実施例１のコンデンサは
高絶縁抵抗でしかも絶縁抵抗の分布幅が狭い。一方比較
例Ａのコンデンサは実施例１にくらべて絶縁抵抗の分布
幅が広くなり、一部のコンデンサは短絡状態であった。
絶縁抵抗の初期分布図を示す。実施例１のコンデンサは
高絶縁抵抗でしかも絶縁抵抗の分布幅が狭い。一方比較
例Ａのコンデンサは実施例１にくらべて絶縁抵抗の分布
幅が広くなり、一部のコンデンサは短絡状態であった。
また比較例Ｂのコンデンサは、絶縁抵抗がほとんど１０
０以下でコンデンサとして短絡状態となっていた。
０以下でコンデンサとして短絡状態となっていた。
第３図に実施例１．比較例Ａと比較例Ｂのコンデンサの
直流昇圧破壊電圧試験の結果を示す。実施例１のコンデ
ンサは比較例Ａ、比較例Ｂにくらべて良好な直流昇圧破
壊電圧を有している。
直流昇圧破壊電圧試験の結果を示す。実施例１のコンデ
ンサは比較例Ａ、比較例Ｂにくらべて良好な直流昇圧破
壊電圧を有している。
実施例２
まず、誘電体フィルムとして２．７μｍのポリエチレン
ナフタレート（以下ＰＥＮとＭｆ）フィルム、蒸着金属
電極として３００へのアルミニウムで構成される一積層
形母体コンデンサ素子を製造した。次に第１図の工程図
に従って加工する。但し本実施例では耐熱性向上と誘電
体と蒸着金属電極間の接着力向上の目的で母体コンデン
サ素子に２ｏｏ℃以上の熱エージング工程を施した後、
鋸刃により単位長さに切断して第７図に示すような単位
コンデンサ素子１２を得たのち、エツチング液として、
前述の表に示す組成例の水溶液Ｙを用いて切断面の蒸着
金属電極を除去しコンデンサを製造した。
ナフタレート（以下ＰＥＮとＭｆ）フィルム、蒸着金属
電極として３００へのアルミニウムで構成される一積層
形母体コンデンサ素子を製造した。次に第１図の工程図
に従って加工する。但し本実施例では耐熱性向上と誘電
体と蒸着金属電極間の接着力向上の目的で母体コンデン
サ素子に２ｏｏ℃以上の熱エージング工程を施した後、
鋸刃により単位長さに切断して第７図に示すような単位
コンデンサ素子１２を得たのち、エツチング液として、
前述の表に示す組成例の水溶液Ｙを用いて切断面の蒸着
金属電極を除去しコンデンサを製造した。
比較例Ｃとして実施例２の工程において鋸刃による切断
後に化学的エツチング工程をせずに形成したコンデンサ
を用意した。
後に化学的エツチング工程をせずに形成したコンデンサ
を用意した。
また比較例りとして実施例２の工程において鋸刃による
切断後に化学エツチング液として０．１規定の水酸化ナ
トリウム水溶液を用いて切断面の蒸着金属の破片を除去
したコンデンサを用意した。
切断後に化学エツチング液として０．１規定の水酸化ナ
トリウム水溶液を用いて切断面の蒸着金属の破片を除去
したコンデンサを用意した。
第４図に実施例２．比較例Ｃと比較例りのコンデンサの
絶縁抵抗の初期分布図を示す。実施例２のコンデンサは
、高絶縁抵抗で、しかも絶縁抵抗の分布が狭い。一方、
比較例Ｃのコンデンサは実施例２にくらべて絶縁抵抗の
分布が広くなるとともに一部のコンデンサは短絡状態の
ものもある。
絶縁抵抗の初期分布図を示す。実施例２のコンデンサは
、高絶縁抵抗で、しかも絶縁抵抗の分布が狭い。一方、
比較例Ｃのコンデンサは実施例２にくらべて絶縁抵抗の
分布が広くなるとともに一部のコンデンサは短絡状態の
ものもある。
また比較例りのコンデンサは絶縁抵抗がほとんど１ｏ６
Ｑ以下でコンデンサとして短絡状態となっている。
Ｑ以下でコンデンサとして短絡状態となっている。
第５図に実施例２、比較例Ｃと比較例りのコンデンサの
直流昇圧破壊電圧試験の結果を示す。実施例２のコンデ
ンサは、比較例Ｃ９比較例りにくらべ、良好な直流昇圧
破壊電圧を有している。
直流昇圧破壊電圧試験の結果を示す。実施例２のコンデ
ンサは、比較例Ｃ９比較例りにくらべ、良好な直流昇圧
破壊電圧を有している。
なお、実施例１．実施例２では、有機系カルボン酸類と
してＣＨ２（○Ｈ）ＣＯＯＨを選択したが、その他の有
機系カルボン酸類であっても同様の効果が得られる。
してＣＨ２（○Ｈ）ＣＯＯＨを選択したが、その他の有
機系カルボン酸類であっても同様の効果が得られる。
また、実施例２において母体コンデンサに熱エージング
処理工程を施しているが、これは主にチップ型積層コン
デンサを作成する時に必要な熱処理工程であシ、第１図
の工程に従ってなされたが、この順序にとられれる必要
はなく、例えば、母体コンデンサを単位コンデンサに切
断後に熱処理工程を行ってもよい。また、本発明の実施
例においてはｉｔ体としてＰＥＴフィルム、ＰＥＮフィ
ルムを用い、蒸Ｍ金属電極としてアルミニウムを用いだ
がその他の材料でも同様の効果を得ることが圧来る。
処理工程を施しているが、これは主にチップ型積層コン
デンサを作成する時に必要な熱処理工程であシ、第１図
の工程に従ってなされたが、この順序にとられれる必要
はなく、例えば、母体コンデンサを単位コンデンサに切
断後に熱処理工程を行ってもよい。また、本発明の実施
例においてはｉｔ体としてＰＥＴフィルム、ＰＥＮフィ
ルムを用い、蒸Ｍ金属電極としてアルミニウムを用いだ
がその他の材料でも同様の効果を得ることが圧来る。
発明の効果
以上の結果から明らかなように本発明によれば、絶縁抵
抗が良好で直流昇圧破壊電圧の良好な積層形フィルムコ
ンデンサを歩留シよく製造できる方法を提供することが
畠来る。
抗が良好で直流昇圧破壊電圧の良好な積層形フィルムコ
ンデンサを歩留シよく製造できる方法を提供することが
畠来る。
第１図は本発明の積層形フィルムコンデンサの製造方法
を説明するだめの工程図、第２図は実施例１．比較例Ａ
および比較例Ｂの初期絶縁抵抗分布の比較図、第３図は
実施例１．比較例Ａ＞よび比較例Ｂの直流昇圧破壊電圧
試験結果の比較図、第４図は実施例２．比較例Ｃおよび
比較例りの初期絶縁抵抗分布の比較図、第６図は実施例
２．比較例Ｃおよび比較例りの直流外圧破壊電圧試験結
果の比較図、第６図は母体コンデンサ素子の斜視図、第
７図は単位コンデンサ素子の斜視図、第８図は単位コン
デンサ素子の断面図である。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 は７Ｊ）１名
ＩＩＩ図 第２図 第３ｙＪ 第 図 第 図 Ａ′ 第 図 ゲ
を説明するだめの工程図、第２図は実施例１．比較例Ａ
および比較例Ｂの初期絶縁抵抗分布の比較図、第３図は
実施例１．比較例Ａ＞よび比較例Ｂの直流昇圧破壊電圧
試験結果の比較図、第４図は実施例２．比較例Ｃおよび
比較例りの初期絶縁抵抗分布の比較図、第６図は実施例
２．比較例Ｃおよび比較例りの直流外圧破壊電圧試験結
果の比較図、第６図は母体コンデンサ素子の斜視図、第
７図は単位コンデンサ素子の斜視図、第８図は単位コン
デンサ素子の断面図である。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 は７Ｊ）１名
ＩＩＩ図 第２図 第３ｙＪ 第 図 第 図 Ａ′ 第 図 ゲ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 誘電体フィルムの一方の縁面にマージンを設け、残部
に蒸着金属電極を設けた金属化フィルムを積層して積層
体を形成する工程と、上記蒸着金属電極に接して一対の
電極を付与して母体コンデンサを得る工程と、 母体コンデンサを個別のコンデンサ素子に切断する工程
と、 下記Ａ群中の I ，IIのうちの少なくとも１種以上の物
質と下記Ｂ群中のIII〜VIのうちの少なくとも１種以上
の物質を含む有機系エッチング液で切断によって生じた
コンデンサ素子の両切断面上に散在する蒸着金属片を除
去する工程とからなる積層形フィルムコンデンサの製造
方法。 Ａ群 I ：ＣＨ＿２（ＯＨ）ＣＯＯＨ II：ＨＯＯＣＣＨ＿２ＣＨＣＯＯＨ ＯＨ III：アルキルフェニルポリオキシエーテル IV：（ＣＨ＿３）＿２ＣＨＯＨ Ｖ：ｎ−Ｃ＿４Ｈ＿９ＯＣ＿２Ｈ＿４ＯＨ VI：Ｈ＿２Ｏ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2199438A JPH0654747B2 (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 積層形フィルムコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2199438A JPH0654747B2 (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 積層形フィルムコンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0484408A true JPH0484408A (ja) | 1992-03-17 |
| JPH0654747B2 JPH0654747B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=16407821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2199438A Expired - Fee Related JPH0654747B2 (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 積層形フィルムコンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0654747B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106920693A (zh) * | 2015-12-25 | 2017-07-04 | 太阳诱电株式会社 | 层叠陶瓷电子器件及其制造方法 |
| KR20180065908A (ko) * | 2016-12-08 | 2018-06-18 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층 세라믹 전자 부품의 제조 방법 |
| CN108183026A (zh) * | 2016-12-08 | 2018-06-19 | 株式会社村田制作所 | 层叠陶瓷电子部件的制造方法 |
| CN108183024A (zh) * | 2016-12-08 | 2018-06-19 | 株式会社村田制作所 | 层叠陶瓷电子部件的制造方法 |
| CN108470621A (zh) * | 2017-02-23 | 2018-08-31 | 株式会社村田制作所 | 层叠陶瓷电子部件的制造方法 |
-
1990
- 1990-07-27 JP JP2199438A patent/JPH0654747B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106920693A (zh) * | 2015-12-25 | 2017-07-04 | 太阳诱电株式会社 | 层叠陶瓷电子器件及其制造方法 |
| CN106920693B (zh) * | 2015-12-25 | 2020-09-15 | 太阳诱电株式会社 | 层叠陶瓷电子器件及其制造方法 |
| KR20180065908A (ko) * | 2016-12-08 | 2018-06-18 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층 세라믹 전자 부품의 제조 방법 |
| CN108183025A (zh) * | 2016-12-08 | 2018-06-19 | 株式会社村田制作所 | 层叠陶瓷电子部件的制造方法 |
| CN108183026A (zh) * | 2016-12-08 | 2018-06-19 | 株式会社村田制作所 | 层叠陶瓷电子部件的制造方法 |
| CN108183024A (zh) * | 2016-12-08 | 2018-06-19 | 株式会社村田制作所 | 层叠陶瓷电子部件的制造方法 |
| CN108470621A (zh) * | 2017-02-23 | 2018-08-31 | 株式会社村田制作所 | 层叠陶瓷电子部件的制造方法 |
| US10861647B2 (en) | 2017-02-23 | 2020-12-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing monolithic ceramic electronic component |
| CN112652486A (zh) * | 2017-02-23 | 2021-04-13 | 株式会社村田制作所 | 层叠陶瓷电子部件的制造方法 |
| CN112652486B (zh) * | 2017-02-23 | 2022-08-12 | 株式会社村田制作所 | 层叠陶瓷电子部件的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0654747B2 (ja) | 1994-07-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |