JPH0486891A - Ｅｌ発光装置 - Google Patents
Ｅｌ発光装置Info
- Publication number
- JPH0486891A JPH0486891A JP20371590A JP20371590A JPH0486891A JP H0486891 A JPH0486891 A JP H0486891A JP 20371590 A JP20371590 A JP 20371590A JP 20371590 A JP20371590 A JP 20371590A JP H0486891 A JPH0486891 A JP H0486891A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- switching element
- insulating film
- light emitting
- glass substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、アクティブマトリックス駆動方式のＥＬＬ示
装置に用いられるＥＬ発光装置に関し、特に、遮光性絶
縁膜を設けることにより高い信頼性を有したＥＬ発光装
置に関するものである。
装置に用いられるＥＬ発光装置に関し、特に、遮光性絶
縁膜を設けることにより高い信頼性を有したＥＬ発光装
置に関するものである。
（従来の技術）
近年、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）発光素子を用
いたＥＬＬ示装置の研究開発が盛んになってきている。
いたＥＬＬ示装置の研究開発が盛んになってきている。
上記ＥＬＬ示装置には、１画素がＥＬ発光素子とこれを
駆動する薄膜トランジスタ（Ｔ Ｐ Ｔ）やコンデンサ
等から構成されるアクティブマトリックス駆動方式のも
のが存在する。アクティブマトリックス駆動方式のＥＬ
Ｌ示装置の一例について、その１ビット分のＥＬ発光装
置の等価回路を第３図に示す。
駆動する薄膜トランジスタ（Ｔ Ｐ Ｔ）やコンデンサ
等から構成されるアクティブマトリックス駆動方式のも
のが存在する。アクティブマトリックス駆動方式のＥＬ
Ｌ示装置の一例について、その１ビット分のＥＬ発光装
置の等価回路を第３図に示す。
このＥＬ発光装置は、第１のスイッチング素子Ｑ、と、
該スイッチング素子Ｑ、のソース端子側に一方の端子を
接続する蓄積用コンデンサＣｓと、ゲート端子が前記第
１のスイッチング素子Ｑ１のソース端子に接続され、且
つソース端子が前記蓄積用コンデンサＣｓの他方の端子
に接続されている第２のスイッチング素子Ｑ２ と、一
方の端子が第２のスイッチング素子Ｑ、のドレイン端子
に接続され、且つ他方の端子がＥＬ駆動電源Ｖａに接続
されているＥＬ発発光素子Ｃ上とから構成されている。
該スイッチング素子Ｑ、のソース端子側に一方の端子を
接続する蓄積用コンデンサＣｓと、ゲート端子が前記第
１のスイッチング素子Ｑ１のソース端子に接続され、且
つソース端子が前記蓄積用コンデンサＣｓの他方の端子
に接続されている第２のスイッチング素子Ｑ２ と、一
方の端子が第２のスイッチング素子Ｑ、のドレイン端子
に接続され、且つ他方の端子がＥＬ駆動電源Ｖａに接続
されているＥＬ発発光素子Ｃ上とから構成されている。
前記第１のスイッチング素子Ｑ、はゲート端子に印加さ
れるスイッチング信号５ＣＡＮに応じてオ、ンし、この
第１のスイッチング素子Ｑ、のオン・オフにより発光信
号ＤＡＴＡに応じて蓄積用コンデンサＣｓにデータを書
き込むようになつている。すなわち、第２のスイッチン
グ素子Ｑ２は、前記蓄積用コンデンサＣｓに発光信号Ｄ
ＡＴＡ （Ｈ）が書き込まれたとき、該電圧がゲート端
子に印加されることによりオンし、ＥＬ駆動電源Ｖａに
よりＥＬ発光素子ＣＥＬを発光させるようになっている
。また、発光信号ＤＡＴＡが（Ｌ）のとき、蓄積用コン
デンサＣｓに蓄積された電荷が放電される。
れるスイッチング信号５ＣＡＮに応じてオ、ンし、この
第１のスイッチング素子Ｑ、のオン・オフにより発光信
号ＤＡＴＡに応じて蓄積用コンデンサＣｓにデータを書
き込むようになつている。すなわち、第２のスイッチン
グ素子Ｑ２は、前記蓄積用コンデンサＣｓに発光信号Ｄ
ＡＴＡ （Ｈ）が書き込まれたとき、該電圧がゲート端
子に印加されることによりオンし、ＥＬ駆動電源Ｖａに
よりＥＬ発光素子ＣＥＬを発光させるようになっている
。また、発光信号ＤＡＴＡが（Ｌ）のとき、蓄積用コン
デンサＣｓに蓄積された電荷が放電される。
（発明が解決しようとする課題）
以上のようなＥＬ発光装置によると、第２のスイッチン
グ素子Ｑ２かオフのときには、第２のスイッチング素子
Ｑ２ のドレイン、ソース間にＥＬ駆動電源Ｖａが印加
されるので、ＥＬ駆動電源Ｖａの約２倍の高耐圧と低電
流特性が要求され、その仕様を満足するスイッチング素
子の半導体層は例えばカドミウムセレン（ＣｄＳｅ）や
ポリシリコン（ｐｏｌｙｓ ｉ ）等の限られた材料が
使用されていた。
グ素子Ｑ２かオフのときには、第２のスイッチング素子
Ｑ２ のドレイン、ソース間にＥＬ駆動電源Ｖａが印加
されるので、ＥＬ駆動電源Ｖａの約２倍の高耐圧と低電
流特性が要求され、その仕様を満足するスイッチング素
子の半導体層は例えばカドミウムセレン（ＣｄＳｅ）や
ポリシリコン（ｐｏｌｙｓ ｉ ）等の限られた材料が
使用されていた。
しかしながら、カドミウムセレン（ＣｄＳｅ）は経年変
化に対してドレイン電圧−ドレイン電流特性が不安定で
あり、ＥＬ発光素子ＣＥＬの輝度を一定に保つことか困
難であるという問題点があった。また、ポリシリコン（
ｐｏｌｙｓ ｉ ）を着膜する場合、プロセス温度を高
く設定する必要があるのて、ＥＬ発光素子ＣＥＬとスイ
ッチング素子Ｑ、とを同一基板上に一体化して大面積デ
ノ（イスとして形成するのに適さないという問題点かあ
った。
化に対してドレイン電圧−ドレイン電流特性が不安定で
あり、ＥＬ発光素子ＣＥＬの輝度を一定に保つことか困
難であるという問題点があった。また、ポリシリコン（
ｐｏｌｙｓ ｉ ）を着膜する場合、プロセス温度を高
く設定する必要があるのて、ＥＬ発光素子ＣＥＬとスイ
ッチング素子Ｑ、とを同一基板上に一体化して大面積デ
ノ（イスとして形成するのに適さないという問題点かあ
った。
そこで、上記のようなカドミウムセレン（ＣｄＳｅ）や
ポリシリコン（ｐｏｌｙｓ ｉ ）の欠点を解消するた
め、半導体層にアモルファスシリコン（ａＳｉ）を使用
するスイッチング素子が提案されている。
ポリシリコン（ｐｏｌｙｓ ｉ ）の欠点を解消するた
め、半導体層にアモルファスシリコン（ａＳｉ）を使用
するスイッチング素子が提案されている。
このスイッチング素子Ｑ２は、第４図に示すように、ガ
ラス基板１上にゲート電極２．ゲート絶縁膜３．アモル
ファスシリコン（ａ−３ｉ）から成る半導体層４．チャ
ネル保護層５．ソース電極６及びドレイン電極７を順次
形成するとともに、高耐圧化を図るため、ゲート電極２
をソース電極６側にオフセットする構造としている。
ラス基板１上にゲート電極２．ゲート絶縁膜３．アモル
ファスシリコン（ａ−３ｉ）から成る半導体層４．チャ
ネル保護層５．ソース電極６及びドレイン電極７を順次
形成するとともに、高耐圧化を図るため、ゲート電極２
をソース電極６側にオフセットする構造としている。
しかしながら上記構造によると、半導体層４のチャネル
部分にオフセット領域Ａが生じてしまう。
部分にオフセット領域Ａが生じてしまう。
ガラス基板１側はデイスプレィ表示側となっており、ゲ
ート絶縁膜３はＳｉＮｘ等の透明部材で形成されている
ので、前記オフセット領域Ａから半導体層４のチャネル
部分に光が入射してしまう。
ート絶縁膜３はＳｉＮｘ等の透明部材で形成されている
ので、前記オフセット領域Ａから半導体層４のチャネル
部分に光が入射してしまう。
その結果、半導体層４中の準位密度が増えてトラッピン
グの確率が大きくなり、オン電流が減少するなどの経年
変化が生じてスイッチング素子Ｑ。
グの確率が大きくなり、オン電流が減少するなどの経年
変化が生じてスイッチング素子Ｑ。
の特性を劣化させるという問題点があった。
また、常時オフセット領域Ａ部分に光が照射していると
、この部分がオン状態と類似の状態となり高耐圧化を阻
害するという問題点があった。
、この部分がオン状態と類似の状態となり高耐圧化を阻
害するという問題点があった。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、アクティブ
マトリックス駆動方式のＥＬ表示装置に用いられ、高い
信頼性を有するＥＬ発光装置の構造を提供することを目
的とする。
マトリックス駆動方式のＥＬ表示装置に用いられ、高い
信頼性を有するＥＬ発光装置の構造を提供することを目
的とする。
（課題を解決するための手段）
上記従来例の問題点を解消するため本発明のＥＬ発光装
置は、ガラス基板上にＥＬ発光素子と該ＥＬ発光素子に
接続されたスイッチング素子とを形成し、該スイッチン
グ素子はオフセット部を有するとともに、スイッチング
素子のガラス基板側に遮光性絶縁膜を設けたことを特徴
としている。
置は、ガラス基板上にＥＬ発光素子と該ＥＬ発光素子に
接続されたスイッチング素子とを形成し、該スイッチン
グ素子はオフセット部を有するとともに、スイッチング
素子のガラス基板側に遮光性絶縁膜を設けたことを特徴
としている。
（作用）
本発明によれば、スイッチング素子のガラス基板側に遮
光性絶縁膜を設けたので、スイッチング素子のオフセッ
ト部にガラス基板側から光が入射することを防ぎ、スイ
ッチング素子の半導体層の劣化を防止する。
光性絶縁膜を設けたので、スイッチング素子のオフセッ
ト部にガラス基板側から光が入射することを防ぎ、スイ
ッチング素子の半導体層の劣化を防止する。
（実施例）
本発明の一実施例について第１図を参照しながら説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例に係るＥＬ発光装置の断面説
明図である。ＥＬ発光装置は、ガラス基板１上に形成さ
れたＥＬ発光素子ＣＥＬと、同じくガラス基板１上に形
成され、前記ＥＬ発光素子ＣＥＬに駆動電圧を供給する
ためのスイッチとして作動するスイッチング素子Ｑ２と
から構成されている。
明図である。ＥＬ発光装置は、ガラス基板１上に形成さ
れたＥＬ発光素子ＣＥＬと、同じくガラス基板１上に形
成され、前記ＥＬ発光素子ＣＥＬに駆動電圧を供給する
ためのスイッチとして作動するスイッチング素子Ｑ２と
から構成されている。
ＥＬ発光素子ＣＥＬは、透明導電膜（ＩＴＯ）から成る
透明電極２１． Ｓｉ、 Ｎ、から成る第１絶縁層２
２．ＺｎＳ：Ｍｎから成る発光層２３．Ｓｉ、Ｎ、から
生る第２絶縁層２４．アルミニウム（ＡＩ）から成る金
属電極２５を順次積層して構成されている。
透明電極２１． Ｓｉ、 Ｎ、から成る第１絶縁層２
２．ＺｎＳ：Ｍｎから成る発光層２３．Ｓｉ、Ｎ、から
生る第２絶縁層２４．アルミニウム（ＡＩ）から成る金
属電極２５を順次積層して構成されている。
スイッチング素子Ｑ２は、クロム（Ｃｒ）から成るゲー
ト電極２．遮光性ゲート絶縁膜３１．アモルファスシリ
コン（ａ−３ｉ）から成る半導体層４．ＳｉＮｘから成
るチャネル保護層５を順次積層し、前記半導体層４及び
チャネル保護層５の端部を覆うようにｎ”ａ−３ｉから
成るオーミックコンタクト層１１，１２、クロム（Ｃｒ
）から成るバリアメタル層１３．１４、アルミニウムか
ら成るソース電極６及びドレイン電極７を順次形成して
成る薄膜トランジスタ（Ｔ Ｐ Ｔ）から構成される。
ト電極２．遮光性ゲート絶縁膜３１．アモルファスシリ
コン（ａ−３ｉ）から成る半導体層４．ＳｉＮｘから成
るチャネル保護層５を順次積層し、前記半導体層４及び
チャネル保護層５の端部を覆うようにｎ”ａ−３ｉから
成るオーミックコンタクト層１１，１２、クロム（Ｃｒ
）から成るバリアメタル層１３．１４、アルミニウムか
ら成るソース電極６及びドレイン電極７を順次形成して
成る薄膜トランジスタ（Ｔ Ｐ Ｔ）から構成される。
また前記ゲート電極２は、スイッチング素子Ｑ２の高耐
圧化を図るため、ドレイン電極７側にオフセット領域を
設けである。金属電極２５とドレイン電極７とは、アル
ミニウムから成る配線３０で接続されている。
圧化を図るため、ドレイン電極７側にオフセット領域を
設けである。金属電極２５とドレイン電極７とは、アル
ミニウムから成る配線３０で接続されている。
遮光性ゲート絶縁膜３１は、光を遮断し且つ耐熱性を有
する材料、例えばａ−３ｉ ｘｃ＋−ｘ （ｘ≦０．５
）、ｐ ｒＭｎｏ、等の無機膜で形成されている。ま
た、黒色ポリイミド等の質の有機膜で形成してもよい。
する材料、例えばａ−３ｉ ｘｃ＋−ｘ （ｘ≦０．５
）、ｐ ｒＭｎｏ、等の無機膜で形成されている。ま
た、黒色ポリイミド等の質の有機膜で形成してもよい。
遮光性ゲート絶縁膜３１を遮光性部材で形成するのは、
半導体層４にガラス基板１側から光が入射しないように
するためである。また、遮光性ゲート絶縁膜３１を耐熱
性部材で形成するのは、遮光性ゲート絶縁膜３１上に着
膜される６膜の製造プロセス中において、劣化や損傷が
生じるのを防止するためである。
半導体層４にガラス基板１側から光が入射しないように
するためである。また、遮光性ゲート絶縁膜３１を耐熱
性部材で形成するのは、遮光性ゲート絶縁膜３１上に着
膜される６膜の製造プロセス中において、劣化や損傷が
生じるのを防止するためである。
次に上述したＥＬ発光装置の製造プロセスについて説明
する。
する。
ガラス基板１上に透明導電膜（ＩＴＯ）を着膜して透明
電極２１を形成する。
電極２１を形成する。
次いで、Ｓｉ、Ｎ、をスパッタ法で、ＺｎＳ：ＭｎをＥ
Ｂ蒸着法て、Ｓｉ、Ｎ、をスパッタ法でそれぞれ着膜し
て、第１絶縁層２２１発光層２３゜第２絶縁層２４を形
成し、ＥＬ発光素子ＣＥＬを形成する。
Ｂ蒸着法て、Ｓｉ、Ｎ、をスパッタ法でそれぞれ着膜し
て、第１絶縁層２２１発光層２３゜第２絶縁層２４を形
成し、ＥＬ発光素子ＣＥＬを形成する。
次に、前記ＥＬ発光素子ＣＥＬと対応するガラス基板１
上の位置に、クロム（Ｃｒ）を着膜してフォトリソ法に
よるパターニングを行ない、ゲート電極２を形成する。
上の位置に、クロム（Ｃｒ）を着膜してフォトリソ法に
よるパターニングを行ない、ゲート電極２を形成する。
ＰＣＶＤ法によるＣＨ，とＳｉＨ，との混合ガスの分解
により、ａ−５ｉ ｘｃｌ−ｘ （ｘ≦０，５）を着膜
して遮光性ゲート絶縁膜３１を形成し、その後連続的に
ａ−３ｉを着膜して半導体層４を形成し、更にＳｉＮｘ
を着膜及びパターニングしてチャネル保護層５を形成す
る。
により、ａ−５ｉ ｘｃｌ−ｘ （ｘ≦０，５）を着膜
して遮光性ゲート絶縁膜３１を形成し、その後連続的に
ａ−３ｉを着膜して半導体層４を形成し、更にＳｉＮｘ
を着膜及びパターニングしてチャネル保護層５を形成す
る。
次に、ｎ”ａ−３ｉ及びクロム（Ｃｒ）を着膜し、同一
マスクによりバターニングしてオーミックコンタクト層
１１．１２及びバリアメタル層１３．１４を形成する。
マスクによりバターニングしてオーミックコンタクト層
１１．１２及びバリアメタル層１３．１４を形成する。
最後に全面にアルミニウム（ＡＩ）の着膜及びバターニ
ングを行ない、前記ＥＬ発光素子ＣＥＬの第２絶縁層２
４上に金属電極２５、バリアメタル層１３．１４上にソ
ース電極６．ドレイン電極７、金属電極２５とドレイン
電極７とを接続する配線３０を形成する。
ングを行ない、前記ＥＬ発光素子ＣＥＬの第２絶縁層２
４上に金属電極２５、バリアメタル層１３．１４上にソ
ース電極６．ドレイン電極７、金属電極２５とドレイン
電極７とを接続する配線３０を形成する。
第２図はＥＬ発光装置の他の実施例を示す断面説明図で
ある。
ある。
この実施例では、ゲート絶縁膜３をａ−３ｉｘＣ＋−ｘ
から成る遮光性ゲート絶縁膜３１と従来ゲート絶縁膜部
材として用いらる部材である５ｉＮＸから成る透明ゲー
ト絶縁膜３２との２層構造により形成している。他の構
成については第１図と同様なので、同一符号を付して説
明を省略する。
から成る遮光性ゲート絶縁膜３１と従来ゲート絶縁膜部
材として用いらる部材である５ｉＮＸから成る透明ゲー
ト絶縁膜３２との２層構造により形成している。他の構
成については第１図と同様なので、同一符号を付して説
明を省略する。
上記２層構造のゲート絶縁膜３は、ＰＣＶＤ法によるＣ
Ｈ，とＳｉＨ，との混合ガスの分解により、ａ−３ｉ
ｘＣ＋−ｘ （ｘ≦０．５）を着膜して遮光性ゲート絶
縁膜３１を形成し、途中で真空をやぶらずにガスを切り
替え、ＳＨ，とＮＨ，の混合ガスで前記遮光性ゲート絶
縁膜３１上にＳｉＮｘから成る透明ゲート絶縁膜３２を
形成し、続いて半導体層４を形成する。
Ｈ，とＳｉＨ，との混合ガスの分解により、ａ−３ｉ
ｘＣ＋−ｘ （ｘ≦０．５）を着膜して遮光性ゲート絶
縁膜３１を形成し、途中で真空をやぶらずにガスを切り
替え、ＳＨ，とＮＨ，の混合ガスで前記遮光性ゲート絶
縁膜３１上にＳｉＮｘから成る透明ゲート絶縁膜３２を
形成し、続いて半導体層４を形成する。
この実施例によると、ゲート絶縁膜３と半導体層４との
界面がＳｉＮｘ／ａ−３ｉとなるので安定し、薄膜トラ
ンジスタＴＰＴの特性の安定化を図ることができる。
界面がＳｉＮｘ／ａ−３ｉとなるので安定し、薄膜トラ
ンジスタＴＰＴの特性の安定化を図ることができる。
（発明の効果）
本発明によれば、スイッチング素子のガラス基板側に遮
光性絶縁膜を設けたので、スイッチング素子のオフセッ
ト部にガラス基板側から光か入射することを防ぎ、スイ
ッチング素子の半導体層の劣化を防止し、オフセット構
造の高耐圧スイッチング素子を使用したＥＬ発光装置に
おいての信頼性の向上を図ることかできる。
光性絶縁膜を設けたので、スイッチング素子のオフセッ
ト部にガラス基板側から光か入射することを防ぎ、スイ
ッチング素子の半導体層の劣化を防止し、オフセット構
造の高耐圧スイッチング素子を使用したＥＬ発光装置に
おいての信頼性の向上を図ることかできる。
第１図は本発明の一実施例に係るＥＬ発光装置の断面説
明図、第２図はＥＬ発光装置の他の実施例を示す断面説
明図、第３図はアクティブマトリックス駆動方式のＥＬ
表示装置の１ビット分の等価回路図、第４図は従来のオ
フセット構造のスイッチング素子の断面説明図である。 ６・・・・・・ソース電極 ７・・・・・・ドレイン電極 ２１・・・・・・透明電極 ２２・・・・・・第１絶縁層 ２３・・・・・・発光層 ２４・・・・・・第２絶縁層 ２５・・・・・・金属電極 ３］・・・・・・遮光性ゲート絶縁膜 ３２・・・・・・透明ゲート絶縁膜 Ｑ、・・・・・・第１のスイッチング素子Ｑ２・・・・
・・第２のスイッチング素子ＣＥＬ・・・・・・ＥＬ発
光素子 １・・・・・・ガラス基板 ２・・・・・・ゲート電極 ３・・・・・・ゲート絶縁膜 ４・・・・・・半導体層 第１図 第３図 第２図
明図、第２図はＥＬ発光装置の他の実施例を示す断面説
明図、第３図はアクティブマトリックス駆動方式のＥＬ
表示装置の１ビット分の等価回路図、第４図は従来のオ
フセット構造のスイッチング素子の断面説明図である。 ６・・・・・・ソース電極 ７・・・・・・ドレイン電極 ２１・・・・・・透明電極 ２２・・・・・・第１絶縁層 ２３・・・・・・発光層 ２４・・・・・・第２絶縁層 ２５・・・・・・金属電極 ３］・・・・・・遮光性ゲート絶縁膜 ３２・・・・・・透明ゲート絶縁膜 Ｑ、・・・・・・第１のスイッチング素子Ｑ２・・・・
・・第２のスイッチング素子ＣＥＬ・・・・・・ＥＬ発
光素子 １・・・・・・ガラス基板 ２・・・・・・ゲート電極 ３・・・・・・ゲート絶縁膜 ４・・・・・・半導体層 第１図 第３図 第２図
Claims (1)
- ガラス基板上にＥＬ発光素子と該ＥＬ発光素子に接続さ
れたスイッチング素子とを形成し、該スイッチング素子
はオフセット部を有するとともに、スイッチング素子の
ガラス基板側に遮光性絶縁膜を設けたことを特徴とする
ＥＬ発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20371590A JPH0486891A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | Ｅｌ発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20371590A JPH0486891A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | Ｅｌ発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0486891A true JPH0486891A (ja) | 1992-03-19 |
Family
ID=16478650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20371590A Pending JPH0486891A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | Ｅｌ発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0486891A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003347555A (ja) * | 2002-05-28 | 2003-12-05 | Chi Mei Electronics Corp | 薄膜トランジスター液晶表示装置及びその薄膜トランジスター製作方法 |
| JP2004152958A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Pioneer Electronic Corp | 有機半導体装置 |
| JP2005189673A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Sony Corp | ディスプレイ装置 |
| JP2012103697A (ja) * | 2010-11-09 | 2012-05-31 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co Ltd | アレイ基板及び液晶ディスプレイ |
-
1990
- 1990-07-31 JP JP20371590A patent/JPH0486891A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003347555A (ja) * | 2002-05-28 | 2003-12-05 | Chi Mei Electronics Corp | 薄膜トランジスター液晶表示装置及びその薄膜トランジスター製作方法 |
| JP2004152958A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Pioneer Electronic Corp | 有機半導体装置 |
| US7342245B2 (en) | 2002-10-30 | 2008-03-11 | Pioneer Corporation | Organic semiconductor device |
| JP2005189673A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Sony Corp | ディスプレイ装置 |
| JP2012103697A (ja) * | 2010-11-09 | 2012-05-31 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co Ltd | アレイ基板及び液晶ディスプレイ |
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