JPH0487238A - 電子ビームの偏向格子 - Google Patents
電子ビームの偏向格子Info
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- JPH0487238A JPH0487238A JP20138290A JP20138290A JPH0487238A JP H0487238 A JPH0487238 A JP H0487238A JP 20138290 A JP20138290 A JP 20138290A JP 20138290 A JP20138290 A JP 20138290A JP H0487238 A JPH0487238 A JP H0487238A
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Landscapes
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は電子ビームの偏向格子に関する。尚、この明
細書において「電子ビーム」とは、電子束の流れのみで
なく、単体の電子の流れも含む用語として用いている。
細書において「電子ビーム」とは、電子束の流れのみで
なく、単体の電子の流れも含む用語として用いている。
〔従来技術及び発明が解決しようとする課題〕電子ビー
ムを偏向させて使用する技術は種々の分野で利用されて
いる。その代表的なものの一つが陰極線管（ＣＲＴ）で
ある。
ムを偏向させて使用する技術は種々の分野で利用されて
いる。その代表的なものの一つが陰極線管（ＣＲＴ）で
ある。
ＣＲＴは、テレビジョンやコンピュータのデイスプレィ
としてもっとも多用されており、表示性能においては秀
れているものの、薄形化という点で劣っている。
としてもっとも多用されており、表示性能においては秀
れているものの、薄形化という点で劣っている。
この薄形化を阻んでいる要因の一つとして電子銃の長さ
がある。つまり、電子銃は陰極から発射された電子を集
束レンズで集束させて電子ビームとするものであるが、
集束レンズとして用いられている従来の磁石の偏向力が
限られているため、集束用としである一定長さが不可欠
になり、この結果、電子銃の長さが長くなってしまい、
ＣＲＴの薄形化を阻害するということである。
がある。つまり、電子銃は陰極から発射された電子を集
束レンズで集束させて電子ビームとするものであるが、
集束レンズとして用いられている従来の磁石の偏向力が
限られているため、集束用としである一定長さが不可欠
になり、この結果、電子銃の長さが長くなってしまい、
ＣＲＴの薄形化を阻害するということである。
したがって、より大きな偏向力を以てより短い距離で集
束を行えるようにすれば、ＣＲＴの薄形化が可能になる
わけである。
束を行えるようにすれば、ＣＲＴの薄形化が可能になる
わけである。
このような事情を背景になされたのがこの発明で、電子
ビームにより短い距離で必要な偏向を与えることのでき
る電子の偏向格子の提供を目的とする。
ビームにより短い距離で必要な偏向を与えることのでき
る電子の偏向格子の提供を目的とする。
もっとも、この発明による電子の偏向格子は、必ずしも
その用途がＣＲＴのようなものに限られるものでなく、
電子ビームの偏向を利用する技術分野のものであれば必
要に応じて適宜に利用できるものである。
その用途がＣＲＴのようなものに限られるものでなく、
電子ビームの偏向を利用する技術分野のものであれば必
要に応じて適宜に利用できるものである。
当発明者は、電子ビームにより短い距離で必要な偏向を
与え得る電子の偏向格子について長年研究を重ねてきた
が、その過程において、このような電子の偏向格子には
次ぎのような条件が必要であることを突き止め得た。
与え得る電子の偏向格子について長年研究を重ねてきた
が、その過程において、このような電子の偏向格子には
次ぎのような条件が必要であることを突き止め得た。
すなわち、より大きな偏向力を得るために、電子ビーム
が磁力を受けつつ通過する空間をできるだけ狭くして電
子ビームにより近接させて磁力をおよぼす必要がある。
が磁力を受けつつ通過する空間をできるだけ狭くして電
子ビームにより近接させて磁力をおよぼす必要がある。
また、大きな偏向力を得られても偏向力を与えるもの自
体が長くては意味がない。さらに、電子ビームの通過す
る空間を狭くするということは、この通過空間の周囲に
ある磁力源が常に電子ビームに曝されるということであ
り、耐電子ビーム特性つまり電子ビームの照射に対する
耐久性という条件が要求される。
体が長くては意味がない。さらに、電子ビームの通過す
る空間を狭くするということは、この通過空間の周囲に
ある磁力源が常に電子ビームに曝されるということであ
り、耐電子ビーム特性つまり電子ビームの照射に対する
耐久性という条件が要求される。
そして、このような条件を満足させるものについてさら
に研究を重ねた結果、磁気特性が高く、また例えばスパ
ッタリング法のような方法で薄膜化が容易にでき加工特
性がよく、しかも耐電子ビーム特性が秀れている等の特
性を持つＰｔ−Ｃ。
に研究を重ねた結果、磁気特性が高く、また例えばスパ
ッタリング法のような方法で薄膜化が容易にでき加工特
性がよく、しかも耐電子ビーム特性が秀れている等の特
性を持つＰｔ−Ｃ。
磁性物が最良であることを見出し、この発明に達したも
のである。
のである。
すなわち、この発明による電子ビームの偏向格子は、基
板に複数の通孔を形成し、この各通孔の周囲にＰｔ−Ｃ
ｏ磁性物層を薄層で形成してなり、通過する電子ビーム
を微小な通孔で通過させ、この通孔に生じている磁界に
より大きな偏向力をおよぼすようにしているものである
る。
板に複数の通孔を形成し、この各通孔の周囲にＰｔ−Ｃ
ｏ磁性物層を薄層で形成してなり、通過する電子ビーム
を微小な通孔で通過させ、この通孔に生じている磁界に
より大きな偏向力をおよぼすようにしているものである
る。
以下、この発明一実施例を説明する。
この発明による電子の偏向格子ｌは、図に示すように、
例えばセラミックス製の基板２の両面に磁性初層３を形
成すると共に、電子ビームＥを偏向させて通過させるた
めの通孔４を適宜の間隔で複数穿設してなるものである
。もっとも、磁性初層３は、基板２の片面のみに形成す
るようにしてもよい。
例えばセラミックス製の基板２の両面に磁性初層３を形
成すると共に、電子ビームＥを偏向させて通過させるた
めの通孔４を適宜の間隔で複数穿設してなるものである
。もっとも、磁性初層３は、基板２の片面のみに形成す
るようにしてもよい。
磁性初層３は、Ｐｔ（白金）とＣｏ（コバルト）の混合
物を、原子量比で５０：５０になる割合で、例えばスパ
ッタリング法により０．１〜数μ程度の厚さに形成した
後、これを所定の温度で加熱処理して磁化させて形成さ
れる。また、この磁性初層３は、各通孔４ごとに磁力を
異ならせるようにして形成されるもので、これにより各
通孔４を通過する電子ビームＥの一点集束が得られる。
物を、原子量比で５０：５０になる割合で、例えばスパ
ッタリング法により０．１〜数μ程度の厚さに形成した
後、これを所定の温度で加熱処理して磁化させて形成さ
れる。また、この磁性初層３は、各通孔４ごとに磁力を
異ならせるようにして形成されるもので、これにより各
通孔４を通過する電子ビームＥの一点集束が得られる。
通孔４は、例えば１０μ前後の径で形成されるが、必要
に応じてそれぞれに異なる径を与えるようにしてもよい
。この通孔４の形成にはレーザ光を用いるのが好ましい
。
に応じてそれぞれに異なる径を与えるようにしてもよい
。この通孔４の形成にはレーザ光を用いるのが好ましい
。
このような電子の偏向格子１によれば、磁性初層３の表
面において従来のものとほとんど変わらない磁力を従来
のものに比べれば非常に短い距離、具体的には数μ程度
の距離において電子ビームＥにおよぼすことができ、従
来のものに比べ格段に短い距離で必要な偏向を与えるこ
とができる。例えば、従来のものは少なくとも数ｍｍ程
度の距離を以て磁力をおよぼしているから、これと比較
すると、約１００００倍の偏向力が得られ、たとえ磁性
初層３の磁力が１／１０であったとしても、従来に比べ
１／１０００の程度の距離で必要な偏向を得られる。
面において従来のものとほとんど変わらない磁力を従来
のものに比べれば非常に短い距離、具体的には数μ程度
の距離において電子ビームＥにおよぼすことができ、従
来のものに比べ格段に短い距離で必要な偏向を与えるこ
とができる。例えば、従来のものは少なくとも数ｍｍ程
度の距離を以て磁力をおよぼしているから、これと比較
すると、約１００００倍の偏向力が得られ、たとえ磁性
初層３の磁力が１／１０であったとしても、従来に比べ
１／１０００の程度の距離で必要な偏向を得られる。
この発明による電子ビームの偏向格子は、以上説明して
きた如く、基板に複数の通孔を形成し、この各通孔の周
囲にＰｔ−Ｃｏ磁性物の薄層を形成してなるものなので
、従来のものに比べ格段に短い距離で必要な偏向を与え
ることができ、例えば電子銃の短縮化を図れＣＲＴの薄
型化等への応用を広く期待できる。
きた如く、基板に複数の通孔を形成し、この各通孔の周
囲にＰｔ−Ｃｏ磁性物の薄層を形成してなるものなので
、従来のものに比べ格段に短い距離で必要な偏向を与え
ることができ、例えば電子銃の短縮化を図れＣＲＴの薄
型化等への応用を広く期待できる。
図はこの発明による電子ビームの偏向格子の概略断面図
である。 １・−・−−−−一電子ビームの偏向格子２−・・・−
・一基板 ３−−−−−・−磁性初層 ４−−−−一・−通孔
である。 １・−・−−−−一電子ビームの偏向格子２−・・・−
・一基板 ３−−−−−・−磁性初層 ４−−−−一・−通孔
Claims (1)
- 基板に複数の通孔を形成し、この各通孔の周囲にＰｔ−
Ｃｏ磁性物層を薄層で形成してなる電子ビームの偏向格
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20138290A JP2950937B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 電子ビームの偏向格子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20138290A JP2950937B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 電子ビームの偏向格子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0487238A true JPH0487238A (ja) | 1992-03-19 |
| JP2950937B2 JP2950937B2 (ja) | 1999-09-20 |
Family
ID=16440158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20138290A Expired - Fee Related JP2950937B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 電子ビームの偏向格子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2950937B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5025596B2 (ja) | 2008-08-20 | 2012-09-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | イメージセンサ |
-
1990
- 1990-07-31 JP JP20138290A patent/JP2950937B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2950937B2 (ja) | 1999-09-20 |
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|---|---|---|---|
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