JPH0488324A - １．３μｍ帯光増幅器 - Google Patents
１．３μｍ帯光増幅器Info
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- JPH0488324A JPH0488324A JP2204553A JP20455390A JPH0488324A JP H0488324 A JPH0488324 A JP H0488324A JP 2204553 A JP2204553 A JP 2204553A JP 20455390 A JP20455390 A JP 20455390A JP H0488324 A JPH0488324 A JP H0488324A
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- Japan
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- optical fiber
- light
- optical
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は光フアイバ型の光直接増幅器に係り、特に１．
３μｍ帯の増幅利得を改善する場合に好適な１．３μｍ
帯光通信器に関する。
３μｍ帯の増幅利得を改善する場合に好適な１．３μｍ
帯光通信器に関する。
近年、１．３μｍ帯光通信分野への応用のため、希土類
元素であるネオジミウムを添加した光ファイバを使用し
、ファイバ増幅器、ファイバレーザ等の機能性ファイバ
の研究が実施されている。例えば燐酸塩系の多成分ガラ
スにネオジミウムイオン（Ｎ ｄ ’°）を添加したガ
ラスを準備し、このガラスから形成した光ファイバの光
増幅特性について評価した報告（ユニつガラスフォーラ
ム、１９９０年１月発表）等が成されている。該報告で
は、光ファイバの特性に関し、蛍光ピーク波長が１．３
２３μｍ１Ｅ Ｓ Ａ （ｅｘｃｉｔｅｄ ５ｔａｔｅ
ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ）ピーク波長が１、３１０μｍ
１増幅ピーク波長が１．３６０μｍという結果が得られ
ている。また、文献ｒ Ｅ １ｅｃｔｒｏｎｉｃｓＬ
ｅｔｔｅｒｓ、 １９９０． Ｖ ｏｌ、 ２６． ｐ
ｌ）、 １９４−１９５Ｊには波長１．３３μｍにおい
て微小シグナルに対し１ｏｄｂの増幅利得が得られたこ
とが報告されている。
元素であるネオジミウムを添加した光ファイバを使用し
、ファイバ増幅器、ファイバレーザ等の機能性ファイバ
の研究が実施されている。例えば燐酸塩系の多成分ガラ
スにネオジミウムイオン（Ｎ ｄ ’°）を添加したガ
ラスを準備し、このガラスから形成した光ファイバの光
増幅特性について評価した報告（ユニつガラスフォーラ
ム、１９９０年１月発表）等が成されている。該報告で
は、光ファイバの特性に関し、蛍光ピーク波長が１．３
２３μｍ１Ｅ Ｓ Ａ （ｅｘｃｉｔｅｄ ５ｔａｔｅ
ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ）ピーク波長が１、３１０μｍ
１増幅ピーク波長が１．３６０μｍという結果が得られ
ている。また、文献ｒ Ｅ １ｅｃｔｒｏｎｉｃｓＬ
ｅｔｔｅｒｓ、 １９９０． Ｖ ｏｌ、 ２６． ｐ
ｌ）、 １９４−１９５Ｊには波長１．３３μｍにおい
て微小シグナルに対し１ｏｄｂの増幅利得が得られたこ
とが報告されている。
しかし、上記の報告に示されるところでは、微小なシグ
ナルに対する増幅利得は得られるが、実用的なシグナル
パワーに対しての増幅利得は１〜２ｄｂＬかなく、その
増幅利得改善を図る必要があった。この場合、増幅利得
が低い理由としては、ＥＳＡ遷移によるシグナルの吸収
が生ずること、蛍光強度が弱いこと等が考えられる。 前者のＥＳＡ遷移によるシグナル吸収が生ずるという問
題を解決するには、光ファイバの構成材料を検討しＥＳ
Ａ遷移が生じにくいガラスマトリックスで光ファイバを
作成する必要がある。また、後者の蛍光強度が弱いとい
う問題を解決するには、１．３μｍ帯以外の遷移を極力
抑制する必要がある。 即ち、Ｎｄは１゜３μｍ以外に０．８８μｍ、 １．０
５μｍ。 １．８５μｍ等での発光が同時に発生し、且つ、波長１
．０５μｍ帯の発光が極めて強く、上記の光ファイバの
ように誘導数８を利用して光増幅を行う場合には、Ｎｄ
の１．０６μｍ帯での発光による誘導放出に起因して１
．３μｍ帯の発光が低下させられるものと考えられる。 本発明は前記課題を解決するもので、１．３μｍ帯の増
幅効率の向上を達成した１ ３μｍ帯光通信器の提供を
目的とする。
ナルに対する増幅利得は得られるが、実用的なシグナル
パワーに対しての増幅利得は１〜２ｄｂＬかなく、その
増幅利得改善を図る必要があった。この場合、増幅利得
が低い理由としては、ＥＳＡ遷移によるシグナルの吸収
が生ずること、蛍光強度が弱いこと等が考えられる。 前者のＥＳＡ遷移によるシグナル吸収が生ずるという問
題を解決するには、光ファイバの構成材料を検討しＥＳ
Ａ遷移が生じにくいガラスマトリックスで光ファイバを
作成する必要がある。また、後者の蛍光強度が弱いとい
う問題を解決するには、１．３μｍ帯以外の遷移を極力
抑制する必要がある。 即ち、Ｎｄは１゜３μｍ以外に０．８８μｍ、 １．０
５μｍ。 １．８５μｍ等での発光が同時に発生し、且つ、波長１
．０５μｍ帯の発光が極めて強く、上記の光ファイバの
ように誘導数８を利用して光増幅を行う場合には、Ｎｄ
の１．０６μｍ帯での発光による誘導放出に起因して１
．３μｍ帯の発光が低下させられるものと考えられる。 本発明は前記課題を解決するもので、１．３μｍ帯の増
幅効率の向上を達成した１ ３μｍ帯光通信器の提供を
目的とする。
本発明は、コアに希土類元素のネオジミウムを添加した
光ファイバを増幅用媒体に用い、該光ファイバに信号光
とともに励起用光を入射させネオジミウムイオンの光励
起と信号光による誘電放出効果を利用して光直接増幅を
行う光増幅器において、増幅用媒体である光ファイバの
両端に１３μｍ光及び１．０５μｍ光に対する反射防止
対策を施したことを特徴とする。 また本発明は、前記反射防止対策の手段として、誘電体
多層膜を光ファイバの両端面に形成することを特徴とす
る。 また本発明は、前記反射防止対策の手段として、増幅用
媒体光ファイバの両端を斜め研磨したことを特徴とする
。 また本発明は、前記反射防止対策の手段として、１．３
０μｍ及び１．０５μｍ波長多重形光ファイバカプラを
増幅用媒体光ファイバの両端に接続し、該カプラの１．
０５μｍ光の出射端を屈折率整合剤に含有させるととも
に、該カプラの１．３０ｔｔｍ光の出射端を斜め研磨し
たことを特徴とする。 また本発明は、コアに希土類元素のネオジミウムを添加
した光ファイバを増幅用媒体に用い、該光ファイバに信
号光とともに励起用光を入射させネオジミウムイオンの
光励起と信号光による誘電放出効果を利用して光直接増
幅を行う光増幅器において、増幅用媒体である光ファイ
バの両端に１゜３μｍ光及び１．０５μｍ光に対する反
射防止対策を施すと共に、前記光ファイバを２本接続し
、増幅を２段階に行うことを特徴とする。
光ファイバを増幅用媒体に用い、該光ファイバに信号光
とともに励起用光を入射させネオジミウムイオンの光励
起と信号光による誘電放出効果を利用して光直接増幅を
行う光増幅器において、増幅用媒体である光ファイバの
両端に１３μｍ光及び１．０５μｍ光に対する反射防止
対策を施したことを特徴とする。 また本発明は、前記反射防止対策の手段として、誘電体
多層膜を光ファイバの両端面に形成することを特徴とす
る。 また本発明は、前記反射防止対策の手段として、増幅用
媒体光ファイバの両端を斜め研磨したことを特徴とする
。 また本発明は、前記反射防止対策の手段として、１．３
０μｍ及び１．０５μｍ波長多重形光ファイバカプラを
増幅用媒体光ファイバの両端に接続し、該カプラの１．
０５μｍ光の出射端を屈折率整合剤に含有させるととも
に、該カプラの１．３０ｔｔｍ光の出射端を斜め研磨し
たことを特徴とする。 また本発明は、コアに希土類元素のネオジミウムを添加
した光ファイバを増幅用媒体に用い、該光ファイバに信
号光とともに励起用光を入射させネオジミウムイオンの
光励起と信号光による誘電放出効果を利用して光直接増
幅を行う光増幅器において、増幅用媒体である光ファイ
バの両端に１゜３μｍ光及び１．０５μｍ光に対する反
射防止対策を施すと共に、前記光ファイバを２本接続し
、増幅を２段階に行うことを特徴とする。
本発明によれば、増幅用媒体の両端面で反射し増幅され
る１、０５μｍ光を抑制することにより、１．３μｍの
増幅効率も向上させることができる。
る１、０５μｍ光を抑制することにより、１．３μｍの
増幅効率も向上させることができる。
以下、本発明の各実施例による１、３μｍ光増幅器を図
面に基づいて説明する。 各実施例では、増幅媒体の両端面で反射し増幅される１
、０５μｍ光を抑制することにより、１．３μｍの増幅
効率も向上させるようになっている。その具体的な方法
としては、波長多重形カプラを使用する方法、誘電体多
層膜を使用する方法、ファイバ端面を斜め研磨する方法
等がある。 第１図はネオジミウムイオンのエネルギー準位図であり
、励起光として８２０ｎｍの半導体レーザを用いると、
基底準位から’Ｆ ６／！へと励起される。 これに１．３μｍ帯の光を入射させると、誘導放出によ
って’Ｉ １３／ｌへの遷移が生じ増幅作用となる。 ’Ｆ ！／！準位からは他に Ｉ ＩＩ／！、’ＩＩ／
！等への遷移も同時に生じ、それぞれ波長１．０５μｍ
、 ０．８８μｍに対応する。何れの場合も１．３μｍ
と同一の上位準位からの遷移であり、他への遷移が抑制
できれば１．３μｍ帯の発光を強くすることができる。 ■第１実施例 第２図は第１実施例を示す概略図であり、増幅媒体用光
ファイバ１の両側に１３μｍと１．０５μｍで波長分割
機能を有するファイバカプラを接続しである。増幅媒体
用光ファイバｌは、フッ化物系の光ファイバでありその
組成はＺｒＦ４ ＢａＦｔＬａＦｓ−ＡＩＦｓ−ＮａＦ
とされており、コア径６．５μｍ１クラツド径１２５μ
ｍ１比屈折率差０．５％、カットオフ波長１．３１μｍ
となっている。コアには、ネオジミウムイオンが２００
０ｐｐｍ含有され、ファイバ長は２ｍとされている。増
幅媒体用光ファイバ（ネオジミウムドープフッ化物光フ
ァイバ）１の両端に接続された１、 ０５／１．３ＹＤ
Ｍカプラ２は、石英ガラスから形成されており、増幅媒
体用光ファイバ１とは突合わせ接続して間にマツチング
液３を入れである。石英系ファイバの屈折率は１４６８
程度であり、フッ化物光ファイバの屈折率は１．５０程
度であるので、ファイバ接続点での端面反射を低減する
ためには、マツチング液３として両者の中間値に近い１
．４８５程度の屈折率を持つものが望ましい。尚、第２
図４はｏ、 ８／１．３ＷＤＭカプラ、５はパワメータ
、６は励起用光源、７はングナル光源、８はファイバ接
続点である。 第３図はｌ、０５／１．３ＷＤＭカプラ２の透過特性図
であり、１．３０μｍ光を透過することができるボート
は同時に０．８μｍ光も透過することが分かる。従って
、１．３μｍ帯の信号光と０．８μｍ帯の励起光は同一
ボートから入出力できる。 ここで、前記第２図に示した第１実施例の構成の利点は
次の実験によって明確にすることができる。まず、増幅
媒体のフッ化物光ファイバの両端にＹＤｋｌカプラを接
続しないで増幅実験を行うと、第４図（ａ）に示すよう
な蛍光特性を得ることができる。即ち、１．０５μｍで
は蛍光のピークが高くレーザ発振に近い鋭いピークを確
認できると共に、１．３μｍ帯では蛍光ピーク値は約２
５ｎＷである。 これに対し前記第２図に示したようにフッ化物光ファイ
バの両端にＩＤＭカプラを接続し１．０５μｍ光を外へ
逃がした場合、第４図（ｂ）に示すような蛍光特性を得
ることができる。即ち、１．０５μｍの蛍光ピークが減
少し、１．３μｍ帯の蛍光ピークは５０ｎＷと約２倍高
くなっていることが分かる。 また、第５図は励起光強度と利得の関係を示す特性図で
あり、励起光強度を５０ｍ Ｗまで増加させると波長ｌ
、３４μｍ付近で５．５ｄＢの利得が得られた。前記第
２図に示したような工夫がしていない場合には、同一条
件で利得は２ｄＢ程度であり、第１実施例の効果が理解
できる。また、第６図は信号光出力レベルと利得の関係
を示す特性図であり、信号光がＯｄＢ程度まで利得は一
定であることが分かる。通常の通信で使用される信号レ
ベルは一３０ｄＢｍ〜ＯｄＢｍの範囲であるため、この
結果は実用のシステムに十分役立たせることが可能であ
る。 ■第２実施例 第７図は第２実施例を示す概略図であり、増幅用光ファ
イバ（ネオジミウムドープフッ化物光ファイバ）１の両
端に誘電体多層膜反射防止膜９を施すことにより端面反
射を防止している。第２実施例では２〜３ｄＢの利得増
加が確認できた。 この場合、例えば第２実施例の光フアイバ両端の無反射
コート技術とＷＤＭを用いる方法を組合わせて実施する
と、約７ｄＢの利得を達成できる。 ■第３実施例 第８図は第３実施例を示す概略図であり、増幅用光ファ
イバ（ネオジミウムドープフッ化物光ファイバ）ｌの光
フアイバ端末（両端面）１０を斜めに研磨したもので、
傾斜度は６〜８度が最も効果的である。第３実施例でも
２〜３ｄＢの利得増加が確認できた。 ■第４実施例 第９図は第４実施例を示す図であり、上記第２図の第１
実施例と共通の構成には同一符号を付しである。第４実
施例では、２ｍ長のネオジミウム（Ｎ ｄ ）ドープフ
ッ化物光ファイバ１を２本用意し、これらを１．０５／
１．．３ＷＤＭカプラ２を介して接続し、信号光の伝搬
と逆方向からも励起用光を入射させることにより、上記
第２図の第１実施例における増幅を２段階に行うことを
狙いとしたものである。 この場合にも、１．０５μｍの発光は１．３μｍ発光を
低下させる原因となるため１．０５／１．３ＹＤＭカプ
ラ２の１．０５μｍ出力ボートは全てマツチング液３に
浸漬し端面反射を防止している。これにより、１０ｄＢ
以上の利得を実現することができる。
面に基づいて説明する。 各実施例では、増幅媒体の両端面で反射し増幅される１
、０５μｍ光を抑制することにより、１．３μｍの増幅
効率も向上させるようになっている。その具体的な方法
としては、波長多重形カプラを使用する方法、誘電体多
層膜を使用する方法、ファイバ端面を斜め研磨する方法
等がある。 第１図はネオジミウムイオンのエネルギー準位図であり
、励起光として８２０ｎｍの半導体レーザを用いると、
基底準位から’Ｆ ６／！へと励起される。 これに１．３μｍ帯の光を入射させると、誘導放出によ
って’Ｉ １３／ｌへの遷移が生じ増幅作用となる。 ’Ｆ ！／！準位からは他に Ｉ ＩＩ／！、’ＩＩ／
！等への遷移も同時に生じ、それぞれ波長１．０５μｍ
、 ０．８８μｍに対応する。何れの場合も１．３μｍ
と同一の上位準位からの遷移であり、他への遷移が抑制
できれば１．３μｍ帯の発光を強くすることができる。 ■第１実施例 第２図は第１実施例を示す概略図であり、増幅媒体用光
ファイバ１の両側に１３μｍと１．０５μｍで波長分割
機能を有するファイバカプラを接続しである。増幅媒体
用光ファイバｌは、フッ化物系の光ファイバでありその
組成はＺｒＦ４ ＢａＦｔＬａＦｓ−ＡＩＦｓ−ＮａＦ
とされており、コア径６．５μｍ１クラツド径１２５μ
ｍ１比屈折率差０．５％、カットオフ波長１．３１μｍ
となっている。コアには、ネオジミウムイオンが２００
０ｐｐｍ含有され、ファイバ長は２ｍとされている。増
幅媒体用光ファイバ（ネオジミウムドープフッ化物光フ
ァイバ）１の両端に接続された１、 ０５／１．３ＹＤ
Ｍカプラ２は、石英ガラスから形成されており、増幅媒
体用光ファイバ１とは突合わせ接続して間にマツチング
液３を入れである。石英系ファイバの屈折率は１４６８
程度であり、フッ化物光ファイバの屈折率は１．５０程
度であるので、ファイバ接続点での端面反射を低減する
ためには、マツチング液３として両者の中間値に近い１
．４８５程度の屈折率を持つものが望ましい。尚、第２
図４はｏ、 ８／１．３ＷＤＭカプラ、５はパワメータ
、６は励起用光源、７はングナル光源、８はファイバ接
続点である。 第３図はｌ、０５／１．３ＷＤＭカプラ２の透過特性図
であり、１．３０μｍ光を透過することができるボート
は同時に０．８μｍ光も透過することが分かる。従って
、１．３μｍ帯の信号光と０．８μｍ帯の励起光は同一
ボートから入出力できる。 ここで、前記第２図に示した第１実施例の構成の利点は
次の実験によって明確にすることができる。まず、増幅
媒体のフッ化物光ファイバの両端にＹＤｋｌカプラを接
続しないで増幅実験を行うと、第４図（ａ）に示すよう
な蛍光特性を得ることができる。即ち、１．０５μｍで
は蛍光のピークが高くレーザ発振に近い鋭いピークを確
認できると共に、１．３μｍ帯では蛍光ピーク値は約２
５ｎＷである。 これに対し前記第２図に示したようにフッ化物光ファイ
バの両端にＩＤＭカプラを接続し１．０５μｍ光を外へ
逃がした場合、第４図（ｂ）に示すような蛍光特性を得
ることができる。即ち、１．０５μｍの蛍光ピークが減
少し、１．３μｍ帯の蛍光ピークは５０ｎＷと約２倍高
くなっていることが分かる。 また、第５図は励起光強度と利得の関係を示す特性図で
あり、励起光強度を５０ｍ Ｗまで増加させると波長ｌ
、３４μｍ付近で５．５ｄＢの利得が得られた。前記第
２図に示したような工夫がしていない場合には、同一条
件で利得は２ｄＢ程度であり、第１実施例の効果が理解
できる。また、第６図は信号光出力レベルと利得の関係
を示す特性図であり、信号光がＯｄＢ程度まで利得は一
定であることが分かる。通常の通信で使用される信号レ
ベルは一３０ｄＢｍ〜ＯｄＢｍの範囲であるため、この
結果は実用のシステムに十分役立たせることが可能であ
る。 ■第２実施例 第７図は第２実施例を示す概略図であり、増幅用光ファ
イバ（ネオジミウムドープフッ化物光ファイバ）１の両
端に誘電体多層膜反射防止膜９を施すことにより端面反
射を防止している。第２実施例では２〜３ｄＢの利得増
加が確認できた。 この場合、例えば第２実施例の光フアイバ両端の無反射
コート技術とＷＤＭを用いる方法を組合わせて実施する
と、約７ｄＢの利得を達成できる。 ■第３実施例 第８図は第３実施例を示す概略図であり、増幅用光ファ
イバ（ネオジミウムドープフッ化物光ファイバ）ｌの光
フアイバ端末（両端面）１０を斜めに研磨したもので、
傾斜度は６〜８度が最も効果的である。第３実施例でも
２〜３ｄＢの利得増加が確認できた。 ■第４実施例 第９図は第４実施例を示す図であり、上記第２図の第１
実施例と共通の構成には同一符号を付しである。第４実
施例では、２ｍ長のネオジミウム（Ｎ ｄ ）ドープフ
ッ化物光ファイバ１を２本用意し、これらを１．０５／
１．．３ＷＤＭカプラ２を介して接続し、信号光の伝搬
と逆方向からも励起用光を入射させることにより、上記
第２図の第１実施例における増幅を２段階に行うことを
狙いとしたものである。 この場合にも、１．０５μｍの発光は１．３μｍ発光を
低下させる原因となるため１．０５／１．３ＹＤＭカプ
ラ２の１．０５μｍ出力ボートは全てマツチング液３に
浸漬し端面反射を防止している。これにより、１０ｄＢ
以上の利得を実現することができる。
以上説明したように本発明によれば、以下の効果を奏す
ることができる。 ■本発明の１．３μｍ帯光通信器は、ネオジミウムの遷
移で問題となる１、０５μｍ帯の発光を抑制するための
工夫がしであるため、１．３μｍ帯の増幅利得を従来と
比較し飛躍的に改善（最大で１０ｄｂ）することができ
る。 ■従って、本発明の１，３μｍ帯光通信器を、現在広範
に使用されている光通信システムの中で有効なデバイス
として用いることができ好適である。 ■また、励起波長が０．８μｍ帯であり、該波長域の半
導体レーザは価格的に低コストであるため、アンプの価
格も低価格とすることが可能となる。
ることができる。 ■本発明の１．３μｍ帯光通信器は、ネオジミウムの遷
移で問題となる１、０５μｍ帯の発光を抑制するための
工夫がしであるため、１．３μｍ帯の増幅利得を従来と
比較し飛躍的に改善（最大で１０ｄｂ）することができ
る。 ■従って、本発明の１，３μｍ帯光通信器を、現在広範
に使用されている光通信システムの中で有効なデバイス
として用いることができ好適である。 ■また、励起波長が０．８μｍ帯であり、該波長域の半
導体レーザは価格的に低コストであるため、アンプの価
格も低価格とすることが可能となる。
第１図はネオジミウムイオンのエネルギー準位図、第２
図は本発明の第１実施例を示す概略図、第３図は第１実
施例の１．３／１．０５ＷＤＭカプラの透過特性図、第
４図（ａ）は第１実施例の端面反射を防止しない時の１
．０５μｍと１．３μｍの蛍光特性図、第４図（ｂ）は
第１実施例の端面反射を防止した時の１．０５μｍと１
３μｍの蛍光特性図、第５図は第１実施例における励起
光強度と利得の関係を示す特性図、第６図は第１実施例
における信号光出力レベルと利得との関係を示す特性図
、第７図は第２実施例を示す概略図、第８図は第３実施
例を示す概略図、第９図は第４実施例を示す概略図であ
る。 １・・・・・・ネオジミウムドープフッ化物光ファイバ
、２・・・・・１． Ｏ５／１．３１ＤＭカプラ、３・
・・・・・マツチング液、４・・・・・・０．８／１．
３ＹＤＭカプラ、５・・・、・・パワメータ、６・・、
・・・励起用光源、７・・・・・・シグナル光源、８・
・・・・・ファイバ接続点、９・・・・・・銹電体多層
膜反射防止膜、１０・・・・・・斜め研磨光フアイバ端
末。 ８願入 日本電信電話株式会社
図は本発明の第１実施例を示す概略図、第３図は第１実
施例の１．３／１．０５ＷＤＭカプラの透過特性図、第
４図（ａ）は第１実施例の端面反射を防止しない時の１
．０５μｍと１．３μｍの蛍光特性図、第４図（ｂ）は
第１実施例の端面反射を防止した時の１．０５μｍと１
３μｍの蛍光特性図、第５図は第１実施例における励起
光強度と利得の関係を示す特性図、第６図は第１実施例
における信号光出力レベルと利得との関係を示す特性図
、第７図は第２実施例を示す概略図、第８図は第３実施
例を示す概略図、第９図は第４実施例を示す概略図であ
る。 １・・・・・・ネオジミウムドープフッ化物光ファイバ
、２・・・・・１． Ｏ５／１．３１ＤＭカプラ、３・
・・・・・マツチング液、４・・・・・・０．８／１．
３ＹＤＭカプラ、５・・・、・・パワメータ、６・・、
・・・励起用光源、７・・・・・・シグナル光源、８・
・・・・・ファイバ接続点、９・・・・・・銹電体多層
膜反射防止膜、１０・・・・・・斜め研磨光フアイバ端
末。 ８願入 日本電信電話株式会社
Claims (5)
- （１）コアに希土類元素のネオジミウムを添加した光フ
ァイバを増幅用媒体に用い、該光ファイバに信号光とと
もに励起用光を入射させネオジミウムイオンの光励起と
信号光による誘電放出効果を利用して光直接増幅を行う
光増幅器において、増幅用媒体である光ファイバの両端
に１．３μｍ光及び１．０５μｍ光に対する反射防止対
策を施したことを特徴とする１．３μｍ帯光増幅器。 - （２）前記反射防止対策の手段として、誘電体多層膜を
光ファイバの両端面に形成することを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の１．３μｍ帯光増幅器。 - （３）前記反射防止対策の手段として、増幅用媒体光フ
ァイバの両端を斜め研磨したことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の１．３μｍ帯光増幅器。 - （４）前記反射防止対策の手段として、１．３０μｍ及
び１．０５μｍ波長多重形光ファイバカプラを増幅用媒
体光ファイバの両端に接続し、該カプラの１．０５μｍ
光の出射端を屈折率整合剤に含有させるとともに、該カ
プラの１．３０μｍ光の出射端を斜め研磨したことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の１．３μｍ帯光増
幅器。 - （５）コアに希土類元素のネオジミウムを添加した光フ
ァイバを増幅用媒体に用い、該光ファイバに信号光とと
もに励起用光を入射させネオジミウムイオンの光励起と
信号光による誘電放出効果を利用して光直接増幅を行う
光増幅器において、増幅用媒体である光ファイバの両端
に１．３μｍ光及び１．０５μｍ光に対する反射防止対
策を施すと共に、前記光ファイバを２本接続し、増幅を
２段階に行うことを特徴とする１．３μｍ帯光増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2204553A JPH0488324A (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | １．３μｍ帯光増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2204553A JPH0488324A (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | １．３μｍ帯光増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0488324A true JPH0488324A (ja) | 1992-03-23 |
Family
ID=16492398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2204553A Pending JPH0488324A (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | １．３μｍ帯光増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0488324A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8411488B2 (en) | 2010-09-30 | 2013-04-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nonvolatile semiconductor memory device |
-
1990
- 1990-08-01 JP JP2204553A patent/JPH0488324A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8411488B2 (en) | 2010-09-30 | 2013-04-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nonvolatile semiconductor memory device |
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