JPH0488352A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアモルファスシリコンカーバイド層やアモルフ
ァスシリコン層と有機光半導体層とを積層して成る電子
写真感光体に関するものである。

〔従来技術及びその問題点〕

特開昭５６−１４２４１号により提案された電子写真感
光体は、基板上にアモルファスシリコンカーバイド（以
下アモルファスシリコンカーバイドをａ−３ｉＣと略す
）と有機光半導体層とを積層した構成であり、そのａ−
３ｉＣ層をキャリア励起層としている。

しかしながら、上記構成の電子写真感光体によれば、そ
のａ−３ｉＣ層の光学的バンドギャップが大きいために
短波長側の感度が良好となるが、その反面、長波長側の
感度が不十分となり、これにより、ＰＰＣ（普通紙複写
機）を用いると黄色から赤色に亘る６００ｎｍ以上の波
長領域において感度不足となり、その結果、カラー原稿
などに対しては、その可視領域において−様な感度が得
られないという問題点がある。

また特開昭５６−２５７４３号により提案された電子写
真感光体においては、基板上にアモルファスシリコン感
光層（以下アモルファスシリコンをａ−３ｉと略す）と
、ａ−３ｉＣ遷移層と、有機光半導体層とを順次積層し
た構成であり、このようにａ−３ｉ層とａＳｉＣ層を積
層した場合には感度特性が改善されるが、その反面、表
面電位の暗減衰特性が劣化し、暗減衰が速くなり、これ
により、帯電部において発生した表面電位の小さなムラ
が暗減衰後の現像部においては大きな表面電位ムラとな
り、その結果、画像の濃度ムラが顕著となり、良好な画
像か得られないという問題点がある。

また、基板上に直接ａ−３ｉ層を積層した場合、その層
と基板との密着性か不十分であり、剥離するという問題
点もある。

従って本発明の目的は可視光の全域に亘って高い光感度
が得られ、しかも、表面電位の暗減衰特性を改善して良
好な画像が安定して得られる高信頼性の電子写真感光体
を提供することにある。

Ｃ問題点を解決するための手段〕 本発明の電子写真感光体は基板上に原子組成比がＳｉ＋
−ｘＣｘのｙ値で０．２＜ｘ＜０．５の範囲にあるとと
もに、周期律表第１Ｉ［ａ族元素を１〜１０．０００ｐ
ｐｍもしくは第Ｖａ族元素を５．　ｏｏｏｐｐｍ含有す
る第１のａ−ＳｉＣ層と、ａ−８ｉ層と、原子組成比が
３１＋−ｙＣアのｙ値でｏ＜ｙ＜０．５の範囲にある第
２のａＳｉＣ層と、有機光半導体層とを順次積層し、そ
れぞれ正帯電型もしくは負帯電型にしたことを特徴とす
る。

また本発明の電子写真感光体は上記第１のａ−３ｉＣ層
に酸素及び／又は窒素を０．０１〜３０原子％含有せし
めた点も特徴である。

以下、本発明の詳細な説明する。

第１図及び第２図は本発明電子写真感光体の層構成を示
す。いずれも基板１上に第１のａ−３ｉＣ層２、ａ−Ｓ
　ｉ層３及び第２　ａ−３ｉＣ層４を順次積層しており
、更に有機光半導体層５を積層する。第２図はその他の
例であり、有機光半導体層５の上に無機質系の保護層６
を積層する。

上記層構成において、第１のａ−３ｉＣ層２は感光体の
帯電時に基板ｌからのキャリアの注入を阻止する機能が
あり、また、感光層と基板１との密着性を高めて膜の剥
離を防ぐ機能がある。

ａ−３ｉ層３と第２のａ−３ｉＣ層４には電荷を発生す
る機能があり、有機光半導体層４には電荷を輸送する機
能がある。

かかる層構成によれば、有機光半導体層５０表面側より
入射した光は第２のａ−３ｉＣ層４により主に短波長側
の光が吸収され、次いで残りの主に長波長側の光がａ−
３ｉ層３により吸収され、その結果、光感度が可視領域
全般において高められる。

先ず第１のａ−３ｉＣ層２については、次のように元素
比率の範囲を設定する。

Ｓ１＋−ｘＣｘ ０゜２＜ｘ＜０．５ 好適には０．３＜ｘ＜０．５ ｙ値か０．２以下の場合は基板１からのキャリアの注入
を十分に阻止できず、また、暗減衰特性を改善すること
ができず、基板ｌとの密着性も十分に確保できない。ｙ
値が０．５以上の場合にはａ−３ｉ層３及び第２のａ−
３ｉＣ層４て発生した光キャリアが基板１ヘスムーズに
流れず、光感度が低下し、残留電位か上昇する。

また第１　（７）ａ−３ｉＣ層２の厚みハ０．０１〜１
．Ｏｕｒｎ、好適には０．０５〜０．５μｍの範囲内が
よく、この範囲内であれば良好な暗減衰特性が得られ、
膜の密着性も良好となる。

更にまた第１のａ−３ｉＣ層２の光学的エネルギーギャ
ップはａ−Ｓｉ層３に比べて０．ＩｅＶ以上、望ましく
は０．２ｅＶ以上の差を設けるように大きくするとよく
、これによって基板ｌからのキャリアの注入を育効に阻
止できる。

また本発明においては上記第１のａ−３ｉＣ層２に周期
律表第１ＩＩａ族元素を１〜１０．ＯＯＯｐｐｍ　、好
適には１００〜５．０００ｐｐｍ含有させる点も特徴で
あり、これにより、基板からのキャリアのうち特に負電
荷の注入を阻止でき、暗減衰特性か改善できる。その含
有量が１　ｐｐｍ未満の場合には上記のような効果が得
られず、１０．　ＯＯＯｐｐｍを越える場合には、その
層内部の欠陥が増大して膜質が低下し、表面電位の低下
並びに残留電位の上昇をきたす。

また上記第１［［ａ族元素を含有させるに当たり、基板
１から感光体表面に向かう層厚方向に亘って漸次減少さ
せることで励起層で発生した光キャリア特に正電荷を基
板側へスムーズに流すことかでき、また、基板側のキャ
リア特に負電荷が感光体層に流入するのを阻止すること
てき、これにより、暗減衰特性か一層改善され、光感度
が更に高められ、残留電位も一層低減する。このように
勾配分布を設けた場合、その最大含有量も１〜１０．０
００１）ｐｍ　、好適には１００〜５．　ＯＯＯｐｐｍ
にすればよい。

上記第ＩＩＩａ族元素にはＢ、　　Ａ１．　Ｇａ、　Ｉ
ｎ等があり、就中、Ｂ元素か共有結合性に優れて半導体
特性を敏感に変え得る点で、その上、優れた帯電能並び
に光感度が得られる点で望ましい。

また本発明においては上記第１のａ−３ｉＣ層２に周期
律表第Ｖａ族元素を５．０００ｐｐｍ以下、好適には３
００〜３．　ＯＯＯｐｐｍ含有させる点も特徴であり、
これにより、基板からのキャリアのうち特に正電荷の注
入を阻止でき、暗減衰特性か改善できる。その含有量が
５．０００ｐｐｍを越える場合には、その層内部の欠陥
が増大して膜質か低下し、表面電位の低下並びに残留電
位の上昇をきたす。

また上記第Ｖａ族元素を含有させるに当たり、基板１か
ら感光体表面に向かう層厚方向に亘って漸次減少させる
ことで励起層で発生した光キャリア特に負電荷を基板側
へスムーズに流すことができ、また、基板側のキャリア
特に正電荷が感光体層に流入するのを阻止することてき
、これにより、暗減衰特性が一層改善され、光感度か更
に高められ、残留電位も一層低減する。このように勾配
分布を設けた場合、その最大含有量も５．０００ｐｐｍ
以下、好適には３００〜３．０００ｐｐｍにすればよい
。

上記第Ｖａ族元素にはＮ、　　Ｐ、　Ａｓ、　Ｓｂ、　
Ｂｉかあるが、就中、Ｐ元素が共存結合性に優れて半導
体特性を敏感に変え得る点で、その上、優れた帯電能並
びに光感度が得られ−る点で望ましい。

ａ−３ｉ層３は長波長光によりキャリアの励起が良好に
行われ、その光感度を高めることができる。

そのためにはその層の厚みは０．０５〜５．０μｍ、好
適には０．１〜３．０μｍの範囲内に設定するのが望ま
しい。

また、このａ−３ｉ層３の光学的エネルギーギャップ（
以下Ｅｇ　ｏｐｔと略す）を１．６〜１．９ｅＶの範囲
内に設定した場合、良好な光導電性が得られ、高い光感
度が得られる。

第２のａ−ＳｉＣ層４については、その元素比率を次の
通りに設定する。

Ｓｔ＋−ｙ　Ｃア ｏ＜ｙ＜ｏ、ｓ 好適には０．０５＜ｙ＜０．４ 最適には０．１　＜ｙ＜０．３ ｙ値が０．５以上の場合には光導電性が著しく低くなり
、光キャリアの励起機能か低下して光感度か低下し、ま
た、残留電位も増加する。

また第２　（７）ａ−ＳｉＣ層４の厚みをｏ、０５〜３
．０μｍ、好適には０．１〜２．５μｍの範囲内に設定
すると、短波長光によるキャリア励起が良好に行われ、
短波長側の光感度を十分に高めることができる。

更にまた第２のａ−ＳｊＣ層４のＥｇ　ｏｐｔはａ−３
ｉ層３に比べて０．　ｌｅＶ以上、望ましくは０．２ｅ
Ｖ以上太き（なるように設定すればよく、これにより、
長波長側の光があまり吸収されないでａ−Ｓｉ層３に到
達する。

また正帯電型電子写真感光体であれば、ａ−Ｓｉ層３及
び／又は第２のａ−ＳｉＣ層４に、それぞれ周期律表第
Ｖａ族元素を５００ｐｐｍ以下、好適には１１００ｐｌ
）以下の範囲内で含有させると更に一層光感度を高める
ことができる。この第Ｖａ族元素にはＮ、　　Ｐ、　Ａ
ｓ、　Ｓｂ、　Ｂｉがあるか、Ｐ元素が共有結合性に優
れて半導体特性を敏感に変え得る点で、その上、優れた
帯電能並びに光感度が得られるという点て望ましい。

更に負帯電型電子写真感光体であれば、ａ−３ｉ層３及
び／又は第２のａ−Ｓｉ０層４に、それぞれ周期律表第
■ａ族元素をｌ〜ｔｏｏｏｐｐｍ以下、好適には３０〜
３００ｐｐｍの範囲内で含有させると更に一層光感度を
高めることができる。この第ＩＩＩａ族元素にはＢ、Ａ
　Ｉ！＋　Ｇａ−Ｉｎなどかあるが、Ｂ元素が共有結合
性に優れて半導体特性を敏感に変え得る点で、その上、
優れた帯電能並びに光感度が得られるという点で望まし
い。

上記３種類の各層２．　３．　４はいずれもアモルファ
ス層であり、そのダングリングボンドに水素（Ｈ）元素
やハロゲン元素を終端させる。それらの元素Ａ　（Ｈま
たはハロゲン）のａ−３ｉ層３や第２のａ−Ｓｉ０層４
における含有量は、それぞれ次のような範囲内に設定す
るとよい。

ａｓｉ＋−ｔＡｇ ａ　　（ＳｔＣ）＋−ｔ　Ａ によりＺ値として表した場合 ０．０５　＜　ｚ　＜０．５ 好適には０．１　　＜ｚ＜０．４５ また本発明電子写真感光体は有機光半導体層５の材料選
択により負帯電型又は正帯電型に対応することができる
。即ち、負帯電型電子写真感光体の場合、有機半導体層
５に電子供与正比合物か選ばれ、一方、正帯電型電子写
真感光体の場合には有機光半導体層５に電子吸引性化合
物が選ばれる。

前記電子吸引性化合物には高分子量のものとしてポリ−
Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニ
ルアントラセン、ピレン−ホルムアルデヒド縮重合体な
どがあり、また、低分子量のものとしてオキサジアゾー
ル、オキサゾール、ピラゾリン、トリフェニルメタン、
ヒドラゾン、トリアリールアミン、Ｎ−フェニルカルバ
ゾール、スチルベンなどがあり、この低分子物質は、ポ
リカーボネート、ポリエステル、メタアクリル樹脂、ポ
リアミド、アクリルエポキシ、ポリエチレン、フェノー
ル、ポリウレタン、ブチラール樹脂、ポリ酢酸ビニル、
ユリア樹脂などのバインダに分散して用いられる。

前記電子吸引性化合物には２．４．７〜トリニトロフル
オレノンなどがある。

基板１には、銅、黄銅、ＳＯＳ、Ａｆ、Ｎｉなとの金属
導電体、或いはガラス、セラミックスなどの絶縁体の表
面に導電性薄膜をコーティングしたものなどがある。

この基板１はシート状、ベルト状もしくはウェブ状可撓
性導電シートでもよい。このようなシートにはｌ、Ｎｉ
１ステンレンスなどの金属シート、或いはポリエステル
フィルム、ナイロン、ポリイミドなどの高分子樹脂の上
にＡＩ、Ｎｉなどの金属もしくは５ｎ０２、インジウム
とスズの複合酸化物：ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　
０ｘｉｄｅ）などの透明導電性材料や有機導電性材料を
蒸着など導電処理したものが用いられる。

更に第２図に示すように保護層６を設けてもよい。この
層６はａ−３ｉ層もしくはａ−３ｉＣ層（その元素比率
を５ｌｌ−ａＣ＠のａ値でＯ≦ａ＜０．９５、好適には
０．５　＜　ａ　＜０．９５の範囲内にする）、或いは
ａ−３ｉ層やａ−３ｉＣ層に窒素や酸素などの元素を含
有させてもよい。このような層を保護層６として設ける
ことにより有機光半導体層が表面に露出している場合よ
りも耐摩耗性が向上する。その上、保護層（６）の表面
が化学的に安定しており、変質が生じないため、長期間
の使用において画像流れが生じない。

更にまた第１のａ−３ｉＣ層２に酸素及び／又は窒素の
元素Ｂをその合計量が下記の通りに含有させると、それ
を含有させない場合に比べて基板１に対する密着力並び
に基板１からのキャリア注入の阻止能が高められる。

（Ｓｉｒ、−＊　Ｃ，）＋−ｂＢｂ ０．０００１＜ｂ　＜０．３ 好適には　０．００１　＜ｂ　＜０．１次に本発明電子
写真感光体の製法を述べる。

第１のａ−３ｉＣ層２、ａ−３ｉ層３及び第２のａ−ｓ
ｉｃ層、並びにａ−３ｉ、　ａ−３ｉＣ及びアモルファ
ス化したＳｉ−Ｃ−Ｎ系元素やＳｉ−Ｃ−０−Ｎ系元素
等から成る保護層６を形成するにはグロー放電分解法、
イオンブレーティング法、反応性スパッタリング法、真
空蒸着法、ＣＶＤ法などの薄膜形成方法がある。

グロー放電分解法を用いてＳｉＣ層を形成する場合、Ｓ
ｉ元素含有ガスとＣ元素含有ガスを組合せ、この混合ガ
スをプラズマ分解して成膜形成する。

このＳｉ元素含有ガスにはＳｉＨａ、　Ｓｉ２Ｈｓ、　
ＳｉｓＨｓ。

ＳｉＦ４．ＳｉＣ１４，ＳｉＨＣ１ｓ等々があり、また
、Ｃ元素含有ガスにはＣＨ４，Ｃ２Ｈ４，Ｃ２Ｈ２，Ｃ
ａＨ８等々があり、就中、Ｃ２Ｈ２は高速成膜性が得ら
れるという点で望ましい。

有機光半導体層は浸漬塗工方法またはコーティング法に
より形成し、前者は感光材が溶媒中に分散した塗工液の
中に浸漬し、次いで一定の速度で引き上げ、そして、自
然乾燥及び熱エージング（約１５０°Ｃ１約１時間）を
行うという方法であり、また、後者のコーティング法に
よれば、コーター（塗機）を用いて溶媒に分散された感
光材を塗布し、次いで熱風乾燥を行う。

かくして本発明の電子写真感光体によれば、キャリア励
起層がａ−３ｉＣ層とａ−３ｉ層とを積層したタンデム
構成であるために、有機光半導体層５側から入射した光
は第２のａ−３ｉＣ層４により主に短波長側の光が吸収
され、次いで、その層４を透過した主に長波長側の光が
ａ−３ｉ層３により吸収され、これにより、ａ−３ｉＣ
層単独の励起層に比べて可視領域全般に亘って光感度が
高められ、残留電位が小さくなる。

また第３図に示す通り、基板上に直接ａ−３ｉ層とａ−
ＳｉＣ層を積層した構成である公知の電子写真感光体Ｒ
であれば、そのａ−３ｉ層により基板からのキャリア注
入を有効に阻止できないため、その注入されたキャリア
により表面電位の暗減衰が速くなり、これに伴って電子
写真プロセスにおける帯電部から現像部までの表面電位
の低下が大きくなる。

また、帯電部での小さな帯電ムラが現像部では大きな表
面電位のムラとなり、従って、画像濃度のムラも大きく
なるため、良好な画像特性が得難いとうい問題点があっ
た。更に、暗減衰が速いと現像部での表面電位の変動か
大きくなりやすく、連続した使用において良好な画質の
画像を安定して得ることか難しくなる。これに対して本
発明の電子写真感光体Ｔであれば、ａ−３ｉ層よりも暗
抵抗が高いことやＥｇ　Ｏｐｔが大きい第１のａ−８ｉ
Ｃ層２を設けており、基板ｌからのキャリア注入を有効
に阻止し、暗減衰を遅くすることが出来るため、前記の
ような問題点を改善することができる。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を述べる。

（例１） 電子写真感光体作製用の容量結合型グロー放電分解装置
を用いて第１表の成膜条件によりＡｆ基板上に第１のａ
−ＳｉＣ層２、ａ−Ｓｉ層３及び第２（７）ａ−３ｉＣ
層４を順次積層した。

次に有機光半導体層５を厚み１５μｍで形成した。

その形成においては、２．４．７−　トリニトロフルオ
レノンを１．４−ジオキサンの溶剤に入れて溶がし、更
にポリエステル樹脂（レフサン−ＬＳ２−１１）を加え
、超音波分散を４０分間行った。これによって得た溶液
をバー・コーターを用いて塗布し、次いで８０″Ｃにて
熱風乾燥を行った。

［以下余白］ かくして得られた正帯電型の電子写真感光体において、
第１のａ−３ｉＣ層のＢ元素含有量を二次イオン質量分
析計により測定したところ、１．０００ｐｐｍであり、
また、各層のカーボン含有比率（Ｘ値及びｙ値）、Ｈ含
有比率（Ｚ値）並びにＰｇ　ｏｐｔをそれぞれＸＪ１！
マイクロアナリシス及び赤外吸収法により並びに可視光
分光器により測定した透過光スペクトルの（αｈν）ｘ
／２対ｈνのプロットにより求めたところ、第１表に示
す通りの結果が得られた。

また本例の電子写真感光体を作製するに当たり、第１の
ａ−３ｉＣ層とａ−３ｉ層を形成せず、第２のａ−３ｉ
Ｃ層のみを形成し、その他を本例と同様に形成して比較
例Ａとした。

更にまた本例の電子写真感光体を作製するに当たり、第
１のａ−３ｉＣ層を形成せず、ａ−３ｉ層と第２のａ−
３ｉＣ層のみを形成し、その他を本例と同様に形成して
比較例Ｂとした。

上記本発明電子写真感光体と比較例Ａの分光感度を測定
したところ、第４図に示す通りの結果か得られた。同図
中横軸は波長てあり、縦軸は光感度であって、各波長で
の光量か０．３μＷ／ｃｍ２である露光に対する表面電
位の変化を光透過型プローブを有する表面電位計を用い
て測定し、表面電位を半減させるのに必要な露光量の逆
数によって求めた。

第４図に示す結果より明らかな通り、本発明は比較例Ａ
に比べて６００ｎｍ以上の長波長側での光感度が高いこ
とが判る。

また比較例Ｂの光感度は本例と同様な分光感度特性が得
られたが、その反面、帯電後の暗中での表面電位の経過
を追ったところ、本例の感光体に比べて表面電位の暗減
衰が速く、帯電も低く、電位ムラも大きいことが判る。

また、本例の感光体と比較例Ｂを３５°Ｃ９５％ＲＨの
環境下に２４時間放置したところ、本例の感光体では何
等変化が認められなかったのに対し、比較例Ｂでは基板
とａ−Ｓｉ層との間で膜の剥離か生じ、膜の密着性に問
題かあることも確かめられた。

更にまた本例の感光体を作製するに当たり、第１のａ−
３ｉＣ層の形成時にＢ２Ｈ，ガスを導入せず、その他は
全く同じ成膜条件に設定し、これにより、Ｂ元素を含有
しない第１のａ−ＳｉＣ層を備えた正帯電型の電子写真
感光体を作製した。

この電子写真感光体の特性評価を行ったところ、分光感
度において６００ｎｍ以上の長波長側での感度が本例１
の感光体とほぼ同等であったが、その反面、本例の感光
体に比べて表面電位の暗減衰が約２０％速く、帯電も低
く、電位ムラも大きかった。

（例２） （例１）と同様の電子写真感光体を作製するに当たり、
８２Ｈ＠ガス流量を変化させ、第１のａ−３ｉＣ層２の
Ｂ元素含有量を変えて、第２表に示すＡ〜Ｊの１０種類
の感光体を作製し、各々の感光体の暗減衰、光感度及び
残留電位を評価した。なお、表中の暗減衰、光感度及び
残留電位で、◎は最も優れた結果か得られた場合であり
、Ｏは幾分優れた結果が得られた場合であり、△はやや
劣る結果が得られた場合である。

第２表 ＊印は本発明の範囲外である。

第２表に示す結果より明らかな通り、感光体Ｂ〜Ｉは暗
減衰、光感度及び残留電位のいずれにおいても優れてい
ることが判る。

（例３） 電子写真感光体作製用の容量結合型グロー放電分解装置
を用いて第３表の成膜条件によりＡｊ７基板上に第１の
ａ−ＳｉＣ層２、ａ−Ｓ　ｉ層３及び第２のａＳｉＣＳ
ｉＣ層４積層した。

次に有機光半導体層５を（例１）と同様に厚み１５μｍ
で形成した。

〔以下余白〕

かくして得られた電子写真感光体において、第１のａ−
３ｉＣ層のＢ元素含有量及びＯ，Ｎ各元素の合計含有量
を二次イオン質量分析計により測定したところ、それぞ
れ１．０００ｐｐｎ＋、４原子％であった。

また本例の電子写真感光体を作製するに当たり、第１の
ａ−３ｉＣ層とａ−３ｉ層を形成せず、第２のａ−３ｉ
Ｃ層のみを形成し、その他を本例と同様に形成して比較
例Ｃとした。

更にまた本例の電子写真感光体を作製するに当たり、第
１のａ−３ｉＣ層を形成せず、ａ−Ｓｉ層と第２のａ−
３ｉＣ層を同様に形成し、その他も本例と同様に形成し
て比較例りとした。

上記本発明電子写真感光体と比較例Ｃの分光感度を測定
したところ、第４図と同様の結果が得られた。

また比較例りの光感度は本例と同様な分光感度特性が得
られたが、その反面、帯電後の暗中での表面電位の経過
を追ったところ、本例の感光体に比べて表面電位の暗減
衰が速く、帯電も低く、電位ムラも大きいことが判る。

また、本例の感光体と比較例りを３５℃９５％ＲＨの環
境下に２４時間放置したところ、本例の感光体では何ら
変化が認められなかったのに対し、比較例りでは基板と
ａ−３ｉ層との間で膜の剥離が生じ、膜の密着性に問題
があることも確かめられた。

更にまた本例の電子写真感光体を作製するに当たり、第
１のａ−ＳｉＣ層の形成時にＢ、Ｈ，ガス及びＮＯガス
を導入せず、その他は全く同じ成膜条件に設定し、これ
により、Ｂ元素、０元素及びＮ元素を合作しない第１の
ａ−３ｉＣ層を備えた正帯電型の電子写真感光体を作製
した。

この電子写真感光体の特性評価を行ったところ、分光感
度において６００ｎｍ以上の長波長側での感度が本例の
感光体とほぼ同等であったが、その反面、本例の感光体
に比べて表面電位の暗減衰が約２５％速く、帯電も低く
、電位ムラも大きかった。

（例４） （例２）と同様の電子写真感光体を作製するに当たり、
Ｂ２Ｈ，ガス流量とＮＯガス流量を変化させ、第１のａ
−３ｉＣ層のＢ元素含有量並びに０元素及びＮ元素の合
計含有量を変えて第４表に示すに−Ｒの８種類の感光体
を作製し、各々の感光体の暗減衰、光感度および残留電
位を評価した。

〔以下余白〕

第４表に示す結果より明らかな通り、感光体Ｌ〜Ｑは暗
減衰、光感度及び残留電位のいずれにおいても優れてい
ることが判る。

（例５） 電子写真感光体作製用の容量結合型グロー放電分解装置
を用いて第５表の成膜条件によりｌ基板上に第１のａ−
ＳｉＣ層２、ａ−３ｉ層３及び第２のａ−Ｓｉ０層４を
順次積層した。

次に有機半導体層５を厚み１５μｍで形成した。

その形成によれば、ヒドラゾンを１．４−ジオキサンの
溶剤に入れて溶かし、更にポリエステル樹脂（レフサン
−ＬＳ２−１１）をヒドラゾンと同重量加え、そして、
超音波分散を４０分間行い、これによって得られる溶液
をバー・コーターを用いて塗布し、次いで８０℃にて熱
風乾燥を行った。

〔以下余白〕

第 表 ＊印は本発明の範囲外である。

かくして得られた正帯電型の電子写真感光体において、
第１のａ−３ｉＣ層のＰ元素含有量及び第２のａ−３ｉ
Ｃ層のＢ元素含有量を二次イオン質量分析計により測定
したところ、それぞれ２．０００ｐｐｍ及び１１００ｐ
ｐであった。

また本例の電子写真感光体を作製するに当たり、第１の
ａ−３ｉＣ層とａ−３ｉ層を形成せず、第２のａＳｉＣ
層のみを形成し、その他を本例と同様に形成して比較例
Ｅとした。

更にまた本例の電子写真感光体を作製するに当たり、第
１のａ−３ｉＣ層を形成せず、ａ−３ｉ層と第２のａ−
３ｉＣ層のみを形成し、その他を本例と同様に形成して
比較例Ｆとした。

上記本発明電子写真感光体と比較例Ｅの分光感度を測定
したところ、第４図に示す通りの結果が得られた。

第４図に示す結果より明らかな通り、本発明は比較例Ｅ
に比べて６００ｎｍ以上の長波長側での光感度が高いこ
とか判る。

また比較例Ｆの光感度は本例と同様な分光感度特性が得
られたが、その反面、帯電後の暗中での表面電位の経過
を追ったところ、本例の感光体に比べて表面電位の暗減
衰か速く、帯電も低く、電位ムラも大きいことが判る。

また、本例の感光体と比較例Ｆを３５°Ｃ９５％ＲＦ（
の環境下に２４時間放置したところ、本例の感光体では
何等変化が認められなかったのに対し、比較例Ｆでは基
板とａ−３ｉ層との間で膜の剥離が生じ、膜の密着性に
問題があることも確かめられた。

更にまた本例の感光体を作製するに当たり、第１のａ−
３ｉＣ層の形成時にＰＨ，ガスを導入せず、その他は全
く同じ成膜条件に設定し、これによりＢ元素を含有しな
い第１０ａ−３ｉＣ層を備えた負帯電型の電子写真感光
体を作製した。

この電子写真感光体の特性評価を行ったところ、分光感
度において６００ｎｍ以上の長波長側での感度が本例の
感光体とほぼ同等であったが、その反面、本例の感光体
に比べて表面電位の暗減衰が約２０％速く、帯電も低く
、電位ムラも大きかった。

（例５）と同様の電子写真感光体を作製するに当たり、
Ｐｉｔガス流量を変化させ、第１のａ−３ｉＣ層２のＰ
元素含有量を変えて、第６表に示すアルコの１０種類の
感光体を作製し、各々の感光体の暗減衰、光感度及び残
量電位を評価した。

〔以下余白〕

第６表 ＊印は本発明の範囲外である。

第６表に示す結果より明らかな通り、感光体ア〜りは暗
減衰、光感度及び残留電位のいずれにおいても優れてい
ることが判る。

（例６） 電子写真感光体作製用の容量結合型グロー放電分解装置
を用いて第７表の成膜条件により、ｌ基板上に第１のａ
−３ｉＣ層２、ａ−３ｉ層３及び第２のａ−３ｉＣ層４
を順次積層した。

次に有機光半導体層５を（例４）と同様に厚み１５μｍ
で形成した。

〔以下余白〕

かくして得られた負帯電型の電子写真感光体において、
第１のａ−３ｉＣ層のＰ元素含有量及び０゜Ｎ各元素の
合計含有量を測定したところ、それぞれ２．０００ｐｐ
ｍ　４原子％であった。

また本例の電子写真感光体を作製するに当たり、第１の
ａ−３ｉＣ層とａ−３ｉ層を形成せず、第２のａＳｉＣ
層のみを形成し、その他を本例と同様に形成して比較例
Ｇとした。

更にまた本例の電子写真感光体を作製するに当たり、第
１のａ−３ｉＣ層を形成せず、ａ−３ｉ層と第２のａ−
ＳｉＣ層を同様に形成し、その他も本例と同様に形成し
て比較例Ｈとした。

上記本発明電子写真感光体と比較例Ｇの分光感度を測定
したところ、第４図と同様の結果が得られた。

また比較例Ｈの光感度は本例と同様な分光感度特性が得
られたが、その反面、帯電後の暗中での表面電位の経過
を追ったところ、本例の感光体に比べて表面電位の暗減
衰が速く、帯電も低く、電位ムラも大きいことが判る。

また、本例の感光体と比較例Ｈを３５℃９５％ＲＨのと
ａ−３ｉ層との間で膜の剥離が生じ、膜の密着性に問題
があることも確かめられた。

更にまた本例の電子写真感光体を作製するに当たり、第
１のａ−３ｉＣ層の形成時にＰＨ２ガス及びＮＯガスを
導入せず、その他は全く同じ成膜条件に設定し、これに
よりＰ元素、０元素及びＮ元素を含有しない第１のａ−
３ｉＣＮを備えた正帯電型の電子写真感光体を作製した
。

この電子写真感光体の特性評価を行ったところ、分光感
度において６００ｎｍ以上の長波長側での感度が本例の
感光体とほぼ同等であったか、その反面、本例の感光体
に比べて表面電位の暗減衰か約２０％速く、帯電も低く
、電位ムラも大きかった。

（例７） （例５）と同様の電子写真感光体を作製するに当たり、
ＰＨ，ガス流量とＮＯガス流量を変化させ、第１のａ−
３ｉＣ層のＰ元素含有量並びに０元素及びＮ元素の合計
含有量を変えて第８表に示すす〜すの１１種類の感光体
を作製し、各々の感光体の暗減衰、光感度および残留電
位を評価した。

〔以下余白〕

第 表 ＊印は本発明の範囲外である。

第８表に示す結果より明らかな通り、感光体ス〜テは暗
減衰、光感度及び残留電位のいずれにおいても優れてい
ることが判る。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明によれば、可視光の全域に亘って高
い光感度が得られ、また、残留電位が小さくなり、しか
も、画像の濃度ムラが少なく、これによって良好な画像
が安定して得られる高性能且つ高信頼性の電子写真感光
体を提供できた。

また本発明の電子写真感光体においては、基板に対する
膜の密着力に優れており、その点でも信頼性を高めてい
る。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明電子写真感光体の層構成を表
す断面図、第３図は表面電位の減衰を説明する線図、第
４図は波長に対する光感度を表す線図である。 ２：第１のアモルファスシリコンカーバイド層３：アモ
ルファスシリコン層 ４：第１のアモルファスシリコンカーバイド層５：有機
光半導体層 ６：保護層

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に原子組成比がＳｉ＿１−＿ｘＣ＿ｘのｘ
   値で０．２＜ｘ＜０．５の範囲にあるとともに周期律表
   第IIIａ族元素を１〜１０，０００ｐｐｍ含有する第１
   のアモルファスシリコンカーバイド層を形成し、該第１
   のアモルファスシリコンカーバイド層の上にアモルファ
   スシリコン層、原子組成比がＳｉ＿１＿−＿ｙＣ＿ｙの
   ｙ値で０＜ｙ＜０．５の範囲にある第２のアモルファス
   シリコンカーバイド層及び有機光半導体層を順次積層し
   たことを特徴とする電子写真感光体。
2. （２）基板上に原子組成比がＳｉ＿１＿−＿ｘＣ＿ｘの
   ｘ値で０．２＜ｘ＜０．５の範囲にあるとともに周期律
   表第Ｖａ族元素を５，０００ｐｐｍ以下含有する第１の
   アモルファスシリコンカーバイド層を形成し、該第１の
   アモルファスシリコンカーバイド層の上にアモルファス
   シリコン層、原子組成比がＳｉ＿１＿−＿ｙＣ＿ｙのｙ
   値で０＜ｙ＜０．５の範囲にある第２のアモルファスシ
   リコンカーバイド層及び有機光半導体層を順次積層した
   ことを特徴とする電子写真感光体。
3. （３）前記第１のアモルファスシリコンカーバイド層に
   酸素及び／又は窒素を０．０１〜３０原子％含有せしめ
   ることを特徴とする請求項（１）または請求項（２）記
   載の電子写真感光体。