JPH0488622A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0488622A JPH0488622A JP2204153A JP20415390A JPH0488622A JP H0488622 A JPH0488622 A JP H0488622A JP 2204153 A JP2204153 A JP 2204153A JP 20415390 A JP20415390 A JP 20415390A JP H0488622 A JPH0488622 A JP H0488622A
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- Japan
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- film
- alignment
- semiconductor device
- light
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔目次］
・ａ要
・産業上の利用分野
・従来の技術（第５図、第６図）
・発明が解決しようとする課題
・！１！題を解決するための手段
・作用
・実施例（第１図〜第４図）
・発明の効果
〔概要〕
半導体装１の製造方法に関し、更に詳しく言えば、半導
体基板上の位置合わせマークによりマスクパターンの位
置合わせを行う工程を含む半導体装置の製造方法に関し
、 光に対して高い反射率を有する膜により位置合わせマー
クが被覆されている場合でも、手間をかけずに容易に位
置合わせを行うことができる半導体装置の製造方法を提
供することを目的とし、アライメントの光に対して高い
反射率を有する第１の襖により被覆された半導体基板上
の凸部からなる位置合わせマークの、該凸部の周辺の第
１の膜を集束イオンビーム（Ｆ Ｉ Ｂ ： Ｆｏｃｕ
ｓｅｄ ｔｏｎＢｅｅｓ ）装置を用いて選択的にエッ
チング・除去した後、前記位置合わせマークにより位置
合わせを行うことを含み構成する。
体基板上の位置合わせマークによりマスクパターンの位
置合わせを行う工程を含む半導体装置の製造方法に関し
、 光に対して高い反射率を有する膜により位置合わせマー
クが被覆されている場合でも、手間をかけずに容易に位
置合わせを行うことができる半導体装置の製造方法を提
供することを目的とし、アライメントの光に対して高い
反射率を有する第１の襖により被覆された半導体基板上
の凸部からなる位置合わせマークの、該凸部の周辺の第
１の膜を集束イオンビーム（Ｆ Ｉ Ｂ ： Ｆｏｃｕ
ｓｅｄ ｔｏｎＢｅｅｓ ）装置を用いて選択的にエッ
チング・除去した後、前記位置合わせマークにより位置
合わせを行うことを含み構成する。
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、更に詳しく言
えば、半導体基板上の位置合わせマークによりマスクパ
ターンの位置合わせを行う工程を含む半導体装置の製造
方法に関する。
えば、半導体基板上の位置合わせマークによりマスクパ
ターンの位置合わせを行う工程を含む半導体装置の製造
方法に関する。
［従来の技術］
半導体装置の高密度化によるパターンの微細化に伴い、
位置合わせ精度の同上が要望されている。
位置合わせ精度の同上が要望されている。
このため、位１合わせマークの微細化や、露光や位置合
わせに用いられる光源の光の短波長化が行われている。
わせに用いられる光源の光の短波長化が行われている。
また、半導体基板上に既に形成されている前層の位置合
わせマークに基づいて位置合わせする場合、マスク上の
位置合わせマークとして集光性に優れたリニアフレネル
ゾーンプレート（ＬＦＺＰ）を用いている。
わせマークに基づいて位置合わせする場合、マスク上の
位置合わせマークとして集光性に優れたリニアフレネル
ゾーンプレート（ＬＦＺＰ）を用いている。
第５図（ａ）〜（ｆ）は、このような従来の位１合わせ
法を説明する断面図である。
法を説明する断面図である。
同図（ａ）は、半導体基板１の素子領域３に形成された
下層配線４上に層間絶縁膜５が形成された後の状態を示
す断面図である。なお、チップ化の際切除するスクライ
ブＳＪ１ｍ７にも層ｒｊＩ絶縁膜５が形成されている。
下層配線４上に層間絶縁膜５が形成された後の状態を示
す断面図である。なお、チップ化の際切除するスクライ
ブＳＪ１ｍ７にも層ｒｊＩ絶縁膜５が形成されている。
また、半導体基板１と下層配線４との間には絶縁のため
の下層絶縁Ｉｌ！２が形成されている。
の下層絶縁Ｉｌ！２が形成されている。
このような半導体基板１を用いてまず、同図（ｂ）に示
すように、下層配線４上の眉間絶縁膜５に開口部６を形
成する。このとき、同時に、スクライブＳ［７に位１合
わせマークとしての５個の方形状の回折格子５ａ〜５ｅ
を同じ層間絶縁膜５を用いて形成する。
すように、下層配線４上の眉間絶縁膜５に開口部６を形
成する。このとき、同時に、スクライブＳ［７に位１合
わせマークとしての５個の方形状の回折格子５ａ〜５ｅ
を同じ層間絶縁膜５を用いて形成する。
次に、同図（ｃ）に示すように、上層配線となるＡｌ膜
８を全面に被覆する。
８を全面に被覆する。
次いで、同図（ｄ）に示すように、レジスト膜９を／Ｉ
Ｍ！８上に形成する。続いて、／ｌ膜８をバターニング
するため、アライメント装置によりマスクｌＯ上のＬＦ
ＺＰを半導体１［１上の前層の位置合わせマークとして
の回折格子５ａ〜５ｅと位置合わせする。
Ｍ！８上に形成する。続いて、／ｌ膜８をバターニング
するため、アライメント装置によりマスクｌＯ上のＬＦ
ＺＰを半導体１［１上の前層の位置合わせマークとして
の回折格子５ａ〜５ｅと位置合わせする。
第６ＦＭ（ａ）は、第５図（ｄ）の平面図で、第５図（
ｄ）は第６図（ａ）のＡ−Ａｉｌ断面図を示す。即ち、
第６図（ａ）に示すように、５個の回折格子５８〜５ｅ
の列に直角の方向にウェハーを振動させながら、アライ
メント用のレーザ光を照射し、５個の回折格子５８〜５
ｅからの重ね合わされた反射光のピーク位置を検出して
スクライブ領域７に形成されている５Ｎの方形状の回折
格子５ａ〜５ｅが丁度マスク１０上のＬＦＺＰ１２の中
心にくるように位置合わセを行う、ＬＦＺＰと回折格子
の位置がずれている場合には、回折反射光のピーク位置
とウェハーの振動中心点（Ｘｏ）とは、第２図（ｂ）に
示す位置関係にある。従って、ΔＸだけウェハーを移動
させれば、回折格子５８〜５ｅの列がＬ Ｆ Ｚ Ｐ
Ｉ ２の中心に位置する。
ｄ）は第６図（ａ）のＡ−Ａｉｌ断面図を示す。即ち、
第６図（ａ）に示すように、５個の回折格子５８〜５ｅ
の列に直角の方向にウェハーを振動させながら、アライ
メント用のレーザ光を照射し、５個の回折格子５８〜５
ｅからの重ね合わされた反射光のピーク位置を検出して
スクライブ領域７に形成されている５Ｎの方形状の回折
格子５ａ〜５ｅが丁度マスク１０上のＬＦＺＰ１２の中
心にくるように位置合わセを行う、ＬＦＺＰと回折格子
の位置がずれている場合には、回折反射光のピーク位置
とウェハーの振動中心点（Ｘｏ）とは、第２図（ｂ）に
示す位置関係にある。従って、ΔＸだけウェハーを移動
させれば、回折格子５８〜５ｅの列がＬ Ｆ Ｚ Ｐ
Ｉ ２の中心に位置する。
このようにして位置合わせが完了した後、第５図（ｅ）
に示すように、レジスト膜９にマスクＩＯ上のパターン
１１を転写する。その後、レジストパターン９ａをマス
クとして通常の方法によりＡｊ２膜８をエツチングして
上層Ａｌ配線８ａが形成される。
に示すように、レジスト膜９にマスクＩＯ上のパターン
１１を転写する。その後、レジストパターン９ａをマス
クとして通常の方法によりＡｊ２膜８をエツチングして
上層Ａｌ配線８ａが形成される。
しかしながら、第５図（ｄ）に示す位置合わせの際、回
折格子５ａ〜５ｅが光に対して高い反射率ををするＡ２
膜８により被覆されているので、回折格子５ａ〜５ｅの
凸状の部分とその周囲の凹部とでは反射光の強度差が少
ない。従って、回折格子５ａ〜５ｅの位置での反射光の
強度のピークの位置の検出が困難になるため、位置合わ
せができないという問題がある。
折格子５ａ〜５ｅが光に対して高い反射率ををするＡ２
膜８により被覆されているので、回折格子５ａ〜５ｅの
凸状の部分とその周囲の凹部とでは反射光の強度差が少
ない。従って、回折格子５ａ〜５ｅの位置での反射光の
強度のピークの位置の検出が困難になるため、位置合わ
せができないという問題がある。
この問題を解決するため、素子領域３をレジスト膜で保
護して、回折格子５ａ〜５ｅ上、及びその周囲のＡ１膜
８を除去すれはよいが、ホト工程やエツチング工程が増
え、手間がかかるという問題がある。
護して、回折格子５ａ〜５ｅ上、及びその周囲のＡ１膜
８を除去すれはよいが、ホト工程やエツチング工程が増
え、手間がかかるという問題がある。
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので
、光に対して高い反射率を有する膜により位置合わせマ
ークが被覆されている場合でも、手間をかけずに容易に
位置合わせを行うことができる半導体装置の製造方法を
提供することを目的とするものである。
、光に対して高い反射率を有する膜により位置合わせマ
ークが被覆されている場合でも、手間をかけずに容易に
位置合わせを行うことができる半導体装置の製造方法を
提供することを目的とするものである。
〔課題を解決するための手段］
上記課題は、第１に、アライメントの光に対して高い反
射率を有する第１の膜により被覆された半導体基板上の
凸部からなる位置合わせマークの該凸部の周辺の第１の
膜をＦ Ｉ Ｂ （Ｆｏｃｕｓｅｄ ＩｏｎＢｅｅｓ
）装置を用いて選択的にエッチング・除去した後、該位
置合わせマークにより位置合わせを行うことを特徴とす
る半導体装置の製造方法によって解決され、 第２に、アライメントの光に対して高い反射率を有する
第１の膜により被覆された半導体基板上の凸部からなる
位置合わせマークの該凸部の周辺の第１の膜の上に前記
光に対して低い反射率を有する第２の膜をＦＩＢ装置を
用いて選択的に形成した後、該位置合わせマークにより
位置合ねせを行うことを特徴とする半導体装置の製造方
法によって解決される。
射率を有する第１の膜により被覆された半導体基板上の
凸部からなる位置合わせマークの該凸部の周辺の第１の
膜をＦ Ｉ Ｂ （Ｆｏｃｕｓｅｄ ＩｏｎＢｅｅｓ
）装置を用いて選択的にエッチング・除去した後、該位
置合わせマークにより位置合わせを行うことを特徴とす
る半導体装置の製造方法によって解決され、 第２に、アライメントの光に対して高い反射率を有する
第１の膜により被覆された半導体基板上の凸部からなる
位置合わせマークの該凸部の周辺の第１の膜の上に前記
光に対して低い反射率を有する第２の膜をＦＩＢ装置を
用いて選択的に形成した後、該位置合わせマークにより
位置合ねせを行うことを特徴とする半導体装置の製造方
法によって解決される。
［作用］
第１及び第２の発明の半導体装１の製造方法によれば、
アライメントの光に対する高反射率膜により被覆された
、凸部からなる位置合わせマークの凸部の周辺の高反射
率膜を除去することにより、又は凸部の周辺の高反射率
膜上に低反射率膜を形成することにより、凸部からの反
射光と凸部の周辺部の反射光との強度差を生じさせるこ
とができる。従って、凸部及びその周辺部からの重ね合
わされた反射光のピーク位置が明瞭に検出できるように
なる。
アライメントの光に対する高反射率膜により被覆された
、凸部からなる位置合わせマークの凸部の周辺の高反射
率膜を除去することにより、又は凸部の周辺の高反射率
膜上に低反射率膜を形成することにより、凸部からの反
射光と凸部の周辺部の反射光との強度差を生じさせるこ
とができる。従って、凸部及びその周辺部からの重ね合
わされた反射光のピーク位置が明瞭に検出できるように
なる。
また、高反射率膜を除去するのに、又は凸部の周辺部の
高反射率膜上に低反射率膜を形成するのにＦＩＢ装置を
用いているので、膜の除去や形成をマスクなしで選択的
に行うことができる。従って、従来の場合と異なりホト
工程が不要となる。
高反射率膜上に低反射率膜を形成するのにＦＩＢ装置を
用いているので、膜の除去や形成をマスクなしで選択的
に行うことができる。従って、従来の場合と異なりホト
工程が不要となる。
これにより、手間をかけずに容易に位置合わせを行うこ
とができる。
とができる。
［実施例］
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。
する。
■第１の発明の実施例
第１図（ａ）〜（ｇ）は、第１の発明の実施例の位置合
わせ方法について説明する断面図である。
わせ方法について説明する断面図である。
同図（ａ）は、Ｓｔ基板１３上の素子領域１４の下層、
＋１配線１６上に眉間絶縁膜としてのＳｉｎｇ膜１７膜
形７された後の状態を示す断面図である。
＋１配線１６上に眉間絶縁膜としてのＳｉｎｇ膜１７膜
形７された後の状態を示す断面図である。
なお、チップ化の際切除されるスクライブ領域１９にも
５ｉＯｚ膜１７が形成されている。また、１５は半導体
基板１３と下層Ａ１配置１６との間に絶縁のために形成
された下層のＳｉ０ｇ膜である。
５ｉＯｚ膜１７が形成されている。また、１５は半導体
基板１３と下層Ａ１配置１６との間に絶縁のために形成
された下層のＳｉ０ｇ膜である。
このような半導体基板１３を用いてまず、同図（ｂ）に
示すように、下層Ａｌ配線１５上のＳｉＯ□膜１７膜間
７部１８を形成する。このとき、同時に、スクライブ領
域１９に位置合わせマークとしての５個の方形状の回折
格子（凸部）１７ａ−１７ｅを同じＳｉＯ□膜１７膜間
７形成する。
示すように、下層Ａｌ配線１５上のＳｉＯ□膜１７膜間
７部１８を形成する。このとき、同時に、スクライブ領
域１９に位置合わせマークとしての５個の方形状の回折
格子（凸部）１７ａ−１７ｅを同じＳｉＯ□膜１７膜間
７形成する。
次に、同図（ｃ）に示すように、上層配線となるＡｌ膜
２０を全面に被覆する。
２０を全面に被覆する。
次いで、同図（ｄ）に示すように、Ａｆｌｌｌｊ２０に
より被覆されたスクライブ領域１９の回折格子１７ａ−
＝１７ｅの間の、＋１膜２０を第４図に示すＦＩＢ装置
を用いてエッチング・除去する。
より被覆されたスクライブ領域１９の回折格子１７ａ−
＝１７ｅの間の、＋１膜２０を第４図に示すＦＩＢ装置
を用いてエッチング・除去する。
即ち、第４図に示すように、ステージ２１上にＳｉ基板
１３を載置する０次いで、イオン照射源２２から発生し
たガリウムイオン（Ｃａ＋）ビーム２３を電磁界を用い
たレンズ系及び偏向系２４により絞り、丁度回折格子１
７ａ〜１７ｅの間にイオンビームが当たるようにＳｉ基
板１３に向かって照射する。そして、イオンの衝撃によ
り物理的に、かつイオンビームの照射部分だけ選択的に
ＡＩＨ２０をエッチング・除去する。この状態を第３図
（ａ）の平面図で、符号２５ａ〜２５ｆが／１２除去跡
を示す。
１３を載置する０次いで、イオン照射源２２から発生し
たガリウムイオン（Ｃａ＋）ビーム２３を電磁界を用い
たレンズ系及び偏向系２４により絞り、丁度回折格子１
７ａ〜１７ｅの間にイオンビームが当たるようにＳｉ基
板１３に向かって照射する。そして、イオンの衝撃によ
り物理的に、かつイオンビームの照射部分だけ選択的に
ＡＩＨ２０をエッチング・除去する。この状態を第３図
（ａ）の平面図で、符号２５ａ〜２５ｆが／１２除去跡
を示す。
次に、第１図（ｅ）に示すように、ＡＮｌ１２０をバタ
ーニングするため、Ｓｉ基板１３上にレジスト膜２６を
形成した後、アライメント装置によりマスク２７上のＬ
ＦＺＰをＳｉ基板１３上の前層の位置合わせマークとし
ての回折格子１７ａ〜１７ｅと位置合わせする。
ーニングするため、Ｓｉ基板１３上にレジスト膜２６を
形成した後、アライメント装置によりマスク２７上のＬ
ＦＺＰをＳｉ基板１３上の前層の位置合わせマークとし
ての回折格子１７ａ〜１７ｅと位置合わせする。
第２図（ａ）は、第１図（ｄ）の平面図で、第１図（ｄ
）は第２図（ａ）のＢ−Ｂ線断ｆ図を示す、即ち、５個
の回折格子１７ａ〜１７ｅの列に直角の方向にウェハー
を振動させながら、アライメント用の波長６３３ｎ−の
Ｈｅ−Ｎｅレーザ光を照射し、５個の回折格子１７ａ〜
１７ｅからの重ね合わされた反射光のピーク位置（ＸＧ
−Δχ）を探す（第２図（ｂ））、この位置からウェハ
ーを−ΔＸだけ移動させればスクライブ領域１９に形成
されている５個の方形状の回折格子１７ａ−１７ｅが丁
度マスク２７上のＬＦＺＰ３４の中心にくることになる
。
）は第２図（ａ）のＢ−Ｂ線断ｆ図を示す、即ち、５個
の回折格子１７ａ〜１７ｅの列に直角の方向にウェハー
を振動させながら、アライメント用の波長６３３ｎ−の
Ｈｅ−Ｎｅレーザ光を照射し、５個の回折格子１７ａ〜
１７ｅからの重ね合わされた反射光のピーク位置（ＸＧ
−Δχ）を探す（第２図（ｂ））、この位置からウェハ
ーを−ΔＸだけ移動させればスクライブ領域１９に形成
されている５個の方形状の回折格子１７ａ−１７ｅが丁
度マスク２７上のＬＦＺＰ３４の中心にくることになる
。
コノとき、回折格子１７ａ 〜１７ｅの間のＡｊ２１１
１１２０が除去されているので、回折格子１７ａ〜１７
ｅからの反射光と、各回折格子１７ａ〜１７ｅの間のＳ
ｉ基板１３からの反射光との強度差を生じさせることが
できる。従って、従来と異なり各回折格子１７ａ〜１７
ｅからの重ね合わされた反射光のピーク位置が明瞭に検
出できるようになる。
１１２０が除去されているので、回折格子１７ａ〜１７
ｅからの反射光と、各回折格子１７ａ〜１７ｅの間のＳ
ｉ基板１３からの反射光との強度差を生じさせることが
できる。従って、従来と異なり各回折格子１７ａ〜１７
ｅからの重ね合わされた反射光のピーク位置が明瞭に検
出できるようになる。
このようにして位置合わせが完了した後、マスク２７上
のマスクパターン２８をレジストＷＡ２６に転写する。
のマスクパターン２８をレジストＷＡ２６に転写する。
その後、レジストパターン２６ａをマスクとして通常の
ドライエツチングによりＡｌｅ２０をエツチングして上
層Ａ１配線２０ａが形成される。
ドライエツチングによりＡｌｅ２０をエツチングして上
層Ａ１配線２０ａが形成される。
以上のように、第１の発明の実施例によれば、Ａｌｌｌ
Ｉ２０を除去するのにＦＩＢ装置を用いているので、Ａ
１膜２０の除去をマスクなしで選択的に行うことができ
る。従って、従来の場合と異なりホト工程が不要となる
。
Ｉ２０を除去するのにＦＩＢ装置を用いているので、Ａ
１膜２０の除去をマスクなしで選択的に行うことができ
る。従って、従来の場合と異なりホト工程が不要となる
。
これにより、手間をかけずに容易に位置合わせを行うこ
とができる。
とができる。
■第２の発明の実施例
第３図（ａ）は、第２の発明の実施例の位１合わせ方法
を含む半導体装置の製造方法について説明する断面図で
ある。
を含む半導体装置の製造方法について説明する断面図で
ある。
第１の発明の実施例と異なるところは、層間絶縁膜とし
てのＳｉＯよ１１！１７からなる回折格子（凸部）１７
ａ〜１７ｅの間のＡｌ膜２０の上にアライメントの光に
対して低い反射率を有するカーボン膜からなる低反射）
！！２５ａ〜２５ｆをＦＩＢ装置により選択的に形成し
ていることである。即ち、ハイドロカーボンガス中に１
！［２０の被覆されたＳｉ基板１３を置いた後、Ｇａ＋
からなるイオンビームをＦＩＢ装置から回折格子１７ａ
ｘ１７ｅの間のＡｉ！１１２０上に照射することにより
、ハイドロカーボンガスに化学的な反応を起こさせてイ
オンビームの照射された部分にのみカーボン１！２５ａ
〜２５ｆを形成する。
てのＳｉＯよ１１！１７からなる回折格子（凸部）１７
ａ〜１７ｅの間のＡｌ膜２０の上にアライメントの光に
対して低い反射率を有するカーボン膜からなる低反射）
！！２５ａ〜２５ｆをＦＩＢ装置により選択的に形成し
ていることである。即ち、ハイドロカーボンガス中に１
！［２０の被覆されたＳｉ基板１３を置いた後、Ｇａ＋
からなるイオンビームをＦＩＢ装置から回折格子１７ａ
ｘ１７ｅの間のＡｉ！１１２０上に照射することにより
、ハイドロカーボンガスに化学的な反応を起こさせてイ
オンビームの照射された部分にのみカーボン１！２５ａ
〜２５ｆを形成する。
その後、第１の発明の実施例と同様なアライメント装置
による位置合わせを行った後、第１の発明の実施例と同
様な工程を経て上層Ａｌ配線が形成される。
による位置合わせを行った後、第１の発明の実施例と同
様な工程を経て上層Ａｌ配線が形成される。
以上のように、第２の発明の実施例によれば、Ａｆ膜２
０により被覆された５個の回折格子１７ａ〜１７ｅの間
のＡｌｅ、２０上にアライメント光に対して低反射率を
有す名カーボンＷ２５ａ〜２５ｆを形成しているので、
位置合わせの際、第１の発明の実施例の場合と同様に回
折格子１７ａ−１７ｅからの反射光と該回折格子ｆ７ａ
−１７ｅの間の反射光との強度差を往じさせることがで
きる。従って、各回折格子１７ａ〜１７ｅからの重ね合
わされた反射光のピーク位置が明瞭に検出できるように
なる。
０により被覆された５個の回折格子１７ａ〜１７ｅの間
のＡｌｅ、２０上にアライメント光に対して低反射率を
有す名カーボンＷ２５ａ〜２５ｆを形成しているので、
位置合わせの際、第１の発明の実施例の場合と同様に回
折格子１７ａ−１７ｅからの反射光と該回折格子ｆ７ａ
−１７ｅの間の反射光との強度差を往じさせることがで
きる。従って、各回折格子１７ａ〜１７ｅからの重ね合
わされた反射光のピーク位置が明瞭に検出できるように
なる。
また、各回折格子１７ａ 〜１７ｅの間の／１＃２０上
に低反射率を有するカーボン１１２５ａ〜２５ｆを形成
するのにＦＥＢ装置を用いているので、カーボンｌ１２
５ａ〜２５ｒの形成をマスクなしで選択的に行うことが
できる。従って、従来の場合と異なりホト工程が不要と
なる。
に低反射率を有するカーボン１１２５ａ〜２５ｆを形成
するのにＦＥＢ装置を用いているので、カーボンｌ１２
５ａ〜２５ｒの形成をマスクなしで選択的に行うことが
できる。従って、従来の場合と異なりホト工程が不要と
なる。
これにより、手間をかけずに容易に位置合ゎせを行うこ
とができる。
とができる。
なお、第１及び第２の発明の実施例においては回折格子
１７ａ〜１７ｅとして第３図（ａ）に示すように、方形
状のものを５個形成し、Ａｌ除去跡又は低反射！Ｉ２５
ａ 〜２５ ｆを各回折格子１７ａ−１７ｅの間に形
成しているが、第３図（ｂ）に示すように、−列に並ん
だ５個の回折格子２９ａ〜２９ｅの列の前後にＡ１除去
跡又は低反射）［３０ａ 、 ３０ｂを形成することも
できる。また、同図（ｃ）に示すように、１個の横に長
い回折格子３２の長手方間に沿う両側にＡ１除去跡又は
低反射膜３３ａ、３３ｂを形成してもよい、更に、任意
の個数の回折格子を位置合わせが可能なように適当な配
列で形成し、その周辺部にＡ１除去跡又は低反射膜を形
成してもよい。
１７ａ〜１７ｅとして第３図（ａ）に示すように、方形
状のものを５個形成し、Ａｌ除去跡又は低反射！Ｉ２５
ａ 〜２５ ｆを各回折格子１７ａ−１７ｅの間に形
成しているが、第３図（ｂ）に示すように、−列に並ん
だ５個の回折格子２９ａ〜２９ｅの列の前後にＡ１除去
跡又は低反射）［３０ａ 、 ３０ｂを形成することも
できる。また、同図（ｃ）に示すように、１個の横に長
い回折格子３２の長手方間に沿う両側にＡ１除去跡又は
低反射膜３３ａ、３３ｂを形成してもよい、更に、任意
の個数の回折格子を位置合わせが可能なように適当な配
列で形成し、その周辺部にＡ１除去跡又は低反射膜を形
成してもよい。
以上のように、第１及び第２の発明の半導体装置の製造
方法によれば、光に対する高反射率膜により被覆された
凸部からなる位置合わせマークの凸部の周辺部の高反射
率膜を除去することにより、又は凸部の側辺部の高反射
率膜上に低反射率膜を形成することにより、アライメン
トの際凸部からの反射光のピーク位置が明瞭に検出でき
るようになる。
方法によれば、光に対する高反射率膜により被覆された
凸部からなる位置合わせマークの凸部の周辺部の高反射
率膜を除去することにより、又は凸部の側辺部の高反射
率膜上に低反射率膜を形成することにより、アライメン
トの際凸部からの反射光のピーク位置が明瞭に検出でき
るようになる。
また、高反射率膜を除去するのに、又は凸部の周辺部の
高反射率膜上に低反射率膜を形成するのにＦＩＢ装置を
用いているので、膜の除去や形成をマスクなしで選択的
に行うことができる。従って、従来の場合と異なりホト
工程が不要となる。
高反射率膜上に低反射率膜を形成するのにＦＩＢ装置を
用いているので、膜の除去や形成をマスクなしで選択的
に行うことができる。従って、従来の場合と異なりホト
工程が不要となる。
これにより、手間をかけずに容易に位１合わせを行うこ
とができる。
とができる。
第１図は、第１の発明の実施例の半導体装置の製造方法
について説明する断面図、 第２図は、第Ｉ及び第２の発明の実施例に係る位置合わ
せ方法について説明する図、 第３図は、第１及び第２の発明の実施例に係る位置合わ
せマークを説明する平面図、 第４図は、集束イオンビーム（ＦＩＢ）装ｆｆの構成図
、 第５図は、従来例の半導体装置の製造方法について説明
する断面図、 第６図は、従来例に係る位置合わせ方法について説明す
る図である。 〔符号の説明］ １・・・半導体基板、 ２・・・下層絶縁膜、 ３．１４・・・素子領域、 ４・・・下層配線、 ５・・・層間絶縁膜、 ５ａ〜５ｅ・・・回折格子、 ６、工８・・・開口部、 ７・・・スクライブ領域、 ８．２０・・・Ａ１膜、 ８ ａ 、 ２０ａ−・・上層Ａｆ＆！線、９．２６−
・・レジスト膜、 ９ａ、２６ａ・・・レジストパターン、１０．２７−・
・マスク、 １１．２８・・・マスクパターン、 １２ ３４・ ＬＦＺＰ、 １３・・・Ｓｔ基板（半導体基＠）、 １５．１７・・・ＳｉＯ□膜、 １７ａ＝１７ｅ、 ２９ａ〜２９ｅ、 ３２−＝回折
格子（凸部）、１９・・・開口部、 ２１・・・ステージ、 ２２・・・イオン照射源、 ２３・・・イオンビーム、 ２４・・・レンズ系及び偏向系、 ２５ａ〜２５「・・・Ａｌ除去跡又は低反射膜（カーボ
ン膜）、 ３０ａ、３０ｂ、３３ａ、３３ｂ−Ａｌ除去跡又は低反
射膜、
について説明する断面図、 第２図は、第Ｉ及び第２の発明の実施例に係る位置合わ
せ方法について説明する図、 第３図は、第１及び第２の発明の実施例に係る位置合わ
せマークを説明する平面図、 第４図は、集束イオンビーム（ＦＩＢ）装ｆｆの構成図
、 第５図は、従来例の半導体装置の製造方法について説明
する断面図、 第６図は、従来例に係る位置合わせ方法について説明す
る図である。 〔符号の説明］ １・・・半導体基板、 ２・・・下層絶縁膜、 ３．１４・・・素子領域、 ４・・・下層配線、 ５・・・層間絶縁膜、 ５ａ〜５ｅ・・・回折格子、 ６、工８・・・開口部、 ７・・・スクライブ領域、 ８．２０・・・Ａ１膜、 ８ ａ 、 ２０ａ−・・上層Ａｆ＆！線、９．２６−
・・レジスト膜、 ９ａ、２６ａ・・・レジストパターン、１０．２７−・
・マスク、 １１．２８・・・マスクパターン、 １２ ３４・ ＬＦＺＰ、 １３・・・Ｓｔ基板（半導体基＠）、 １５．１７・・・ＳｉＯ□膜、 １７ａ＝１７ｅ、 ２９ａ〜２９ｅ、 ３２−＝回折
格子（凸部）、１９・・・開口部、 ２１・・・ステージ、 ２２・・・イオン照射源、 ２３・・・イオンビーム、 ２４・・・レンズ系及び偏向系、 ２５ａ〜２５「・・・Ａｌ除去跡又は低反射膜（カーボ
ン膜）、 ３０ａ、３０ｂ、３３ａ、３３ｂ−Ａｌ除去跡又は低反
射膜、
Claims (2)
- （１）アライメントの光に対して高い反射率を有する第
１の膜により被覆された半導体基板上の凸部からなる位
置合わせマークの、該凸部の周辺の第１の膜を集束イオ
ンビーム（ＦＩＢ：Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅｅｍ
）装置を用いて選択的にエッチング・除去した後、前記
位置合わせマークにより位置合わせを行うことを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - （２）アライメントの光に対して高い反射率を有する第
１の膜により被覆された半導体基板上の凸部からなる位
置合わせマークの、該凸部の周辺の第１の膜の上に前記
光に対して低い反射率を有する第２の膜をＦＩＢ装置を
用いて選択的に形成した後、前記位置合わせマークによ
り位置合わせを行うことを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2204153A JPH0488622A (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2204153A JPH0488622A (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0488622A true JPH0488622A (ja) | 1992-03-23 |
Family
ID=16485716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2204153A Pending JPH0488622A (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0488622A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100660893B1 (ko) * | 2005-11-22 | 2006-12-26 | 삼성전자주식회사 | 정렬 마크막을 구비하는 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| CN108630660A (zh) * | 2017-03-22 | 2018-10-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构及其形成方法 |
-
1990
- 1990-08-01 JP JP2204153A patent/JPH0488622A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100660893B1 (ko) * | 2005-11-22 | 2006-12-26 | 삼성전자주식회사 | 정렬 마크막을 구비하는 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| CN108630660A (zh) * | 2017-03-22 | 2018-10-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构及其形成方法 |
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