JPH0489303A - オゾン発生装置 - Google Patents
オゾン発生装置Info
- Publication number
- JPH0489303A JPH0489303A JP19978790A JP19978790A JPH0489303A JP H0489303 A JPH0489303 A JP H0489303A JP 19978790 A JP19978790 A JP 19978790A JP 19978790 A JP19978790 A JP 19978790A JP H0489303 A JPH0489303 A JP H0489303A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ozone
- gasket
- discharge
- discharge gap
- ozone generator
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- Pending
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- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、高濃度オゾンを製造するオゾン発生装置の
改良に係り、放電空間を形成する放電セルのシリコンガ
スケットに耐摩耗性膜を成膜して、シール効果を改善向
上させ、さらに耐オゾン性にすぐれた渦巻状ガスケット
を用いて放電空間中心の出口へ高濃度オゾンを導出し、
外周部のシリコンガスケットには低濃度オゾンのみ接触
させてシールの劣化を防止したオゾン発生装置に関する
。
改良に係り、放電空間を形成する放電セルのシリコンガ
スケットに耐摩耗性膜を成膜して、シール効果を改善向
上させ、さらに耐オゾン性にすぐれた渦巻状ガスケット
を用いて放電空間中心の出口へ高濃度オゾンを導出し、
外周部のシリコンガスケットには低濃度オゾンのみ接触
させてシールの劣化を防止したオゾン発生装置に関する
。
従来の技術
オゾン発生装置の利用分野として、従来からのし尿処理
設備や下水処理設備に用いたりする用途の外、最近、冷
蔵庫や室内の殺菌、防臭に用いたり、特にオゾンの酸化
力を利用した半導体製造装置を始め、化学、医薬品工場
での酸化剤及び殺菌剤として用いるなど、酸化処理プロ
セスへの適用が注目されている。
設備や下水処理設備に用いたりする用途の外、最近、冷
蔵庫や室内の殺菌、防臭に用いたり、特にオゾンの酸化
力を利用した半導体製造装置を始め、化学、医薬品工場
での酸化剤及び殺菌剤として用いるなど、酸化処理プロ
セスへの適用が注目されている。
−船釣なオゾン発生装置には、空気または酸素を原料と
して、対向配置される電極間に誘電体を挿入配置し、高
電圧を電極間に印加し、放電空隙に酸素を含むガスを通
すことにより、オゾンを大量に発生させる無声放電法が
用いられている。
して、対向配置される電極間に誘電体を挿入配置し、高
電圧を電極間に印加し、放電空隙に酸素を含むガスを通
すことにより、オゾンを大量に発生させる無声放電法が
用いられている。
特公昭５１−６１１０号公報、特公昭４６−４２７４８
号公報等に提案されている管型オゾン発生装置の場合は
、筒状チューブの高圧電極を被包する如く、ガラスチュ
ーブ誘電体を配置し、所要の放電空隙を介してステンレ
ス製の筒状水冷接地電極を配置した構成からなり、放電
空隙に空気または酸素を通してオゾンを得るもので、前
記接地電極は二重管で水などの冷媒が挿通した構成から
なる。
号公報等に提案されている管型オゾン発生装置の場合は
、筒状チューブの高圧電極を被包する如く、ガラスチュ
ーブ誘電体を配置し、所要の放電空隙を介してステンレ
ス製の筒状水冷接地電極を配置した構成からなり、放電
空隙に空気または酸素を通してオゾンを得るもので、前
記接地電極は二重管で水などの冷媒が挿通した構成から
なる。
また、プレート型オゾン発生装置は、第３図に示す如く
、電極平面に誘電体（１２）を積層した高圧電極（１０
）及び接地電極（１１）からなる一対の放電セルを、絶
縁材セパレータ（１３）を介して対向配置し、さらにそ
の周囲にシリコンゴム製のシリコンガスケット（１８）
を配置し、シリコン系接着剤を用いて一体化して放電空
隙（１４）を形成した構成からなる。この放電空隙（１
４）内に、図示の如く対角線方向に一方孔より空気また
は酸素を導入して、無声放電させて他方孔よりオゾンを
得る。
、電極平面に誘電体（１２）を積層した高圧電極（１０
）及び接地電極（１１）からなる一対の放電セルを、絶
縁材セパレータ（１３）を介して対向配置し、さらにそ
の周囲にシリコンゴム製のシリコンガスケット（１８）
を配置し、シリコン系接着剤を用いて一体化して放電空
隙（１４）を形成した構成からなる。この放電空隙（１
４）内に、図示の如く対角線方向に一方孔より空気また
は酸素を導入して、無声放電させて他方孔よりオゾンを
得る。
プレート型オゾン発生装置として他に、特公昭４５−２
２９３０号公報、特公昭５１−６１１１号公報、特開昭
５０−１４８２９０号公報、実開昭６０−１２５４８５
号公報等が提案されている。
２９３０号公報、特公昭５１−６１１１号公報、特開昭
５０−１４８２９０号公報、実開昭６０−１２５４８５
号公報等が提案されている。
発明が解決しようとする課題
第３図に示すプレート型オゾン発生装置は、放電セルの
外面に放熱器（１５）を設けているが、他にプレートフ
ィン型の熱交換器（特開開号）を設けることにより、非
常に高濃度のオゾンを大量に発生させることができる。
外面に放熱器（１５）を設けているが、他にプレートフ
ィン型の熱交換器（特開開号）を設けることにより、非
常に高濃度のオゾンを大量に発生させることができる。
また、プレート型オゾン発生装置は、放電空隙（１４）
を形成するため一対の放電セルの対向面周囲にシリコン
ガスケット（１８）を配置するが、かがるシリコンガス
ケット（１８）は常時高濃度のオゾンに晒されるため、
その劣化が進み易く、シール性能が低下することがあり
、オゾン発生装置としての信頼性、安定性に問題を残し
ていた。
を形成するため一対の放電セルの対向面周囲にシリコン
ガスケット（１８）を配置するが、かがるシリコンガス
ケット（１８）は常時高濃度のオゾンに晒されるため、
その劣化が進み易く、シール性能が低下することがあり
、オゾン発生装置としての信頼性、安定性に問題を残し
ていた。
この発明は、プレート型オゾン発生装置の上記問題点に
鑑み、シリコンガスケットのシール効果を改善向上させ
、長期間安定してオゾン発生が可能な構成からなるオゾ
ン発生装置の提供を目的としている。
鑑み、シリコンガスケットのシール効果を改善向上させ
、長期間安定してオゾン発生が可能な構成からなるオゾ
ン発生装置の提供を目的としている。
課題を解決するための手段
この発明は、
一対の放電セルを対向配置し、少なくとも放電セルの対
向外周部にガスケットを配置して放電空隙を形成したオ
ゾン発生装置において、 放電空隙内に面したガスケットの各表面に、耐オゾン性
材料を被膜したことを特徴とするオゾン発生装置である
。
向外周部にガスケットを配置して放電空隙を形成したオ
ゾン発生装置において、 放電空隙内に面したガスケットの各表面に、耐オゾン性
材料を被膜したことを特徴とするオゾン発生装置である
。
また、この発明は、
一対の放電セルを対向配置し、少なくとも放電セルの対
向外周部にガスケットを配置して放電空隙を形成したオ
ゾン発生装置において、 放電空隙内に渦巻状ガスケットを配置して、渦巻の始端
側に原料ガス入口ならびに渦巻中心側にオゾン出口を設
け、発生したオゾンを渦巻状ガスケットにそってオゾン
出口へ導出可能としたことを特徴とするオゾン発生装置
である。
向外周部にガスケットを配置して放電空隙を形成したオ
ゾン発生装置において、 放電空隙内に渦巻状ガスケットを配置して、渦巻の始端
側に原料ガス入口ならびに渦巻中心側にオゾン出口を設
け、発生したオゾンを渦巻状ガスケットにそってオゾン
出口へ導出可能としたことを特徴とするオゾン発生装置
である。
作用
この発明は、放電セルのシリコンガスケットのシール効
果を改善向上させるべく種々検討した結果、シリコンガ
スケットにガラス、セラミックスなどの耐摩耗性膜など
の耐オゾン性材料を成膜して、耐オゾン性を向上させる
ことにより、シールの劣化を防止できること、さらに耐
オゾン性にすぐれた渦巻状ガスケットを用いて高濃度オ
ゾンを渦巻中心側に配置した出口へ導出することにより
、外周部のシリコンガスケットには低濃度オゾンのみ接
触するため、シールの劣化を防止でき、安定したオゾン
発生が可能なことを知見したものである。
果を改善向上させるべく種々検討した結果、シリコンガ
スケットにガラス、セラミックスなどの耐摩耗性膜など
の耐オゾン性材料を成膜して、耐オゾン性を向上させる
ことにより、シールの劣化を防止できること、さらに耐
オゾン性にすぐれた渦巻状ガスケットを用いて高濃度オ
ゾンを渦巻中心側に配置した出口へ導出することにより
、外周部のシリコンガスケットには低濃度オゾンのみ接
触するため、シールの劣化を防止でき、安定したオゾン
発生が可能なことを知見したものである。
この発明において、シリコンラバーなどからなるガスケ
ットに成膜する耐オゾン性材料は、ガラス、セラミック
ス、フッ素樹脂などを用いることができ、成膜方法は材
料に応じて、塗布、焼成、焼付、気相成長法、常圧ＣＶ
Ｄ、溶射などの湿式、乾式、化学式、物理式の種々の成
膜方法が利用できる。
ットに成膜する耐オゾン性材料は、ガラス、セラミック
ス、フッ素樹脂などを用いることができ、成膜方法は材
料に応じて、塗布、焼成、焼付、気相成長法、常圧ＣＶ
Ｄ、溶射などの湿式、乾式、化学式、物理式の種々の成
膜方法が利用できる。
さらに、ガスケットに成膜する耐オゾン性材料は、放電
空隙内に面したガスケット表面のみならず、ガスケット
と放電セルとの間の接着部などのガスケット表面近傍に
も被膜することが望ましい。
空隙内に面したガスケット表面のみならず、ガスケット
と放電セルとの間の接着部などのガスケット表面近傍に
も被膜することが望ましい。
また、この発明において、放電空隙内に配置する渦巻状
ガスケットは、放電空隙外周部のシリコンガスケットに
高濃度オゾンが接触しないように、所要位置に設けた出
口から高濃度オゾンを導出できるように配置できれば、
どのような形状、構成でもよく、ガスケット材料もシリ
コンラバーに上記耐オゾン性材料被膜を設けたもののほ
が、ガラス、マイカなど耐オゾン性にすぐれた公知の材
料を用いることができる。
ガスケットは、放電空隙外周部のシリコンガスケットに
高濃度オゾンが接触しないように、所要位置に設けた出
口から高濃度オゾンを導出できるように配置できれば、
どのような形状、構成でもよく、ガスケット材料もシリ
コンラバーに上記耐オゾン性材料被膜を設けたもののほ
が、ガラス、マイカなど耐オゾン性にすぐれた公知の材
料を用いることができる。
実施例
実施例１
第１図ａ、ｂに示すこの発明によるオゾン発生装置は、
第３図の従来のオゾン発生装置と同等構成であり、電極
（ＩＯＸＩＩ）平面に誘電体（１２）を積層した一対の
放電セル（ＩＸ２）を、その周囲と中心にシリコンガス
ケット（１８Ｘ１８ａ）を介して対向配置し、接着剤を
用いて一体化して放電空隙（１４）を形成した構成から
なる。
第３図の従来のオゾン発生装置と同等構成であり、電極
（ＩＯＸＩＩ）平面に誘電体（１２）を積層した一対の
放電セル（ＩＸ２）を、その周囲と中心にシリコンガス
ケット（１８Ｘ１８ａ）を介して対向配置し、接着剤を
用いて一体化して放電空隙（１４）を形成した構成から
なる。
図示の如く、放電空隙（１４）内に面したシリコンガス
ケット（１８）の各表面およびその近傍に、ガラス製の
耐オゾン性被膜（３）を設けである。
ケット（１８）の各表面およびその近傍に、ガラス製の
耐オゾン性被膜（３）を設けである。
所要電圧が印加された放電空隙（１４）内に原料ガスが
導入され、無声放電にてオゾンが発生した際、シリコン
ガスケット（１８）の耐オゾン性被膜（３）により、高
濃度オゾンの発生接触に際してシール性能の低下が防止
され、長期間安定して高濃度オゾンの発生が可能になる
。
導入され、無声放電にてオゾンが発生した際、シリコン
ガスケット（１８）の耐オゾン性被膜（３）により、高
濃度オゾンの発生接触に際してシール性能の低下が防止
され、長期間安定して高濃度オゾンの発生が可能になる
。
実施例２
第２図に示すこの発明によるオゾン発生装置は、一対の
放電セル（ＩＸ２）を、その周囲にシリコンガスケット
（１８）を介して対向配置し、これを一体化して放電空
隙（１４）を形成した構成からなる。
放電セル（ＩＸ２）を、その周囲にシリコンガスケット
（１８）を介して対向配置し、これを一体化して放電空
隙（１４）を形成した構成からなる。
この一体化に際して、放電空隙（１４）内に空隙高さ寸
法を有した薄肉ガラス製の渦巻状ガスケット（４）を挿
入配置し、また、渦巻の始端部に原料ガス導入口（１６
ａ）を配置し、渦巻の中心部にはオゾン出口（１７ａ）
を設けである。
法を有した薄肉ガラス製の渦巻状ガスケット（４）を挿
入配置し、また、渦巻の始端部に原料ガス導入口（１６
ａ）を配置し、渦巻の中心部にはオゾン出口（１７ａ）
を設けである。
さらに、実施例１と同様に、放電空隙（１４）内に面し
たシリコンガスケット（１８）の各表面およびその近傍
に、ガラス製の耐オゾン性被膜（３）を設けである。
たシリコンガスケット（１８）の各表面およびその近傍
に、ガラス製の耐オゾン性被膜（３）を設けである。
所要電圧が印加された放電空隙（１４）内に原料ガスが
導入されると、ガスは渦巻中心部のオゾン出口（１７ａ
）へと渦巻状ガスケット（４）内の通路を流れてゆくが
、このとき無声放電によりオゾン濃度が次第に高まり、
オゾン出口（１７ａ）へと導出される。
導入されると、ガスは渦巻中心部のオゾン出口（１７ａ
）へと渦巻状ガスケット（４）内の通路を流れてゆくが
、このとき無声放電によりオゾン濃度が次第に高まり、
オゾン出口（１７ａ）へと導出される。
従って、渦巻状ガスケット（４）により、シリコンガス
ケット（１８）の内周面には、低濃度のオゾンのみが接
触し、比較的高濃度のオゾンは渦巻状ガスケット（４）
内の通路を流れるため、前述した耐オゾン性被膜（３）
の効果と相まって、シリコンガスケット（１８）のシー
ル性能の低下が極めて少なくなり、長期間安定して高濃
度オゾンの発生が可能になる。
ケット（１８）の内周面には、低濃度のオゾンのみが接
触し、比較的高濃度のオゾンは渦巻状ガスケット（４）
内の通路を流れるため、前述した耐オゾン性被膜（３）
の効果と相まって、シリコンガスケット（１８）のシー
ル性能の低下が極めて少なくなり、長期間安定して高濃
度オゾンの発生が可能になる。
発明の効果
この発明によるオゾン発生装置は、耐オゾン性被膜ある
いはさらに渦巻状ガスケットを用いることにより、シリ
コンガスケットのシール性能の低下が防止され、長期間
安定して高濃度オゾンの発生が可能になる。
いはさらに渦巻状ガスケットを用いることにより、シリ
コンガスケットのシール性能の低下が防止され、長期間
安定して高濃度オゾンの発生が可能になる。
第１図はこの発明によるオゾン発生装置の説明図であり
、同ａ図は横断上面図、同す図は縦断要部正面図である
。第２図はこの発明による他のオゾン発生装置の横断上
面説明図である。 第３図は従来のオゾン発生装置の説明図であり、同ａ図
は側面図であり、同す図は横断上面図である。 １．２・・・放電セル、３・・・耐オゾン性被膜、４・
・・渦巻状ガスケット、１０・・・高圧電極、１２・・
・誘電体、１４・・・放電空隙、１１・・・接地電極、
１３・・・絶縁体セパレータ、１５・・・ヒートシンク
、１６・・・導入管、 １６ａ・・・原料ガス導入口、 １７・・・導出管、 １７ａ・・・オゾン出口、 １８．１８ａ・・・シリコンガスケット。 ７Ｇ ６ａ 第１図 （ｂ） 第３図 （ｂ）
、同ａ図は横断上面図、同す図は縦断要部正面図である
。第２図はこの発明による他のオゾン発生装置の横断上
面説明図である。 第３図は従来のオゾン発生装置の説明図であり、同ａ図
は側面図であり、同す図は横断上面図である。 １．２・・・放電セル、３・・・耐オゾン性被膜、４・
・・渦巻状ガスケット、１０・・・高圧電極、１２・・
・誘電体、１４・・・放電空隙、１１・・・接地電極、
１３・・・絶縁体セパレータ、１５・・・ヒートシンク
、１６・・・導入管、 １６ａ・・・原料ガス導入口、 １７・・・導出管、 １７ａ・・・オゾン出口、 １８．１８ａ・・・シリコンガスケット。 ７Ｇ ６ａ 第１図 （ｂ） 第３図 （ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一対の放電セルを対向配置し、少なくとも放電セルの対
向外周部にガスケットを配置して放電空隙を形成したオ
ゾン発生装置において、 放電空隙内に面したガスケットの各表面に、耐オゾン性
材料を被膜したことを特徴とするオゾン発生装置。 ２ 一対の放電セルを対向配置し、少なくとも放電セルの対
向外周部にガスケットを配置して放電空隙を形成したオ
ゾン発生装置において、 放電空隙内に渦巻状ガスケットを配置して、渦巻の始端
側に原料ガス入口ならびに渦巻中心側にオゾン出口を設
け、発生したオゾンを渦巻状ガスケットにそってオゾン
出口へ導出可能としたことを特徴とするオゾン発生装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19978790A JPH0489303A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | オゾン発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19978790A JPH0489303A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | オゾン発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0489303A true JPH0489303A (ja) | 1992-03-23 |
Family
ID=16413606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19978790A Pending JPH0489303A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | オゾン発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0489303A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06247703A (ja) * | 1993-02-24 | 1994-09-06 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | オゾン発生装置 |
| US5417936A (en) * | 1992-06-08 | 1995-05-23 | Nippon Ozone Co., Ltd. | Plate-type ozone generator |
-
1990
- 1990-07-27 JP JP19978790A patent/JPH0489303A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5417936A (en) * | 1992-06-08 | 1995-05-23 | Nippon Ozone Co., Ltd. | Plate-type ozone generator |
| JPH06247703A (ja) * | 1993-02-24 | 1994-09-06 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | オゾン発生装置 |
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