JPH048958B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は導体金属の無電解付着に備えて誘電性
の基板を準備すべく該基板の少くとも１つの主表
面に対して活性化（seeding）を行う技術に関す
る。本発明は特に印刷回路カード及びボードの製
造に適している。

〔従来技術〕

印刷回路カード及びボードの製造に於いて、誘
電性シート材を基板として用いる。基板の主表面
の一方もしくは両方に導電性回路パターンを形成
する。

導電パターンは多種の公知技術を用いて基板表
面上に形成しうる。これらの公知技術としては、
所望の回路パターンを形成するために銅層をエツ
チングするいわゆるサブトラクテイブ法、所望の
パターン状に基板の表面に直接銅を無電界的にメ
ツキするEDB（electroless direct bond）法並び
に所望の回路パターンを剥離（peel−apart）銅
の薄層から付着する剥離法等がある。

EDB法の場合、基板の表面に直接にメツキす
る事が必要である。

誘電性基板は非導電性であるので、基板にメツ
キするためには基板への金属の付着を行なう前に
基板を活性化処理即ち触媒処理しなければならな
い。活性化層は基板を被覆するだけでなく、開孔
部すなわちバイアの壁部も被覆する。

更に、基板にパターン状の金属表面を形成する
ために、活性化層の上にフオトレジストを塗布す
る。

レジストは例えば表面にレジストのドライ・フ
イルムを積層する事によつて施す事ができる。レ
ジスト材の層を紫外光法、電子ビーム法もしくは
Ｘ線法の様な公知の技術によつて所望のパターン
をうる様に選択的に露光する。続いて適当な液体
でエツチングするか分解する事によつて、ポジ・
レジストの場合には露光部分を、ネガ・レジスト
の場合には非露光部分を除去する。次に、表面を
金属メツキする。金属はパターン状のレジスト材
で保護されない表面上の領域に付着させる。適当
な厚さの金属が付着されると、レジストは除去さ
れ、後にパターン状の金属表面が出来上がる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

レジスト層の下に活性化層が存在する事によつ
てレジストの接着力が低下しうる。この事は、メ
ツキ浴内に比較的長時間浸漬する無電解メツキ法
にとつては重要な事である。基板に対するレジス
トの付着力が低下する事によつて、不適当なメツ
キ線が生じうるからである。

例えば、線に於ける切れ目及びメツキの欠け部
（ボイド）の様な欠陥が生じる。この欠陥によつ
て放棄せざるを得ない欠陥品が出る。更に、メツ
キ工程後メツキしない部分に残る活性化層によつ
て、隣接する導線間の絶縁抵抗が減少する事も考
えられる。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明はメツキを行なうために誘電体基板の少
くとも一主表面を活性化するために改良された方
法を提供する事である。本発明に従つて、基板上
のメツキを行なう領域にのみ活性化層を用いる。
本発明によつて、レジストの下の活性化層による
レジストの付着力の低下の問題が解決できる。更
に本発明によつて絶縁抵抗の低下の問題も減少す
る。

従来技術に於いて、基板の少くとも一主表面を
選択的に活性化するためでなくバイアのみを活性
化する方法が提案された。例えば、開孔即ちバイ
アを活性化する場合、上部表面の残部全体をレジ
ストで被覆し、活性化材がバイア内の壁部並びに
レジストの最上部に付く様にする。次にレジスト
を剥離してボードの上部表面にある活性体を全て
除去する。

他の方法に於いては、剥離銅の上部キヤリヤ層
がボード上に付いている間に開光即ちバイアの活
性化を行なう。従つて、活性化材剥離銅のキヤリ
ヤ層に付き、キヤリヤ層を除去すると、残りの活
性化材のみがスルー・ホール内に施こされる。

これらの技術と異なり、本発明では基板の少く
とも一表面の所定領域に、また場合によつてはバ
イア中にも活性化材を施こす。

本発明に従い、導電性金属の無電解付着を行な
うために誘電体基板の少くとも一主表面の選択し
た部分を活性化する。該プロセスは基板の主表面
上に第１のレジスト層を、第１のレジスト層の上
に第２のレジスト層を設ける工程を含む。

第２のレジストは第１のレジストと溶解特性が
異なる。第１及び第２のレジストを所定パターン
の放射像で露光する。第１及び第２のレジストを
夫々現像する。基板上にできた露出部分を活性化
する。第１のレジストを残したまま構造体から第
２のレジスト層を除去する。これによつて基板の
露出した領域の活性化材を除く全ての活性化材が
除去される事になる。

〔実施例〕

本発明の方法は広範囲の多様な誘電性の基板を
処理しあるいは調整するのに適している。従来技
術に於いて開示される熱プラスチツク、熱硬化性
樹脂及びガラスの様な誘電性基板を本発明に従つ
て処理する事ができる。

典型的な熱硬化性ポリマ材としてエポキシ、フ
エノール・ベース材及びポリアミドがある。誘電
材はガラス充填エポキシもしくはフエノール・ベ
ース材の様な充填材及びもしくは強化材を含むポ
リマのモールド体でもよい。フエノール・タイプ
の材料の例としてはフエノール、レゾルシノール
及びクレゾールの共重合体がある。適当な熱プラ
スチツク重合体材の例としてはポリプロピレンの
様なポリオレフイン、ポリスルホン、ポリカーボ
ネート、ニトリル・ゴム及びABSポリマがある。

本発明の主目的は基板の主表面の少くとも１つ
を活性化する事にあるが、基板にスルーホール即
ちバイア及びもしくはめくら孔が用いられる場合
はこれらを同様に活性化する事ができる。

誘電性基板を処理する本発明の方法を実施する
前に、回路ボードに開孔が用いられるならば、開
孔を形成し、開孔を設けた誘電材を適当にクリー
ニングし、準備をする。

例えば、この準備にはサンド・ブラースト及び
もしくは蒸気ブラーストの様な物理的手段及びも
しくは溶剤膨潤の様な化学的方法による活性部の
形成が含まれる。典型的な溶剤としてはＮ−メチ
ル・ピロリドンがある。基板はスルホクロム酸で
前処理する事も可能である。

第１レジスト材の層２を基板１（第１図）に設
ける。第２レジスト材３を第１レジスト材２の上
に設ける（第２図）。所望ならば、第１レジスト
材及び第２レジスト材の組せを用いてこれを基板
１に付着させる事もできる。第２レジスト層３は
第１層２と異なる溶解特性を有する。現像後、溶
解特性に於ける差によつて第１層を除去する事な
く第２レジスト層を除去する事が可能となる。第
１及び第２の層は、相互に剥離即ち除去に関する
異なつた溶解特性を有するならば、同じ現像溶剤
で現像する事ができる。

本発明に従つて用いうるレジストはポジ、ネガ
いずれのタイプでもよい。２つの層は両者ともポ
ジもしくはネガあるいは両者の組合せでもよい。
両者ともポジもしくはネガのレジストを用いるの
が好ましい。

本発明に従つて用いるフオトレジストの例とし
ては、米国特許第3469982号明細書、同第3526504
号明細書に示されるタイプのネガテイプ即ち光硬
化性の重合化しうる組成体がある。デユポン社か
ら商標名“Riston”を付して市販されている重
合体を用いる事ができる。

ネガ・フオトレジストの具体例としてはデユポ
ン社の商標“Riton Ｔ−168“及び”Riston3515”
を付した市販品が入手可能である。上記の
Riston Ｔ−168はポリメチルメタクリレート並
びにトリメチロール・プロパン・トリアクリレー
トの様な交叉結合しうる単量体ユニツトから構成
されるネガ・フオトレジストである。ポリメチル
メタクリレート、トリメチロール・プロパン・ト
リアクリレート及びトリメチレン・グリコール・
ジアセテートからなるネガ・レジストは米国特許
第3867153号明細書の例１に開示されている。上
記のRiston 3515は水溶液に於いて現像しうるネ
ガ・フオトレジストである。水溶液で現像しうる
ネガ・フオトレジストの例が公開された欧州特許
出願第49504号明細書に開示されている。該明細
書に示されている典型的なレジストはメチルメタ
クリレート、エチル・アクリレート及びアクリル
酸の共重合体から構成されるレジスト並びにスチ
レン及び無水マレイン酸イソブチル・エステルの
共重合体から構成されるレジストである。

他のタイプのフオトレジストの例としてはフエ
ノール・ホルムアルデヒド・ノボラツク重合体か
らなるレジストがある。例えばShipley社の
AZ1350（商標）があり、これはｍ−クレゾール・
ホルムアルデヒド・ノボラツク重合体である。こ
れはポジのレジストであつて、２−ジアゾ−１−
ナフトール−５−スルホン酸エステルの様なジア
ゾケトンを含む。この様な組成体に於いて、オル
トジアゾケトンは光化学反応の際にカルボン酸に
変換される。次いでこれは中性有機可溶分子（フ
エノール重合体）を弱アルカリ水溶性現像溶剤に
於いて容易に溶ける物質に変換する。この組成体
は通常重量で約15％程度のジアゾケトン化合物を
含んでいる。

第１のレジスト層は後程メツキする金属の少く
とも所望厚さ程度の厚さ（通常はメツキする金属
より約0.2mil即ち約5μ厚く）設ける。第１層の典
型的な厚さは約25.4μないし101.6μであり、約
38.1μないし63.5μがより好ましい。

第２層は約6.4μないし38.1μであり、約12.7μな
いし25.4μの範囲がより好ましい。第２フオトレ
ジスト層の最大厚さは該層の光学的濃度によつて
指定される。この最大厚さは化学光の様な像形成
放射が第１層２を貫通しうる程度に十分薄くしな
ければならない。レジストは例えば約90℃ないし
120℃（110℃が望ましい）の温度の、0.35Kg／cm²
ないし2.1Kg／cm²（約0.7Kg／cm²ないし1.1Kg／cm²が
望ましい）の圧力を用いたホツトロール積層法の
様な方法で設ける事ができる。

次に紫外線、電子ビームもしくはＸ線ビームを
用いて各層のレジスト材を所望のパターン状に露
光し、続いて例えばポジのレジストならば適当な
液体によつて露光された部分をエツチングもしく
は分解する。ネガ・レジストの場合は未露光部分
を除去する。更に、第２層を設ける前に第１層を
形成し、像パターンを露光し、所望ならば現像も
行なう事が考えられる。

第３図は所望のパターンの放射に対してレジス
ト層２及び３を露光するためのマスク４を配置し
た様子を示す。この例に於いて、レジスト層２及
び３はネガ・レジストであり、マスクの不透明部
分７の下の層２及び３の部分は放射に対して露光
されない。

レジスト層の現像後（第４図及び第５図参照）、
活性化材即ち触媒組成体５を基板の露出した部分
も含む全構造体に塗布する（第６図）。第２レジ
スト層３が例えばRiston 3515（商標）の様な水
溶液で現像しうるレジストである場合、公開され
た欧州特許出願第49504号明細書に開示されるタ
イプの炭酸ナトリウム水溶液で現像する事ができ
る。第１層のレジストがRiston Ｔ−168（商標）
である場合、１、１、１トリクロロエタンで現像
する事ができる。

活性化の方法は公知である。例えば、塩化第一
錫活性化溶液あるいは金属パラジウム粒子の層を
形成する塩化パラジウム活性化材を用いて基板を
触媒処理する方法が知られている。米国特許第
3011920号明細書に誘電性の基板を触媒処理する
方法が開示されている。該方法はコロイド状金属
の溶液で処理する事によつて基板を増感処理し、
増感処理した誘電性基板のための保護コロイドを
除去するために選択的溶剤でその処理を加速し、
次いで増感処理した基板上に金属被膜（例えば銅
塩及び還元剤の溶液からの銅）を無電解付着する
事を含んでいる。

例えば米国特許第3099608号明細書に開示され
る様に、誘電性基板上に半コロイド溶液からのパ
ラジウム金属の様な導電性を付与する型の金属粒
子の薄膜を付着する事によつて前処理し、導電性
の金属を電気メツキする事を可能にする導電性の
ベースを形成する事ができる。更に米国特許第
3632388号明細書には、前もつてクロム酸エツチ
ングを行ない、次いで錫−パラジウム・ハイドロ
ゾルに於ける１ステツプ活性化を行なう、メツ
キ・プロセスに於ける重合体プラスチツク基板の
処理方法が開示されている。

更に米国特許第4066809号明細書には、いわゆ
る“トリプル活性化”法が開示されている。この
方法は、誘電材の表面に対して塩化パラジウム／
塩化第一錫／塩化水素酸水溶液の活性化浴を接触
させる工程を用いる。

他の提案にもある様に、塩化第一錫及び塩化パ
ラジウム処理の前に、多官能基分子イオン重合体
を含む水溶液で処理してもよい。

ポリマは少くとも２個の活性な即ち利用しうる
同じ極性のイオン官能基部分を含まねばならない
点で多官能基イオン材である。更にそのポリマは
少くとも水と混合する事ができ、本発明に用いる
水分に少くとも可溶である事が好ましい。好まし
いイオン成分はホスホニウム（quarternary
phosphonium）及びアンモニウム（quarternary
ammonium）基の様な陽イオン成分である。少
くとも２つのイオン成分を含む重合体は市販され
ているので、ここでは詳細には説明しない。市販
されている多官能基陽イオン重合体としては米国
Hercules社がReten210、Reten220及びReten300
という商標を付して販売している商品がある。

上記Reten重合体の分子量は通常比較的大き
く、約50000ないし1000000以上の値である。この
様な高分子量の重合体は固体製品であつて、主た
る化学的な中軸的構造体はポリアクリルアミドで
ある。陽イオンReten（正電荷）はそのポリアク
リルアミドに対して種々のテトラアルキル・アン
モニウム化合物を付加する事によつて得られる。
これらのアンモニウム（quarternary
ammonium）基が重合体の正電荷の数を呈する。

本発明の一局面に於いて、共重合体の重量比約
0.01％ないし１％（約0.05％ないし0.5％が好まし
い）の希釈水溶液としてイオン重合体を用いる。
その水溶液は通常PH約１ないし７（PH約２ないし
３が良好）を呈せしめるためにHClの様な無機酸
を含む。重合体の塗布を促進するために重合体溶
液について比較的低い粘度を生じる様に約２ない
し３のPHを用いるのが好ましい。PHが４ないし５
により高い場合、粘度は急激に増大する。通常重
量比約２％ないし10％の量の酸が用いられる。

イオン重合体を用いる処理は通常約１ないし10
分間（約１ないし２分が好ましい）行なう。

多官能基重合体は基板に対してのちほど付着さ
れる触媒粒子に関連する極性と反対の極性の表面
を生じる。この極性の相異によつて触媒粒子の静
電引力が生じる。

多官能基重合体を用いる場合に於いて、フオト
レジストによる付着力の低下が本発明の方法を用
いない場合特に顕著になる。

イオン重合体組成物に対して基板を接触させた
のみ、基板をリンスして基板が吸収しなかつた過
剰の重合体を取り除く。

次いで、無電解メツキ工程を開始しうる触媒組
成体を含有する組成体に対して接触させる事によ
つて基板を活性化する。該組成体は、触媒部を直
接付与しうる金属もしくは触媒部となる前駆物質
として働らく金属を含んでいる。その金属は元
素、合金、化合物あるいはそれらの混合物でもよ
い。好ましい金属触媒は金、パラジウム及び白金
の様な貴金属である。更に、多官能基重合体を用
いる事によつて達成される基板の改良された調整
に関しては、触媒は銅、ニツケル、コバルト、
鉄、亜鉛、マンガン及びアルミニウムの様な貴金
属でないものを用いる事ができる。

最も好ましい触媒はパラジウムである。典型的
なパラジウム組成体は約1.2ないし2.5ｇ／のパ
ラジウム塩（PdCl₂が好ましい）、約80ないし150
ｇ／の第一錫塩（SnCl₂・2H₂Oが好ましい）
並びに約100ないし150ml／の酸（HClが好まし
い）を含有する。HClが37％HCl溶液で与えられ
る場合、約290ないし360mlのHCl溶液を用いるの
が好ましい。最も望ましい組成体は約1.5ｇ／
のPdCl₂、約100ｇ／のSnCl₂並びに約280ml／
の37％HClを含有するものである。組成体は通
常13〜24℃に維持する。溶液に於けるパラジウム
粒子は外部へ伸びる付属電荷としての負の電荷を
有しているものと信じられる。特に、塩化パラジ
ウム溶液に於いて次の様な反応が生じるものと考
えられる。

従つてパラジウム−第一錫触媒系に関して、イ
オン重合体は陽イオン重合体（正に帯電してい
る）である。

典型的なトリブル活性化プロセスは、まず誘電
性基板表面及びもしも用いられるならば開孔を塩
化第一錫増感溶液（SnCl₂／HCl）と接触させる
工程を含む。接触させる時間は例えば４ないし10
分（７分が好ましい）である。この溶液に誘電性
の表面を接触させる事によつて、その上に錫
（Sn⁺²）の層が付着され、開孔を含む表面がコン
デイシヨニング処理される。次いで水を用いて基
板及び開孔から塩化第一錫を洗い流す。約55℃な
いし80℃の温度範囲の温湯リンスが好ましい。温
湯によつて過剰な塩化第一錫を除去し、表面の
SnCl₂を加水分解して基板の表面に第一錫錯体と
して吸収されるゼラチン状錫水和酸化物を生じ
る。

次の活性化工程は誘電性基板表面及び用いられ
るなば開孔表面を塩化パラジウム活性化物と接触
させる工程を含む。この場合、二価のパラジウム
は基板表面に於いて第一錫化合物と反応し、その
上に金属パラジウム粒子の付着層を形成する。こ
れは２±１分間パラジウム活性化浴に誘電体を浸
漬する事によつて達成される。このステツプによ
つて最終的な活性化工程に於ける付着力が増大
し、最終的な活性化工程に於いて付着された最終
的な触媒層の濃度が高くなる。

活性化工程の第３のステツプは基板表面及び開
口表面を塩化パラジウム／塩化第一錫／塩酸活性
化浴と接触させる工程を含む。５分の接触時間が
好ましいが、実際の接触時間は１ないし10分の範
囲で変える事でき、しかも満足すべき結果が得れ
る事が分つた。この段階に於いて、誘電性基板の
表面もしくは開孔に銅の様な付加的金属を無電解
的に付着させる事を可能にする最終的な触媒層が
付着される。

プロセスの第１ステツプのための溶液を調製す
る場合、53〜57ｇ／のSnCl₂・2H₂Oの塩化第
一錫及び50ml／の37％塩酸の組合せであつてPH
を0.2ないし0.5に調整した溶液が望ましいプレコ
ンデイシヨニング用の溶液である事がわかつた。
SnCl₂・2H₂OをHClに溶解し、できた混合液を脱
イオン水のタンクに加えた。PHがおよそ0.4であ
つて、溶液が13℃ないし24℃に維持される場合に
最適の結果が得られた。

トリプル活性化プロセスの第２のステツプのた
めに、50ｇのパラジウム（濃度0.13ないし0.17
ｇ／）を約3780mlの37％塩酸（濃度10ml／）
と混合する事によつて塩化パラジウム浴を作る。
PdCl₂を塩酸に溶解し、できた混合液を脱イオン
水のタンクに加えた。浴を13℃ないし24℃にPHを
0.75ないし1.00に維持した。溶液に於ける銅含有
量は50p.p.m.より低く保つた。

最終的な触媒塩化パラジウム／塩化第一錫／塩
酸活性化浴としては、1.2ないし2.5ｇ／の
PdCl₂、80ないし150ｇ／のSnCl₂・2H₂O並び
に290ないし360mlの37％HCl／の溶液からなる
浴が用いられる。この第３の活性化浴を13℃ない
し24℃に維持する。この浴のための最適溶液は約
1.5ｇ／のPdCl₂、100ｇ／のSnCl₂並びに290
ml／の37％塩酸よりなる。

第７図に示す様に、基板上に残る第１レジスト
層をそのままにした状態で第２レジスト層を除去
する。第２レジスト層がRiston3515（商標）の様
な水溶液で剥離しうるレジストである場合、コロ
イド状粒子からの錫の外部層をも除去する点で活
性化体のための加速手段として付随的に作用する
水酸化ナトリウム水溶液によつて露出した部分を
除去する事ができる。

これによつてパラジウム粒子が露出した状態で
残され、よつてパラジウム粒子は付加的無電解メ
ツキのための核形成部として更に有効に作用する
事ができる。

第２レジスト層の除去の結果、後の無電解メツ
キのために露出した基板上に活性化体が残る個所
を除いて、基板全体から活性化体が除去される事
になる（第７図）。

次に、処理した表面上に無電解メツキによつて
ニツケルもしくは銅の様な金属６をメツキする
（第８図）。

所望の厚さまで金属を被覆する。用いられる好
ましい金属は銅である。銅の無電解メツキ浴及び
適用方法は例えば米国特許第3844799号明細書及
び同第4152467号明細書に開示されている。

銅の無電解メツキ浴は第二銅イオン源、還元
剤、第二銅イオンのための錯化剤並びにPH調整剤
を含む水溶液組成体である。このメツキ浴に更に
シアン化物イオン源及び表面活性剤を加える事が
好ましい。

一般に用いる第二銅イオン源は硫酸銅もしくは
使用する錯化剤の第二銅塩である。硫酸銅を用い
る場合、約３ないし15ｇ／（８ないし12ｇ／
がより好ましい）の量の硫酸銅を用いる事が望ま
しい。最も一般的な還元剤はホルムアルデヒドで
あつて、例えば約0.7ないし７ｇ／（約0.7ない
し2.2ｇ／がより好ましい）用いる。他の還元
剤としては、パラホルムアルデヒド、トリオキサ
ン、ジメチルヒダントイン及びグリオキサールの
様なホルムアルデヒド前駆物質もしくは誘導体、
アルカリ金属ボロハイドライド（ナトリウム及び
カリウム・ボロハイドライド）の様なボロハイド
ライド、ナトリウム・トリメトキシボロハイドラ
イドの様な置換ハイドライド並びにアミンボラン
（イソプロピル・アミンボラン及びモルホリン・
ボラン）の様なボランがある。無電解Ni及びCu
メツキのために次亜燐酸還元剤を用いる事も可能
である。

適当な錯化剤の例としては、ロツシエル塩、エ
チレン・シアミン・テトラ酢酸、エチレン・ジア
ミン・テトラ酢酸のナトリウム（モノ−、ジ−、
トリ−及びテトラ−ナトリウム）塩、ニトリロテ
トラ酢酸及びそのアルカリ塩、グルコン酸、グル
コネート、トリエタノール・アミン、グルコノ
（ガンマ）−ラクトン、Ｎ−ヒドロキシエチル・エ
チレン・ジアミン・トリアセテートの様な変性エ
チレン・ジアミン・アセテート等がある。更にい
くつかの他の適当な第二銅錯化剤が米国特許第
2996408号、同第3075855号、同第3075856号、同
第2938805号明細書に開示されている。錯化剤の
量は溶液内に存在する第二銅イオンの量に依存
し、概して約20ないし50ｇ／である。

メツキ浴は被覆すべき表面をねらすのに役立つ
サーフアクタントを含み得る。適当なサーフアク
タントの例としては、商標“Gafac RE−610”
を付した商品として市販されている有機燐酸エス
テルがある。サーフアクタントの量は概略0.02な
いし0.3ｇ／である。更に浴のPHは、所望のPH
にするために例えば水酸化ナトリウムもしくは水
酸化カリウムを所望量だけ基本化合物に添加する
事によつて制御する。無電解メツキ浴の適当なPH
は11.6ないし11.8である。

更に、メツキ浴にシアン化物のイオンを加える
のが望ましい。0.0002ないし0.0004モルの浴にお
けるシアン化物イオン濃度をうるために約10ない
し25mg／のシアン化物イオン添加が良好であ
る。用い得るシアン化物の例としてはアルカリ金
属、アルカリ土金属、シアン化アンモニウム等あ
る。更に公知の他の微量の添加物を用いる事も可
能である。

メツキ浴は比重が1.060ないし1.080である。更
に、浴の温度は70℃ないし80℃（70℃ないし75℃
がより好ましい）に維持する。適当なシアン化物
イオン濃度に関連した好ましいメツキ温度につい
ては米国特許第3844799号明細書に開示があるの
で参照されたい。

更に米国特許第4152467号明細書に開示がある
様に、浴のO₂含有量を２ないし4ppm（2.5ないし
3.5ppmがより適切）に維持することができる。
浴に酸素及び不活性ガスを注入する事によつて
O₂含有量を制御しうる。

浴内へのこれらのガスの全体的な流量は例えば
浴約3800（1000ガロン）あたり毎分約0.57m³
（20SCFM）である。

次に、基板１上の所望の導電性パターン６を残
して第１レジスト層２を除去しうる。（第９図）
この層がRiston Ｔ−168（商標）である場合、露
出した材料は１，１ジクロロメタンを用いて除去
できる。応用例によつては、第１レジスト層２を
基板１の上に残す事が望ましい場合がある。

２つのフオトレジスト層を用いるマスク・プロ
セスが従来提案されてはいるが、それらのプロセ
スは基板の選択した部分を活性化する技術に関す
るものではなかつた。例えば米国特許第3934057
号明細書及び同第4180604号明細書にはレジスト
現像剤に於ける溶解度が異なる２層のフオトレジ
ストで基板を塗布した構造体が開示されている。
２層のレジストを現像したのち、露出した基板表
面及び上部のレジスト層に金属フイルを付着させ
る。金属リフト・オフに望ましいレジストの端部
プロフイールが形成される。

これらの２つの米国特許は回路板の選択した部
分を活性化する一連のステツプを示唆しておら
ず、金属を上部のフオトレジスト層の上並びに露
出した基板の上にメツキするプロセスを示唆して
いるに過ぎない。

〔発明の効果〕

本発明に於いては基板上のメツキを行なう部分
にのみに活性部が形成されので、レジスト層の下
に活性部が存在した場合のレジスト層の付着力の
劣化に起因する問題を回避しうる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第９図は本発明の方法の各ステツ
プを説明する図である。 １……基板、２……第１レジスト層、３……第
２レジスト層、４……マスク、５……活性化部、
６……金属。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 基板の選択された部分に金属を無電解付着す
   る方法であつて、 (a) 上記基板の主平面上に第１のレジストの層を
   設ける段階と、 (b) 上記第１のレジスト層とは溶解特性を異にす
   る第２のレジストの層を上記第１のレジストの
   層上に設ける段階と、 (c) その後、放射によつて上記第１及び第２のレ
   ジストの層を同一のパターンで照射する段階
   と、 (d) 上記第１及び第２のレジストの層を現像する
   ことにより上記第１及び第２のレジストの層の
   同一箇所にほぼ同一形状の開口を形成する段階
   と、 (e) 上記現像の結果露出した上記基板の領域を活
   性化処理する段階と、 (f) 上記記構造体から上記第２のレジストの層を
   除去する段階を有する、 基板の活性化方法。