JPH0490552A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH0490552A JPH0490552A JP2203961A JP20396190A JPH0490552A JP H0490552 A JPH0490552 A JP H0490552A JP 2203961 A JP2203961 A JP 2203961A JP 20396190 A JP20396190 A JP 20396190A JP H0490552 A JPH0490552 A JP H0490552A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- mask
- sample
- shutter
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70325—Resolution enhancement techniques not otherwise provided for, e.g. darkfield imaging, interfering beams, spatial frequency multiplication, nearfield lenses or solid immersion lenses
- G03F7/70333—Focus drilling, i.e. increase in depth of focus for exposure by modulating focus during exposure [FLEX]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、可視光並びに紫外光を用いた微細加工用露光
装置に関する。
装置に関する。
［従来の技術］
従来、可視光並びに紫外光を用いた露光装置は、主に半
導体の製造に使用されている。この露光装置としては、
光の反射を使用した１：１等倍ミラープロジェクション
マスクアライナ、５：１縮小レンズプロジエクシヨンマ
スクアライナ（ステッパー）などがある。これらのアラ
イナは、理想的な平面においてはサブミクロンの転写性
能を有するものの、試料のフラットネスが数ミクロンと
悪いため、転写性能が充分に生がされていないのが現状
である。即ち、このような高解像力のアライナの焦点深
度は、高々数ミクロンであるため、前述のように転写性
能は充分ではなかった。
導体の製造に使用されている。この露光装置としては、
光の反射を使用した１：１等倍ミラープロジェクション
マスクアライナ、５：１縮小レンズプロジエクシヨンマ
スクアライナ（ステッパー）などがある。これらのアラ
イナは、理想的な平面においてはサブミクロンの転写性
能を有するものの、試料のフラットネスが数ミクロンと
悪いため、転写性能が充分に生がされていないのが現状
である。即ち、このような高解像力のアライナの焦点深
度は、高々数ミクロンであるため、前述のように転写性
能は充分ではなかった。
そこで、転写性能の劣化を防止する方法として、例えば
レジスト改良法、ＣＥＬ法、ＦＬＥＸ法などがある。レ
ジスト改良法は、光コントラストがデフォーカスで低下
した分をレジスト内部で補正、整形する方法である。即
ち、ホトブリーチング（光漂白）と呼ばれる光が当った
部分の透過率が低下し、結果としてイメージコントラス
トが向上するというものである。また、ＣＥＬ法はしシ
スト改良法と同じ原理を利用したもので、レジストの上
部にホトブリーチング作用を有する薄膜を形成する方法
である。しかし、これらのレジスト改良法やＣＥＬ法で
は、製造工程が複雑であるばかりでなく、高価になる欠
点がある。
レジスト改良法、ＣＥＬ法、ＦＬＥＸ法などがある。レ
ジスト改良法は、光コントラストがデフォーカスで低下
した分をレジスト内部で補正、整形する方法である。即
ち、ホトブリーチング（光漂白）と呼ばれる光が当った
部分の透過率が低下し、結果としてイメージコントラス
トが向上するというものである。また、ＣＥＬ法はしシ
スト改良法と同じ原理を利用したもので、レジストの上
部にホトブリーチング作用を有する薄膜を形成する方法
である。しかし、これらのレジスト改良法やＣＥＬ法で
は、製造工程が複雑であるばかりでなく、高価になる欠
点がある。
ＦＬＥＸ法は前の二つの方法と異なり、特別な物質を用
いることなく、露光装置側で転写性能の劣化を防ぐ方法
である。即ち、通常の転写の際に、試料をフォーカス位
置に置いて一度露光を行うと、試料のフラットネスがそ
のまま転写性能に影響する。そこで、ＦＬＥＸ法では、
フォーカス位置の上下にデフォーカスさせて複数回露光
を行う。これにより、幅広い焦点深度を得ることができ
、またフラットネスの悪化した試料であっても、良好な
転写性能を得ることができる。
いることなく、露光装置側で転写性能の劣化を防ぐ方法
である。即ち、通常の転写の際に、試料をフォーカス位
置に置いて一度露光を行うと、試料のフラットネスがそ
のまま転写性能に影響する。そこで、ＦＬＥＸ法では、
フォーカス位置の上下にデフォーカスさせて複数回露光
を行う。これにより、幅広い焦点深度を得ることができ
、またフラットネスの悪化した試料であっても、良好な
転写性能を得ることができる。
［発明が解決しようとしている課題］
しかしながら、上記ＦＬＥＸ法にあっては、試料のフォ
ーカス位置をずらしたり、複数回露光を行うため、その
処理時間は通常のそれの数倍となり、スルーブツトは数
分の１に低下してしまう。
ーカス位置をずらしたり、複数回露光を行うため、その
処理時間は通常のそれの数倍となり、スルーブツトは数
分の１に低下してしまう。
露光装置は、非常に高価であるため、前述のように処理
時間が長くなると、半導体製造工程における製造コスト
が大幅に上昇する問題があった。
時間が長くなると、半導体製造工程における製造コスト
が大幅に上昇する問題があった。
本発明は、このような問題を解消するためになされたも
ので、その目的は極く短時間で露光を行え、製造コスト
を著しく低減できるようにした露光装置を提供すること
にある。
ので、その目的は極く短時間で露光を行え、製造コスト
を著しく低減できるようにした露光装置を提供すること
にある。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するため、試料台に載置された試料に、
露光用の光をマスク及びレンズを介して照射することで
、前記試料の露光を行う露光装置において、前記露光用
の光の光路に該露光光を開閉するために設けたシャッタ
と、前記マスクまたは試料台を光路方向に移動させる手
段と、前記シャッタと移動手段を連動させ、該シャ・ツ
タが開状態のときに前記マスクまたは試料台を移動しな
がら前記試料に光を照射させる露光制御手段とを設けた
ことを特徴とする露光装置が提供される。
露光用の光をマスク及びレンズを介して照射することで
、前記試料の露光を行う露光装置において、前記露光用
の光の光路に該露光光を開閉するために設けたシャッタ
と、前記マスクまたは試料台を光路方向に移動させる手
段と、前記シャッタと移動手段を連動させ、該シャ・ツ
タが開状態のときに前記マスクまたは試料台を移動しな
がら前記試料に光を照射させる露光制御手段とを設けた
ことを特徴とする露光装置が提供される。
［実施例］
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら詳
細に説明する。第１図は本発明の露光装置の一実施例を
示す構成図である。
細に説明する。第１図は本発明の露光装置の一実施例を
示す構成図である。
第１図において、１は露光を行うための入射光を示して
おり、図示しない発光部で照射される。
おり、図示しない発光部で照射される。
この露光に用いる光としては、可視光や紫外光などが使
用される。入射光１の光路には、シャッタ２が配設され
、その開閉によって入射光の照射、及び遮光が制御され
る。また、シャッタ２の下方には、マスク３が配置され
ている。このマスク３は、スクリューネジ４に螺合され
たマスク保持部５に固着されている。スクリューネジ４
は、モータ６の回転軸に固着され、モータ６が回転する
とマスク３及びマスク保持部５が上下方向に移動する構
造となっている。即ち、スクリューネジ４、マスク保持
部５、モータ６は、マスク３の位置可変装置を構成し、
後述するように露光時にマスク３の位置を連続的に移動
させることで、試料９に対する光学系の焦点距離を可変
する。
用される。入射光１の光路には、シャッタ２が配設され
、その開閉によって入射光の照射、及び遮光が制御され
る。また、シャッタ２の下方には、マスク３が配置され
ている。このマスク３は、スクリューネジ４に螺合され
たマスク保持部５に固着されている。スクリューネジ４
は、モータ６の回転軸に固着され、モータ６が回転する
とマスク３及びマスク保持部５が上下方向に移動する構
造となっている。即ち、スクリューネジ４、マスク保持
部５、モータ６は、マスク３の位置可変装置を構成し、
後述するように露光時にマスク３の位置を連続的に移動
させることで、試料９に対する光学系の焦点距離を可変
する。
また、７はマスク３の下方に配置された結像用の光学系
、８は露光すべき試料（ウェハ）９を載置するための試
料台を示す。更に、１０はシャッタ２と前述の位置可変
装置の同期をとる連動回路である。連動回路１０は、シ
ャッタ２とモータ６へ制御信号を出力し、シャッタ２が
開状態のときに、マスク３を光路方向に連続的に移動さ
せる。
、８は露光すべき試料（ウェハ）９を載置するための試
料台を示す。更に、１０はシャッタ２と前述の位置可変
装置の同期をとる連動回路である。連動回路１０は、シ
ャッタ２とモータ６へ制御信号を出力し、シャッタ２が
開状態のときに、マスク３を光路方向に連続的に移動さ
せる。
次に、本実施例の露光動作について説明する。
試料９の露光に当っては、まず図示しない光源を点灯し
、入射光１をシャッタ２へ照射する。次いで、連動回路
１０からシャッタ２とモータ６へ制御信号を出力し、シ
ャッタ２とモータ６の同期をとる。即ち、シャッタ２を
開とした状態でモータ６を駆動し、これによってマスク
３を光路方向に移動させる。この場合、シャッタ２は開
状態であるので、入射光ｌは試料９へ照射され、試料９
を連続的に露光することができる。即ち、本発明では試
料９に対する光学系７の焦点位置を変えながら露光を行
うため、１回の露光で従来のＦＬＥＸ法と同等の露光が
行え、フラットネスの悪化した試料を極時間で露光する
ことができる。この露光時間は、シャッタ２の開時間で
設定されており、所定の時間が経過すると、連動回路１
０はシャッタ２を閉状態とし、同時にモータ６の駆動を
停止する。なお、マスク３の初期の位置及び移動方向は
予め決められており、シャッタ２が開（とマスク３は、
上方向または下方向の任意の方向に移動する。この場合
、マスク３の移動方向を露光を行う毎に変えると、露光
を効率的に行うことができる。即ち、初めにマスク３を
下方向に移動したとすると、次は上方向、その次は下方
向というように交互に反対方向に移動させていく。従っ
て、この方法によれば、露光終了時にマスク３を元の位
置に戻さなくてもよいので、露光を効率的に行λる。
、入射光１をシャッタ２へ照射する。次いで、連動回路
１０からシャッタ２とモータ６へ制御信号を出力し、シ
ャッタ２とモータ６の同期をとる。即ち、シャッタ２を
開とした状態でモータ６を駆動し、これによってマスク
３を光路方向に移動させる。この場合、シャッタ２は開
状態であるので、入射光ｌは試料９へ照射され、試料９
を連続的に露光することができる。即ち、本発明では試
料９に対する光学系７の焦点位置を変えながら露光を行
うため、１回の露光で従来のＦＬＥＸ法と同等の露光が
行え、フラットネスの悪化した試料を極時間で露光する
ことができる。この露光時間は、シャッタ２の開時間で
設定されており、所定の時間が経過すると、連動回路１
０はシャッタ２を閉状態とし、同時にモータ６の駆動を
停止する。なお、マスク３の初期の位置及び移動方向は
予め決められており、シャッタ２が開（とマスク３は、
上方向または下方向の任意の方向に移動する。この場合
、マスク３の移動方向を露光を行う毎に変えると、露光
を効率的に行うことができる。即ち、初めにマスク３を
下方向に移動したとすると、次は上方向、その次は下方
向というように交互に反対方向に移動させていく。従っ
て、この方法によれば、露光終了時にマスク３を元の位
置に戻さなくてもよいので、露光を効率的に行λる。
また、マスク３を光路方向に移動させるだけでなく、上
下に振動させながら露光を行うことも可能である。この
振動状態での露光であっても、前述したＦＬＥＸ法と同
様な効果が得られ、フラットネスの悪化した試料におい
ても良好な像を得ることができる。更に、焦点位置付近
でのマスク３の移動を遅くし、焦点位置付近から離れた
所ではマスク３の移動を速くするように制御すると、実
効的にマスク３の焦点位置付近での露光量を増大させ、
より広範囲な露光を行うことが可能となる。なお、実施
例ではマスク３を光路方向に移動させたが、試料台８を
移動させてももちろんよい。
下に振動させながら露光を行うことも可能である。この
振動状態での露光であっても、前述したＦＬＥＸ法と同
様な効果が得られ、フラットネスの悪化した試料におい
ても良好な像を得ることができる。更に、焦点位置付近
でのマスク３の移動を遅くし、焦点位置付近から離れた
所ではマスク３の移動を速くするように制御すると、実
効的にマスク３の焦点位置付近での露光量を増大させ、
より広範囲な露光を行うことが可能となる。なお、実施
例ではマスク３を光路方向に移動させたが、試料台８を
移動させてももちろんよい。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、マスクまたは試料
台を光路方向に移動させながら試料に光を照射するよう
にしたので、フラットネスの悪化した試料を極く短時間
で、かつスルーブツトの悪化なしに露光できる効果があ
る。また、極く短時間で露光を行えるので、製造コスト
を従来に比較して大幅に低減することができる。
台を光路方向に移動させながら試料に光を照射するよう
にしたので、フラットネスの悪化した試料を極く短時間
で、かつスルーブツトの悪化なしに露光できる効果があ
る。また、極く短時間で露光を行えるので、製造コスト
を従来に比較して大幅に低減することができる。
第１図は本発明の露光装置の一実施例を示す構成図であ
る。 ２：シャッタ ３：マスク ４ニスクリユーネジ ６：モータ ７：光学系 ′９：試料 ８：試料台 １０：連動回路 第１図
る。 ２：シャッタ ３：マスク ４ニスクリユーネジ ６：モータ ７：光学系 ′９：試料 ８：試料台 １０：連動回路 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 試料台に載置された試料に、露光用の光をマスク及びレ
ンズを介して照射することで、前記試料の露光を行う露
光装置において、 前記露光用の光の光路に該露光光を開閉するために設け
たシャッタと、前記マスクまたは試料台を光路方向に移
動させる手段と、前記シャッタと移動手段を連動させ、
該シャッタが開状態のときに前記マスクまたは試料台を
移動しながら前記試料に光を照射させる露光制御手段と
を設けたことを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2203961A JPH0490552A (ja) | 1990-08-02 | 1990-08-02 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2203961A JPH0490552A (ja) | 1990-08-02 | 1990-08-02 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0490552A true JPH0490552A (ja) | 1992-03-24 |
Family
ID=16482521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2203961A Pending JPH0490552A (ja) | 1990-08-02 | 1990-08-02 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0490552A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010124903A1 (en) * | 2009-04-27 | 2010-11-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
-
1990
- 1990-08-02 JP JP2203961A patent/JPH0490552A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010124903A1 (en) * | 2009-04-27 | 2010-11-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
| CN102414623A (zh) * | 2009-04-27 | 2012-04-11 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备和方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW594847B (en) | Illumination system, projection exposure apparatus and method for manufacturing a device provided with a pattern to be exposed | |
| US6526118B2 (en) | Projection exposure apparatus and method, and illumination optical system thereof | |
| JPH08330220A (ja) | 走査露光装置 | |
| KR20020022117A (ko) | 노광장치 및 노광방법 | |
| JP3531297B2 (ja) | 投影露光装置及び投影露光方法 | |
| JP2022106891A (ja) | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法 | |
| JP4511874B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
| JP3097620B2 (ja) | 走査型縮小投影露光装置 | |
| US6195155B1 (en) | Scanning type exposure method | |
| JPH0490552A (ja) | 露光装置 | |
| JP3209294B2 (ja) | 露光装置 | |
| US20070013884A1 (en) | Method for exposing an object to light and exposure apparatus for performing the same | |
| JPH0587010B2 (ja) | ||
| JP2003282421A (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
| JPH0547625A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH0982633A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH1187207A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP2847915B2 (ja) | 投影露光装置及びその露光方法 | |
| JP2973737B2 (ja) | 露光方法およびその実施に用いる露光装置 | |
| JPH09218518A (ja) | 露光装置 | |
| JPH0620922A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| JP2002100560A (ja) | 縮小投影露光装置及び露光方法 | |
| TWI734799B (zh) | 具有失真匹配的密集線極紫外光微影系統以及將圖案轉移至工件上的方法 | |
| KR100703668B1 (ko) | 노광방법 및 노광장치 | |
| JPH09289147A (ja) | 走査型露光方法及び装置 |