JPH0491057A - カルボン酸エステル化合物および液晶化合物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は新規なカルボン酸エステル化合物および液晶化
合物に関する。

発明の技術的背景 現在、広汎に使用されている液晶化合物を用いた表示デ
バイスは、通常はＴＮ（ツイストネマチック）モードに
よって駆動されている。

しかしながら、この方式を採用した場合、表示されてい
る画像を変えるためには、素子中における液晶化合物の
分子の位置を変える必要があるために、駆動時間が長く
なり、液晶化合物の分子位置を変えるために必要とする
電圧、すなわち消費電力も大きくなるという問題点があ
る。

強誘電性液晶化合物を用いたスイッチング素子は、ＴＮ
モードあるいはＳＴＮモードを利用したスイッチング素
子とは異なり、液晶化合物の分子の配向方向を変えるだ
けでスイッチング素子として機能させることができるた
め、スイッチング時間が非常に短縮される。さらに、強
誘電性液晶化合物のもつ自発分極（Ｐｓ）と電界強度（
Ｅ）とにより与えられるＰｓＸＥの値が液晶化合物の分
子の配向方向を変えるための実効エネルギー強度である
ので、消費電力も非常に少なくなる。そして、このよう
な強誘電性液晶化合物は、印加電界の方向によって二つ
の安定状態、すなわち双安定性を持つので、スイッチン
グのしきい値特性も非常に良好であり、動画用の表示デ
バイスなどとして用いるのに特に適している。

従来技術における問題点 このような液晶化合物を光スイツチング素子などに使用
する場合、液晶化合物には、例えば動作温度範囲が常温
付近あるいはそれ以下にあること、動作温度幅が広いこ
と、スイッチング速度が大きい（速い）ことおよびスイ
ッチングしきい値電圧が適正な範囲内にあることなど多
くの特性が要求される。殊にこれらのうちでも、動作温
度範囲は液晶化合物を実用化する際に特に重要な特性で
ある。

しかしながら、これまで知られている液晶化合物におい
ては、例えば、Ｒ，Ｂ、　Ｍｅｙｅｒ、　ｅｔ、　ａｌ
、　、の論文［ジャーナル・デ・フィジーク（Ｊ、　ｄ
ｅ　Ｐｈｙｓ、　）３６巻Ｌ−６９頁、１９７５年コ、
田口雅明、原田隆正の論文［第１１回液晶討論会予稿集
１６８頁、１９８５年コに記載されているように、一般
に動作温度が狭く、また動作温度範囲が広い強誘電性液
晶化合物であっても動作温度範囲が室温を含まない高温
度域であるなど、液晶化合物として実用上満足できるも
のは得られていない。

発明の目的 本発明は、新規なカルボン酸エステル化合物を提供する
ことを目的としている。

さらに詳しくは本発明は、特に液晶物質として有用性の
高いカルボン酸エステル化合物を提供することを目的と
している。

また、本発明は、新規な液晶化合物を提供することを目
的としている。

発明の概要 本発明のカルボン酸エステル化合物は、下記式％式％ ［］ ただし、式［Ｉコにおいて、ＲおよびＲｏは、それぞれ
独立に、炭素原子数３〜２０のアルキル基、炭素原子数
３〜２０のアルコキシ基および炭素原子数３〜２ｏのハ
ロゲン化アルキル基よりなる群から選ばれる一種の基で
あり、 ｘおよびＹは、ツレツレ独立に、−ＣＯＯ−１−ＯＣＯ
−１し、 ＡおよびＢは、それぞれ独立に、 よりなる群から選ばれる基を表し、 そして、ｍおよびｎは、それぞれ独立に、０〜２の整数
を表す。ただし、ｍおよびｎが同時に０になることはな
い。

本発明に係る液晶化合物は、上記式［Ｉｌで表される。

このようなカルボン酸エステル化合物を液晶化合物とし
て用いることにより、動作温度範囲が広くスイッチング
速度が大きく、消費電力が極めて少なく、しかも安定し
たコントラストが得られるなどの優れた特性を有する各
種素子を製造することができる。

発明の詳細な説明 次に本発明のカルボン酸エステル化合物について具体的
に説明する。

本発明のカルボン酸エステル化合物は、次式％式％ ［１］ ただし、式［Ｉｌにおいて、ＲおよびＲｏ　は、それぞ
れ独立に、炭素原子数３〜２０のアルキル基、炭素原子
数３〜２０のアルコキシ基および炭素原子数３〜２０の
ハロゲン化アルキル基よりなる群から選ばれる１種の基
を表す。

上記式［Ｉ］において、Ｒが炭素原子数３〜２０のアル
キル基である場合には、このようなアルキル基は、直鎖
状、分枝状および脂環状のいずれの形態であってもよい
が、Ｒが直鎖状のアルキル基であるカルボン酸エステル
の分子は、分子がまっ直ぐに伸びた剛直構造をとるため
、優れた液晶性を示す。このような直鎖状のアルキル基
としては、炭素原子数３〜２０のアルキル基が好ましく
、このようなアルキル基の具体的な例としては、ヘキシ
ル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基
、テトラデシル基、ヘキサデシル基およびオクタデシル
基などを挙げることができる。

また、Ｒが炭素原子数３〜２０のハロゲン化アルキル基
である場合、ハロゲン化アルキル基の例としては、上記
のようなアルキル基の水素原子の少なくとも一部が、Ｆ
ＳＣＱ、ＢｒおよびＩなどのハロゲン原子で置換された
基を挙げることができる。

また、Ｒが炭素原子数３〜２０のアルコキシ基である場
合には、このようなアルコキシ基の例としては、上記の
ようなアルキル基を有するアルコキシ基を挙げることが
できる。このようなアルコキシ基の具体的な例としては
、ヘキソキシ基、ヘプトキシ基、オクチルオキシ基、デ
シルオキシ基、ドデシルオキシ基、テトラデシルオキシ
基、ヘブタデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基およ
びオクタデシルオキシ基を挙げることができる。

本発明のカルボン酸エステル化合物を液晶化合物として
使用する場合には、式［Ｉ］において、Ｒがアルコキシ
基である化合物が有用である。

また、上記式［１］において、 ＸおよびＹは、それぞれ独立に、−ＣＯＯ−１−ＯＣＯ
−１よりなる群から選ばれる基を表す。

これらの基のうち、本発明のカルボン酸エステル化合物
を液晶化合物として使用する場合、液晶組成物としての
特性を考慮すると、 のうちから選ばれる基または単結合を表す。このカルボ
ン酸エステル化合物を液晶化合物として使用する場合に
は、この化合物は、分子の形態が直線性を有しているこ
とが好ましく、従って液晶化合物としては、Ｘ及びＹの
内、少なくともいずれか一方、好ましくは両者が、−０
００−であることが望ましい。

また、上記式［１コにおいて、ＡおよびＢは、それぞれ
独立に、 であることが好ましい。

また、式［Ｉ］において、Ｒｏ　は、炭素原子数３〜２
０のアルキル基、炭素原子数３〜２０のアルコキシ基お
よび炭素原子数３〜２０のハロゲン化アルキル基よりな
る群から選ばれる一種の基である。特に本発明のカルボ
ン酸エステル化合物を液晶化合物として使用する場合に
は、このＲｏ　は、炭素原子数３〜２０のアルキル基あ
るいはこのアルキル基を構成する炭素原子に結合してい
る水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアルキル
基であることが好ましく、さらにこれらアルキル基ある
いはハロゲン原子を有するアルキル基が分枝状の形態を
有していることが特に好ましい。このようなアルキル基
あるいはハロゲン原子を有するアルキル基の好ましい例
としては、 Ｃ２Ｈ５ＣＦ３ −ＣＨ−ＣａＬ３　　および−ｃｔ＋−ＣＪ１３を挙げ
ることができる。

式［１］において、Ｒｏ　で表される基は、例えば、ヒ
ドロキシ安息香酸アルキルエステルなどを用いたエステ
ル化反応により式［Ｉ］中に導入することができる。そ
して、このエステル反応に使用するヒドロキシ安息香酸
アルキルエステルの内、例えば生化学的に合成されたヒ
ドロキシ安息香酸アルキルエステルは、この化合物が不
整炭素（不斉炭素）を有するため式［１］で表される液
晶化合物は光学活性を示すようになる。ところが、この
ようなアルキルエステル化合物を例えば純粋化学的に合
成すると、右旋光を示すｄ体と左旋光を示す９体とがほ
ぼ同じ割合で生成する。このようなｄ体と９体とがほぼ
同じ割合で混在するヒドロキシ安息香酸アルキルエステ
ルを使用することにより、結果として式［Ｉ］で表され
るカルボン酸エステル化合物は旋光性を示さなくなり、
光学的には不活性になる。従って、本発明のカルボン酸
エステル化合物において、Ｒｏ　が不整炭素を有する基
である場合には、式［Ｉ］で表される液晶化合物は、ｄ
体であるＲｏ　とＱ体であるＲｏ　とをほぼ同じ割合で
含有している。このようにｄ体とＱ体とをほぼ同じ割合
で含有させるには、例えば、ｄ−ヒドロキシ安息香酸ア
ルキルエステルおよびＱ−ヒドロキシ安息香酸アルキル
エステルとを個別に調製し、同量混合して使用すること
もできるが、純粋化学的な方法を利用してｄ体とＱ体と
がほぼ同じ割合で混在しているヒドロキシ安息香酸アル
キルエステルを調製し、このヒドロキシ安息香酸アルキ
ルエステルをそのまま使用する方法を採用することが有
利である。

上記式［Ｔ］において、ｍおよびｎは、それぞれ独立に
、０〜２の整数を表す。ただし、上記式［Ｉ］において
、ｍおよびｎの両者が同時に０になることはない。

特に、このカルボン酸エステル化合物の内、ｍが、１ま
たは２である化合物の液晶が特に優れている。

さらに、上記式［Ｉ］において、１，２，３．４−テト
ラヒドロナフチル基としては、 １２３４−テトラヒドロ−１，５−ナフチル基１、２．
３．４−テトラヒドロ−１，６−ナフチル基１、２．３
．４−テトラヒドロ−２，６−ナフチル基および １２．３．４−テトラヒドロ−１，７−ナフチル基を挙
げることができる。このようなカルボン酸エステル化合
物の内、このエステル化合物を液晶化合物として使用す
る場合には、分子全体が直線状になることが好ましく、
このため液晶化合物としては、テトラヒドロナフチル基
が、１．２．３．４−テトラヒドロ−２，６−ナフチル
基である化合物が好ましい。

従って、上記式［■］で表されるカルボン酸エステル化
合物には、種々の化合物が包含されるが、このカルボン
酸エステル化合物を液晶化合物として使用する場合の好
ましい例として、具体的には次式［１］〜［１６コで表
される化合物を挙げることができる。

（。−ｃ１６Ｈ３３ン−ｏ＼、１＝？＝＝巨（］＝＝＝
＝＝＝＝１ゝ＼ＣＯＯ８ＣＯＯ（ｇ巨１：＞Ｃｏｏ−Ｃ
）ｌ（ＣＨ２）「ＣＨ。

ＣＩ＋３ ［１］ ［２］ （ｎ−Ｃａ’＋７）’Ｉｃ０Ｏ■ＣＯＯＧＣＯＯ−ｆｉ
Ｈ（ＣＨ２）−Ｔ−ｃＨ３Ｈ３ 「３」 （ｎ−Ｃ７Ｈ，５）−０ｇｃｏ啄かｃｏＯＧＣＯＤ−［
；Ｈ（Ｃ１２ＴＣ）１３Ｃ１＋３ ［４］ ［５］ ［１１コ し１３ ・・　［６］ ［１２］ ・・［７コ ＬＴ’３ ・・　　［１３コ し■３ ［８］ しｒ３ ［１４］ ［９］ ｒ３ ［１５］ ［１０］ しｒ３ ［１６］ 上記のようなカルボン酸エステル化合物は、公知の合成
技術を組み合わせて利用することにより製造することが
できる。

例えば、上記のカルボン酸エステル化合物は、以下に示
す合成経路に従って合成することができる。

すなわち、例えば、６−ｎ−アルコキシナフタレン−２
−カルボン酸のようなアルコキシナフタレンカルボン酸
誘導体と、１．２−エトキシエタンのようなアルコキシ
アルキルとの混合物を金属ナトリウムなどの存在下にイ
ンアミルアルコールのようなアルコール類を滴下しなが
ら還流することにより、１２３．４−テトラヒドロ−６
−ｎ−４−アルコキシナフタレン−２−カルボン酸のよ
うなナフタレン環の一方の芳香族環が水添されているナ
フタレンカルボン酸誘導体を得ることができる。

こうして得られるナフタレンカルボン酸誘導体（即ち１
．２．３．４−テトラヒドロ−６−ｎ−４−アルコキシ
ナフタレン−２−カルボン酸）と、４−ヒドロキシ安息
香酸ベンジルエステルのようなヒドロキシ基を有する芳
香族エステル化合物とを、４−Ｎ、Ｎ’−ジメチルアミ
ノピリジンおよび塩化メチレンのような有機溶媒を用い
て、Ｎ、Ｎ’−ジシクロへキシルカルボジイミドのよう
なイミド化合物を含むハロゲン化炭化水素（例えば塩化
メチレン）溶液を滴下しながら反応させることにより、
ナフタレンカルボン酸誘導体とヒドロキシ基を有する芳
香族エステル化合物とのエステル（上記の化合物の例で
示せば（４（６’−ｎ−アルコキシ−２′−ナフトイル
オキシ）安息香酸ベンジルエステル）を調製する。

上記のようにして得られたエステル（即ち４（６’−ｎ
−アルコキシ−２′−ナフトイルオキシ）安息香酸ベン
ジルエステル）を、テトラヒドロフラン等の極性溶媒中
に投入し、パラジウム／炭素等のような還元触媒の存在
下に水素ガスを用いて還元することにより、芳香族カル
ボン酸誘導体（例えば４−（６°−ｎ−アルコキシ−２
°−ナフトイルオキシ）安息香酸）を得ることができる
。

次いで、４−Ｎ′−ジメチルアミノピリジンのようなペ
テロ化合物の存在下に、塩化メチレンのようなハロゲン
化溶媒を用いて、ＮＮ’−ジシクロへキシルカルボジイ
ミドのようなイミド化合物を含むハロゲン化炭化水素溶
液（例えば塩化メチレン溶液）を滴下しながら、例えば
ヒドロキシ安息香酸およびＲ′　に相当する基を有する
アルコールから形成されるエステル化合物と、上記工程
で得られた芳香族カルボン酸誘導体（即ち、４−（６°
−ｎ−アルコキシ−２°−ナフトイルオキシ）安息香酸
）とを反応させることにより、本発明のカルボン酸エス
テル化合物を得ることができる。

そして、Ｒ′　に相当する基を有するアルコールとして
、ｄ体と９体とがほぼ同じ割合で含有されているアルコ
ールを使用する。

なお、上記方法は、本発明のカルボン酸エステル化合物
の製造方法の一例であり、本発明のカルボン酸エステル
化合物は、この製造方法によって限定されるものではな
い。

例えば上記のような方法により製造される本発明のカル
ボン酸エステル化合物の内、次式「２っで表される４−
［４−（１”、　２”、　３”、　４°゛−テトラヒド
ロ−６°′−ｎ−デシルオキシ−２″−ナフトイルオキ
シ）ペンゾイルオキシコ安息香酸メチルヘプチルエステ
ルの１ＨＮＭＲスペクトルのチャートを第１図に示す。

・・・［２］ なお、上記式［２］において、１〜１０の番号は、水素
原子を示しており、この番号は、第１図におけるピーク
に付した番号と対応している。−また、次式［６コで表
される４−（１’、　２’、　３°１４°−テトラヒド
ロ−６°−ｎ−デシルオキシ−２′〜ナフトイルオキシ
）安息香酸メチルヘプチルエステルの斃１）（−ＮＭＲ
スペクトルのチャートを第２図に示す。

・・・［６コ なお、上記式［６］において、１〜１０の番号は、水素
原子を示しており、この番号は、第２図におけるピーク
に付した番号と対応している。

また、次式［１４コで表される４−（１°、２°、３’
、４°−テトラヒドロ−６°−ｎ−デシルオキシ−２′
−ナフトイルオキシ）安息香酸トリフルオロメチルヘプ
チルエステルの府ＩＨ−ＮＭＲスペクトルのチャートを
第３図に示す。

・・・［１４］ なお、上記式［１４］において、１〜１０の番号は、水
素原子を示しており、この番号は、第３図におけるピー
クに付した番号と対応している。

例えば、上記のようにして得られた式［Ｉ］で表される
カルボン酸エステル化合物は、有機化合物の合成原料等
として使用することができる他、液晶化合物として好適
に使用することができる。

本発明のカルボン酸エステル化合物には、単独で液晶性
を示す化合物と、単独では液晶性を示さない化合物とが
あるが、液晶性を示さない上記カルボン酸エステル化合
物は、他の液晶性を示す化合物と混合することにより、
液晶組成物として使用することができる。

本発明のカルボン酸エステル化合物の内、次式［２］、
　［６コおよび［１４コで表される化合物が特に優れた
液晶特性を示す。

（ｎ−ｃ、ｏＨ２，）−ｏ（近トｏｏ■ＣＯＯ◎ＣＯ［
）−ｆｉ：Ｈ（Ｃ）１２）７Ｃ’ｌ　。

Ｈ３ ［２］ ・・・［６コ ・・　［１４］ 本発明のカルボン酸エステル化合物の内、液晶としての
特性が特に優れている式［２］、　［６］および［１４
］で表される化合物の相転移温度を表１に示す。・なお
、本発明において、Ｃｒｙは、結晶相、ＳｍＡは、スメ
クチックＡ相、　ＩＳＯは、等方性液体を表す。

表１ ［２］　　　　　　　　　　６１℃　　　　　１１７℃
［６］　　　　　　　　　−４９℃　　　　　　　　７
℃［１４］　　　　　　　　　　３８℃ 上記式［Ｉ］で表されるカルボン酸エステル化合物中に
は、表１に例示したようにそれ自体で液晶性を示す化合
物と、他の物質と混合することにとにより液晶性を発現
させる化合物とがある。

従って、本発明のカルボン酸エステル化合物を液晶化合
物として使用する場合に、本発明のカルボン酸エステル
化合物を、単独で使用することもできるし、他の液晶化
合物と混合して使用することもできる。例えば本発明の
液晶化合物、即ちカルボン酸エステル化合物は、スメク
チック液晶組成物の主剤として、或いは、スメクチック
相またはカイラルスメクチック相を呈する他の液晶化合
物を主剤とする液晶組成物の助剤として使用することが
できる。さらに、本発明の液晶化合物にカイラルスメク
チック相を呈する化合物を主剤あるいは助剤として配合
して、カイラルスメクチック相を呈する液晶組成物を調
製することもできる。

なお、本発明の液晶化合物を使用して液晶組成物を調製
するに際しては、上記の他の液晶化合物に加えて、さら
に、例えば電導性賦与剤および寿命向上剤等、通常の液
晶組成物に配合することができる添加剤を配合してもよ
い。

このようにして本発明の液晶化合物を使用することによ
り、高速応答性等の特性に優れた素子、例えば光スイツ
チング素子等を調製することができる。

本発明の液晶化合物は、表面安定化強誘電性液晶素子、
ヘリカル変歪型素子、過度散乱型素子、ゲストホスト型
素子、あるいは垂直配向液晶素子等に利用することがで
きる。

本発明の液晶化合物は、上記のような用途の他に、光シ
ャッター或いは液晶プリンター等の光スイツチング素子
、圧電素子および焦電素子等の液晶素子として好ましく
使用される。

発明の効果 本発明により新規なカルボン酸エステル化合物が提供さ
れる。

この新規なカルボン酸エステル化合物は、テトラヒドロ
ナフタレン環を有しているため、スメクチック相を示し
、液晶化合物として好ましく使用することができる。

また、本発明のカルボン酸エステル化合物に、同種およ
び／または異種の液晶化合物を配合することにより、本
発明の化合物の液晶特性を損なうことなく、広い温度範
囲で本発明の化合物を液晶として使用することができる
。

従って、このような液晶化合物あるいは液晶組成物を用
いることにより、広い温度範囲で高速応答性を有する液
晶素子を得ることができる。

さらに、このような液晶素子を用いて製造された液晶デ
イスプレィにおいては、走査時間を大幅に短縮すること
ができる。

このようなデイスプレィでは、消費電力の低減を図るこ
とができると共に、安定したコントラストが得られる。

次に本発明の実施例を示すが、本発明はこれらノ実施例
に限定されるものではない。

実施例１ ４−［４’−（１”　２°°３°’、４”−テトラヒド
ロ−６”−ｎ−デシルオキシ−２°−ナフトイルオキシ
）ベンゾイルオキシ］安息香酸−１”°°−メチルヘプ
チルエステルの合成第１段階 ６−ｎ−デシルオキシ−ナフタレン−２−カルボン酸３
．８６　ｇ　（１１，８ミリモル）および１．２−ジェ
トキシエタン１３０ｍ１の混合物に、窒素雰囲気下、１
２０℃で攪拌下に金属ナトリウム３０ｇ（１３０ミリグ
ラム原子）を加えてさらに還流温度まで加熱した。

この混合物にイソアミルアルコール１０ｇ（１１４ミリ
モル）を１時間かけて滴下し、さらに１１時間還流下に
反応させた。室温に冷却後、残存する金属ナトリウムを
エタノールを加えて工タノールを加えて分解した後、反
応混合物に２０％塩酸を加えて酸性にした。

この反応混合物に水１００ｍ１を加えた後、有機相を分
離し、さらにこの有機相を水洗した。

有機相を減圧下に濃縮することにより、固体４．２５　
ｇを得た。この固体をトルエンを用いて再結晶すること
により、１．２．３．４−テトラヒドロ−６−ｎデシル
オキシナフタレン−２−カルボン酸２．９５　ｇを得た
。

第２段階 第１段階で得られた１、　２．３．４−テトラヒドロ−
６−ｎ−デシルオキシ−２−ナフタレン−２−カルボン
酸１．６６ｇ（５ミリモル）と、４−ヒドロキシ安息香
酸−１゛−メチル−ヘプチルエステル１．１４ｇ　（５
ミリモル）と、４−Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノピリジン０
．１２ｇ（１ミリモル）および塩化メチレン２゜ｍｌの
混合物に、Ｎ、Ｎ’−ジシクロへキシルカルボジイミド
１．０３ｇ（５ミリモル）を含む塩化メチレン溶液２ｍ
ｌを室温、攪拌下に１時間がけて滴下した。

さらに室温下で１０時間反応させた。

反応混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。

濃縮物をカラムクロマトグラフィーを用いて分離するこ
とにより、白色固体である４−（１’、２．３　。

４゛−テトラヒドロ−６°−ｎ−デシルオキシ−２°−
ナフトイルオキシ）安息香酸ベンジルエステル２．３２
　ｇ（４，２３ミリモル）を得た。

第３段階 第２段階で得られた４−（１’、　２’、　３’、　４
°−テトラヒドロ−６°−ｎ−デシルオキシ−２°−ナ
フトイルオキシ）安息香酸ベンジルエステル２．１７（
４ミリモル）、５％パラジウム／炭素１ｇおよびテトラ
ヒドロフラン３０ｍ１の混合物中に、室温、常圧攪拌下
に水素を８時間吹き込んだ。

反応混合物を濾過助剤であるセライトを用いて濾過し、
さらに得られた濾液を濃縮し、白色固体である４−（１
“、２’、３°、４°−テトラヒドロ−６−ｎ−デシル
オキシ−２゛−ナフトイルオキシ）安息香酸１．５９　
ｇ（３，５２ミリモル）を得た。

第４段階 第３段階で得られた４−（１°、２′、３’　４’−テ
トラヒドロ−６゛−ｎ−デシルオキシ−２′−ナフトイ
ルオキシ）安息香酸０．４５ｇ（］ミリモル）、４−ヒ
ドロキシ安息香酸−１°−メチルヘプチルエステル０．
２１ｇ（１ミリモル）、４−Ｎ、　Ｎ−ジメチルアミノ
ピリジン０．０１２ｇ（０，１ミリモル）および塩化メ
チレン１０ｍ１の混合液に、Ｎ、Ｎ’−ジシクロヘキサ
ンカルボジイミド０．２１ｇ（１ミリモル）を含む塩化
メチレン溶液２ｍｌを室温、攪拌下に１時間かけて滴下
した。

さらに室温下で８時間反応させた。

反応液を濾過し、得られた濾液を濃縮した。濃縮液をカ
ラムクロマトグラフィーを用いて分離することにより、
無色の半固体０．４８ｇを得た。

この半固体のＦＤ−マススペクトルの値は、Ｍ　／　ｅ
　＝　６８４であった。

第１図にこの化合物のＩＨ−ＮＭＲスペクトルのチャー
トを示す この結果およびこの化合物のｊＨ−ＮＭＲスペクトルに
よる分析結果より、この化合物は、目的とする４−［４
−（１”、　２”、　３°’、４”−テトラヒドロ−６
′’−ｎ−デシルオキシ−２°−ナフトイルオキシ）ベ
ンゾイルオキシ］安息香酸−１°゛°−メチルヘプチル
エステル（例示化合物［２］）であると同定した。

実施例２ ４−（１°、２°、３’、４’−テトラヒドロ−６−ｎ
−デシルオキシ−２′−ナフトイルオキシ）安息香酸メ
チルへブチルエステルの合成 上記実施例１における第１段階で得られた１、２゜３．
４−テトラヒドロ−６−ｎ−デシルオキシナフタレン−
２−カルボン酸０．３３ｇ（１ミリモル）と、４−ヒド
ロキシ安息香酸メチルトリフルオロヘプチルエステル０
．３０ｇ（１ミリモル）と、４−Ｎ、　Ｎ−ジメチルア
ミノピリジン０．０１２　ｇ　（０，１ミリモル）およ
び塩化メチレン１０ｍ１の混合物に、Ｎ、Ｎ’−ジシク
ロへキシルカルボジイミド０．２］ｇ（１ミリモル）を
含む塩化メチレン溶液２ｍｌを室温、攪拌下に１時間か
けて滴下した。

さらに室温下で８時間反応させた。

反応混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。

濃縮物をカラムクロマトグラフィーを用いて分離するこ
とにより、無色の半固体０．５３ｇを得た。

この半固体のＦＤ−マススペクトルの値は、Ｍ　／　ｅ
　＝　５６２であった。

第２図にこの化合物のＩＨ−ＮＭＲスペクトルのチャー
トを示す。

この結果およびこの化合物のＩＨ−ＮＭＲスペクトルに
よる分析結果より、この化合物は、目的とする４−（１
°、２’、３’、４’−テトラヒドロ−６゛−ｎ−デシ
ルオキシ−２°−ナフトイルオキシ）安息香酸メチルヘ
プチルエステル（例示化合物［６］）であると同定した
。

実施例３ ４−（１’、２’、３’、４−テトラヒドロ−６°−ｎ
−デシルオキシ−２°−ナフトイルオキシ）安息香酸ト
リフルオロメチルヘプチルエステルの合成 実施例１の第１段階で得られた、１．２．３．４−テト
ラヒドロ−６−ｎ−デシルオキシ−２−ナフタレン−２
−カルボン酸０．３３ｇ（１ミリモル）と、４−ヒドロ
キシ安息香酸−トリフルオロメチル−ヘプチルエステル
０．３０ｇ（１ミリモル）と、４−Ｎ、　Ｎ−ジメチル
アミノピリジン０．０１２　ｇ　（０，１ミリモル）お
よび塩化メチレン１０ｍ１の混合物に、Ｎ、Ｎ’−ジシ
クロへキシルカルボジイミドＱ、２１ｇ（１ミリモル）
を含む塩化メチレン溶液２ｍｌを室温、攪拌下に１時間
かけて滴下した。

さらに室温下で８時間反応させた。

反応混合物を濾過し、得られた濾液を濃縮した。

濃縮物をカラムクロマトグラフィーを用いて分離するこ
とにより、無色の粘稠液体０．５８ｇを得た。

この半固体のＦＤ−マススペクトルの値は、Ｍ／ｅ＝６
１８であった。

第３図にこの化合物のＩＨ−ＮＭＲスペクトルのチャー
トを示す この結果およびこの化合物のｊＨ−ＮＭＲスペクトルに
よる分析結果より、この化合物は、目的とする４−（１
°、２’、３’、４°−テトラヒドロ−６゛−ｎ−デシ
ルオキシ−２°−ナフトイルオキシ）安息香酸トリフル
オロメチルヘプチルエステル（例示化合物［１４］）で
あると同定した。

【図面の簡単な説明】

第１図は、式［２］で表される４−［４’−（１°’、
２”３”　４”−テトラヒドロ−６“−ｎ−デシルオキ
シ−２″−ナフトイルオキシ）ベンゾイルオキシ］安息
香酸メチルヘプチルエステルのＸＨ−ＮＭＲスペクトル
のチャートである。 第２図は、式［６］で表される４−（１°１２°、　３
’、　４テトラヒドロ−６−ｎ−デシルオキシ−２−ナ
フトイルオキシ）安息香酸メチルヘプチルエステルのＩ
ＨＮＭＲスペクトルのチャートである。 第３図は、式［１４］で表される４−（１“１２′、３
′４テトラヒドロ−６−ｎ−デシルオキシ−２−ナフト
イルオキシ）安息香酸トリフルオロメチルヘプチルエス
テルのｉＨ−ＮＭＲスペクトルのチャートである。 特許出願人　　三井石油化学工業株式会社代　理　人　
　弁理士　　鈴　木　俊一部特 許 庁 手続補正書 平成３年１０月７日 長官　深　沢　亘　殿 平成２年　特　許　願　第２０７，０８４号平成２年８
月３日提出の特許願　（Ｄ）２゜ 発明の名称 カルボン酸エステル化合物および液晶化合物補正をする
者 事件との関係　　　特許出願人 名　称　　三井石油化学工業株式会社 ４、代　理 住所 人 （郵便番号」４１） 東京部品用区西五反田二丁目１９番２号荒久ビル３階 ［電話０３（３４９１）３１Ｂ１］ 別紙の通り（補正の幻象の欄に記載した事項以外は内容
に変更なし。） 補正の内容 （Ａ）発明の詳細な説明の欄を以下のように補正する。 （１）明細書第９頁第７行目の「［■］で表される」の
後に［ラセミ混合物である」を補充する。 （２）明細書第１２頁下から８行目に記載の「３〜２０
のアルキル基、炭素原子数３〜２０のア」を「３〜２０
、好ましくは炭素原子数４〜２０のアルキル基、炭素原
子数３〜２０、好ましくは炭素原子数４〜２０のア」と
補正する。 （３）明細書第２０頁第１２行目〜１３行目にかけて記
載のｒ　４−Ｎ、　Ｎ−ジメチルアミノピリジンＪを「
４−ＮＮ−ジメチルアミノピリジン」と補正する。 （４）明細書第２１頁第１０行目に記載のｒ４−Ｎ’−
ジメチルアミノピリジン」をｒ　４−Ｎ、　）ｌ−ジメ
チルアミノピリジン」と補正する。 （５）明細書第２６頁の最下行の後に次の記載を補充す
る。 「　なお、本発明において、相転移温度は、ＤＳＣ（示
差走査熱量計）による熱的測定と偏光顕微鏡観察による
相転移温度測定により決定した値である。また、結晶と
の転移温度［Ｃｒｙ−５ｍＡまたはＣｒｙ−Ｉ　ｓｏｌ
は最長２０日放置して結晶化の有無を確認して示した。 」 以上−

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）次式［ I ］で表されることを特徴とするカルボ
   ン酸エステル化合物； ▲数式、化学式、表等があります▼・・・［ I ］ ［ただし、式［ I ］において、ＲおよびＲ′は、それ
   ぞれ独立に、炭素原子数３〜２０のアルキル基、炭素原
   子数３〜２０のアルコキシ基および炭素原子数３〜２０
   のハロゲン化アルキル基よりなる群から選ばれる一種の
   基であり、 ＸおよびＹは、それぞれ独立に、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ
   −、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ
   ＿２−、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼および−Ｓ−Ｓ−よりなる群
   から選ばれる基、または、単結合を表ＡおよびＢは、そ
   れぞれ独立に、 ▲数式、化学式、表等があります▼　▲数式、化学式、
   表等があります▼　▲数式、化学式、表等があります▼
   　▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼　▲数式、化学式、
   表等があります▼　▲数式、化学式、表等があります▼
   および▲数式、化学式、表等があります▼ よりなる群から選ばれる基を表し、 そして、ｍおよびｎは、それぞれ独立に、０〜２の整数
   を表す（ただし、ｍおよびｎが同時に０になることはな
   い）］。
2. （２）上記式［ I ］において、Ｒ′は、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、 ▲数式、化学式、表等があります▼および▲数式、化学
   式、表等があります▼ よりなる群から選ばれる基を表すことを特徴とする請求
   項第１項記載のカルボン酸エステル化合物。
3. （３）次式［ I ］で表されることを特徴とする液晶化
   合物； ▲数式、化学式、表等があります▼ ・・・［ I ］ ［ただし、式［ I ］において、ＲおよびＲ′は、炭素
   原子数３〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜２０のア
   ルコキシ基および炭素原子数３〜２０のハロゲン化アル
   キル基よりなる群から選ばれる一種の基であり、 ＸおよびＹは、それぞれ独立に、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ
   −、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ
   ＿２−、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼および−Ｓ−Ｓ− よりなる群から選ばれる基、または、単結合を表し、 ＡおよびＢは、それぞれ独立に、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
   、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
   ▼、▲数式、化学式、表等があります▼および▲数式、
   化学式、表等があります▼ よりなる群から選ばれる基を表し、 そして、ｍおよびｎは、それぞれ独立に、０〜２の整数
   を表す（ただし、ｍおよびｎが同時に０になることはな
   い）］。
4. （４）上記式［ I ］において、Ｒ′は、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、 ▲数式、化学式、表等があります▼および▲数式、化学
   式、表等があります▼ よりなる群から選ばれる基を表すことを特徴とする請求
   項第３項記載の液晶化合物。
5. （５）上記式［ I ］において、Ｒがアルコキシ基であ
   り、Ｘが−ＣＯＯ−であり、Ａが、▲数式、化学式、表
   等があります▼基であり、かつ、ｍが、１または２の整
   数であり、ｎが０であることを特徴とする請求項第３項
   記載の液晶化合物。