JPH0491508A - 弾性表面波デバイスとその製造方法 - Google Patents
弾性表面波デバイスとその製造方法Info
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- JPH0491508A JPH0491508A JP20875490A JP20875490A JPH0491508A JP H0491508 A JPH0491508 A JP H0491508A JP 20875490 A JP20875490 A JP 20875490A JP 20875490 A JP20875490 A JP 20875490A JP H0491508 A JPH0491508 A JP H0491508A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
弾性表面波デバイスに関し、
弾性表面波デバイス、とくに、多電極構成の弾性表面波
フィルタの接地導線数を低減することにより、作業工数
を削減し、かつ、製品の信顛性を向上するすることを目
的とし、 圧電体基板上に少なくとも複数の櫛型入力電極と複数の
櫛型出力電極を交互に配列した多電極構成の弾性表面波
デバイスにおいて、前記櫛型入力電極と櫛型出力電極の
各接地側電極端子パッドの全てを1つの接続用導体で連
結し、前記接続用導体から接地するように弾性表面波デ
バイスおよびその製造方法を構成する。
フィルタの接地導線数を低減することにより、作業工数
を削減し、かつ、製品の信顛性を向上するすることを目
的とし、 圧電体基板上に少なくとも複数の櫛型入力電極と複数の
櫛型出力電極を交互に配列した多電極構成の弾性表面波
デバイスにおいて、前記櫛型入力電極と櫛型出力電極の
各接地側電極端子パッドの全てを1つの接続用導体で連
結し、前記接続用導体から接地するように弾性表面波デ
バイスおよびその製造方法を構成する。
本発明は弾性表面波デバイス、とくに、多電極構成の弾
性表面波フィルタの接地導線の引き出し構成の改良に関
する。
性表面波フィルタの接地導線の引き出し構成の改良に関
する。
最近、自動車電話や携帯電話など高周波数帯で使用され
るフィルタに多電極構成の弾性表面波フィルタが注目さ
れるようになり、その小形化にともなって素子構成の簡
略化による作業工数の削減とデバイスとしての信頼性の
向上が益々重要になってきている。
るフィルタに多電極構成の弾性表面波フィルタが注目さ
れるようになり、その小形化にともなって素子構成の簡
略化による作業工数の削減とデバイスとしての信頼性の
向上が益々重要になってきている。
弾性表面波デバイス、たとえば、弾性表面波フィルタは
、電気−機械結合係数が大きく、シかも周波数の温度係
数が比較的小さい圧電体基板、たとえば、36゛回転Y
カットーX伝播LiTa0z(36゜Y X LiT
a0t)単結晶基板の上に、八1などからなる入力用お
よび出力用の櫛型電極を設けた3端子あるいは4端子型
素子である。
、電気−機械結合係数が大きく、シかも周波数の温度係
数が比較的小さい圧電体基板、たとえば、36゛回転Y
カットーX伝播LiTa0z(36゜Y X LiT
a0t)単結晶基板の上に、八1などからなる入力用お
よび出力用の櫛型電極を設けた3端子あるいは4端子型
素子である。
櫛型電極(すだれ状電極とも呼ばれる)の櫛歯。
すなわち、電極指の巾(し)、電橋指間のスペース(S
)、電極指間ピッチ(P)は表面波の波長をλとしたと
、通常、L =S =λ/4.P=λ/2といった設計
値のものが多い。たとえば、中心周波数836MHzを
得るためには、前記基板1のX伝播表面波の音速409
0m/sからλ=4.8μmが算出され、電極ピッチは
2.4μm、電極巾および電極間隔は1.2 μmとい
った値となる。
)、電極指間ピッチ(P)は表面波の波長をλとしたと
、通常、L =S =λ/4.P=λ/2といった設計
値のものが多い。たとえば、中心周波数836MHzを
得るためには、前記基板1のX伝播表面波の音速409
0m/sからλ=4.8μmが算出され、電極ピッチは
2.4μm、電極巾および電極間隔は1.2 μmとい
った値となる。
通常、入力用および出力用の櫛型電極の一組を対面させ
た構成のものが多いが、用途によってたとえば、自動車
電話や携帯電話などの分野では低損失(たとえば、挿入
損失:3〜5 dB以下)。
た構成のものが多いが、用途によってたとえば、自動車
電話や携帯電話などの分野では低損失(たとえば、挿入
損失:3〜5 dB以下)。
広帯域(たとえば、中心周波数:836MHz以上で通
過帯域中: 25MHz以上)、抑圧度の優れた(たと
えば帯域外減衰量=24〜25dB)弾性表面波フィル
タが要求されるようになっている。
過帯域中: 25MHz以上)、抑圧度の優れた(たと
えば帯域外減衰量=24〜25dB)弾性表面波フィル
タが要求されるようになっている。
このような性能を満たすために種々の方法が提案されて
いるが、その代表的なものに多電極構成の弾性表面波フ
ィルタがある(たとえば、−几ewis、1982 U
ltrasonics Symposium Proc
eedings、P12参照)。
いるが、その代表的なものに多電極構成の弾性表面波フ
ィルタがある(たとえば、−几ewis、1982 U
ltrasonics Symposium Proc
eedings、P12参照)。
第3図は従来の多電極構成型フィルタ素子の電極配置例
を示す図で、5人カー4出力の場合である。図中、10
゛ はフィルタ素子で、たとえば、36”l −I L
iTaO3単結晶からなる圧電体基板lの上に櫛型入力
!掻2、櫛型出力電極3を交互に配列して多電極構成、
たとえば、入力側が5段、出力側が4段に構成し、各信
号側電極指を接続してそれぞれ入力端子パッド25およ
び出力端子パッド35によって外部回路に接続される。
を示す図で、5人カー4出力の場合である。図中、10
゛ はフィルタ素子で、たとえば、36”l −I L
iTaO3単結晶からなる圧電体基板lの上に櫛型入力
!掻2、櫛型出力電極3を交互に配列して多電極構成、
たとえば、入力側が5段、出力側が4段に構成し、各信
号側電極指を接続してそれぞれ入力端子パッド25およ
び出力端子パッド35によって外部回路に接続される。
なお、図では示してないが必要により両側に反射器を設
けて特性の改善を図る場合もある。
けて特性の改善を図る場合もある。
20および30は櫛型入力電極2および櫛型出力電極3
それぞれの接地側電極端子パッドであり、それぞれ電気
的に独立して形成されている。
それぞれの接地側電極端子パッドであり、それぞれ電気
的に独立して形成されている。
これら櫛型電極および端子パッドは9通常、全て同一の
金属、たとえば、A!あるいは^1−Cu合金を蒸着し
ホトリソグラフィ技術により同時形成される。なお、入
出力電極は櫛歯電極指の交差長が等しい、いわゆる、正
規型−正規型構成の場合を示し、電極指の巾や本数は図
面の簡略化のため正確なものではなく模式的に示しであ
る。
金属、たとえば、A!あるいは^1−Cu合金を蒸着し
ホトリソグラフィ技術により同時形成される。なお、入
出力電極は櫛歯電極指の交差長が等しい、いわゆる、正
規型−正規型構成の場合を示し、電極指の巾や本数は図
面の簡略化のため正確なものではなく模式的に示しであ
る。
第4図は従来の素子搭載状態の例を示す図で、図中、1
0’は前記のフィルタ素子である。110はパンケージ
で、たとえば、金属パッケージのステムでガラスシール
された外部引き出し端子101,102が金属ベース1
00に植設されている。なお、金属キャップは図面簡略
化のため省略しである。
0’は前記のフィルタ素子である。110はパンケージ
で、たとえば、金属パッケージのステムでガラスシール
された外部引き出し端子101,102が金属ベース1
00に植設されている。なお、金属キャップは図面簡略
化のため省略しである。
フィルタ素子10’ はその圧電体基板1の底面で金属
ベース100の上に、たとえば、導電性接着材によりグ
イボンディングされる。入力端子パッド25および出力
端子パッド35はそれぞれ外部引き出し端子101およ
び102に、たとえば、Alワイヤ103でボンディン
グ接続される。一方、櫛型入力電極2および櫛型出力電
極3の接地側電極端子パッド20および30はそれぞれ
別個に金属ベース100に、たとえば、同様にAlワイ
ヤ104でボンディング接続されて、こ−には図示して
ない、たとえば、金属キャップを覆ってシールし多電極
構成型の弾性表面波フィルタを作製している。
ベース100の上に、たとえば、導電性接着材によりグ
イボンディングされる。入力端子パッド25および出力
端子パッド35はそれぞれ外部引き出し端子101およ
び102に、たとえば、Alワイヤ103でボンディン
グ接続される。一方、櫛型入力電極2および櫛型出力電
極3の接地側電極端子パッド20および30はそれぞれ
別個に金属ベース100に、たとえば、同様にAlワイ
ヤ104でボンディング接続されて、こ−には図示して
ない、たとえば、金属キャップを覆ってシールし多電極
構成型の弾性表面波フィルタを作製している。
しかし、上記従来の多電極構成の弾性表面波素子、たと
えば、弾性表面波フィルタでは接地側電極端子パッド2
0および30はそれぞれ独立して配置形成されているの
で、接地のための接続、たとえば、ワイヤボンディング
はそれらの数だけ行わなければならない。とくに、電極
段数が増加するとその本数は数10本に達することがあ
り、ボンディング工数が増大して生産性が低下するだけ
でなく歩留りおよび製品の信顛性の低下を招くという重
大な問題を生じておりその解決が必要であった。
えば、弾性表面波フィルタでは接地側電極端子パッド2
0および30はそれぞれ独立して配置形成されているの
で、接地のための接続、たとえば、ワイヤボンディング
はそれらの数だけ行わなければならない。とくに、電極
段数が増加するとその本数は数10本に達することがあ
り、ボンディング工数が増大して生産性が低下するだけ
でなく歩留りおよび製品の信顛性の低下を招くという重
大な問題を生じておりその解決が必要であった。
〔課題を解決するための手段]
上記の課題は、圧電体基板l上に少なくとも複数の櫛型
入力電極2と複数の櫛型出力電極3を交互に配列した多
電極構成の弾性表面波デバイスにおいて、前記櫛型入力
電極2と櫛型出力電極3の各接地側電極端子パッド20
および30の全てを1つの接続用導体4で連結し、前記
接続用導体4から接地した弾性表面波デバイスによって
解決することができる。
入力電極2と複数の櫛型出力電極3を交互に配列した多
電極構成の弾性表面波デバイスにおいて、前記櫛型入力
電極2と櫛型出力電極3の各接地側電極端子パッド20
および30の全てを1つの接続用導体4で連結し、前記
接続用導体4から接地した弾性表面波デバイスによって
解決することができる。
このようなデバイスを具体的に構成するには、前記圧電
体基板l上の少なくとも弾性表面波の励振・伝播領域と
入力端子パッド25.出力端子パッド35および接地側
電極端子パッド20.30上のコンタクトホール形成部
分を覆うようにレジスト膜をコートしたあと、全面に絶
縁層5を被覆し、前記レジスト膜をコートした領域部分
の前記絶縁層5をイオンエツチングで除去し、そこに露
出した前記レジスト膜を溶剤で除去したあと、前記接地
側電極端子パッド20.30上の前記絶縁層5に形成さ
れた全ての前記コンタクトホール21.31を連結する
ように前記絶縁層5上に連続薄膜導体からなる接続用導
体4を被着してフィルタ素子10を形成し。
体基板l上の少なくとも弾性表面波の励振・伝播領域と
入力端子パッド25.出力端子パッド35および接地側
電極端子パッド20.30上のコンタクトホール形成部
分を覆うようにレジスト膜をコートしたあと、全面に絶
縁層5を被覆し、前記レジスト膜をコートした領域部分
の前記絶縁層5をイオンエツチングで除去し、そこに露
出した前記レジスト膜を溶剤で除去したあと、前記接地
側電極端子パッド20.30上の前記絶縁層5に形成さ
れた全ての前記コンタクトホール21.31を連結する
ように前記絶縁層5上に連続薄膜導体からなる接続用導
体4を被着してフィルタ素子10を形成し。
前記接続用導体4から接地するように弾性表面波デバイ
スの製造方法を構成すればよい。
スの製造方法を構成すればよい。
〔作用]
本発明によれば、接地側電極端子パット20および30
の全てを1つの接続用導体4で連結しであるので、接地
用の接続、たとえば、ワイヤボンディングは最低1本で
済ますことが可能になるのである。
の全てを1つの接続用導体4で連結しであるので、接地
用の接続、たとえば、ワイヤボンディングは最低1本で
済ますことが可能になるのである。
第1図は本発明の実施例を示す図で、同図(イ)は平面
図、同図(ロ)はX−X矢視断面図、同図(ハ)はy−
y矢視断面図である。
図、同図(ロ)はX−X矢視断面図、同図(ハ)はy−
y矢視断面図である。
図中、lは圧電体基板で、たとえば、厚さ0.5mmの
36°Y−XLiTa03単結晶板である。櫛型入力電
極2.櫛型出力電極3.電極端子パッドなどは全て同一
の金属、たとえば、厚さ200nmのA l −Cuで
同時形成されたもので5人カー4出力構成である。
36°Y−XLiTa03単結晶板である。櫛型入力電
極2.櫛型出力電極3.電極端子パッドなどは全て同一
の金属、たとえば、厚さ200nmのA l −Cuで
同時形成されたもので5人カー4出力構成である。
5は絶縁層で、たとえば、厚さ2〜3μmのSiO2の
スパフタ膜であり、櫛型電極指、すなわち、弾性表面波
の励振、伝播部分と入力および出力端子パッド25およ
び35を除く、少なくとも、接地側電極端子パッド20
および30の領域を含む信号ラインを全て覆うように形
成する。21および31は接地側電極端子パッド20お
よび30のそれぞれに形成された。たとえば、40μm
φのコンタクトホール(ピアホール)である。4は接続
用導体で、たとえば、1〜2μmのA 1−Cu膜であ
り、前記コンタクトホール21および31の全てを埋め
て、かつ、接地側電極端子パッド20および30の全て
を連結するように形成したものである。
スパフタ膜であり、櫛型電極指、すなわち、弾性表面波
の励振、伝播部分と入力および出力端子パッド25およ
び35を除く、少なくとも、接地側電極端子パッド20
および30の領域を含む信号ラインを全て覆うように形
成する。21および31は接地側電極端子パッド20お
よび30のそれぞれに形成された。たとえば、40μm
φのコンタクトホール(ピアホール)である。4は接続
用導体で、たとえば、1〜2μmのA 1−Cu膜であ
り、前記コンタクトホール21および31の全てを埋め
て、かつ、接地側電極端子パッド20および30の全て
を連結するように形成したものである。
なお、前記の諸国面で説明したものと同等の部分につい
ては同一符号を付し、かつ、同等部分についての説明は
省略する。
ては同一符号を付し、かつ、同等部分についての説明は
省略する。
上記構成は、たとえば、絶縁層5を設けたくない部分に
、先ずレジストをコートしたあと全面にSiO□膜を被
着し、レジストをコートした部分だけをイオンエンチン
グしてその部分の5iOz膜を除去してから、その部分
のレジスト膜を適当な溶剤で除去することによりコンタ
クトホール21,31その他弾性表面波の励振、伝播部
分や入出力端子パッドなどを形成することができる。
、先ずレジストをコートしたあと全面にSiO□膜を被
着し、レジストをコートした部分だけをイオンエンチン
グしてその部分の5iOz膜を除去してから、その部分
のレジスト膜を適当な溶剤で除去することによりコンタ
クトホール21,31その他弾性表面波の励振、伝播部
分や入出力端子パッドなどを形成することができる。
上記実施例では絶縁層5として5iOz膜を用いたが、
これに限定されるものではなくポリイミド樹脂、たとえ
ば、感光性のポリイミド樹脂膜を用いて公知のホトリソ
グラフィ技術によって形成してもよいことは言うまでも
ない。
これに限定されるものではなくポリイミド樹脂、たとえ
ば、感光性のポリイミド樹脂膜を用いて公知のホトリソ
グラフィ技術によって形成してもよいことは言うまでも
ない。
第2図は本発明実施例の素子搭載状態を示す図で、図中
、10は前記第1図に示した本発明のフィルタ素子であ
る。
、10は前記第1図に示した本発明のフィルタ素子であ
る。
なお、前記の諸国面で説明したものと同等の部分につい
ては同一符号を付し、かつ、同等部分についての説明は
省略する。
ては同一符号を付し、かつ、同等部分についての説明は
省略する。
本発明のフィルタ素子IOでは、接地側電極端子パッド
20および30の全てが接続用導体4で連結されている
ので、図示したごとく接地側電極端子パッド20および
30は別個に金属ヘースlOOに接続する必要はなく、
たとえば、2本のA1ワイヤ104でボンデイン接続す
れば充分であり、最低1本で済ますこともでき、従来例
に比較して作業性1歩留り、製品の信頼性とも大巾に改
善される。
20および30の全てが接続用導体4で連結されている
ので、図示したごとく接地側電極端子パッド20および
30は別個に金属ヘースlOOに接続する必要はなく、
たとえば、2本のA1ワイヤ104でボンデイン接続す
れば充分であり、最低1本で済ますこともでき、従来例
に比較して作業性1歩留り、製品の信頼性とも大巾に改
善される。
なお、上記実施例では5人カー4出力構成の場合につい
て示したが、その他の電極数の多段構成の場合であって
も本発明が適用できることは言うまでもない。
て示したが、その他の電極数の多段構成の場合であって
も本発明が適用できることは言うまでもない。
また、櫛形信号電極の両側に反射器、たとえば、公知の
ショートストリップ型櫛型反射器を配置した場合にも本
発明が適用できる。この場合には反射器のショートバー
を接続導体4に接続するように形成すればよい。
ショートストリップ型櫛型反射器を配置した場合にも本
発明が適用できる。この場合には反射器のショートバー
を接続導体4に接続するように形成すればよい。
以上述べた実施例は一例を示したもので、本発明の趣旨
に添うものである限り、使用する素材や構成、製造プロ
セスなど適宜好ましいもの、あるいはその組み合わせを
用いてもよいことは言うまでもない。
に添うものである限り、使用する素材や構成、製造プロ
セスなど適宜好ましいもの、あるいはその組み合わせを
用いてもよいことは言うまでもない。
[発明の効果]
以上述べたように、本発明によれば接地側電極端子パッ
ド20および30の全てを1つの接続用導体4で連結し
であるので、接地用の接続、たとえば、ワイヤボンディ
ングは最低1本で済ますことが可能となり作業性1歩留
りが改善され、多電極構成の弾性表面波デバイスの低価
格化と信頼性の向上に寄与するところが極めて大きい。
ド20および30の全てを1つの接続用導体4で連結し
であるので、接地用の接続、たとえば、ワイヤボンディ
ングは最低1本で済ますことが可能となり作業性1歩留
りが改善され、多電極構成の弾性表面波デバイスの低価
格化と信頼性の向上に寄与するところが極めて大きい。
第1図は本発明の実施例を示す図、
第2図は本発明実施例の素子搭載状態を示す図、第3図
は従来の多電掻構成型フィルタ素子の電極配置例を示す
図、 第4図は従来の素子搭載状態の例を示す図である。 図において、 lは圧電体基板、 2は櫛型入力電極、 3は櫛型出力電極、 4は接続用導体、 5は絶縁層、 lOはフィルタ素子、 20.30は接地側電極端子パッド、 21.31 はコンタクトホール、 25は入力端子パット、 35は出力端子パッド 100は金属ヘース、103.104はボンディングワ
イヤ、110はパッケージである。 木f明○実几f711F示4図 %1図 太)v:Fi3I夫施伜10素乎悟載状肢之示す図メ
2(21
は従来の多電掻構成型フィルタ素子の電極配置例を示す
図、 第4図は従来の素子搭載状態の例を示す図である。 図において、 lは圧電体基板、 2は櫛型入力電極、 3は櫛型出力電極、 4は接続用導体、 5は絶縁層、 lOはフィルタ素子、 20.30は接地側電極端子パッド、 21.31 はコンタクトホール、 25は入力端子パット、 35は出力端子パッド 100は金属ヘース、103.104はボンディングワ
イヤ、110はパッケージである。 木f明○実几f711F示4図 %1図 太)v:Fi3I夫施伜10素乎悟載状肢之示す図メ
2(21
Claims (3)
- (1)圧電体基板(1)上に少なくとも複数の櫛型入力
電極(2)と複数の櫛型出力電極(3)を交互に配列し
た多電極構成の弾性表面波デバイスにおいて、前記櫛型
入力電極(2)と櫛型出力電極(3)の各接地側電極端
子パッド(20,30)の全てを1つの接続用導体(4
)で連結し、前記接続用導体(4)から接地することを
特徴とした弾性表面波デバイス。 - (2)前記接続用導体(4)が前記接地側電極端子パッ
ド(20,30)の上を覆った絶縁層(5)の上に設け
られた連続薄膜導体からなり,かつ、前記絶縁層(5)
に設けられたコンタクトホール(21,31)を通して
全ての前記接地側電極端子パッド(20,30)を連結
することを特徴とした請求項(1)記載の弾性表面波デ
バイス。 - (3)前記圧電体基板(1)上の少なくとも弾性表面波
の励振・伝播領域と入力端子パッド(25),出力端子
パッド(35)および接地側電極端子パッド(20,3
0)上のコンタクトホール形成部分を覆うようにレジス
ト膜をコートしたあと、全面に絶縁層(5)を被覆し、
前記レジスト膜をコートした領域部分の前記絶縁層(5
)をイオンエッチングで除去し、そこに露出した前記レ
ジスト膜を溶剤で除去したあと、前記接地側電極端子パ
ッド(20,30)上の前記絶縁層(5)に形成された
全ての前記コンタクトホール(21,31)を連結する
ように前記絶縁層(5)上に連続薄膜導体からなる接続
用導体(4)を被着することを特徴とした請求項(1)
および(2)記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20875490A JPH0491508A (ja) | 1990-08-06 | 1990-08-06 | 弾性表面波デバイスとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20875490A JPH0491508A (ja) | 1990-08-06 | 1990-08-06 | 弾性表面波デバイスとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0491508A true JPH0491508A (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=16561528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20875490A Pending JPH0491508A (ja) | 1990-08-06 | 1990-08-06 | 弾性表面波デバイスとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0491508A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005223809A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
| WO2010150882A1 (ja) * | 2009-06-26 | 2010-12-29 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波フィルタおよびそれを用いた分波器 |
| US10530330B2 (en) * | 2015-07-28 | 2020-01-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device |
| WO2020187827A1 (en) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | RF360 Europe GmbH | 11-idt dms filter, electroacoustic filter and multiplexer |
| WO2020187811A1 (en) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | RF360 Europe GmbH | Dms filter, electroacoustic filter and multiplexer |
| CN115276591A (zh) * | 2022-06-22 | 2022-11-01 | 常州承芯半导体有限公司 | 声表面波滤波装置及其形成方法、滤波器、多工器 |
| CN119363067A (zh) * | 2024-12-27 | 2025-01-24 | 天通瑞宏科技有限公司 | 一种纵向耦合型谐振器及其制备方法 |
-
1990
- 1990-08-06 JP JP20875490A patent/JPH0491508A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005223809A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
| WO2010150882A1 (ja) * | 2009-06-26 | 2010-12-29 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波フィルタおよびそれを用いた分波器 |
| CN102804600A (zh) * | 2009-06-26 | 2012-11-28 | 京瓷株式会社 | 表面声波滤波器以及使用其的分波器 |
| JP5100890B2 (ja) * | 2009-06-26 | 2012-12-19 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波フィルタおよびそれを用いた分波器 |
| US9041487B2 (en) | 2009-06-26 | 2015-05-26 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave filter and duplexer using same |
| CN102804600B (zh) * | 2009-06-26 | 2015-09-02 | 京瓷株式会社 | 表面声波滤波器以及使用其的分波器 |
| US10530330B2 (en) * | 2015-07-28 | 2020-01-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device |
| WO2020187827A1 (en) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | RF360 Europe GmbH | 11-idt dms filter, electroacoustic filter and multiplexer |
| WO2020187811A1 (en) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | RF360 Europe GmbH | Dms filter, electroacoustic filter and multiplexer |
| CN113615084A (zh) * | 2019-03-19 | 2021-11-05 | Rf360欧洲有限责任公司 | Dms滤波器、电声滤波器和多路复用器 |
| US12009805B2 (en) | 2019-03-19 | 2024-06-11 | Rf360 Singapore Pte. Ltd. | DMS filter, electroacoustic filter and multiplexer |
| CN115276591A (zh) * | 2022-06-22 | 2022-11-01 | 常州承芯半导体有限公司 | 声表面波滤波装置及其形成方法、滤波器、多工器 |
| CN119363067A (zh) * | 2024-12-27 | 2025-01-24 | 天通瑞宏科技有限公司 | 一种纵向耦合型谐振器及其制备方法 |
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